DE10238843A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE10238843A1
DE10238843A1 DE10238843A DE10238843A DE10238843A1 DE 10238843 A1 DE10238843 A1 DE 10238843A1 DE 10238843 A DE10238843 A DE 10238843A DE 10238843 A DE10238843 A DE 10238843A DE 10238843 A1 DE10238843 A1 DE 10238843A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
component according
integrated circuit
microstructure
laser diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10238843A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10238843B8 (de
DE10238843B4 (de
Inventor
Gustav MÜLLER
Axel Schubert
Karl-Heinz Schlereth
Harald Bottner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micropatent Bv Nl
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10238843A priority Critical patent/DE10238843B8/de
Priority to US10/644,118 priority patent/US6891278B2/en
Publication of DE10238843A1 publication Critical patent/DE10238843A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10238843B4 publication Critical patent/DE10238843B4/de
Publication of DE10238843B8 publication Critical patent/DE10238843B8/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L7/00—Heating or cooling apparatus; Heat insulating devices
    • B01L7/52—Heating or cooling apparatus; Heat insulating devices with provision for submitting samples to a predetermined sequence of different temperatures, e.g. for treating nucleic acid samples
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0093—Microreactors, e.g. miniaturised or microfabricated reactors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0083—Temperature control
    • B81B7/009—Maintaining a constant temperature by heating or cooling
    • B81B7/0093—Maintaining a constant temperature by heating or cooling by cooling
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02—Column chromatography
    • G01N30/26—Conditioning of the fluid carrier; Flow patterns
    • G01N30/28—Control of physical parameters of the fluid carrier
    • G01N30/30—Control of physical parameters of the fluid carrier of temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00783—Laminate assemblies, i.e. the reactor comprising a stack of plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00819—Materials of construction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00873—Heat exchange
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00925—Irradiation
    • B01J2219/00934—Electromagnetic waves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/0095—Control aspects
    • B01J2219/00952—Sensing operations
    • B01J2219/00954—Measured properties
    • B01J2219/00961—Temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/0095—Control aspects
    • B01J2219/00952—Sensing operations
    • B01J2219/00968—Type of sensors
    • B01J2219/00981—Gas sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2300/00—Additional constructional details
    • B01L2300/18—Means for temperature control
    • B01L2300/1805—Conductive heating, heat from thermostatted solids is conducted to receptacles, e.g. heating plates, blocks
    • B01L2300/1822—Conductive heating, heat from thermostatted solids is conducted to receptacles, e.g. heating plates, blocks using Peltier elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
    • B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
    • B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
    • B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02—Column chromatography
    • G01N2030/022—Column chromatography characterised by the kind of separation mechanism
    • G01N2030/025—Gas chromatography
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02—Column chromatography
    • G01N30/26—Conditioning of the fluid carrier; Flow patterns
    • G01N30/28—Control of physical parameters of the fluid carrier
    • G01N30/30—Control of physical parameters of the fluid carrier of temperature
    • G01N2030/303—Control of physical parameters of the fluid carrier of temperature using peltier elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02—Column chromatography
    • G01N30/60—Construction of the column
    • G01N30/6095—Micromachined or nanomachined, e.g. micro- or nanosize
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/93—Thermoelectric, e.g. peltier effect cooling

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (20), dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Peltierelement (1) und mindestens ein Thermogeneratorelement (2) über ein Kopplungsmittel (3) thermisch miteinander gekoppelt sind. Damit ist eine effiziente Temperierung und ein effizienter Betrieb einer optoelektronischen Komponente möglich.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • In der optoelektronischen Kommunikationstechnik werden heute Mikrostrukturen, wie z.B. Laserdioden verwendet, die einen erheblichen Kühlbedarf aufweisen und als Steuerungsvorrichtung einen integrierten Schaltkreis benötigen. Auch andere aktive oder passive elektronische Komponenten oder auch Mikrostrukturen aus dem Bereich der Biotechnologie (z.B. Biochips) müssen häufig gekühlt werden.
  • Die Kühlung solcher Mikrostrukturen kann durch Konvektion oder Wärmeleitung erfolgen. Bei einer konvektiven Kühlung wird ein Gasstrom mit der zu kühlenden Mikrostruktur in Kontakt gebracht. Bei der Kühlung mittels Wärmeleitung wird ein Kühlkörper mit der zu kühlenden Mikrostruktur verbunden. Ein solcher Kühlkörper kann z.B. ein an sich bekanntes Peltierelement enthalten.
  • Aus der DE 198 45 104 ist ein thermoelektrischer Wandler bekannt, der in einer Sandwichbauweise hergestellt wird. Dieser Wandler weist eine Reihe von Thermoelementzellen auf, die mittels einer gemeinsamen Leiterbahn in Reihe geschaltet sind. Ein solcher Wandler ist auch als Kühlkörper für optoelektronische Komponenten einsetzbar.
  • In der Optoelektronik und in anderen Bereichen werden die Mikrostrukturen stets kleiner, so dass eine höhere Integrationsdichte, insbesondere auch für Kühlelemente und Steuerungsvorrichtungen wünschenswert ist.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kompaktes Halbleiterbauelement zu schaffen, mit dem die Temperierung und auch der Betrieb einer Mikrostruktur, insbesondere einer optoelektronischen Komponente in effizienter Weise möglich ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Durch die thermische Kopplung mindestens eines Peltierelementes und mindestens eines Thermogeneratorelementes über mindestens ein Kopplungsmittel ist es mittels des Peltierelementes möglich, eine Mikrostruktur, insbesondere eine optoelektronische Komponente (z.B. eine Laserdiode) zu kühlen, gleichzeitig aber eine entstehende Temperaturdifferenz durch das Thermogeneratorelement zur Spannungserzeugung zu verwenden. Damit lässt sich insbesondere eine kompakte Bauweise des gesamten Bauteils mit einer Temperierungsvorrichtung erreichen.
  • Vorteilhafterweise weist mindestens ein Kopplungsmittel eine Halbleiterschicht, insbesondere eine Siliziumhalbleiterschicht auf oder besteht aus Silizium. Silizium weist eine hohe thermische Leitfähigkeit auf, wobei sich Silizium sich insbesondere auch zum Aufbau von Halbleiterstrukturen eignet.
  • Vorteilhafterweise sind mindestens ein Peltierelement und/-oder mindestens ein Thermogeneratorelement als thermoelektrischer Wandler in Sandwichbauweise aufgebaut. Ein solcher Wandler ist z.B. aus der DE 198 45 104 A1 bekannt und wird später noch beschrieben. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn der thermoelektrische Wandler in Sandwichbauweise eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Thermoelementzellen, die mittels einer Mehrzahl elektrischer Leiterbahnen seriell miteinander verbunden sind, aufweist, wobei jede Thermoelementzelle einen ersten Körper aus einem ersten thermoelektrischen Material eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Körper aus einem zweiten thermoelektrischen Material eines zweiten Leitungstyps aufweist, die mittels einer zweiten elektrischen Leiterbahn miteinander verbunden sind und die sandwichartig zwischen einem ersten Substratwafer und einem zweiten elektrisch isolierenden oder eine isolierende Schicht aufweisenden Substratwafer angeordnet sind, wobei der erste Substratwafer und der zweite Substratwafer derart miteinander verbunden sind, dass die ersten und die zweiten Leiterbahnen und die ersten zweiten Körper zwischen den beiden Substratwafern angeordnet sind und eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Thermoelementzellen bilden. Ein Wandler lässt sich als Halbleiter-Sandwichaufbau realisieren, was besonders miniaturisierte Bauformen zulässt. Eine solche Sandwichstruktur lässt sich in einfacher Weise mit Mittels Fotomasken- und Ätztechniken herstellen.
  • Mit Vorteil lässt sich das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement in Verbindung mit einem mit dem Kopplungsmittel gekoppelten Laserbauteil, insbesondere einer Laserdiode oder eines laserbasierten Gassensors einsetzen.
  • Ferner ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein integrierter Schaltkreis und/oder ein Thermistor zur Steuerung mindestens einer Laserdiode vorgesehen ist.
  • Dabei ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Laserdiode, mindestens ein integrierter Schaltkreis und/oder mindestens Thermistor in hybrider Bauweise mit dem Kopplungsmittel gekoppelt sind.
  • Auch ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Laserdiode, mindestens ein integrierter Schaltkreis und/oder mindestens ein Thermistor in monolithisch integrierter Bauweise mit dem Kopplungsmittel gekoppelt sind.
  • Der Energiebedarf der optoelektronischen Komponenten wird gesenkt, wenn mindestens ein Thermogeneratorelement Teil der Spannungsversorgung für einen integrierten Schaltkreis ist.
  • Vorteilhafterweise ist mindestens eine Mikrostruktur als aktives elektronisches Bauelement, passives elektronisches Bauelement, als Mikroreaktor, als Kavität zur Aufnahme einer Flüssigkeit, insbesondere bei einer DNA-Analyse und/oder DNA-Synthese ausgebildet. Auch diese Mikrostrukturen bedürfen im Betrieb einer Temperaturführung, die in effizienter Weise durch das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement erreicht werden kann.
  • Auch ist es vorteilhaft, wenn eine zu temperierende Mikrostruktur ein Aufnahmemittel zur Kultivierung von Zellen, insbesondere Hefen, Humanzellen oder Bakterien aufweist.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist mindestens eine zu temperierende Mikrostruktur als im Kopplungsmittel (3) angeordnete Kapillare eines Gas-Chromatographen ausgebildet.
  • Vorteilhafterweise weist das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement eine Vorrichtung zur Glättung des vom Thermogeneratorelement generierten Stroms auf. Besonders vorteilhaft, da platzsparend, ist es, wenn die Vorrichtung zur Glättung des Stroms in einem integrierten Schaltkreis des Halbleiterbauelements angeordnet ist.
  • Auch ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein Thermogeneratorelement als Messfühler zur Temperaturregelung verwendbar ist.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Seitenansicht einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit hybrider Anordnung einer Laserdiode, eines integrierten Schaltkreises und eines Thermistors;
  • 2 eine perspektivische Darstellung der ersten Ausführungsform nach 1;
  • 2a Detaildarstellung der Peltierseite der ersten Ausführungsform nach 1;
  • 3 eine schematische Seitenansicht einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit monolithisch integrierter Anordnung einer Laserdiode, eines integrierten Schaltkreises und eines Thermistors;
  • 4 eine perspektivische Darstellung der zweiten Ausführungsform nach 3;
  • 4a Detaildarstellung der Peltierseite der zweiten Ausführungsform nach 3;
  • 5a–g Darstellung der Herstellung eines Halbleiterbauelements in Sandwichbauweise.
  • In 1 ist eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 20 dargestellt, das ein Kopplungsmittel 3 aufweist, mit dem ein Peltierelement 1 und ein Thermogeneratorelement 2 thermisch miteinander gekoppelt sind. Das Kopplungsmittel 3 ist hier als eine hochdotierte Siliziumschicht ausgebildet, die aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit als thermischer Kurzschluss dient.
  • Das Peltierelement 1 und das Thermogeneratorelement 2 sind dabei als ein Sandwichbauelement ausgebildet, dessen Herstellung aus der DE 198 45 104 A1 bekannt ist. Die Herstellung wird in Zusammenhang mit 5 näher beschrieben.
  • Auf dem Halbleiterbauelement 20 ist als optoelektronische Komponente eine Laserdiode 10 in hybrider Bauweise angeordnet. Das Peltierelement 1 ist dabei unterhalb der Laserdiode 10 angeordnet und dient der Kühlung der Laserdiode 10. Die linke Seite A des Halbleiterbauelements 20 wird daher auch Peltierseite genannt.
  • Hier wird als Mikrostruktur 10 eine Laserdiode verwendet. Grundsätzlich ist es aber auch möglich andere Mikrostrukturen, wie z.B. Filter, Gitter oder auch Sensoren auf dem Kopplungsmittel 3 anzuordnen, um diese mittels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 20 zu temperieren. Auch kann die Mikrostruktur ein Vertiefung sein, die einen Mikroreaktor bildet. Auch zu temperierende Mikrostrukturen aus dem Bereich der Biotechnologie können auf dem Kopplungsmittel 3 angeordnet werden.
  • Auf der rechten Seite B des Halbleiterbauelementes 20, der Thermogeneratorsseite, dient ein Thermogeneratorelement 2 der Umwandlung einer Temperaturdifferenz in eine Spannung. Die Temperaturdifferenz besteht dabei zwischen der relativ heißen Laserdiode 10 und der Umgebungstemperatur. Die durch den Thermogenerator 2 erzeugte Spannung kann dann zur Versorgung eines integrierten Schaltkreises 11 verwendet werden, der zur die Ansteuerung der Laserdiode 10 auf dem Kopplungsmittel 3 angeordnet ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der integrierten Schaltkreis 11 in hybrider Bauweise auf dem Kopplungsmittel 3 angeordnet.
  • Als Messgeber für den integrierten Schaltkreis 11 wird ein Thermistor 12 (NTC-Widerstand) verwendet, der hier ebenfalls in hybrider Bauweise mit dem Kopplungsmittel 3 verbunden ist.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement 20 weist somit eine kompakte Kombination bisher getrennter Funktionsgruppen (Peltierkühler, Thermogenerator) auf. Der Thermogenerator kann zur Entlastung einer hier nicht dargestellten externen Spannungsquelle für den integrierten Schaltkreis dienen. Dieser Thermogenerator 2 ist mit dem für die Kühlung der Laserdiode 10 notwendigen Peltierelement 1 in einem Bauteil integriert.
  • Die für die Glättung der Spannung des Thermogenerators 2 notwendige Schaltung ist im integrierten Schaltkreis 11 angeordnet.
  • Über Goldkontakte 14 (gold bumps) ist das Halbleiterbauelement 20 auf der Peltierseite A und der Thermogeneratorseite B mit einem Kühlkörper 13 als Wärmesenke verbunden.
  • Im vorliegenden Beispiel wurde als zu kühlende Komponente eine Laserdiode 10 verwendet. Grundsätzlich kann das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement 20 auch zur Kühlung anderer optoelektronischer Komponenten, wie z.B. einem laserbasierten Gassensor verwendet werden.
  • In 2 ist die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes 20 in perspektivischer Ansicht schematisch wiedergeben.
  • Dabei wird die obere Ebene durch die Siliziumschicht des Kopplungsmittels 3 gebildet, darunter liegt die untere Ebene des Peltierelementes 1 und des Thermogeneratorelementes 2.
  • Die Laserdiode 10, der integrierte Schaltkreis 11 und der Thermistor 12 sind in hybrider Bauweise auf dem Kopplungsmittel 3 angeordnet.
  • Der integrierte Schaltkreis 11 ist über Leitungen 7 mit dem Peltierelement 1, dem Thermogeneratorelement 2, dem Thermistor 12 und der Laserdiode 10 verbunden.
  • In 3 wird eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes 20 dargestellt. Der grundsätzliche Aufbau entspricht der ersten Ausführungsform, so dass auf die entsprechende Beschreibung der 1 Bezug genommen werden kann.
  • Im Unterschied zu ersten Ausführungsform sind hier der integrierte Schaltkreis 11 und der Thermistor 12 als Schichtstrukturen in das Silizium des Kopplungsmittels 3 eingearbeitet. Es liegt somit eine monolithische Integration des integrierten Schaltkreises 11 und des Thermistors 12 vor.
  • In einer hier nicht dargestellten Alternative kann auch das zu kühlende Bauelement 10 monolithisch in das Kopplungsmittel 3 integriert sein.
  • In 4 ist, analog zu 2, eine perspektivische Ansicht der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes 20 dargestellt. Dabei ist erkennbar, dass der integrierte Schaltkreis 11 und der Thermistor 12 in die obere Ebene des Kopplungsmittels 3 integriert sind.
  • In 5a bis 5g wird die Herstellung eines Bauelementes in Form einer Sandwichbauweise unter Verwendung des Verfahrens der DE 198 45 104 A1 beschrieben. Dieses Sandwichbauelement kann dann in einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement als Peltierelement 1 und/oder Thermogeneratorelement 2 verwendet werden. Andere Herstellungsverfahren für einen thermoelektrischen Wandler können der DE 198 45 104 A1 entnommen werden.
  • Auf einer Hauptfläche 118 eines ersten Substratwafers 111 wird eine erste elektrisch leitfähige Schicht 110 hergestellt. Diese besteht z.B. aus einer Metallschicht, aus einer Metallschichtfolge oder aus einer hochdotierten und damit hochleitfähigen Halbleiterschicht (z.B. diffundiertes Silizium) .
  • Der erste Substratwafer 111 weist insgesamt eine geringe elektrische Leitfähigkeit auf und besteht beispielsweise aus semiisolierenden Silizium oder weist auf der Seite der Hauptfläche 118 eine elektrisch isolierende Schicht 114 (z.B. eine Siliziumoxid- oder Siliziumnitridschicht) auf.
  • Auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 110 wird eine Schicht 112 aus thermoelektrischen Material abgeschieden (z.B. Bi2Te3, Bi2Se3, PbTe, Si, Ge, etc.) (siehe 5a) . In dieser Schicht 112 wird nachfolgend mittels Fotomaskentechnik und Diffusion eine Mehrzahl von dotierten Bereichen 140 eines ersten Leitungstyps (z.B. p-leitend) und eine Mehrzahl von dotierten Bereichen 150 eines zweiten Leitungstyps (z.B. n-leitend) ausgebildet (siehe 5b).
  • Die Schicht 112 mit den dotierten Bereichen 140, 150 wird dann mittels eines oder mehrerer an sich bekannter Fotomasken- und Ätzprozesse zur ersten Körpern 40 und zweiten Körpern 50 strukturiert (siehe 5c).
  • Nachfolgend wird die erste elektrisch leitfähige Schicht 110 ebenfalls mittels Fotomasken- und Ätzprozessen derart strukturiert, dass auf dem ersten Substratwafer 111 eine Mehrzahl von voneinander getrennten Thermoelementzellen entstehen (5c), die jeweils einen ersten Körper 40 und einen zweiten Körper 50 und einen diese verbindende erste elektrische Leiterbahn 30 aufweisen (5d).
  • Auf den der ersten Leiterbahn 30 gegenüberliegenden Seiten der ersten und zweiten Körper 40, 50 wird eine Metallisierungsschicht 130 (z.B. aus Gold) angeordnet.
  • Auf einer Hauptfläche 119 eines zweiten Substratwafers 121 wird eine zweite elektrisch leitfähige Schicht 122 angeordnet (5e) und zu zweiten elektrischen Leiterbahnen 60 strukturiert (5f).
  • Analog zum ersten Substratwafer 111 hat der zweite Substratwafer 121 insgesamt eine geringe elektrische Leitfähigkeit und besteht beispielsweise aus semiisolierendem Silizium. Auch kann der zweite Substratwafer 121 auf der Seite der Hauptfläche 119 eine elektrisch isolierende Schicht 115 (z.B. eine Siliziumoxid oder Siliziumnitridschicht) aufweisen.
  • Der zweite Substratwafer 121 wird nach der Strukturierung der zweiten Leiterbahnen 60 mit diesem auf die Metallisierungsschichten 130 der ersten und zweiten Körper 40, 50 gelegt und derart ausgerichtet, dass die zweiten Leiterbahnen 60 auf den Metallisierungsschichten 130 der ersten und zweiten Körper 40, 50 aufliegen und die vorher gebildeten Paare aus jeweils einem ersten und einem zweiten Körper 40, 50 seriell miteinander verschaltet sind (5g).
  • Nachfolgend werden die zweiten elektrischen Leiterbahnen 60 und die Metallisierungsschichten 130 z.B. mittels Löten, Kleben oder Thermokompression miteinander verbunden.
  • Damit entsteht ein Sandwichverbund aus den beiden Substratwafern 111, 121 und den dazwischenliegenden Thermoelementzellen.
  • Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele.
  • Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen.
    • 1 Peltierelement
    2
    Thermogeneratorelement
    3
    Kopplungsmittel
    10
    Laserdiode
    11
    Integrierte Schaltkreis
    12
    Thermistor
    13
    Kühlkörper
    14
    Goldkontakte
    20
    Thermoelektrischer Wandler
    30
    erste elektrische Leiterbahn
    40
    erster Körper einer Thermoelementzelle
    50
    zweiter Körper einer Thermoelementzelle
    60
    zweite elektrische Leiterbahn
    110
    erste elektrisch leitfähige Schicht
    111
    erster Substratwafer
    112
    thermoelektrische Schicht
    114
    elektrisch isolierende Schicht
    115
    elektrisch isolierende Schicht
    118
    Hauptfläche erster Substratwafer
    119
    Hauptfläche zweiter Substratwafer
    121
    zweiter Substratwafer
    122
    zweite elektrisch leitfähige Schicht
    130
    Metallisierungsschicht
    140
    erster dotierte Bereich
    150
    zweiter dotierter Bereich
    A
    Peltierseite
    B
    Thermogeneratorseite

Claims (15)

  1. Halbleiterbauelement mit mindestens einer Mikrostruktur, insbesondere einer optoelektronischen Komponente, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Peltierelement (1) zur Kühlung mindestens einer Mikrostruktur (10) und mindestens ein Thermogeneratorelement (2) über ein Kopplungsmittel (3) thermisch miteinander gekoppelt sind.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Kopplungsmittel (3) eine hochdotierte Halbleiterschicht, insbesondere eine hochdotierte Siliziumhalbleiterschicht aufweist oder daraus besteht.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Peltierelement (1) und/oder mindestens ein Thermogeneratorelement (2) als thermoelektrischer Wandler (20) in Sandwichbausweise aufgebaut sind.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass der thermoelektrische Wandler (20) in Sandwichbauweise eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Thermoelementzellen, die mittels einer Mehrzahl erster elektrischer Leiterbahnen (30) seriell miteinander verbunden sind, aufweist, wobei jede Thermoelementzelle einen ersten Körper (40) aus einem ersten thermoelektrischen Material eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Körper (50) aus einem zweiten thermoelektrischen Material eines zweiten Leitungstyps aufweist, die mittels einer zweiten elektrischen Leiterbahn (60) miteinander verbunden sind und die sandwichartig zwischen einem ersten Substratwafer (111) und einem zweiten elektrisch isolierenden oder eine isolierende Schicht (114, 115) aufweisenden zweiten Substratwafer (121) angeordnet sind, wobei der erste Substratwafer (111) und der zweite Substratwafer (121) derart miteinander verbunden sind, dass die ersten und die zweiten Leiterbahnen (30, 60) und die ersten zweiten Körper (40, 50) zwischen den beiden Substratwafern (111, 121) angeordnet sind und eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Thermoelementzellen bilden.
  5. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet dadurch mindestens ein mit dem Kopplungsmittel (3) gekoppeltes Laserbauteil, insbesondere eine Laserdiode (10) oder einen laserbasierten Gassensor.
  6. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet dadurch mindestens einen integrierten Schaltkreis (11) und/oder einen Thermistor (12) zur Steuerung mindestens einer Laserdiode (10) .
  7. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Laserdiode (10), mindestens einen integrierter Schaltkreis (11) und/oder mindestens Thermistor (12) in hybrider Bauweise mit dem Kopplungsmittel (3) gekoppelt sind.
  8. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Laserdiode (10), mindestens ein integrierter Schaltkreis (11) und/oder mindestens ein Thermistor (12) in monolithisch integrierter Bauweise mit dem Kopplungsmittel (3) gekoppelt sind.
  9. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Thermogeneratorelement (2) Teil der Spannungsversorgung für einen integrierten Schaltkreis (11) ist.
  10. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrostruktur (10) als aktives elektronisches Bauelement, passives elektronisches Bauelement, als Mikroreaktor, als Kavität zur Aufnahme einer Flüssigkeit, insbesondere bei einer DNA-Analyse und/oder DNA-Synthese ausgebildet ist.
  11. Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zu temperierende Mikrostruktur (10) ein Aufnahmemittel zur Kultivierung von Zellen, insbesondere Hefen, Humanzellen oder Bakterien aufweist.
  12. Vorrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zu temperierende Mikrostruktur (10) als im Koppplungsmittel (3) angeordnete Kapillare eines Gas-Chromatographen ausgebildet ist.
  13. Halbeleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zur Glättung des vom Thermogeneratorelement (2) generierten Stroms.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Glättung des Stroms in einem integrierten Schaltkreis (11) des Halbleiterbauelements angeordnet ist.
  15. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Thermogeneratorelement (2) als Messfühler zur Temperaturregelung verwendbar ist.
DE10238843A 2002-08-20 2002-08-20 Halbleiterbauelement Expired - Fee Related DE10238843B8 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10238843A DE10238843B8 (de) 2002-08-20 2002-08-20 Halbleiterbauelement
US10/644,118 US6891278B2 (en) 2002-08-20 2003-08-20 Semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10238843A DE10238843B8 (de) 2002-08-20 2002-08-20 Halbleiterbauelement

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE10238843A1 true DE10238843A1 (de) 2004-03-11
DE10238843B4 DE10238843B4 (de) 2007-08-02
DE10238843B8 DE10238843B8 (de) 2008-01-03

Family

ID=31501912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10238843A Expired - Fee Related DE10238843B8 (de) 2002-08-20 2002-08-20 Halbleiterbauelement

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6891278B2 (de)
DE (1) DE10238843B8 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008023299A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Micropelt Gmbh Aufnahme für eine Probe
DE102013107852A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung und elektronische Bauelementevorrichtung

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8907323B2 (en) * 2002-04-23 2014-12-09 Philip D. Freedman Microprocessor assembly
JP2005158917A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Sharp Corp 電子ヒートポンプ装置、レーザ部品、光ピックアップおよび電子機器
US7589417B2 (en) * 2004-02-12 2009-09-15 Intel Corporation Microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same
WO2007146158A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Dna sequencing by nanopore using modified nucleotides
US9678055B2 (en) 2010-02-08 2017-06-13 Genia Technologies, Inc. Methods for forming a nanopore in a lipid bilayer
US8324914B2 (en) 2010-02-08 2012-12-04 Genia Technologies, Inc. Systems and methods for characterizing a molecule
US9605307B2 (en) * 2010-02-08 2017-03-28 Genia Technologies, Inc. Systems and methods for forming a nanopore in a lipid bilayer
US20110192723A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Genia Technologies, Inc. Systems and methods for manipulating a molecule in a nanopore
GB2500360B (en) 2010-12-22 2019-10-23 Genia Tech Inc Nanopore-based single DNA molecule characterization, identification and isolation using speed bumps
US9581563B2 (en) 2011-01-24 2017-02-28 Genia Technologies, Inc. System for communicating information from an array of sensors
US9110478B2 (en) 2011-01-27 2015-08-18 Genia Technologies, Inc. Temperature regulation of measurement arrays
US8710615B2 (en) * 2011-08-31 2014-04-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with an amorphous semi-insulating layer, temperature sensor, and method of manufacturing a semiconductor device
US8986629B2 (en) 2012-02-27 2015-03-24 Genia Technologies, Inc. Sensor circuit for controlling, detecting, and measuring a molecular complex
EP2861768A4 (de) 2012-06-15 2016-03-02 Genia Technologies Inc Chip-setup und hochgenaue nukleinsäuresequenzierung
US9605309B2 (en) 2012-11-09 2017-03-28 Genia Technologies, Inc. Nucleic acid sequencing using tags
US9759711B2 (en) 2013-02-05 2017-09-12 Genia Technologies, Inc. Nanopore arrays
US9551697B2 (en) 2013-10-17 2017-01-24 Genia Technologies, Inc. Non-faradaic, capacitively coupled measurement in a nanopore cell array
EP3060918B1 (de) 2013-10-23 2019-09-18 Genia Technologies, Inc. Schnelle molekulare erfassung mit nanoporen
US9322062B2 (en) 2013-10-23 2016-04-26 Genia Technologies, Inc. Process for biosensor well formation
DE102015112919B4 (de) * 2015-08-06 2019-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente, eine Halbleiterdiode und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01245549A (ja) * 1988-03-26 1989-09-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置およびその製法
JPH0412558A (ja) * 1990-05-02 1992-01-17 Matsushita Electron Corp 半導体装置
DE4229500A1 (de) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Festkörperlasersystem
DE19845104A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Wandlers
JP2001320003A (ja) * 2000-05-12 2001-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2002050727A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Hitachi Maxell Ltd 電子機器
DE10004390C2 (de) * 2000-02-02 2002-05-02 Infineon Technologies Ag Thermoelektrischer Generator und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10200208A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nec Corp 半導体レーザーモジュール
US6512291B2 (en) * 2001-02-23 2003-01-28 Agere Systems Inc. Flexible semiconductor device support with integrated thermoelectric cooler and method for making same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01245549A (ja) * 1988-03-26 1989-09-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置およびその製法
JPH0412558A (ja) * 1990-05-02 1992-01-17 Matsushita Electron Corp 半導体装置
DE4229500A1 (de) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Festkörperlasersystem
DE19845104A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Wandlers
DE10004390C2 (de) * 2000-02-02 2002-05-02 Infineon Technologies Ag Thermoelektrischer Generator und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2001320003A (ja) * 2000-05-12 2001-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2002050727A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Hitachi Maxell Ltd 電子機器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 01-245549 A, Patent Abstracts of Japan *
JP 04-012558 A, Patent Abstracts of Japan *
JP 2002-050727 A, Patent Abstracts of Japan *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008023299A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Micropelt Gmbh Aufnahme für eine Probe
DE102013107852A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung und elektronische Bauelementevorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE10238843B8 (de) 2008-01-03
US20040046223A1 (en) 2004-03-11
DE10238843B4 (de) 2007-08-02
US6891278B2 (en) 2005-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10238843B4 (de) Halbleiterbauelement
EP1118127B1 (de) Verfahren zum herstellen eines thermoelektrischen wandlers
DE19646915C2 (de) Thermoelektrischer Umwandlungsmodul und Verfahren zum Herstellen desselben
EP2135299B1 (de) Frontseitig serienverschaltetes Solarmodul
DE102008049726B4 (de) Gestapelte Chipkonfiguration mit stromgespeistem Wärmeübertragungssystem und Verfahren zum Steuern der Temperatur in einem Halbleiterbauelement
EP1515376A2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung elektrischer Energie
EP2577756B1 (de) Thermoelektrisches element
DE102015107240B4 (de) Thermoelektrischer Energiesammler im Wafermaßstab und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sammlers
DE102008026545A1 (de) Halbleiter-Teilbaugruppen mit Verbünden und Verfahren zum Herstellen derselben
WO2002058142A2 (de) Leistungsmodul
EP2771917B1 (de) Thermoelement, herstellungsverfahren und für die durchführung des verfahrens geeignetes substrat
DE19527867A1 (de) Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise
DE102012105367A1 (de) Thermoelektrisches Modul und Herstellungsverfahren
DE19932308C2 (de) Sensor, insbesondere Thermosensor
DE102017125647B4 (de) Thermoelektrische Vorrichtungen und Verfahren zum Bilden von thermoelektrischen Vorrichtungen
EP2939279B1 (de) Thermoelektrischer konverter
EP0693677B1 (de) Stromversorgungseinrichtung, insbesondere für elektrisch betriebene Messinstrumente
DE10038891B4 (de) Thermoelement, elektronisches Gerät mit Thermoelement und Verfahren zum Herstellen eines Thermoelements
EP2301088B1 (de) Modul mit mehreren thermoelektrischen elementen
DE10333084A1 (de) Thermogenerator und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2181465B1 (de) Thermoelektrischer generator
WO2014114366A1 (de) Thermoelektrisches element sowie verfahren zu dessen herstellung
WO2002015268A2 (de) Kühlvorrichtung
DE4335512A1 (de) Verfahren zur Herstellung, Ausbildung und Anordnung von Silizium-Mikrokanalkühler zur Kühlung von Hochleistungslaserdioden
DE8418025U1 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWAND

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8396 Reprint of erroneous front page
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MICROPELT GMBH, 79110 FREIBURG, DE

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWAELTE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MICROPATENT B.V., NL

Free format text: FORMER OWNER: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOER, MICROPELT GMBH, , DE

Effective date: 20141121

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

Free format text: FORMER OWNER: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOER, MICROPELT GMBH, , DE

Effective date: 20141121

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

Free format text: FORMER OWNERS: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V., 80686 MUENCHEN, DE; MICROPELT GMBH, 79110 FREIBURG, DE

Effective date: 20141121

Owner name: MICROPATENT B.V., NL

Free format text: FORMER OWNERS: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V., 80686 MUENCHEN, DE; MICROPELT GMBH, 79110 FREIBURG, DE

Effective date: 20141121

R082 Change of representative

Representative=s name: MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20141121

Representative=s name: MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSC, DE

Effective date: 20141121

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee