JPH04134640A - 光ビーム変調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明（よ　半導体レーザより発生した光ビームの波長
をより短い波長に変換する波長変換手段を用いた光ビー
ム変調装置に関するものであム従来の技術 従来の装置として、所定の回転数で回転している円盤状
の記録担体上に半導体レーザー等の光源より発生した光
ビームを収束して照射し　記録担体上に信号を記録する
あるいは記録担体上に記録されている信号を再生する光
学式記録再生装置があム この記録担体上には幅　０．６マイクロメー久ピツチ　
１．６マイクロメータという微小なトラックがスパイラ
ル状または同心円状に設けられており、記録担体上に信
号を記録する場合に４１　　光ビームの強度を強弱に変
調して記録し　また記録担体上に記録されている信号を
再生する場合に（上記録担体からの反射光または透過光
を光検出器で光電流に変換して行っていも 発明が解決しようとする課題 光学式記録再生装置において、より高密度化を図り、限
られた記録担体面に大容量の情報を記録できるようにす
ることは時代の要請であム　これを実現するには記録担
体上の光ビームのスポット径を小さくし　トラックピッ
チ及びトラック方向の線密度を高めればよｌ、Ｘｏ　　
記録担体上の光ビームスポット径Ｄ４；］、Ｄ＝に一×
λ／ＮＡで定ま、Ｌｋ−は定数　λは光ビームの波Ａ　
　ＮＡは記録担体に収束するレンズの開口数であム　従
って、光ビームの波長を短くすれば　高密度な信号の記
録再生が可能とな４ 短波長の光ビームを得る１つの手法として、半導体レー
ザの光ビームでＹＡＧ　（イツトリウム・アルミニウム
・ガーネット）等の固体レーザ結晶を励起し　固体レー
ザ結晶により発振した波長λ１の光ビームを第２高調波
発生素子（ＳＨＧ）を用いて半分の波長λ２の光ビーム
に変換する方法が知られていも　例えば８０９ｎｍの半
導体レーザの光ビームをＹＡＧに照射して波長１０６４
　ｎｍの光ビームを発振させ、ＳＨＧ素子で５３２　ｎ
ｍの光ビームに変換する（例えば　日経ニューマテリア
ル　１９９０年８月２０日号　ｐ　ｐ　３２−３３゜ｐ
ｐ６０−６８）。このような短波長の光ビームを得る方
法は　半導体レーザの光ビームを変調してＹＡＧに照射
してＬ　共振発振させているために応答性が悪く、波長
変換手段の光ビームを高い周波数で変調することは困難
という欠点がある。

そこで一般的に音響光学素子あるいは電気光学素子等の
光変調器を用いて波長変換手段の光ビームを高速に変調
することが行われていも　光学式記録再生装置において
、記録されている情報を再生するには記録担体上で１ｍ
Ｗ程度の光量でよいカミ情報を記録するためには記録担
体上で１０ｍＷから２０ｍＷ程度の光量を必要とす４　
しかしなか収　上述した波長変換手段は変換効率が低い
という欠点があり、例えば波長が８０９ｎｍで２００ｍ
Ｗの半導体レーザを使ってｉ５３２ｎｍの光ビームは８
〜１２ｍＷ程度しか得られなし箋　従って、例えば　波
長変換手段の１０ｍＷの光ビームを光変調器で変調して
記録担体上に信号を記録し光変調器で１ｍＷの光ビーム
にして信号の再生を行う場合、半導体レーザの出力光を
常に２００ｍＷとしておかなければならな（〜　このよ
うに大きな光ビームを連続して放射しておくと、半導体
レーザの寿命が短くなると共に　温度上昇が大きいため
（、−半導体レーザ光の波長が変動したり、熱により光
学系が歪を生じたりして装置の信頼性が著しく低下す４ 本発明の目的（戴　上述した従来の欠点を除去り高密度
に信号を記録再生することのできる信頼性の高い光ビー
ム変調装置を提供することであム課題を解決するための
手段 本発明の光ビーム変調装置は　半導体レーザと、半導体
レーザより発生した光ビームをより短い波長の光ビーム
に変換する波長変換手段と、波長変換手段の光ビームを
強弱に変調するための変調手段と、波長変換手段の光ビ
ームを変調する際に半導体レーザの出力光量を増加させ
ると共に　変調手段に変調信号を送り波長変換手段の光
ビームを変調する信号発生手段とを備えたものであム作
用 上記構成により、波長変換手段の光ビームを変調する場
合のみ半導体レーザの出力光量を増加させるので、半導
体レーザの寿命が長くなると共に温度上昇が小さいので
装置の信頼性が著しく向上すも 実施例 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

鑞　図面の説明に用いる番号において、同一の物には同
一の番号を用いも 第１図は本発明の光学式記録再生装置の一実施例であａ
　半導体レーザ１より発生した光ビームは波長変換器２
に入射される。波長変換器２は半導体レーザ１の光ビー
ムより短い波長の光ビームを放射すａ　波長変換器２の
光ビームは光変調器３を通過して、　１／４波長板４を
透過し　偏光ビームスプリッタ−５に入射され　収束レ
ンズ６により円盤状の記録担体７上に照射されも記録担
体７（友　光ビームを案内するためのスパイラル状の案
内トラックを設けた基材上にスパッタあるいは蒸着等に
よりＴｅをベースとした相変化型の記録材料層を形成し
たものであり、記録担体７はモータ８の回転軸に取り付
けられて所定の速度で回転されていも 記録担体７により反射された光ビーム（よ　偏光ビーム
スプリッタ−５、凸レンズ９、シルノドリカルレンズ１
０を通過して、光検出器１１上に照射される。光検出器
１１ｉ；！、４つの受光領域を時板　非点収差法で記録
担体上の光ビームの収束状態を検出し　プッシュプル法
で記録担体上の光ビームとトラックの位置ずれを検出す
るように構成されていも　非点収差法については特公昭
５３−３９１２３号公報　プッシュプル法については特
公昭５８−９０８５号公報で公知であり、その説明を省
略すも 収束レンズ６は制御素子１２に取り付けられて、制御素
子１２によって記録担体７の面と垂直な方向及び記録担
体７上の半径方向すなわちトラックの方向と垂直な方向
の２軸方向に移動できるように構成されてい４　半導体
レーザ１、波長変換器２、光変調器３、１／４波長板４
、偏光ビームスプリッタ−５、凸レンズ９、シルノドリ
カルレンズ１０、光検出器１１及び制御素子１２は移送
台１３に取り付けられており、移送台１３は移送モータ
（省略）によって記録担体７の半径方向に移動できるよ
うに構成されていも １４は記録担体上に記録されている信号を再生するため
の再生信号検出回路であり、　１４は光検出器１１に逆
バイアス電圧を印加するための端子であム　１６、１７
、１８及び１９は光検出器１１の４つの受光領域からの
光電流を電圧に変換するためのＩ／Ｖ変換回路であム　
従って、光検出器１１の４つの受光領域の光電流（よ　
端子１５、再生信号検出回路１４を通過すム　再生信号
検出回路１４はこの４つの受光領域を流れる光電流の和
より記録担体７上に記録されている信号を再生すム２０
、２１、２２及び２３は加算回路であり、加算回路２０
はＩ／Ｖ変換回路１６と１７の信号を、加算回路２１は
Ｉ／Ｖ変挽回路１８と１９の信号を、加算回路２２はＩ
／Ｖ変換回路１６と１８の信号を、加算回路２３はＩ／
Ｖ変換回路１７と１９の信号をそれぞれ加算した信号を
出力す、４　２４及び２５は差動増幅器であり、差動増
幅器２４は加算回路２０と２１の信号の差に応じた信号
　すなわち記録担体７上の光ビームの収束状態に対応し
たフォーカスずれ信号を出力Ｌ　差動増幅器２５は加算
回路２２と２３の信号の差に応じた信号　すなわち記録
担体７上の光ビームとトラックの位置ずれに対応したト
ラックずれ信号を出力すａ　差動増幅器２４の信号（よ
　除算回路２６、フォーカス制御系の位相を補償するた
めの位相補償回路２８及び電力増幅するための駆動回路
３０を介して制御素子１２に加えられていも従って、制
御素子１２は記録担体７上の光ビームの収束状態が所定
の状態となるように記録担体７の面と垂直な方向に収束
レンズ６を移動させム差動増幅器２５の信号１表　除算
回路２７、　トラッキング制御系の位相を補償するため
の位相補償回路２９及び電力増幅するための駆動回路３
１を介して制御素子１２に加えられていも　従って、制
御素子１２は記録担体７上の光ビームがトラック上に位
置するように記録担体７の半径方向に収束レンズ６を移
動すム　加算回路３２はＩ／Ｖ変換回路１６、１７、１
８及び１９の信号を加算しこの加算した信号を除算回路
２６、２７に送本除算回路２６Ｊよ　差動増幅器２４の
信号を加算回路３２の信号で割り算した値に応じた信号
を出力し　除算回路２７（よ　差動増幅器２５の信号を
加算回路３２の信号で割り算した値に応じた信号を出力
すム　例えば光ビームの光量が変化し　これに応じて差
動増幅器２４、２５の出力信号の検出感度が変化してＬ
　除算回路２６、２７の出力信号の検出感度は変化しな
しも　従って、フォーカス制御双　トラッキング制御系
のループゲインが常にほぼ一定となり、制御系が極めて
安定なものとなム　制御素子１２は記録担体７の半径方
向に２００μｍ程度しか移動できず、移送台１３を記録
担体７の半径方向に移動させる移送モータ（省略）に除
算回路２７の信号を加え　制御素子１２が自然の状態を
中心に移動するように移送制御を行っている力（本発明
とは直接関係しないので詳細な説明を省略すも 信号の記録及び再生について簡単に説明すも記録担体７
上の光ビームは回折限界に近い非常に小さなスポットに
収束されていも　信号の記録（友フォーカス制御及びト
ラッキング制御を動作させた状態で、変調回路３３によ
り半導体レーザｌの出力光量を増大させると共に記録す
る信号に応じた変調信号を光変調器３に送り、波長変換
器３よりの光ビームを変調して行う。記録担体上に記録
されている信号を再生する場合、半導体レーザ１の光量
を減少させ、光変調器３は透過する光量が最大となるよ
うにし　記録担体７上にほぼ一定の光量を照射し　信号
処理回路１４より再生信号を得も 波長変換器２について第２図と共に説明すも４１はＹＡ
Ｇ等の固体レーザ結晶　４２はＫＮｂＯ３等のＳＨＧ　
（高調波発生）素子、　４３は反射ミラーであ４　半導
体レーザｌの光ビームは端面４４に入射し　固体レーザ
結晶４１を励起すも　端面４４には固体レーザ結晶４１
で発生する波長λ１の光ビームとＳＨＧ素子４２で発生
する波長λ２の光ビームを全反射する反射膜が設けられ
ていもまた　反射ミラー４３の反射面４５にζ友　波長
λ１の光ビームを反射する反射膜が設けられていム端面
４４及び反射面４５に設けているフィルター薄膜（よ　
実施例においては全面に設けているカミこれは製造を容
易にするためであム　半導体レーザ１からの光ビームが
固体レーザ結晶４１に入射する部分で共振が発生するの
で、少なくともその部分に前述したフィルター薄膜を設
ければよい。

変調回路３３の構成について第３図と共に説明すも　第
３図は変調回路３３のブロック図であり、コントロール
回路５１（上　信号の記録を開始するＨＩＧＨレベルの
指令信号を信号発生回路５２、反転回路５３及び半導体
レーザｌを駆動するための駆動回路５４へ送も　駆動回
路５４は半導体レーザ１の出力光を増大させ４　反転回
路５５はコントロール回路５１の信号をＬＯＷレベルに
反転Ｌ　　ＯＲ回路５５に送も　また　信号発生回路５
２はコントロール回路５１のＨＩＧＨレベル信号に応答
して信号を記録するための変調信号をＯＲ回路５５に送
、Ｌ　　ＯＲ回路５５は信号発生回路５２の信号を駆動
回路５６に送も　駆動回路５６は変調器３を駆動するた
めのものであり、変調器３は信号発生回路５２の信号に
応じて波長変換器２の光ビームを強弱に変調すム 第４図は変調動作を説明するためのタイミング図であム
　波形（Ａ）はコントロール回路５１の指令信号　波形
（Ｂ）は半導体レーザ１の出力光量、波形（Ｃ）は波長
変換器２の出力光１　波形（Ｄ）はＯＲ回路５５の信号
　波形（Ｅ）は変調器３の出力光量をそれぞれ示してい
も　波形（Ｂ）に示すように半導体レーザ１の出力光（
よ　コントロール回路５１のＨＩＧＨレベル信号に応じ
て瞬時に再生光量ｐｇから記録光量Ｐ１に変化する。し
かし　波長変換器２は応答性が悪いために　波形（Ｃ）
に示すようへ　再生光量Ｐ１゛　から記録光量Ｐ１′　
に変化するのに時間がかかり、　したがって、変調器３
の出力光量も波形（Ｅ）に示すように再生光量Ｐｓ′″
から記録光量Ｐ１″のレベルに到達するのに時間がかも
　また記録を終了する際にに半導体レーザ１の出力光量
は瞬時に記録光量Ｐ１から再生光量Ｐ−に変化する力ｔ
　波長変換器２の出力光量は瞬時には応答しなｔ、％ 波形（Ｄ）に示すようにＯＲ回路５５がＨＩＧＨレベル
で変調器３が波長変換器２の光ビームを最も多く透過す
るようになっている。再生時にＯＲ回路５５がＨＩＧＨ
レベルとなるようにしているので、再生時の半導体レー
ザ１の出力光量は小さくてよく、従って半導体レーザ１
の寿命は長くなると共に　発熱も小さくすることができ
も　波形（Ｅ）に示すよう艮　記録する信号に応じて光
変調器３の出力光をＨＩＧＨレベルとＬＯＷレベルに変
調している力＜　　ＬＯＷレベルを光量零としてもよい
し　ある一定のバイアス光量としてもよりも第３図の変
調回路３３の構成において（よ　光ビームの変調度が悪
いために記録開始直後の信号が記録されなかったり、あ
るいは品質の悪い信号が記録されも　第５図はこれを防
止するための変調回路３３の構成のブロック図であａ 第５図は第３図に示した変調回路３３の構成番へＬＯＷ
レベルからＨＩＧＨレベルに変わる立ち上がりを遅延さ
せ、ＨＩＧＨレベルからＬＯＷレベルに変わる立ち下が
りは遅延しない遅延回路５７を設けたものであ４　コン
トロール回路５１は信号の記録を開始するＨＩＧＨレベ
ルの指令信号を遅延回路５７及び半導体レーザ１を駆動
するための駆動回路５４へ送も　駆動回路５４は半導体
レーザ１の出力光を増大させも　遅延回路５７はコント
ロール回路５１の信号を遅延させてＨＩＧＨレベルの信
号を信号発生回路５２及び反転回路５３に送も　反転回
路５３は遅延回路５７の信号をＬＯＷレベルに反転Ｌ　
　ＯＲ回路５５に送もまた　信号発生回路５２は遅延回
路５７のＨＩＧＨレベル信号に応答して信号を記録する
ための変調信号をＯＲ回路５５に送、Ｌ　　ＯＲ回路５
５は信号発生回路５２の信号を変調器３を駆動するため
の駆動回路５６に送も　変調器３は信号発生回路５２の
信号に応じて波長変換器２の光ビームを強弱に変調すム
　従って、半導体レーザ１の光量が増大し　波長変換器
２の出力光量が所定のレベル以上になった後に変調器３
で波長変換器２から放射される光ビームを変調するよう
に遅延回路５７の遅延時間を設定しているので、記録開
始直後より良好な信号が記録できも　この動作について
第６図のタイミング図と共に説明す４　波形（Ａ）はコ
ントロール回路５１の指令信号　波形（Ｂ）は遅延回路
５７の信号　波形（Ｃ）は波長変換器２の出力光１　波
形（Ｄ）はＯＲ回路５５の信号波形（Ｅ）は変調器３の
出力光量をそれぞれ示してい４　波形（Ｂ）に示すよう
へ　コントロール回路５１の指令信号の立ち上がりエツ
ジより時間ｔｌ遅れて遅延回路５７がＨＩＧＨレベルに
なるので、その時点で波長変換器２の出力光量は所定の
レベルに達しており、信号発生回路５２より発生された
信号はすべて良好に記録されも 第５図の変調回路３３の構成において、記録終了直後に
波長変換器２の出力光量が十分減少していないために、
　信号と関係しない長い記録マークが記録されも　これ
を防止するに（よ　第５図のコントロール回路５１の指
令信号の期間を記録終了前にＨＩＧＨレベルからＬＯＷ
レベルにし　遅延回路５７を記録終了直後においてもコ
ントロール回路５１の信号を遅延させるように構成すれ
ばよ（ｔ　このように構成した場合のタイミング図を第
７図に示す。第７図において、波形（Ａ）はコントロー
ル回路５１の指令信号　波形（Ｂ）は遅延回路５７の信
号　波形（Ｃ）は波長変換器２の出力光量、波形（Ｄ）
はＯＲ回路５５の信号　波形（Ｅ）は変調器３の出力光
量をそれぞれ示していム　ｔｌは遅延回路５７の記録開
始時の遅延時遅ｔ２は記録終了時の遅延時間であ４　記
録開始直後において品質の良い信号を記録するために１
＋よりもｔ２を小さくすることが望まし鶏　例えば５１
２Ｂのデータに区切って信号の記録を行う場合に（よ５
１２Ｂのデータを記録する時間は予め決まっており、コ
ントロール回路５１は遅延回路５７の遅延時間を考虜し
てＨＩＧＨレベル期間が所定の時間となるように指令信
号を送出すれば良しも　また音声信号あるいは画像信号
のように記録時間が定まっていないような記録を行う場
合には　記録するデータが終了する時間ｔ２前に信号発
生回路５２からコントロール回路５１に信号を送るよう
に構成し　コントロール回路５１はこの信号に応じて半
導体レーザ１の出力光量を減少させるようにすれば良し
も 第５図の変調回路３３の構成において、記録開始直後あ
るいは記録終了直後に長時間連続した強い光量が照射さ
れも　書換え可能な記録媒体においては　同じ場所に長
時間連続した強い光量を何回も照射すると、記録材料が
劣化したり、破損したりすも　・これを防止するため置
　第５図の変調回路３３の構成において、記録開始及び
記録終了直後においてダミー信号を発生するように信号
発生回路５２を構成し　記録開始時の遅延時間を課記録
終了時の遅延時間を信号発生回路５２が送出するダミー
信号期間ｊｓとするように遅延回路５７を構成すればよ
（〜　この場合のタイミング図を第８図に示す。波形（
Ａ）はコントロール回路５１の指令信号　波形（Ｂ）は
遅延回路５７の信号波形（Ｃ）は波長変換器２の出力光
１　波形（Ｄ）はＯＲ回路５５の信号　波形（Ｅ）は変
調器３の出力光量をそれぞれ示していも　遅延回路５７
は波形（Ｂ）に示すようへ　コントロール回路５１のＨ
ＩＧＨレベルからＬＯＷレベルの立ち下がりエツジを時
間ｔ３遅延すム　信号発生回路５２は波形（Ｄ）に示す
よう番へ　記録開始時と終了時にダミー信号を送出すａ
　ダミー信号とは　例えば信号の変調コードが２−７変
調の場合に１．５Ｔ信号あるいは４Ｔ信号等の一定の周
波数の信号で、この信号が記録担体７上に記録されても
記録されなくても信号の再生に何等関係しない信号であ
もまた　画像あるいは音声信号をＦＭ変調して記録する
場合には搬送波信号とすることができも　このようにす
れば　前述したように長時間強い光量が記録担体７に照
射されないので、記録材料の劣化あるいは破壊がぼうし
できると共に、　長い記録マークが形成されないので信
号を再生する場合にレベル変化が少なくなり、装置の信
頼性が向上すム 第９図は　波長変換器２の放射光ビームの光量を検知し
て信号の記録を行うように構成したブロック図を示して
いも　第９図ζ友　第１図と重複する部分については省
略して記載している力ｔ　半導体レーザ１の光ビームは
波長変換器２に照射され波長変換器２の光ビームの大部
分の光ビーな　例えば９７％の光ビームは反射板６１を
透過して光変調器３に照射され４　波長変換器２の光ビ
ームの所定の割合の光ビーな　例えば３％の光ビームは
反射板６１で反射され　光検出器６２に照射され４　　
Ｉ／Ｖ変換回路６３は光検出器６２の光電流を電圧に変
換し　この信号をコントロール回路６４に送も　信号を
記録する際に　コントロール回路６４は駆動回路６５を
介して半導体レーザ１の光量を増大させ、　Ｉ／Ｖ変換
回路６３の出力レベルが所定のレベルに達したことを検
知して、指令信号を信号発生回路６７に送も　信号発生
回路６７ζ戴　指令信号に応答して変調信号を駆動回路
６８を介して変調器３に送も　このように構成すれば　
波長変換器２の放射光量の立ち上がりがばらついても放
射光量が所定の光量になったことを確実に検出できるの
で、より信頼性の高い信号の記録ができも　また　信号
の記録を終了する際く半導体レーザ１の光量を減少させ
、　Ｉ／Ｖ変換回路６３の出力レベルが所定のレベル以
下に達したことを検知して指令信号を停止するようにコ
ントロール回路を構成すれば　より信頼性の高い信号の
記録ができも 以上　本発明の詳細な説明した力交　本発明は実施例に
より回答限定されるべきてな（−例えは　半導体レーザ
光を導波路を構成しているＳＨＧ素子に入射させて半分
の波長に変換する構成の波長変換器にも適応できも　ま
た　本発明は記録担体を透過した透過光より記録担体上
に記録されている信号を再生する光学式記録再生装置に
も適応することができも また　本発明は相変化材料の代わりに光磁気打器　有機
色素材料を用いたディスク及びその装置にも適応できる
ことは言うまでもなしｔ　さらに本発明は記録担体の形
状に関係なく、例えばテープ状のものであってもよ（− 発明の効果 本発明を適応すれば　波長変換手段の光ビームを変調す
る場合のみ半導体レーザの出力光量を増加させるので、
半導体レーザの寿命が長くなると共に　温度上昇が小さ
くなるので、光学系の熱歪を防止することができ、装置
の信頼性が著しく向上すム

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
　第２図は波長変換器２の構成医　第３図は変調回路３
３の構成を説明するた給のブロック図　第４図は変調回
路３３を用いた場合の動作を示すタイミング医　第５図
は遅延回路５７を設けた変調回路３３のブロック＠　第
６図は第５図の変調回路３３を用いた場合の動作を示す
タイミング医　第７図は第５図の遅延回路５７を記録開
始及び終了時において遅延するように構成した場合の動
作を示すタイミング＠　第８図は第５図の変調回路３３
の構成において、記録開始及び終了時にダミー信号を付
加するように信号発生回路５２を構成すると共に、　記
録終了時を遅延するように遅延回路５７を構成した場合
の動作を示すタイミング医　第９図は波長変換器２の放
射光量を検知して信号の記録を行う第２の実施例を説明
するためのブロック図であａ １・　・先爪　２・・・波長変換器　３光変調器　４・
・・１／４波長板、５・・・偏光ビームスプリッタ−６
・・・収束レンＸ　７・・記録担体　８・・・モー久　
９・・・凸しンＸ　　１０・・・シリンドリカルレン、
Ｃ１１・・光検出ａ　１３・・・移送台。 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明 ほか２名 第 第 図 （Ｄ） 図 ワ ｊ） 図 第 図 第 図 第 図 又−一−− ？ 、？３ 第 図 第 図 第 図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体レーザと、前記半導体レーザより発生した
   光ビームをより短い波長の光ビームに変換する波長変換
   手段と、前記波長変換手段の光ビームを強弱に変調する
   ための変調手段と、前記波長変換手段の光ビームを変調
   する際に、半導体レーザの出力光量を増加させると共に
   、前記変調手段に変調信号を送り波長変換素子の光ビー
   ムを変調する信号発生手段とを備えたことを特徴とする
   光ビーム変調装置。
2. （２）半導体レーザより発生した光ビームで励起して波
   長λ＿１の光ビームを発振させるための固体レーザ結晶
   と、波長λ＿１の光ビームをそれより短い波長λ＿２の
   光ビームに変換する波長変換素子とで波長変換手段を構
   成したことを特徴とする請求項（１）に記載の光ビーム
   変調装置。
3. （３）変調手段で波長変換手段の光ビームの変調を開始
   する前に半導体レーザの光ビームを増加させるように信
   号発生手段を構成したことを特徴とする請求項（１）に
   記載の光ビーム変調装置。
4. （４）変調手段で波長変換手段の光ビームの変調を終了
   する前に半導体レーザの光ビームを減少させるように信
   号発生手段を構成したことを特徴とする請求項（１）に
   記載の光ビーム変調装置。
5. （５）半導体レーザと、前記半導体レーザより発生した
   光ビームをより短い波長の光ビームに変換する波長変換
   手段と、前記波長変換手段の光ビームの光量を検出する
   光量検出手段と、前記波長変換手段の光ビームを強弱に
   変調するための変調手段と、前記波長変換手段の光ビー
   ムを変調する際に、半導体レーザの出力光量を増加させ
   、前記光量検出手段の信号が所定のレベルに達した後に
   、前記変調手段に変調信号を送り波長変換手段の光ビー
   ムを変調する信号発生手段とを備えたことを特徴とする
   光ビーム変調装置。
6. （６）半導体レーザより発生した光ビームで励起して波
   長λ＿１の光ビームを発振させるための固体レーザ結晶
   と、波長λ＿１の光ビームをそれより短い波長λ＿２の
   光ビームに変換する波長変換素子とで波長変換手段を構
   成したことを特徴とする請求項（５）に記載の光ビーム
   変調装置。
7. （７）波長変換手段の光ビームの変調を終了する際に、
   半導体レーザの出力光量を減少させ光量検出手段の信号
   が所定のレベル以下に達した後に、変調手段に変調信号
   を送るのを停止するように信号発生手段を構成したこと
   を特徴とする請求項（５）に記載の光ビーム変調装置。
8. （８）半導体レーザと、前記半導体レーザより発生した
   光ビームをより短い波長の光ビームに変換する波長変換
   手段と、前記波長変換手段の光ビームを強弱に変調する
   ための変調手段と、前記波長変換手段の光ビームを変調
   する際に、半導体レーザの出力光量を増加させると共に
   、前記変調手段に変調信号を送り波長変換素子の光ビー
   ムを変調する信号発生手段とを備え、前記半導体レーザ
   の光量を増大してから前記波長変換手段の光量が所定の
   光量レベルに達するまでの期間はダミー信号を前記変調
   手段に送るように前記信号発生手段を構成したことを特
   徴とする光ビーム変調装置。
9. （９）半導体レーザより発生した光ビームで励起して波
   長λ＿１の光ビームを発振させるための固体レーザ結晶
   と、波長λ＿１の光ビームをそれより短い波長λ＿２の
   光ビームに変換する波長変換素子とで波長変換手段を構
   成したことを特徴とする請求項（８）に記載の光ビーム
   変調装置。
10. （１０）波長変換手段の光ビームの変調を終了する際に
    、半導体レーザの出力光量を減少させてから波長変換手
    段の光量が所定の光量レベル以下に達するまでの期間は
    ダミー信号を変調手段に送るように信号発生手段を構成
    したことを特徴とする請求項（９）に記載の光ビーム変
    調装置。