JPH04136914A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
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- JPH04136914A JPH04136914A JP26089490A JP26089490A JPH04136914A JP H04136914 A JPH04136914 A JP H04136914A JP 26089490 A JP26089490 A JP 26089490A JP 26089490 A JP26089490 A JP 26089490A JP H04136914 A JPH04136914 A JP H04136914A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は強誘電性液晶パネルに用いる液晶分子の配向処
理に関する。
理に関する。
従来の技術
従来の液晶表示パネルはガラス基板に透明導電膜を形成
後、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向
膜を塗布、硬化させた後、ラビニング処理を施して配向
制御膜を形成し、これら基板間に強誘電性液晶を注入し
て構成されていた。
後、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向
膜を塗布、硬化させた後、ラビニング処理を施して配向
制御膜を形成し、これら基板間に強誘電性液晶を注入し
て構成されていた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の液晶パネルでは、液晶分子は初期状態
から水平配向しているために、ラビングによる基板界面
の一軸規制力に拘束されてしまい、良好な双安定性を得
ることは困難であった。
から水平配向しているために、ラビングによる基板界面
の一軸規制力に拘束されてしまい、良好な双安定性を得
ることは困難であった。
本発明はこのような課題を解決するもので、良好な双安
定性を示す強誘電性液晶パネルを折供することを目的と
するものである。
定性を示す強誘電性液晶パネルを折供することを目的と
するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、少なくとも一方の
基板上に垂直配向処理を施した一対の電極イ」き基板間
に強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶がカイラル
スメクティノクＣ相を示す温度域で電圧を印加し、水平
配向状態を実現するものである。
基板上に垂直配向処理を施した一対の電極イ」き基板間
に強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶がカイラル
スメクティノクＣ相を示す温度域で電圧を印加し、水平
配向状態を実現するものである。
作用
本発明によれば、少なくとも一方の基板上に垂直配向処
理を施した一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入
した後、強誘電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を
示す温度域で電圧を印加し、水平配向状態にすることに
より、基板界面から離れた部分の液晶は水平配向状態に
あるが、基板界面付近の液晶は垂直配向していると考え
られるので、液晶はラビングによる一軸性の影響を受け
にくく、良好な双安定性を示すこととなる。
理を施した一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入
した後、強誘電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を
示す温度域で電圧を印加し、水平配向状態にすることに
より、基板界面から離れた部分の液晶は水平配向状態に
あるが、基板界面付近の液晶は垂直配向していると考え
られるので、液晶はラビングによる一軸性の影響を受け
にくく、良好な双安定性を示すこととなる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図に示すように、２枚の透明なガラス基板１
，８上に透明導電膜（ＩＴＯ膜）からなる透明電極２，
７を形成する。このガラス基板１，８を洗浄した後、そ
の上に配向膜３，６として垂直配向剤（ｎ−オクタデシ
ルトリエトキシシランの０．３％イソプロピルアルコー
ル溶液）をスピンナーにより塗布した後、レイヨンでつ
くられたラビングクロスを用いてラビング処理を施る。
する。第１図に示すように、２枚の透明なガラス基板１
，８上に透明導電膜（ＩＴＯ膜）からなる透明電極２，
７を形成する。このガラス基板１，８を洗浄した後、そ
の上に配向膜３，６として垂直配向剤（ｎ−オクタデシ
ルトリエトキシシランの０．３％イソプロピルアルコー
ル溶液）をスピンナーにより塗布した後、レイヨンでつ
くられたラビングクロスを用いてラビング処理を施る。
その後、一方のガラス基板１の垂直配向膜３を設けた面
にスペーサー９として直径２μｍの５ｉ０２粒子を散布
し、他方のガラス基板８の垂直配向膜６を設けた面の縁
部にシール樹脂４を塗布し、これら両方の基板１，８を
垂直配向膜３６面同士が対向するように貼り合わせ、加
熱してシール樹脂４を硬化させる。その後、真空脱気し
、この２枚のガラス基板１，８間に強誘電性液晶５を加
熱しながら注入する。このパネルを室温まで徐冷し、注
入口を封口した後、液晶がカイラルスメクティンクＣ相
よりも高温域を示す状態になるまで再び加熱し、±３０
Ｖ１０Ｈｚの交番電界を印加しながら室温まで徐冷する
。偏光顕微鏡を用いてこのパネルを観察するとカイラル
スメクティックＣ相を示す温度域で自発分極の向きが電
界の方向に整列しようとするため、強誘電性液晶分子が
垂直配向状態から垂直配向状態に徐々に変化する様子が
観察された。このパネルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来のパネルに第２図（ａ）に示すような
電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｔ））に示
す。Ｖｋは書き込みパルスを示しており、Ａは配向膜と
して垂直配向剤を用いた本実施例の光透過率、Ｂは配向
膜としてポリイミドを用いた従来例の光透過率を示して
いる。第２図（ａ）、 （ｂ）から明らかなように配向
膜としてポリイミドを用いた場合は応答時間が長く、メ
モリー時においても十分な光透過率が得られていない。
にスペーサー９として直径２μｍの５ｉ０２粒子を散布
し、他方のガラス基板８の垂直配向膜６を設けた面の縁
部にシール樹脂４を塗布し、これら両方の基板１，８を
垂直配向膜３６面同士が対向するように貼り合わせ、加
熱してシール樹脂４を硬化させる。その後、真空脱気し
、この２枚のガラス基板１，８間に強誘電性液晶５を加
熱しながら注入する。このパネルを室温まで徐冷し、注
入口を封口した後、液晶がカイラルスメクティンクＣ相
よりも高温域を示す状態になるまで再び加熱し、±３０
Ｖ１０Ｈｚの交番電界を印加しながら室温まで徐冷する
。偏光顕微鏡を用いてこのパネルを観察するとカイラル
スメクティックＣ相を示す温度域で自発分極の向きが電
界の方向に整列しようとするため、強誘電性液晶分子が
垂直配向状態から垂直配向状態に徐々に変化する様子が
観察された。このパネルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来のパネルに第２図（ａ）に示すような
電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｔ））に示
す。Ｖｋは書き込みパルスを示しており、Ａは配向膜と
して垂直配向剤を用いた本実施例の光透過率、Ｂは配向
膜としてポリイミドを用いた従来例の光透過率を示して
いる。第２図（ａ）、 （ｂ）から明らかなように配向
膜としてポリイミドを用いた場合は応答時間が長く、メ
モリー時においても十分な光透過率が得られていない。
これはラビング方向に対する配向膜の液晶分子への拘束
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻してしまうためであると考えられる。これに対して配
