JP2001320003A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2001320003A JP2001320003A JP2000139573A JP2000139573A JP2001320003A JP 2001320003 A JP2001320003 A JP 2001320003A JP 2000139573 A JP2000139573 A JP 2000139573A JP 2000139573 A JP2000139573 A JP 2000139573A JP 2001320003 A JP2001320003 A JP 2001320003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic
- thermoelectric conversion
- semiconductor
- semiconductor device
- electric energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型及び無騒音で高信頼性を有しながら半導
体装置の省電力化を積極的に図る。 【解決手段】 本発明の半導体装置１０は、電子デバイ
ス２０と、電源３１及び電子部品３２を含む電子回路３
０とから構成されている。電子デバイス２０は、電子回
路３０から供給される電力又は電気信号により所定の機
能を達成する電子機能素子２１と該電子機能素子２０と
密着して設けられ、電子機能素子２１が発する熱エネル
ギーを電気エネルギーに変換する熱電変換素子２２とを
含む。電子機能素子３１が発する熱エネルギーは熱電変
換素子２２に伝達され、該熱電変換素子２２は伝達され
た熱エネルギーを電気エネルギーに変換して電力として
電子回路３０の電子部品３２に帰還させる。
体装置の省電力化を積極的に図る。 【解決手段】 本発明の半導体装置１０は、電子デバイ
ス２０と、電源３１及び電子部品３２を含む電子回路３
０とから構成されている。電子デバイス２０は、電子回
路３０から供給される電力又は電気信号により所定の機
能を達成する電子機能素子２１と該電子機能素子２０と
密着して設けられ、電子機能素子２１が発する熱エネル
ギーを電気エネルギーに変換する熱電変換素子２２とを
含む。電子機能素子３１が発する熱エネルギーは熱電変
換素子２２に伝達され、該熱電変換素子２２は伝達され
た熱エネルギーを電気エネルギーに変換して電力として
電子回路３０の電子部品３２に帰還させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、消費電力を低減可
能な半導体装置に関する。
能な半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理機器や通信機器の目覚し
い進展に伴い、電子デバイスを搭載した半導体装置の高
速化及び高集積化が加速度的に進行している。その一方
で半導体装置の消費電力の増大が深刻化している。社会
生活のあらゆる場面で非常に多くの電子機器が利用され
ている今日では、個々の半導体装置の消費電力の増大が
全体として膨大なエネルギー消費を招き、その環境への
負担は計り知れない程大きい。
い進展に伴い、電子デバイスを搭載した半導体装置の高
速化及び高集積化が加速度的に進行している。その一方
で半導体装置の消費電力の増大が深刻化している。社会
生活のあらゆる場面で非常に多くの電子機器が利用され
ている今日では、個々の半導体装置の消費電力の増大が
全体として膨大なエネルギー消費を招き、その環境への
負担は計り知れない程大きい。
【０００３】また、急速に進む電子機器のモバイル化と
いう観点から、バッテリの負荷を低減して長時間の使用
に耐えられるようにするという省電力化は非常に大きな
課題である。電子デバイスにより消費された電力の大部
分は熱エネルギーとなってデバイスの外部に放出され
る。消費電力の増大は発熱量の増大に直結するため、電
子デバイス自体、又は電子デバイスにより構成される電
子機器に甚大な悪影響を及ぼす危険性が高まっている。
例えば、温度上昇が引き起こす素子性能の変動、熱暴
走、金属材料の腐食促進による故障又は熱応力による断
線若しくは機械的破損等が懸念される。これらを回避す
るため、発熱量が大きい電子機器は何らかの冷却手段を
備えている場合が多い。具体的には、例えば、電子デバ
イスに放熱用フィン等を設けることによって放熱効率を
高めたり、電動ファンを用いた強制空冷や液体を用いた
液冷、ヒートパイプを用いて熱交換を促進したりする等
の手法が採られている。
いう観点から、バッテリの負荷を低減して長時間の使用
に耐えられるようにするという省電力化は非常に大きな
課題である。電子デバイスにより消費された電力の大部
分は熱エネルギーとなってデバイスの外部に放出され
る。消費電力の増大は発熱量の増大に直結するため、電
子デバイス自体、又は電子デバイスにより構成される電
子機器に甚大な悪影響を及ぼす危険性が高まっている。
例えば、温度上昇が引き起こす素子性能の変動、熱暴
走、金属材料の腐食促進による故障又は熱応力による断
線若しくは機械的破損等が懸念される。これらを回避す
るため、発熱量が大きい電子機器は何らかの冷却手段を
備えている場合が多い。具体的には、例えば、電子デバ
イスに放熱用フィン等を設けることによって放熱効率を
高めたり、電動ファンを用いた強制空冷や液体を用いた
液冷、ヒートパイプを用いて熱交換を促進したりする等
の手法が採られている。
【０００４】また、電子デバイスの新しい冷却方式とし
て、熱電変換素子の活用が注目されている。従来の熱電
変換素子は、熱電対に代表される温度センサが主な用途
であった。しかしながら、半導体集積回路又は半導体レ
ーザ装置等を中心に、熱電変換素子をより能動的に用い
た小型の電子冷却手段を実現する試みが盛んである。代
表的なものは、特開平４−１２５５８号公報等に開示さ
れているペルチェ素子を用いる手法である。ペルチェ素
子は熱電変換素子の一種で、２種類以上の導体又は半導
体が接続した接点を持つ電気回路により構成され、外部
電源から電流が供給されるとペルチェ効果によって吸熱
作用を発現する冷接点と発熱作用を発現する温接点とが
現われる熱輸送機能を持つ素子である。この冷接点を電
子デバイスの発熱部に接近又は接触させることにより、
電子デバイスが発する熱エネルギーを吸熱し、半導体装
置の冷却を行なう構成である。上記の公報では、このペ
ルチェ素子をリードフレームのダイパットと兼用する冷
却機構を備えた小型化が可能な半導体装置を開示してい
る。
て、熱電変換素子の活用が注目されている。従来の熱電
変換素子は、熱電対に代表される温度センサが主な用途
であった。しかしながら、半導体集積回路又は半導体レ
ーザ装置等を中心に、熱電変換素子をより能動的に用い
た小型の電子冷却手段を実現する試みが盛んである。代
表的なものは、特開平４−１２５５８号公報等に開示さ
れているペルチェ素子を用いる手法である。ペルチェ素
子は熱電変換素子の一種で、２種類以上の導体又は半導
体が接続した接点を持つ電気回路により構成され、外部
電源から電流が供給されるとペルチェ効果によって吸熱
作用を発現する冷接点と発熱作用を発現する温接点とが
現われる熱輸送機能を持つ素子である。この冷接点を電
子デバイスの発熱部に接近又は接触させることにより、
電子デバイスが発する熱エネルギーを吸熱し、半導体装
置の冷却を行なう構成である。上記の公報では、このペ
ルチェ素子をリードフレームのダイパットと兼用する冷
却機構を備えた小型化が可能な半導体装置を開示してい
る。
【０００５】また、他の熱電変換素子を用いた電子デバ
イスの冷却の従来例として、特開平９−９２７６１号公
報に開示された半導体装置が挙げられる。この公報はペ
ルチェ素子の代わりにゼーベック素子を用いている。ゼ
ーベック素子も熱電変換素子の一種であり、ペルチェ素
子とは逆に２種類以上の導体又は半導体の２つの接点間
の温度差によって起電力を発生して外部回路に電気エネ
ルギーを供給する。本公報は、ゼーベック素子をＬＳＩ
に搭載し、ＬＳＩ自体の発熱による起電力でマイクロフ
ァンを駆動してＬＳＩを冷却するという冷却機能の自動
制御性を実現している。
イスの冷却の従来例として、特開平９−９２７６１号公
報に開示された半導体装置が挙げられる。この公報はペ
ルチェ素子の代わりにゼーベック素子を用いている。ゼ
ーベック素子も熱電変換素子の一種であり、ペルチェ素
子とは逆に２種類以上の導体又は半導体の２つの接点間
の温度差によって起電力を発生して外部回路に電気エネ
ルギーを供給する。本公報は、ゼーベック素子をＬＳＩ
に搭載し、ＬＳＩ自体の発熱による起電力でマイクロフ
ァンを駆動してＬＳＩを冷却するという冷却機能の自動
制御性を実現している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体装置は、電子デバイス個々の局所的な冷却に
は有効でも、これらで構成される電子機器全体の使用環
境や省電力性の点で問題がある。また、放熱用フィンの
付設、電動ファンによる強制空冷、液冷又はヒートパイ
プによる熱交換等の冷却手段は、装置の容積の増大、騒
音及び冷却系の低い信頼性等の問題がある。
来の半導体装置は、電子デバイス個々の局所的な冷却に
は有効でも、これらで構成される電子機器全体の使用環
境や省電力性の点で問題がある。また、放熱用フィンの
付設、電動ファンによる強制空冷、液冷又はヒートパイ
プによる熱交換等の冷却手段は、装置の容積の増大、騒
音及び冷却系の低い信頼性等の問題がある。
【０００７】一方、特開平４−１２５５８号公報のペル
チェ素子を用いた冷却方式は、これらの問題は解決され
るが、ペルチェ素子自体を駆動するのに電気エネルギー
の供給が必要で余計な電力消費が伴うため、装置全体と
しては消費電力がさらに増大するという重大な欠点があ
る。
チェ素子を用いた冷却方式は、これらの問題は解決され
るが、ペルチェ素子自体を駆動するのに電気エネルギー
の供給が必要で余計な電力消費が伴うため、装置全体と
しては消費電力がさらに増大するという重大な欠点があ
る。
【０００８】また、特開平９−９２７６１号公報は、ペ
ルチェ素子の代わりにゼーベック素子を用いており、外
部からのエネルギーの供給が不要となる利点はあるが、
装置のサイズや騒音の問題が残る上に、ＬＳＩの冷却を
目的としていることから、装置全体の省電力化を積極的
に図る構成ではない。
ルチェ素子の代わりにゼーベック素子を用いており、外
部からのエネルギーの供給が不要となる利点はあるが、
装置のサイズや騒音の問題が残る上に、ＬＳＩの冷却を
目的としていることから、装置全体の省電力化を積極的
に図る構成ではない。
【０００９】本発明は、前記従来の問題に鑑み、小型及
び無騒音で高信頼性を有しながら半導体装置の省電力化
を積極的に図ることを目的とする。
び無騒音で高信頼性を有しながら半導体装置の省電力化
を積極的に図ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体装置を、機能素子が発する熱エネ
ルギーを熱電変換し、変換された電気エネルギーを電源
に帰還させる構成とする。
め、本発明は、半導体装置を、機能素子が発する熱エネ
ルギーを熱電変換し、変換された電気エネルギーを電源
に帰還させる構成とする。
【００１１】具体的に、本発明に係る半導体装置は、電
気エネルギー供給手段から電気エネルギーを受けること
により所望の機能を達成する電子機能素子を含む機能手
段と、機能手段が発する熱エネルギーを電気エネルギー
に変換する熱電変換手段と、変換した電気エネルギーを
回収し、回収した電気エネルギーを電力エネルギー供給
手段に帰還させる電気エネルギー回収手段とを備えてい
る。
気エネルギー供給手段から電気エネルギーを受けること
により所望の機能を達成する電子機能素子を含む機能手
段と、機能手段が発する熱エネルギーを電気エネルギー
に変換する熱電変換手段と、変換した電気エネルギーを
回収し、回収した電気エネルギーを電力エネルギー供給
手段に帰還させる電気エネルギー回収手段とを備えてい
る。
【００１２】本発明の半導体装置によると、熱電変換手
段が電気エネルギーを消費するのではなく、機能手段が
発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、変換し
た電気エネルギーを電気エネルギー供給手段に戻すた
め、エネルギーの負帰還制御が働くので、装置全体とし
ての電力消費を安定して抑制することができる。また、
熱電変換手段に熱電変換素子を用いれば、小型、無騒音
及び高信頼性を得ることができる。
段が電気エネルギーを消費するのではなく、機能手段が
発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、変換し
た電気エネルギーを電気エネルギー供給手段に戻すた
め、エネルギーの負帰還制御が働くので、装置全体とし
ての電力消費を安定して抑制することができる。また、
熱電変換手段に熱電変換素子を用いれば、小型、無騒音
及び高信頼性を得ることができる。
【００１３】本発明の半導体装置において、熱電変換手
段が機能手段と密着するように設けられていることが好
ましい。このようにすると、機能手段から熱電変換手段
への熱の伝達効率が良くなるため、電気エネルギーの回
収効率を向上することができる。
段が機能手段と密着するように設けられていることが好
ましい。このようにすると、機能手段から熱電変換手段
への熱の伝達効率が良くなるため、電気エネルギーの回
収効率を向上することができる。
【００１４】本発明の半導体装置において、電子機能素
子が半導体集積回路素子であることが好ましい。このよ
うにすると、半導体集積回路素子は電子デバイスの中で
も特に単位体積当たりの消費電力量が多いこと、比較的
平板な形状をしており熱電変換手段との熱伝達が行なわ
れやすいこと、また、半導体集積回路素子は電力供給手
段と同一の基盤上に配置して使用する場合が多いこと等
から、効率的且つ有意義なエネルギー回収を実現でき
る。
子が半導体集積回路素子であることが好ましい。このよ
うにすると、半導体集積回路素子は電子デバイスの中で
も特に単位体積当たりの消費電力量が多いこと、比較的
平板な形状をしており熱電変換手段との熱伝達が行なわ
れやすいこと、また、半導体集積回路素子は電力供給手
段と同一の基盤上に配置して使用する場合が多いこと等
から、効率的且つ有意義なエネルギー回収を実現でき
る。
【００１５】本発明の半導体装置において、電子機能素
子が半導体発光素子であることが好ましい。このように
すると、半導体発光素子は電子デバイスの中でも特に単
位体積当たりの発熱量が多いこと、半導体集積回路素子
は電力供給手段と同一の基盤上に配置して使用する場合
が多いこと等から、効率的且つ有意義なエネルギー回収
を実現できる。
子が半導体発光素子であることが好ましい。このように
すると、半導体発光素子は電子デバイスの中でも特に単
位体積当たりの発熱量が多いこと、半導体集積回路素子
は電力供給手段と同一の基盤上に配置して使用する場合
が多いこと等から、効率的且つ有意義なエネルギー回収
を実現できる。
【００１６】本発明の半導体装置において、熱電変換手
段がゼーベック素子からなることが好ましい。このよう
にすると、高い熱電変換効率を容易に実現できる。
段がゼーベック素子からなることが好ましい。このよう
にすると、高い熱電変換効率を容易に実現できる。
【００１７】この場合に、ゼーベック素子が、ビスマ
ス、鉛又はテルルを含む半導体からなることが好まし
い。このようにすると、ビスマステルル系の半導体、又
は鉛テルル系の半導体は、室温付近におけるゼーベック
係数及び熱電性能指数が特に高いため、高効率の熱電変
換を容易に且つ確実に行なえる。
ス、鉛又はテルルを含む半導体からなることが好まし
い。このようにすると、ビスマステルル系の半導体、又
は鉛テルル系の半導体は、室温付近におけるゼーベック
係数及び熱電性能指数が特に高いため、高効率の熱電変
換を容易に且つ確実に行なえる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施形態に係る半導体装
置を概念的に表わしている。図１に示すように、本実施
形態に係る半導体装置１０は、電子デバイス２０と、電
気エネルギー供給手段としての電源３１及び電気エネル
ギー回収手段としての電子部品３２を含む電子回路３０
とから構成されている。
置を概念的に表わしている。図１に示すように、本実施
形態に係る半導体装置１０は、電子デバイス２０と、電
気エネルギー供給手段としての電源３１及び電気エネル
ギー回収手段としての電子部品３２を含む電子回路３０
とから構成されている。
【００２０】電子デバイス２０は、電子回路３０から供
給される電力又は電気信号により所定の機能を達成する
機能手段としての電子機能素子２１と該電子機能素子２
１と密着して設けられ、電子機能素子２１が発する熱エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換手段して
の熱電変換素子２２とを含んでいる。ここで、機能手段
は、電子機能素子２１を少なくとも１つ含んでいれば良
く、他の半導体素子を含んでいても良い。
給される電力又は電気信号により所定の機能を達成する
機能手段としての電子機能素子２１と該電子機能素子２
１と密着して設けられ、電子機能素子２１が発する熱エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換手段して
の熱電変換素子２２とを含んでいる。ここで、機能手段
は、電子機能素子２１を少なくとも１つ含んでいれば良
く、他の半導体素子を含んでいても良い。
【００２１】また、電子部品３２は、抵抗、キャパシ
タ、半導体素子又はトランス等を含んでいる。
タ、半導体素子又はトランス等を含んでいる。
【００２２】通常、電子機能素子２１は、電源３１から
電力の供給を受けて動作し、受けた電気エネルギーを消
費して発熱する。
電力の供給を受けて動作し、受けた電気エネルギーを消
費して発熱する。
【００２３】本実施形態においては、電子機能素子２１
が発する熱エネルギーは熱電変換素子２２に伝達され、
該熱電変換素子２２は伝達された熱エネルギーを電気エ
ネルギーに変換して電力として電子回路３０の電子部品
３２に帰還させる。帰還された電気エネルギーを有効利
用するには、電子部品３２を例えばキャパシタとすれ
ば、回収した電力をいったんキャパシタに充電すれば良
い。あるいは、電子部品３２を整流回路を介して二次直
流電源として動作するように構成することも好ましい。
さらには、小型の二次電池を搭載してこれに回収電力を
蓄電し、蓄電した二次電池を待機電力供給用の予備電源
等として活用するのも有効である。
が発する熱エネルギーは熱電変換素子２２に伝達され、
該熱電変換素子２２は伝達された熱エネルギーを電気エ
ネルギーに変換して電力として電子回路３０の電子部品
３２に帰還させる。帰還された電気エネルギーを有効利
用するには、電子部品３２を例えばキャパシタとすれ
ば、回収した電力をいったんキャパシタに充電すれば良
い。あるいは、電子部品３２を整流回路を介して二次直
流電源として動作するように構成することも好ましい。
さらには、小型の二次電池を搭載してこれに回収電力を
蓄電し、蓄電した二次電池を待機電力供給用の予備電源
等として活用するのも有効である。
【００２４】このような電力のフィードバックループに
よって、半導体装置１０の全体で消費される電力を抑制
できる。仮に、電子機能素子２１の電力消費量が増加し
て電源３１からの電力の供給が増えたとしても、同時に
発熱量が増加して熱電変換素子２２が回収する電力量も
増えるため、エネルギー面で負帰還制御が働くので、安
定した電力抑制を実現できる。
よって、半導体装置１０の全体で消費される電力を抑制
できる。仮に、電子機能素子２１の電力消費量が増加し
て電源３１からの電力の供給が増えたとしても、同時に
発熱量が増加して熱電変換素子２２が回収する電力量も
増えるため、エネルギー面で負帰還制御が働くので、安
定した電力抑制を実現できる。
【００２５】電子デバイス２０のエネルギー回収効率
は、電子機能素子２１から熱電変換素子２２に対して伝
達される熱の損失量をいかにして低減するかに依存す
る。従って、熱伝達効率を上げるためには、電子機能素
子２１と熱電変換素子２２とが密着するか又は一体とな
るようにパッケージングされていることが好ましい。
は、電子機能素子２１から熱電変換素子２２に対して伝
達される熱の損失量をいかにして低減するかに依存す
る。従って、熱伝達効率を上げるためには、電子機能素
子２１と熱電変換素子２２とが密着するか又は一体とな
るようにパッケージングされていることが好ましい。
【００２６】ここで、電子機能素子２１としては、単位
体積又は単位面積当たりの発熱量が大きく、形状が板状
で且つ熱電変換素子２２と密着しやすく、パッケージン
グも可能な半導体集積回路、又は発光ダイオード素子や
半導体レーザ素子からなる半導体発光素子が有効であ
る。
体積又は単位面積当たりの発熱量が大きく、形状が板状
で且つ熱電変換素子２２と密着しやすく、パッケージン
グも可能な半導体集積回路、又は発光ダイオード素子や
半導体レーザ素子からなる半導体発光素子が有効であ
る。
【００２７】図２は本実施形態に係る電子デバイスの一
例であって、パッケージにより一体に封止された半導体
装置の断面構成を示している。図２に示す電子デバイス
５０は、ダイパッドを兼ねる熱電変換素子５１と、該熱
電変換素子５１の上に密着して保持された半導体集積回
路素子を含む半導体チップ５２とから構成されている。
ここでは、電源である電気エネルギー供給手段と電気エ
ネルギー回収手段とが別体として構成されているものと
する。
例であって、パッケージにより一体に封止された半導体
装置の断面構成を示している。図２に示す電子デバイス
５０は、ダイパッドを兼ねる熱電変換素子５１と、該熱
電変換素子５１の上に密着して保持された半導体集積回
路素子を含む半導体チップ５２とから構成されている。
ここでは、電源である電気エネルギー供給手段と電気エ
ネルギー回収手段とが別体として構成されているものと
する。
【００２８】半導体チップ５２上の集積回路素子は、第
１のリードフレーム５４Ａからリードワイヤ５３を介し
て電気信号が入力される。ダイパッド上の熱電変換素子
５１は、半導体チップ５２が発する熱エネルギーを電気
エネルギーに変換し、リードワイヤ５３を介して第２の
リードフレーム５４Ｂに電気信号として出力する。この
ようにして、第２のリードフレーム５４Ｂから、半導体
チップ５２が発する熱エネルギーが変換された電気エネ
ルギーを回収することができる。
１のリードフレーム５４Ａからリードワイヤ５３を介し
て電気信号が入力される。ダイパッド上の熱電変換素子
５１は、半導体チップ５２が発する熱エネルギーを電気
エネルギーに変換し、リードワイヤ５３を介して第２の
リードフレーム５４Ｂに電気信号として出力する。この
ようにして、第２のリードフレーム５４Ｂから、半導体
チップ５２が発する熱エネルギーが変換された電気エネ
ルギーを回収することができる。
【００２９】熱電変換素子５１、半導体チップ５２、リ
ードワイヤ５３並びに第１のリードフレーム５４Ａ及び
第２のリードフレーム５４Ｂにおける半導体チップ５２
側の端部は樹脂封止パッケージ５５により一体に封止さ
れている。ここでは、ダイパッドを兼ねる熱電変換素子
５１における半導体チップ５２の保持面と反対側の面
（底面）は樹脂封止パッケージ５５から露出するように
封止されている。
ードワイヤ５３並びに第１のリードフレーム５４Ａ及び
第２のリードフレーム５４Ｂにおける半導体チップ５２
側の端部は樹脂封止パッケージ５５により一体に封止さ
れている。ここでは、ダイパッドを兼ねる熱電変換素子
５１における半導体チップ５２の保持面と反対側の面
（底面）は樹脂封止パッケージ５５から露出するように
封止されている。
【００３０】熱電変換素子５１には、ゼーベック素子を
用いることがことが好ましい。ゼーベック素子は、前述
したように、２種類以上の導体又は半導体の接点間の温
度差によってキャリア（電子又は正孔）に濃度勾配が誘
起されて、その結果、接点間に電位差が生じるという電
子物性を利用しており、小型で且つ極めて高い熱電変換
効率を有している。
用いることがことが好ましい。ゼーベック素子は、前述
したように、２種類以上の導体又は半導体の接点間の温
度差によってキャリア（電子又は正孔）に濃度勾配が誘
起されて、その結果、接点間に電位差が生じるという電
子物性を利用しており、小型で且つ極めて高い熱電変換
効率を有している。
【００３１】図３（ａ）は本実施形態に係るゼーベック
素子の断面構成を示している。図３（ａ）に示すゼーベ
ック素子５１Ａは、基本的な構造であって、高温側電極
６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に複数の熱電変換材６
３Ａが並列に接続されて構成されている。高温側電極６
１Ａを例えば半導体チップ５２の下面と密着させておく
と、半導体集積回路素子から放出された熱により高温側
電極６１Ａが温められて、低温側電極６２Ａとの間に温
度差を生じる。
素子の断面構成を示している。図３（ａ）に示すゼーベ
ック素子５１Ａは、基本的な構造であって、高温側電極
６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に複数の熱電変換材６
３Ａが並列に接続されて構成されている。高温側電極６
１Ａを例えば半導体チップ５２の下面と密着させておく
と、半導体集積回路素子から放出された熱により高温側
電極６１Ａが温められて、低温側電極６２Ａとの間に温
度差を生じる。
【００３２】熱電変換材６３Ａの内部では、生じた温度
勾配に応じてキャリアが高温側から低温側に拡散して平
衡状態に達することにより、高温側電極６１Ａと低温側
電極６２Ａとの間に起電力が発生する。この起電力によ
る電気エネルギーを外部に取り出すことによって、外部
に設けられた電源に電力のフィードバックを行なう構成
である。
勾配に応じてキャリアが高温側から低温側に拡散して平
衡状態に達することにより、高温側電極６１Ａと低温側
電極６２Ａとの間に起電力が発生する。この起電力によ
る電気エネルギーを外部に取り出すことによって、外部
に設けられた電源に電力のフィードバックを行なう構成
である。
【００３３】図３（ａ）に示すように、ゼーベック素子
５１Ａは板状を有しており、高温側電極６１Ａと半導体
チップ５２とを互いに密着させて熱伝達効率を上げるこ
とが容易である。なお、図３（ａ）に示すように、複数
の熱電変換材６３Ａが互いに間隔をおいて配置されてお
り、高温側電極６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に熱電
変換材６３Ａを配置する割合は、熱電変換材６３Ａの熱
伝導率又は所望の起電力の大きさ等を考慮して最適とな
るように設計するとよい。
５１Ａは板状を有しており、高温側電極６１Ａと半導体
チップ５２とを互いに密着させて熱伝達効率を上げるこ
とが容易である。なお、図３（ａ）に示すように、複数
の熱電変換材６３Ａが互いに間隔をおいて配置されてお
り、高温側電極６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に熱電
変換材６３Ａを配置する割合は、熱電変換材６３Ａの熱
伝導率又は所望の起電力の大きさ等を考慮して最適とな
るように設計するとよい。
【００３４】図３（ｂ）は本実施形態の一変形例に係る
ゼーベック素子の断面構成を示している。図３（ｂ）に
示すゼーベック素子５１Ｂは、高温側電極６１Ｂと低温
側電極６２Ｂとがそれぞれ所定の周期で分割されてな
り、高温側電極６１Ｂ→Ｐ型熱電半導体６３Ｂ→低温側
電極６２Ｂ→Ｎ型熱電半導体６３Ｃ→高温側電極６１Ｂ
とこの順を繰返すように直列に接続されている。キャリ
アは種類に依らず高温側から低温側に拡散して平衡状態
となるため、Ｐ型熱電半導体６３Ｂは低温側電極６２Ｂ
側が高電位となり、Ｎ型熱電半導体６３Ｃは高温側電極
６１Ｂ側が高電位となる。図３（ｂ）においては、図の
右側から左側へいくに連れて一様に電位が上昇してい
く。高温側電極６１Ｂ→Ｐ型熱電半導体６３Ｂ→低温側
電極６２Ｂ→Ｎ型熱電半導体６３Ｃ→高温側電極６１Ｂ
からなる一周期が生み出す起電力は小さくても、これを
何重にも直列に接続することにより、大きな起電力とし
て出力することができる。
ゼーベック素子の断面構成を示している。図３（ｂ）に
示すゼーベック素子５１Ｂは、高温側電極６１Ｂと低温
側電極６２Ｂとがそれぞれ所定の周期で分割されてな
り、高温側電極６１Ｂ→Ｐ型熱電半導体６３Ｂ→低温側
電極６２Ｂ→Ｎ型熱電半導体６３Ｃ→高温側電極６１Ｂ
とこの順を繰返すように直列に接続されている。キャリ
アは種類に依らず高温側から低温側に拡散して平衡状態
となるため、Ｐ型熱電半導体６３Ｂは低温側電極６２Ｂ
側が高電位となり、Ｎ型熱電半導体６３Ｃは高温側電極
６１Ｂ側が高電位となる。図３（ｂ）においては、図の
右側から左側へいくに連れて一様に電位が上昇してい
く。高温側電極６１Ｂ→Ｐ型熱電半導体６３Ｂ→低温側
電極６２Ｂ→Ｎ型熱電半導体６３Ｃ→高温側電極６１Ｂ
からなる一周期が生み出す起電力は小さくても、これを
何重にも直列に接続することにより、大きな起電力とし
て出力することができる。
【００３５】本実施形態において、ゼーベック素子５１
Ａ、５１Ｂを構成する熱電変換材６３Ａ、Ｐ型熱電半導
体６３Ｂ及びＮ型熱電半導体６３Ｃとして有望な材料
は、ビスマステルル（ＢｉＴｅ）系半導体又は鉛テルル
（ＰｂＴｅ）系半導体である。
Ａ、５１Ｂを構成する熱電変換材６３Ａ、Ｐ型熱電半導
体６３Ｂ及びＮ型熱電半導体６３Ｃとして有望な材料
は、ビスマステルル（ＢｉＴｅ）系半導体又は鉛テルル
（ＰｂＴｅ）系半導体である。
【００３６】ＢｉＴｅ系又はＰｂＴｅ系の半導体材料
は、半導体装置が標準的に用いられる室温付近における
ゼーベック係数（単位温度差に対して発生する起電力の
大きさを表わす物性定数）が大きい上に、熱伝導率が適
度に小さいため、熱を放熱しにくいので、高効率の熱電
変換ができるという優れた特性を持つ。
は、半導体装置が標準的に用いられる室温付近における
ゼーベック係数（単位温度差に対して発生する起電力の
大きさを表わす物性定数）が大きい上に、熱伝導率が適
度に小さいため、熱を放熱しにくいので、高効率の熱電
変換ができるという優れた特性を持つ。
【００３７】以下、本実施形態に係る半導体装置の具体
的なエネルギー回収効率について説明する。機能手段及
び熱電変換手段は図２に示す半導体装置とし、熱電変換
手段は図３（ａ）に示すゼーベック素子５１Ａとする。
的なエネルギー回収効率について説明する。機能手段及
び熱電変換手段は図２に示す半導体装置とし、熱電変換
手段は図３（ａ）に示すゼーベック素子５１Ａとする。
【００３８】熱電変換材６３ＡはＢｉＴｅ系半導体に属
するＰ型のＳｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ） 2 Ｔｅ3 からなる熱
電半導体を用いる。ここでは、半導体チップ５２のチッ
プ面積を例えば２．９４ｃｍ2 とする。
するＰ型のＳｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ） 2 Ｔｅ3 からなる熱
電半導体を用いる。ここでは、半導体チップ５２のチッ
プ面積を例えば２．９４ｃｍ2 とする。
【００３９】半導体チップ５２に形成されている半導体
集積回路素子の電力消費によってゼーベック素子５１Ａ
の高温側電極６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に生じる
温度差は、樹脂封止パッケージ５５を含めた電子デバイ
ス５０全体の熱抵抗の大きさによって決まる。ここで、
ゼーベック素子５１Ａが電子デバイス５０の２０％の容
積を占めるとすると、熱電半導体の熱伝導率等からゼー
ベック素子５１Ａ本体の熱抵抗は８．０℃／Ｗとなる。
集積回路素子の電力消費によってゼーベック素子５１Ａ
の高温側電極６１Ａと低温側電極６２Ａとの間に生じる
温度差は、樹脂封止パッケージ５５を含めた電子デバイ
ス５０全体の熱抵抗の大きさによって決まる。ここで、
ゼーベック素子５１Ａが電子デバイス５０の２０％の容
積を占めるとすると、熱電半導体の熱伝導率等からゼー
ベック素子５１Ａ本体の熱抵抗は８．０℃／Ｗとなる。
【００４０】一方、電子デバイス５０の残りの８０％を
占める樹脂封止パッケージ５５の熱抵抗は、典型的な樹
脂封止パッケージの場合で６５℃／Ｗと見積もることが
できる。
占める樹脂封止パッケージ５５の熱抵抗は、典型的な樹
脂封止パッケージの場合で６５℃／Ｗと見積もることが
できる。
【００４１】電子デバイス５０の熱抵抗は、ゼーベック
素子５１Ａ本体の熱抵抗と樹脂封止パッケージ５５の熱
抵抗の並列抵抗に相当するため、約７．１℃／Ｗとな
る。これにより、半導体チップ５２上の半導体集積回路
素に入力される入力電力Ｐin（Ｗ）とゼーベック素子５
１Ａの両端に生じる温度差ΔＴ（℃）との間には、次の
式（１）に示す関係が成り立つ。
素子５１Ａ本体の熱抵抗と樹脂封止パッケージ５５の熱
抵抗の並列抵抗に相当するため、約７．１℃／Ｗとな
る。これにより、半導体チップ５２上の半導体集積回路
素に入力される入力電力Ｐin（Ｗ）とゼーベック素子５
１Ａの両端に生じる温度差ΔＴ（℃）との間には、次の
式（１）に示す関係が成り立つ。
【００４２】 ΔＴ＝７．１×Ｐin …（１） ゼーベック素子５１Ａは、式（１）に示す温度差ΔＴに
比例した起電力Ｖout（Ｖ）を発生させる。その比例係
数がいわゆるゼーベック係数であり、室温付近における
Ｓｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ）2 Ｔｅ3 のゼーベック係数は
２．１×１０-4（Ｖ／℃）と高い。この関係をまとめる
と、式（２）のように表わされる。
比例した起電力Ｖout（Ｖ）を発生させる。その比例係
数がいわゆるゼーベック係数であり、室温付近における
Ｓｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ）2 Ｔｅ3 のゼーベック係数は
２．１×１０-4（Ｖ／℃）と高い。この関係をまとめる
と、式（２）のように表わされる。
【００４３】 Ｖout ＝２．１×１０-4×ΔＴ …（２） ゼーベック素子５１Ａから取り出される出力電力Ｐout
（Ｗ）は、起電力Ｖout の二乗に比例し、ゼーベック素
子５１Ａの電気抵抗に反比例する。ゼーベック素子５１
Ａの電気抵抗は、Ｓｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ）2 Ｔｅ3 から
なる熱電半導体の電気抵抗率及び占有面積等から１０-4
（Ω）と求められる。
（Ｗ）は、起電力Ｖout の二乗に比例し、ゼーベック素
子５１Ａの電気抵抗に反比例する。ゼーベック素子５１
Ａの電気抵抗は、Ｓｅ添加（Ｂｉ，Ｓｂ）2 Ｔｅ3 から
なる熱電半導体の電気抵抗率及び占有面積等から１０-4
（Ω）と求められる。
【００４４】従って、出力電力Ｐout は、式（３）とな
る。
る。
【００４５】 Ｐout ＝ｋ×Ｖout2×１０4 …（３） ここで、ｋは、ゼーベック素子５１Ａが電力を帰還する
対象とする外部の電子部品（電気エネルギー回収手段）
３２のインピーダンスとゼーベック素子５１Ａ本体の電
気抵抗との大小関係で決まる回路パラメータである。
対象とする外部の電子部品（電気エネルギー回収手段）
３２のインピーダンスとゼーベック素子５１Ａ本体の電
気抵抗との大小関係で決まる回路パラメータである。
【００４６】式（１）〜式（３）をまとめると、入力電
力Ｐinと出力電力Ｐoutとの関係、及びエネルギー回収
効率η＝Ｐout／Ｐin×１００（％）が求められる。こ
こで、ｋ＝０．５となるシステムを考えると、 Ｐout ＝０．５×（２．１×１０-4×７．１×Ｐin）2×１０4 ＝１．１×１０‐2×Ｐin2 …（４） η＝Ｐout ／Ｐin×１００＝１．１×Ｐin …（５） となる。
力Ｐinと出力電力Ｐoutとの関係、及びエネルギー回収
効率η＝Ｐout／Ｐin×１００（％）が求められる。こ
こで、ｋ＝０．５となるシステムを考えると、 Ｐout ＝０．５×（２．１×１０-4×７．１×Ｐin）2×１０4 ＝１．１×１０‐2×Ｐin2 …（４） η＝Ｐout ／Ｐin×１００＝１．１×Ｐin …（５） となる。
【００４７】近年、急速に高速化及び高集積化が進む半
導体集積回路素子の消費電力は１０Ｗクラスにも達し、
パソコン用のマイクロプロセッサにおいては４０Ｗにも
及ぶ。
導体集積回路素子の消費電力は１０Ｗクラスにも達し、
パソコン用のマイクロプロセッサにおいては４０Ｗにも
及ぶ。
【００４８】式（４）及び式（５）から分かるように、
入力電力Ｐinが１０Ｗの場合には、出力電力Ｐout が
１．１Ｗとなり、このときのエネルギー回収効率ηは１
１％となる。また、入力電力Ｐinが４０Ｗの場合には、
出力電力Ｐoutが１８Ｗとなり、このときのエネルギー
回収率ηは４４％となって、消費電力が大きい程より大
きなエネルギー回収効果が得られることが分かる。
入力電力Ｐinが１０Ｗの場合には、出力電力Ｐout が
１．１Ｗとなり、このときのエネルギー回収効率ηは１
１％となる。また、入力電力Ｐinが４０Ｗの場合には、
出力電力Ｐoutが１８Ｗとなり、このときのエネルギー
回収率ηは４４％となって、消費電力が大きい程より大
きなエネルギー回収効果が得られることが分かる。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によると、熱電
変換手段が電気エネルギーを消費することなく、機能手
段が発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、変
換した電気エネルギーを電気エネルギー供給手段に戻す
ため、エネルギーの負帰還制御が働くので、装置の電力
消費を安定して抑制できる。また、熱電変換手段に熱電
変換素子を用いれば、小型、無騒音及び高信頼性を得る
ことができるので、半導体装置の省電力化に積極的に寄
与することができる。
変換手段が電気エネルギーを消費することなく、機能手
段が発する熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、変
換した電気エネルギーを電気エネルギー供給手段に戻す
ため、エネルギーの負帰還制御が働くので、装置の電力
消費を安定して抑制できる。また、熱電変換手段に熱電
変換素子を用いれば、小型、無騒音及び高信頼性を得る
ことができるので、半導体装置の省電力化に積極的に寄
与することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置を概念的
に表わした機能ブロック図である。
に表わした機能ブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置における
電子デバイスを示す構成断面図である。
電子デバイスを示す構成断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置
に用いるゼーベック素子を示す構成断面図である。
（ｂ）は本発明の一実施形態の一変形例に係る半導体装
置に用いるゼーベック素子を示す構成断面図である。
に用いるゼーベック素子を示す構成断面図である。
（ｂ）は本発明の一実施形態の一変形例に係る半導体装
置に用いるゼーベック素子を示す構成断面図である。
１０ 半導体装置 ２０ 電子デバイス ２１ 電子機能素子（機能手段） ２２ 熱電変換素子（熱電変換手段） ３０ 電子回路 ３１ 電源（電気エネルギー供給手段） ３２ 電子部品（電気エネルギー回収手段） ５０ 電子デバイス（半導体装置） ５１ 熱電変換素子 ５２ 半導体チップ ５３ リードワイヤ ５４Ａ 第１のリードフレーム ５４Ｂ 第２のリードフレーム ５５ 樹脂封止パッケージ ５１Ａ ゼーベック素子 ５１Ｂ ゼーベック素子 ６１Ａ 高温側電極 ６２Ａ 低温側電極 ６３Ａ 熱電変換材 ６１Ｂ 高温側電極 ６２Ｂ 低温側電極 ６３Ｂ Ｐ型熱電半導体 ６３Ｃ Ｎ型熱電半導体
Claims (6)
- 【請求項１】 電気エネルギー供給手段から電気エネル
ギーを受けることにより所望の機能を達成する電子機能
素子を含む機能手段と、 前記機能手段が発する熱エネルギーを電気エネルギーに
変換する熱電変換手段と、 変換した電気エネルギーを回収し、回収した電気エネル
ギーを前記電力エネルギー供給手段に帰還させる電気エ
ネルギー回収手段とを備えていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記熱電変換手段は前記機能手段と密着
するように設けられていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記電子機能素子は半導体集積回路素子
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記電子機能素子は半導体発光素子であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記熱電変換手段はゼーベック素子から
なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記ゼーベック素子は、ビスマス、鉛又
はテルルを含む半導体からなることを特徴とする請求項
５に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139573A JP2001320003A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139573A JP2001320003A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001320003A true JP2001320003A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18646996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000139573A Pending JP2001320003A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001320003A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10238843A1 (de) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| EP3477697A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-01 | Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. | Integrated circuit package, energy harvester, and method for harvesting energy from integrated circuits |
| JP7058793B1 (ja) | 2021-10-14 | 2022-04-22 | 恭胤 高藤 | 空調装置 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000139573A patent/JP2001320003A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10238843A1 (de) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| US6891278B2 (en) | 2002-08-20 | 2005-05-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component |
| DE10238843B4 (de) * | 2002-08-20 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| DE10238843B8 (de) * | 2002-08-20 | 2008-01-03 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| EP3477697A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-01 | Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. | Integrated circuit package, energy harvester, and method for harvesting energy from integrated circuits |
| JP7058793B1 (ja) | 2021-10-14 | 2022-04-22 | 恭胤 高藤 | 空調装置 |
| JP2023058789A (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-26 | 恭胤 高藤 | 空調装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5921087A (en) | Method and apparatus for cooling integrated circuits using a thermoelectric module | |
| JP4796868B2 (ja) | 電子回路構造、該構造を備える電子機器、熱起電力発生方法、補助電力発生方法、及び半導体ベアチップ | |
| Shakouri et al. | On-chip solid-state cooling for integrated circuits using thin-film microrefrigerators | |
| US20080229759A1 (en) | Method and apparatus for cooling integrated circuit chips using recycled power | |
| EP1316140B1 (en) | Portable electronic device with enhanced battery life and cooling | |
| US6000225A (en) | Two dimensional thermoelectric cooler configuration | |
| US8373057B2 (en) | Thermoelectric element | |
| US20060201161A1 (en) | Cooling device for electronic component using thermo-electric conversion material | |
| US20060225773A1 (en) | Trans-thermoelectric device | |
| JPH03501910A (ja) | 超伝導体半導体接合部を使用したペルチエ冷却段 | |
| JP2007535803A (ja) | 電力変換及び冷却用の薄膜熱電装置 | |
| WO2004001865A1 (ja) | 熱電素子とそれを用いた電子部品モジュールおよび携帯用電子機器 | |
| Gould et al. | A review of thermoelectric MEMS devices for micro-power generation, heating and cooling applications | |
| JP6995370B2 (ja) | 熱電変換装置および電子装置 | |
| CN113555492B (zh) | 一种电子余热收集装置及其控制方法 | |
| KR101824695B1 (ko) | 에너지 하베스팅 방열구조체 | |
| JP2001320003A (ja) | 半導体装置 | |
| CN107968315A (zh) | 一种半导体激光器 | |
| CN100388161C (zh) | 具有热电转换的计算机 | |
| WO2024001375A1 (zh) | 一种能量回收装置及电子设备 | |
| CN104602484B (zh) | 便携式设备及其散热装置 | |
| JP2002050727A (ja) | 電子機器 | |
| JP7552023B2 (ja) | 熱電変換構造体 | |
| CN207542563U (zh) | 一种半导体激光器 | |
| CN214371055U (zh) | 一种局部镀金的热电制冷模组 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20071002 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080527 |