JPH04130064A - 遮光性及び高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents

遮光性及び高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体

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JPH04130064A
JPH04130064A JP2251020A JP25102090A JPH04130064A JP H04130064 A JPH04130064 A JP H04130064A JP 2251020 A JP2251020 A JP 2251020A JP 25102090 A JP25102090 A JP 25102090A JP H04130064 A JPH04130064 A JP H04130064A
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JP
Japan
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aluminum nitride
sintered body
light
nitride sintered
weight
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JP2251020A
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Hideko Fukushima
英子 福島
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Proterial Ltd
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Hitachi Metals Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、窒化アルミニウム焼結体に関し、更に詳しく
は遮光性、高熱伝導性を有し、絶縁基板、ヒートシンク
、半導体パッケージ等の材料に適する焼結体に関する。
[従来の技術] 従来の電子機器において、IC,LSI等の電子デバイ
スの実装、回路形成、絶縁等のためには、アルミナ基板
が使用されている。しかし、アルミナ基板は熱伝導率が
低い(約20W/m−K)ため、近年のLSIの高密度
、高集積化により、高熱伝導性の基板材料が要望されて
いる。そこで、熱伝導性に優れた窒化アルミニウム焼結
体が注目されるようになった。
しかしながら、窒化アルミニウムは共有結合性が強く、
難焼結相料であるため緻密な焼結体を得ることが困難で
あった。
これに対し、種々の焼結助剤の添加により常圧で緻密な
焼結体を得ることができるようになったが、熱伝導率に
問題があった。しかし、近年、特公昭62−22952
に示すように、高純度の窒化アルミニウム粉末が得られ
、その粉末の使用により、透光性で高熱伝導性の窒化ア
ルミニウム焼結体を得ることができるようになってきた
[発明が解決しようとする課題] 近年、ますます増大する傾向にある半導体素子からの発
熱を放熱するためには、窒化アルミニウムを基板に用い
る場合、できるだけ大きい熱伝導率を有する焼結体を使
用する。一方、窒化アルミニウム焼結体は熱伝導率が大
きくなるにつれて、透光性を発現するという性質を有し
ている。
透光性のある高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体は、焼
きムラや色ムラを生じ易く外観不良になり易い。
そして、太陽光(紫外NA)等により焼結体の色調が変
化する場合もあり、基板材料として使用してパッケージ
を組み立てた場合、ベース板側との呈色が異なり外観色
が不揃いとなり易い。また、太陽光等による色調の変化
はパッケージ基板として使用した場合、内部のICメモ
リーに悪影響を及ぼすことも考えられ適当てない。
その上、窒化アルミニウム基板を実用化するにあたり透
光性があるということは、メタライズ技術の面で以下の
ような問題が生じる。それは、基板にメタライズを行う
場合、赤外線等の光を利用した位置決めセンサを使用し
てメタライズの位置を決めるために、透光性に不均一が
あると赤外線センサによる正確な位置検出が困難となり
、メタライズができないという問題である。
以上の問題を解決する手段として、特開昭63−894
63号では窒化アルミニウムの原料粉末の比表面積およ
び酸素含有量を特定の値にし遮光性をえること、特開平
1−115874号ではCa3W○6を添加して黒色と
すること、特開平1−153573号ではTiNを添加
して黒色とすること、が提案されている。
しかし、以上の提案においては十分な遮光性を得る場合
には高熱伝導率を維持することができないという問題が
あった。
そこで、本発明の目的は、遮光性に優れ、しかも高熱伝
導率を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することで
ある。
[課題を解決するための手段] 本発明者は、遮光性に優れ、しがも高熱伝導率を有する
窒化アルミニウム焼結体を提供するため、遮光性を具現
しつつ窒化アルミニウムの有する熱伝導性を極度に劣化
させない添加物について種々検討したところ、BN、B
4C,B2O3、BF3などのB系化合物とT i、C
r、 Mn、 Fe、 Co、Ni、Cu、Zn、Zr
、Mo%Cd、Sn、Wから選ばれた少なくてもいずれ
か1種以上の酸化物、炭化物、窒化物、はう化物等の化
合物を複合添加した焼結体が前記課題を解決できること
を知見した。
本発明は、この知見に基づきなされたものでBおよびT
i、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、Cu、
Zn%ZrSMo、Cd、Sn、Wがら選ばれた少なく
てもいずれか1種以上が金属換算で0.1重量%以上1
0重量%以下、周期律表の第IIa族及びYを含む希土
類金属から選ばれた少なくとも1種以上の化合物を0.
5重量%以上15重量%以下、残部実質的に窒化アルミ
ニウムからなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結
体である。[作用] 以下本発明の成分限定理由を説明する。
焼結体中のB及びTi、Cr、Mn、Fe、Co、Ni
、Cu、Zn、Zr、Mo、Cd、Sn、Wから選ばれ
た少なくてもいずれか1種以上を金属換算で0.1重量
%以上とするのは、0.1重量%より少ないと十分な遮
光性が得られず、5〜6μmの波長の光に対する直線透
過率の吸収係数が260 c m−1以下、0.2〜0
.9μm間の波長の光に苅する直線透過率の吸収係数が
120cm−1以下となり本発明の目的を達成すること
が困難となるからである。一方、10重量%以下とする
のは10重量%より多くなると熱伝導率が低下し、12
0W/m・Kより小さ(なるからである。
含有風は、0.3重量%以上5重量%以下であることが
好ましい。0.3重量%以上5重量%以下であれば、6
μn1の波長の光に対する直線透過率の吸収係数がLO
Ocm−1以上、0.2〜0.9μm間の波長の光に対
する直線透過率の吸収係数か150crn−1以上とな
り完全な遮光性となり、熱伝導率も150W/m・K以
上の高熱伝導性焼結体が得られる。
なおりは、窒素雰囲気中での焼結ではh−BNとなって
存在している。
周期律表の第1Ia族及びYを含む希土類系から選ばれ
た少なくとも1種以上の金属酸化物はいわゆる焼結助剤
として含まれるものである。
この金属酸化物の量は0.5重量%未満では緻密な焼結
体を得ることができず、一方15重量%を越えると熱伝
導率が低下する。したがって、0.5重量%以上15重
量%以下に限定した。
望ましい金属酸化物は、CaO1Y z Os、または
D Y 20 sである。
この金属酸化物の添加量は、主に、主成分となる窒化ア
ルミニウム粉末の酸素量により異なる。
つまり、その添加量は、窒化アルミニウム粉末中に存在
している酸素が焼結過程でA1□03に変化し、その全
てを第2成分である化合物として焼結体中の粒界にAl
2O3との複合酸化物の形でトラップできるだけの量が
必要である。トラップできるだけの量以下であると、酸
素が窒化アルミニウムの粒内に固溶し熱伝導率が低下す
る。それ以上の場合、そのまま粒界に残存していると熱
伝導率低下の原因となる。
そして、粒界の複合酸化物は、焼結により焼結体の系外
へできるだけ多く除去されることが望ましく、粒界に残
存していればそれだけ熱伝導率が低下する。そのために
は、BおよびTi、Cr等を炭化物として添加しこの炭
化物を利用する、“カーボン粉末を添加する、あるいは
焼結時の炉内雰囲気を還元性雰囲気にする、等の手段を
単独または複合して採用すればよい。これにより、粒界
の酸化物が次々と還元窒化され系外へ除去される。
そして、そのカーボン源の量は、焼結体中に含まれる酸
素を還元するに足る化学当量あれば良いが、それ以上で
あっても焼結体中に残存するカーボン量が3重量%以下
であれば良く、それより多い場合は、密度の低下により
焼結体の熱伝導率が低下し、絶縁性も大きく低下する。
本発明の焼結体を作製する焼結方法としては、非酸化性
雰囲気で行うことが必要である。中でも窒素雰囲気中が
好ましい。焼結温度は、1500〜2000℃が良く、
好ましくは1700〜1900”cが良い。又、焼結は
、通常、常圧焼結法であるが、減圧焼結法でも加圧焼結
法でも良い。
[実施例] 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明は以下の実施例に限定されるものではない。
酸素量が約1%程度の窒化アルミニウム粉末に、周期律
表の第Ua族及びYを含む希土類系の金属酸化物として
Cab、Yt○3、またはD Y t Osから選ばれ
た1種以上の酸化物を添加し、BN、B4C,B2O3
、BF2などのB系化合物とCr、Mn、Fe、Mo、
Sn、Wがら選ばれた1種以上の酸化物、炭化物、窒化
物、はう化物等の化合物を添加し、混合、造粒、成形後
、温度1900℃、窒素雰囲気中、5時間の焼結を行い
、第1表に示す焼結体を得た。*印は、比較例である。
尚、第1表に示した以外の成分は窒化アルミニウムであ
る。また、第1表に示した各種の分析及び測定結果は、
以下の装置によって行った。
第2.3成分の分析: ICP発光分光分析装置(セイ
コー電子製) 炭素分析:金属中炭素分析装置(堀場製作所製)BNの
同定:X線回折装置(リガク製)熱伝導率:レーザー法
熱定数測定装置(リガク製)光透過率: 〔5〜6μm〕 フーリエ変換型赤外分光光度針(日本
電子製) 〔0,2〜0.9μm〕 自記分光光度計(日立製)吸
収係数u:  u=−1n(1/10)/11/10 
:光透過率 t:試料の厚み [発明の効果]

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)BおよびTi、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、
    Cu、Zn、Zr、Mo、Cd、Sn、Wから選ばれた
    少なくともいずれか1種以上が金属換算で0.1重量%
    以上10重量%以下、周期律表の第IIa族及びYを含む
    希土類金属から選ばれた少なくとも1種以上の酸化物が
    0.5重量%以上15重量%以下、残部実質的に窒化ア
    ルミニウムからなることを特徴とする窒化アルミニウム
    焼結体。
  2. (2)5〜6μmの波長の光に対する直線透過率の吸収
    係数が60cm^−^1より大きいことを特徴とする請
    求項(1)に記載の窒化アルミニウム焼結体。
  3. (3)0.2〜0.9μm間の波長の光に対する直線透
    過率の吸収係数が120cm^−^1より大きいことを
    特徴とする請求項(1)または(2)に記載の窒化アル
    ミニウム焼結体。
  4. (4)焼結体の熱伝導率が120W/m・K以上である
    ことを特徴とする請求項(1)乃至(3)のいずれかに
    記載の窒化アルミニウム焼結体。
JP2251020A 1990-09-20 1990-09-20 遮光性及び高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 Pending JPH04130064A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995002563A1 (en) * 1993-07-12 1995-01-26 The Dow Chemical Company Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
US5616956A (en) * 1994-09-16 1997-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate including insulating layer of aluminum nitride and electrically conductive layer of conductive component, aluminum nitride and other components, and semiconductor device containing same
US5641718A (en) * 1994-09-16 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Sintered aluminum nitride and circuit substrate using sintered aluminum nitride
JP2001240474A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Kyocera Corp 耐プラズマ部材及びその製造方法及びプラズマ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995002563A1 (en) * 1993-07-12 1995-01-26 The Dow Chemical Company Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
US5616956A (en) * 1994-09-16 1997-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate including insulating layer of aluminum nitride and electrically conductive layer of conductive component, aluminum nitride and other components, and semiconductor device containing same
US5641718A (en) * 1994-09-16 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Sintered aluminum nitride and circuit substrate using sintered aluminum nitride
JP2001240474A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Kyocera Corp 耐プラズマ部材及びその製造方法及びプラズマ装置
JP4651148B2 (ja) * 2000-02-29 2011-03-16 京セラ株式会社 耐プラズマ部材及びプラズマ装置

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