JPH0412558A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器に使用する半導体装置に関する
。
。
従来の技術
以下に従来の半導体装置について説明する。第２図に示
すようにリードフレームのダイパット部８にＩＣチップ
１をボンディングし、リードワイヤ６でリードフレーム
のり一ド９に配線した後モールド樹脂でパッケージ７す
る。
すようにリードフレームのダイパット部８にＩＣチップ
１をボンディングし、リードワイヤ６でリードフレーム
のり一ド９に配線した後モールド樹脂でパッケージ７す
る。
ＩＣチップの高密度化に伴いＩＣチップの発熱量が増加
し、半導体の放熱が十分でないと熱サイクルにより信頼
性の低下や特性劣化などが生ずるので、空気の自然対流
や強制空冷、また放熱板を用いて放熱量を増加させるな
どの冷却方法が用いられる。
し、半導体の放熱が十分でないと熱サイクルにより信頼
性の低下や特性劣化などが生ずるので、空気の自然対流
や強制空冷、また放熱板を用いて放熱量を増加させるな
どの冷却方法が用いられる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら従来の構成では十分な放熱効果を得るため
に、冷却装置や放熱板の取付容積が必要となり半導体装
置を使用する電子機器が大形化するなどの問題点を有し
ていた。
に、冷却装置や放熱板の取付容積が必要となり半導体装
置を使用する電子機器が大形化するなどの問題点を有し
ていた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、発生する
熱を冷却装置や放熱板の取付けを必要とせずリードフレ
ーム自体で放熱させる半導体装置を提供することを目的
とする。
熱を冷却装置や放熱板の取付けを必要とせずリードフレ
ーム自体で放熱させる半導体装置を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、Ｉ
Ｃチップをボンディングするリードフレームのダイパッ
ド部を２種以上の導体もしくは半導体素子を接触させて
電流を通し、ペルチェ効果を生ぜしめる構成としている
。
Ｃチップをボンディングするリードフレームのダイパッ
ド部を２種以上の導体もしくは半導体素子を接触させて
電流を通し、ペルチェ効果を生ぜしめる構成としている
。
作用
この構成によってＩＣチップをボンディングする導体板
を吸熱させる方向に電流を通して、ＩＣチップを冷却す
ることとなる。
を吸熱させる方向に電流を通して、ＩＣチップを冷却す
ることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図に示すように、組成がｌ３ｉ２Ｔｅ２の
導体板２と組成がＳｂ２Ｔｅ３の導体板４をバルク半導
体装置を電導断熱材３として三層構造に接合したリード
フレームのダイパッド部にＩＣチップｌをボンディング
する。導体板２とリードフレームのり一ド５をリードワ
イヤ６で配線し、モールド樹脂で導体板４の表面を露出
させたパッケージ７とする。
明する。第１図に示すように、組成がｌ３ｉ２Ｔｅ２の
導体板２と組成がＳｂ２Ｔｅ３の導体板４をバルク半導
体装置を電導断熱材３として三層構造に接合したリード
フレームのダイパッド部にＩＣチップｌをボンディング
する。導体板２とリードフレームのり一ド５をリードワ
イヤ６で配線し、モールド樹脂で導体板４の表面を露出
させたパッケージ７とする。
以上のように構成された半導体装置について以下その動
作を説明する。
作を説明する。
ＩＣチップｌをボンディングする導体板２がペルチェ効
果により吸熱する方向に電流を通すと、ＩＣチップ１が
発生する熱を導体板２で吸熱し電導断熱材３を伝導して
導体板４から外部に放熱される。
果により吸熱する方向に電流を通すと、ＩＣチップ１が
発生する熱を導体板２で吸熱し電導断熱材３を伝導して
導体板４から外部に放熱される。
以上のように本実施例によれば、ペルチェ効果により吸
熱する構成としたリードフレームのダイパット部にＩＣ
チップをボンディングすることにより、ＩＣチップの発
生する熱をリードフレーム自体で吸熱し効率よく放熱さ
せることができるので冷却装置や放熱板の取付けを必要
とせず、コストを安くし半導体装置を使用する電子機器
をコンパクトにすることができる。
熱する構成としたリードフレームのダイパット部にＩＣ
チップをボンディングすることにより、ＩＣチップの発
生する熱をリードフレーム自体で吸熱し効率よく放熱さ
せることができるので冷却装置や放熱板の取付けを必要
とせず、コストを安くし半導体装置を使用する電子機器
をコンパクトにすることができる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなようにリードフレー
ムのダイパッド部をペルチェ効果を生ずる構造体としＩ
Ｃチップをボンディングする導体板が吸熱する方向に電
流を通す構成により、ＩＣチップの発生する熱を冷却装
置や放熱板の取付けを必要とせずに放熱させることがで
きる優れた半導体装置を実現できるものである。
ムのダイパッド部をペルチェ効果を生ずる構造体としＩ
Ｃチップをボンディングする導体板が吸熱する方向に電
流を通す構成により、ＩＣチップの発生する熱を冷却装
置や放熱板の取付けを必要とせずに放熱させることがで
きる優れた半導体装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の構成を示す断
面図、第２図は従来の半導体装置の構成を示す断面図で
ある。 ｌ・・・・・・ＩＣチップ、２，４・・・・・・導体板
、３・・・・・・電導断熱材、５・・・・・・リード、
６・・・・・・リードワイヤ、７・・・・・・パッケー
ジ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１名第２図
面図、第２図は従来の半導体装置の構成を示す断面図で
ある。 ｌ・・・・・・ＩＣチップ、２，４・・・・・・導体板
、３・・・・・・電導断熱材、５・・・・・・リード、
６・・・・・・リードワイヤ、７・・・・・・パッケー
ジ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１名第２図
Claims (1)
- ２種以上の導体もしくは半導体素子を接触させた構成
で電流を通してペルチェ効果を生ずるリードフレームの
ダイパット部にＩＣチップをボンディングした半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11625090A JPH0412558A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11625090A JPH0412558A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412558A true JPH0412558A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14682484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11625090A Pending JPH0412558A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412558A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749048A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-12-18 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Toner binder composition and toner composition |
| DE10238843A1 (de) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP11625090A patent/JPH0412558A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749048A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-12-18 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Toner binder composition and toner composition |
| DE10238843A1 (de) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| US6891278B2 (en) | 2002-08-20 | 2005-05-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component |
| DE10238843B4 (de) * | 2002-08-20 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| DE10238843B8 (de) * | 2002-08-20 | 2008-01-03 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
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