向膜として垂直配向剤を用いた場合は基板界面付近の液
晶分子は垂直配向していると考えられるので、ラビング
による一軸性の影響を受けにくく、非選択パルス期間に
おいても液晶がラビング方向に戻らずメモリー状態を維
持するので、十分な透過率を示している。
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻してしまうためであると考えられる。これに対して配
向膜として垂直配向剤を用いた場合は基板界面付近の液
晶分子は垂直配向していると考えられるので、ラビング
による一軸性の影響を受けにくく、非選択パルス期間に
おいても液晶がラビング方向に戻らずメモリー状態を維
持するので、十分な透過率を示している。
なお、本実施例では側基板に垂直配向処理を施したが、
どちらか一方の基板だけでも良く、また垂直配向剤とし
てｎ−オクタデシルトリエトキシシランを例に上げて説
明したが、液晶分子を垂直配向させるものであればＤＭ
、ＯＡＰ （Ｎ、Ｎジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−
アミノプロピルトリメトキシシリルクロライド）などの
他の界面活性剤などでも可能である。また、ラビング処
理を行った後に垂直配向膜を形成しても良い。また、自
発分極の値が少さすぎると圧電を印加しても層構造が変
化せず、垂直配向のままである。また、５０ｎＣ／ｃＪ
以上になると、液晶の粘度が高くなり、配向の応答性が
低下して好ましくないので自発分極の値は２０〜５０ｎ
Ｃ／ｃ＋ｆｌの範囲が好ましい。
どちらか一方の基板だけでも良く、また垂直配向剤とし
てｎ−オクタデシルトリエトキシシランを例に上げて説
明したが、液晶分子を垂直配向させるものであればＤＭ
、ＯＡＰ （Ｎ、Ｎジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−
アミノプロピルトリメトキシシリルクロライド）などの
他の界面活性剤などでも可能である。また、ラビング処
理を行った後に垂直配向膜を形成しても良い。また、自
発分極の値が少さすぎると圧電を印加しても層構造が変
化せず、垂直配向のままである。また、５０ｎＣ／ｃＪ
以上になると、液晶の粘度が高くなり、配向の応答性が
低下して好ましくないので自発分極の値は２０〜５０ｎ
Ｃ／ｃ＋ｆｌの範囲が好ましい。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように本発明によれ
ば、少なくとも一方の基板上に垂直配向処理を施した一
対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強誘
電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を示す温度域で
電圧を印加し、水平配向状態にすることにより、良好な
双安定性を示す均一な特性の液晶パネルを得ることがで
きる。
ば、少なくとも一方の基板上に垂直配向処理を施した一
対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強誘
電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を示す温度域で
電圧を印加し、水平配向状態にすることにより、良好な
双安定性を示す均一な特性の液晶パネルを得ることがで
きる。
４、
圧波形を示すグラフ、第２図（ｂ）は液晶パネルの光透
過率を示すグラフである。 １．８・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電極
、３゜６・・・・・・配向膜、４・・・・・・シール樹
脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・スペ
ーサ。
過率を示すグラフである。 １．８・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電極
、３゜６・・・・・・配向膜、４・・・・・・シール樹
脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・スペ
ーサ。
Claims (3)
- （１）少なくとも一方の基板上に垂直配向処理を施した
一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強
誘電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を示す温度域
で電圧を印加し、液晶分子を水平配向させる強誘電性液
晶パネル。 - （２）カイラルスメティックＣ相を示す温度域よりも高
温側から徐冷しながら電圧を印加する請求項１記載の強
誘電性液晶パネル。 - （３）自発分極が２０ｎＣ／ｃｍ＾２、５０ｎＣ／ｃｍ
＾２の強誘電性液晶を用いる請求項１記載の強誘電性液
晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260894A JP2819814B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260894A JP2819814B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136914A true JPH04136914A (ja) | 1992-05-11 |
| JP2819814B2 JP2819814B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=17354234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2260894A Expired - Fee Related JP2819814B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819814B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125822A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-05 | Canon Inc | 液晶の配向制御法 |
| JPS60241023A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子の配向方法 |
| JPS6147930A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPS62160426A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| JPS62299815A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 |
| JPS63159825A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Toshiba Corp | 液晶電気光学素子の製造方法 |
| JPS63309919A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2260894A patent/JP2819814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125822A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-05 | Canon Inc | 液晶の配向制御法 |
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| JPS63159825A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Toshiba Corp | 液晶電気光学素子の製造方法 |
| JPS63309919A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819814B2 (ja) | 1998-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |