JP2002050727A - 電子機器 - Google Patents

電子機器

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JP2002050727A
JP2002050727A JP2000232940A JP2000232940A JP2002050727A JP 2002050727 A JP2002050727 A JP 2002050727A JP 2000232940 A JP2000232940 A JP 2000232940A JP 2000232940 A JP2000232940 A JP 2000232940A JP 2002050727 A JP2002050727 A JP 2002050727A
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conversion element
heat
cpu
temperature
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Fumiyoshi Kirino
文良 桐野
Toshiaki Yasui
俊明 泰井
Nobuyuki Inaba
信幸 稲葉
Koichiro Wakabayashi
康一郎 若林
Yuji Yamazaki
祐司 山崎
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Maxell Holdings Ltd
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Hitachi Maxell Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、発熱性素子から発せられる熱を放
熱して回路を熱的に保護すると共に省エネルギーを達成
可能な電子機器を提供することを例示的目的とする。 【解決手段】 発熱性素子と、前記発熱性素子の熱エネ
ルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換素子と、前
記熱電変換素子に接続され、前記電気エネルギーを受け
取り、前記発熱性素子を駆動可能な電源回路とを有する
ことで達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器の電力節
約構造に関する。電子機器は、典型的には、情報を記
憶、再生又は消去する情報記録装置を含み、具体的に
は、パーソナルコンピュータ(PC)、パーソナル・デ
ィジタル・アシスタンツ(PDA)、各種ゲーム装置、
ワープロ、各種ドライブ、プリンタ、ファックス機、コ
ピー機などを含む。本発明は、例えば、ノート型PCの
マザーボードに実装されるCPUの放熱機構に好適であ
る。
【0002】
【従来の技術】ノート型PCは典型的な携帯型電子情報
端末として広く市場に出回っている。ノート型PCのマ
ザーボード(又はメインボード)は、CPU(Cent
ralProcessing Unit)ソケットや様
々なメモリ(ソケット)、チップセット、拡張スロット
及びBIOSROMなどの回路素子を実装し、PCの性
能や機能を直接的に左右する。
【0003】近年のノート型PCは、マザーボードに搭
載される各種回路素子の高速化と高機能化に伴って、発
熱性素子の数が増加すると共にかかる回路素子からの発
熱量が増加する傾向にある。そこで、マザーボード直接
に又はソケット等を介して実装される発熱性素子及びそ
の他の回路素子を熱的に保護するためにマザーボードに
はヒートシンクと呼ばれる冷却装置が設けられている。
【0004】ヒートシンクは典型的に多数の高伝熱性部
材(フィン組立体)からなる冷却(又は放熱)フィンを
有し、自然空冷によって発熱素子を冷却する。しかし、
近年の発熱素子の発熱量は自然空冷では対応できなくな
る傾向にある。そこで、異常発熱を防止するために、マ
ザーボードにクーラーを装着している。クーラーは、フ
ァンが発生する空気流によって発熱素子を強制的に冷却
する。なお、スーパーコンピュータやメインフレームな
ど、大量の熱を発生するプロセッサには水冷方式のクー
ラーもある。特に発熱量が多いCPUは、ヒートシンク
と共にクーラーを組み合わせて使うことも多い。従来の
クーラー付ヒートシンクは、CPUからの発熱量が最も
大きいために、典型的に、マザーボードのCPUの上部
に設けられている。
【0005】クーラー付ヒートシンクは、小型化及び剛
性を高めるため、冷却フィンと、当該冷却フィンの底面
を形成して発熱素子から冷却フィンへの熱伝達を可能に
するベースと、冷却ファンを収納する収納部とをダイキ
ャスト法により一体的に形成している。このような一体
型ヒートシンクは、発熱素子とベースとの接続面(受熱
面)から冷却フィンへの熱伝導を効率よく行えるため、
高い熱交換性能を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のノート
型PCは、消費電力の低減について効果的な手法が取ら
れていなかった。各種回路素子の性能の上昇に伴い、回
路素子自身の消費電力は格段に増加する。また、回路素
子からの発熱量も増大するため、クーラーの使用で、更
に電力を消費する。従来では、回路方式や用いる材料の
工夫により、消費電力の低減を図ったり、素子自身の省
エネ化をすすめたりする手法がとられてきた。
【0007】回路素子から放出される高温の熱は、電力
の消費形態の一部であり、大量の放熱はエネルギーのロ
スである。消費電力の観点からすると、発熱が小さいほ
ど無駄なエネルギー消費が無いことになる。しかし、回
路素子の発熱を完全になくすことは原理的に困難であ
る。
【0008】上述のような消費電力の増加及びエネルギ
ーのロスは、省エネが優先される現代において好ましい
ことではない。従来では、回路素子から発生する熱は、
ヒートシンク及びクーラーによって放熱されるだけであ
り、その熱は特に利用されていなかった。即ち、高温度
の熱は、その潜在エネルギーを持ったまま利用されずに
捨てられていた。
【0009】また、回路素子を保護するためのヒートシ
ンク及びクーラーは必要不可欠な装置であった。それゆ
えに、どんな薄型のヒートシンク及びクーラー取り付け
たところで、処理装置の薄型化(ロープロフィール化)
を妨げていた。素子の動作を安定させるための熱対策、
及び装置の薄型を同時に図ることは困難であった。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、この
ような従来の課題を解決する新規かつ有用な電子機器を
提供することを概括的な例示的目的とする。
【0011】より特定的には、本発明は、発熱性素子か
ら発せられる熱を放熱して回路を熱的に保護すると共に
省エネルギーを達成可能な電子機器を提供することを例
示的目的とする。
【0012】上記目的を達成するために、本発明の例示
的一態様としての電子機器は、発熱性素子と、前記発熱
性素子の熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電
変換素子と、前記熱電変換素子に接続され、前記電気エ
ネルギーを受け取り、前記発熱性素子を駆動可能な電源
回路とを有する。かかる電子機器によれば、熱電変換素
子が、情報処理装置内の素子から発生する熱を電気的エ
ネルギーに変換して電源回路に供給する。
【0013】また、本発明の別の例示的一態様としての
電子機器は、発熱性素子と、電源回路と、前記電源回路
により供給される電気エネルギーを利用してペルチェ効
果により前記発熱性素子を冷却する熱電変換素子とを有
する。かかる電子機器によれば、電源回路は熱電変換素
子に通電してペルチェ効果を引き起こし、この結果、熱
電変換素子は発熱性素子のジュール熱及びその他の熱エ
ネルギーを吸収する。
【0014】また、本発明の例示的一態様としてのパッ
ケージは、発熱性素子と、熱電変換素子と、前記発熱性
素子及び熱電変換素子を収納して一の電子素子を形成す
るモールドとを有する。かかるパッケージは、熱電変換
素子を発熱性素子に近接して配置することを可能にす
る。
【0015】本発明の他の目的及び更なる特徴は、以
下、添付図面を参照して説明される実施例により明らか
にされる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明のノート型PC200について説明する。ノート型P
C200はCPU本体30を搭載する。図1を参照する
に、CPU30本体は樹脂モールド31に覆われ、樹脂
モールド31は熱電変換素子10の面19においてに接
触する。樹脂モールド31に覆われたCPU30はCP
Uパッケージとして把握することができる。ここで、図
1は、ノート型PC200のCPU30の概略断面図で
ある。CPU本体30は、当業界の周知の演算及び制御
機能を有するいかなる素子をも適用することができるた
め、ここでは詳しい説明は省略する。
【0017】選択的に、ノート型PC200は図示しな
い温度センサを更に備える。温度センサは、CPU本体
30の表面及び近傍でCPU本体30の温度を検出す
る。温度センサはCPU本体30に電気的に接続され、
検出結果をCPU本体30に通知する。代替的に、CP
U本体30に予め温度検出機能を有する素子を組み込ん
で、CPU本体30内の温度を直接検出してもよい。
【0018】図2は、図1に示す熱電変換素子10の概
略斜視図である。熱電変換素子10は、n型素子11
と、p型素子12と、接合電極13と、出力端子14、
15と、基板16及び17とを有する。
【0019】n型素子11とは、負の電荷を持つ電子が
キャリアとなる半導体で、そのキャリアは電子が多く正
孔は少ない。一方、p型素子12とは、正の電荷を持つ
正孔がキャリアとなる半導体で、そのキャリアは正孔が
多く電子が少ない。n型素子11及びp型素子12は、
各々直方体形状に形成され、高さにおいて同一である。
n型素子11及びp型素子12の形状は直方体であるこ
とに限定されないが、直方体の長手方向に垂直な断面積
は導電性を妨げない程度に確保する必要がある。
【0020】本発明の熱電変換素子10に使用されるn
型素子11及びp型素子12の材料は、Pb−Te(鉛
−テルル)とを主成分とする合金である。代替的に、n
型素子11及びp型素子12は、Bi−Te(ビスマス
−テルル)、Si−Ge(ケイ素−ゲルマニウム)を使
用してもよい。本実施例で用いたPb−Te系は、30
0乃至500度付近で最も高い変換効率が得られる。B
i−Te系は300乃至500度より低い温度で高い変
換効率が得られる。Si−Ge係は300乃至500度
より高い温度で高い変換効率が得られる。熱電変換素子
10に使用されるn型素子11及びp型素子12の材料
は、使用される温度に応じて決定される。
【0021】接合電極13は、n型素子11とp型素子
12の両端部に配置される導電性板状部材で、ハンダ付
けなどによりそれらと接合される。接合電極13は、少
なくともn型素子11とp型素子12とを接合可能な面
積を有する。n型素子11とp型素子12は、接合電極
13によって電気的に接続される。接合電極13は電気
を効率よく流すために、電気抵抗が少ないものが好まし
い。また、n型素子11及びp型素子12と接合電極1
3の接合部は、電気抵抗が少なく接合されることが好ま
しい。更に、接合電極13は、高い温度でも変形及び性
質の変化がないなどの理由から、例えば、銅などから形
成される。
【0022】上述のn型素子11とp型素子12と接合
電極13の接続を1セルし、熱電変換素子10は直列接
続された50セルを使用している。各セルの接続も同様
に接合電極13を使用する。図2に示すように、セルの
向きを変えながら接続することで、熱電変換素子10を
四角形状に形成することができる。始点及び終点の素子
は、接合電極が接合されている。始点及び終点に接続さ
れる接合電極の素子を有しない端部は、後述する出力端
子14及び15の接合部として使用することができる。
n方素子11及びp型素子12の数は、CPU本体30
への熱電変換素子10の取り付け面積、及び必要な起電
力によって定まるものである。よって、熱電変換素子1
0のセルの数はこれに限定されない。
【0023】接合電極13は素子を挟んで上下に区別さ
れる。図2において下側に位置する接合電極面を第1の
面18とし、それに対向する面(図2において、上の
面)を第2の面19とする。
【0024】出力端子14及び15は、始点と終点に位
置する素子に接合された接合電極の素子を有しない長手
方向端部に接続される。接合方法としては、ハンダ付け
などである。また、始点及び終点の素子に出力端子14
及び15を直接接合することで、始点及び終点の素子に
接合する接合電極を省略することも可能である。出力端
子14及び15はリード線などである。後述するよう
に、出力端子14及び15はスイッチ80を経由し、定
電圧化回路50又は駆動用電源70のどちらか一方に接
続される。
【0025】基板16及び17は絶縁性板状部材であ
る。基板16及び17は、同一部材から構成され、同一
形状を有することが好ましい。基板16及び17は、第
1の面18及び第2の面19に接合されている。基板1
6及び17が接合されるとき、基板16及び17は第1
の面18及び第2の面19のどちらに接合されてもよ
い。第1の面18及び第2の面19による基板16及び
17の限定はない。なお、本明細書では説明する部材を
明らかにとするために、第1の面18に接合される基板
を基板16、第2の面19に接合する基板を基板17と
定義する。また、熱の移動が効率よく行われるために、
基板16及び17の熱伝達率は高いほうが好ましい。基
板16及び17は、高い温度でも変形及び性質の変化が
ないなどの理由から、例えば、セラミックスなどであ
る。かかる熱電変換素子10は、当業界周知のいかなる
技術を適用可能であり、本明細書の記載に限定されな
い。
【0026】熱電変換素子10は樹脂モールド31に接
合される。このとき熱電変換素子10は、基板17が樹
脂モールド31と接触する。熱源と熱電変換素子10の
接合状態は、熱電変換の効率を向上させるよう接合させ
ることが好ましい。即ち、接合用部材の熱抵抗は、少な
いことが好ましい。本発明では、熱電変換素子10と樹
脂モールド31は低融点のInハンダを用いて接合を行
っている。かかる状態で接続した熱電変換素子10の1
組のセルの熱電能は0.8mV/Kである。熱電能は、
セルの温度変化に対する熱起電力を示す値である。熱電
能は、素子11及び12のキャリア濃度により変化す
る。また、熱電変換素子10全体の起電力は18Vであ
った。
【0027】しかし、CPU本体30の温度変化により
熱電変換素子10の起電力は一定とならない場合が多
い。そこで、定電圧化回路50を出力端子14及び15
に接続する。図5は、図1に示す熱電変換素子10に接
続される定電圧化のための回路図である。図6は、図1
に示す熱電変換素子10に接続される定電圧化のための
別の回路図である。
【0028】図5を参照するに、OPアンプ(オペアン
プ)を利用することで、定電圧化のための回路は構成可
能である。オペアンプは、演算増幅回路とも称される。
オペアンプは特殊なものを除き、2つの入力端子と1つ
の出力端子を持ち、2つの入力端子間に加えられた信号
を増幅する増幅器である。
【0029】また、図6を参照するに、定電圧ダイオー
ド(ツェナーダイオード)を使用することで、定電圧化
のための回路は構成可能である。ツェナーダイオード
は、流れる電流にかかわらず電圧が一定になるため、簡
易的な定電圧装置に用いられる。ツェナーダイオードと
同様なその他の方法は,ダイオードの順方向電圧を用い
る方法、及びトランジスタを用いる方法などがある。オ
ペアンプ及びツェナーダイオードについては、当業界周
知の技術を適用可能であり、ここでの詳細な説明は省略
する。
【0030】図1で、熱電変換素子10は、CPU20
全体を覆うように構成されている。熱電変換素子10
は、上述のように起電力や取り出す電流によってセルの
数を変更できるので、それに伴い、熱電変換素子10全
体の大きさも変化する。図1に示す熱電変換素子10
は、例示的な形態を示しただけで本発明を限定するもの
ではない。
【0031】以下、図4を参照して、ノート型PC20
0について説明する。ここで、図4は、図1に示す熱電
変換素子10を有するノート型PC200の概略斜視図
である。ノート型PC200は、ヒンジ202によって
接続された液晶ディスプレイ(LCD)ベゼルフレーム
210とベース220とを有している。LCDベゼルフ
レーム210には出力部であるLCD画面212が配置
されている。典型的に、ベース220はプラスチック材
料からなり、厚さ約50mm以下で、好ましくは、厚さ
約20乃至30mmを有する。ノート型PC200は、
CPU30を冷却するためのクーラー等の厚みを有する
付加部材を使用していないので、ロープロフィールベー
ス220を維持することができる。LCDベゼルフレー
ム210は、LCD画面212を保持する実質的に矩形
状を有する。
【0032】ベース220は、入力部としての情報タイ
プ用のキーボードセクション222を含んでいるが、キ
ーボードの種類及びキーボード配列は種類を問わない。
キーボードの種類は、101、106、109、エルゴ
ノミックなどを問わず、キーボード配列もQWERTY
配列、DVORAK配列、JIS配列、新JIS配列、
日本語入力コンソーシアム基準配列(NICOLA:N
ihongo Nyuryoku COnthotium
Layout)などを問わない。
【0033】ベース220は、更に入力部としてのマウ
ス機能の一部をエミュレートするポインティングデバイ
ス224も含んでいる。図4に示す構造に関わらず、ポ
インティングデバイス224はマウス、トラックボー
ル、トラックパッド、タブレット、ディジタイザー、ジ
ョイスティック、ジョイパッド、タッチパネル、スタイ
ラスペンなどを含む。
【0034】ベース220は、内部に図示しないマザー
ボードを有する。マザーボードはCPUやメモリを取り
付けるソケットや、拡張ボードを取り付けるスロットが
配置されている。制御部であるCPUや主記憶部である
メモリをマザーボードに取り付けることで各パートとの
電気的接続を可能にする。マザーボードは当業界の周知
のいかなる技術も適用できるため、ここでの詳しい説明
は省略する。また、CPUを取り付けるソケットは、ソ
ケット及びスロットの両者を含む意味であり、ソケット
の形状の限定はない。同様にメモリのソケットも形状に
おいて限定を有するものではない。ベース220は、内
部に補助記憶装置であるハードディスク装置及びフロッ
ピーディスク装置を有する。フロッピーディスク装置は
本体外部に拡張装置として設ける構成とすることも可能
である。
【0035】図4は、ノート型PC200の典型的な構
成を示したものであり、ビデオボードやサウンドボード
を有してもよい。また、ノート型PC200は、その他
拡張機能を有する拡張装置との接続インターフェース及
びスロットを有していてもよい。
【0036】以下、ノート型PC200の動作を説明す
る。ノート型PC200のユーザはキーボード222又
はポインティングデバイス224を操作してベース22
0に収納された図示しないハードディスクに格納された
プログラムを実行する。このとき、CPU30本体はハ
ードディスク及び図示しないROMから必要なデータを
図示しないメモリにダウンロードする。この際、CPU
本体30から発生する熱は、熱電変換素子10により、
発電に使用されるか、冷却される。
【0037】熱電変素子10には2種類の用途がある。
第1の用途は、熱エネルギーを電気的エネルギーに変換
して熱電変換素子10を発電装置として使用する用途で
ある。これは、一般にゼーベック効果を利用する。ゼー
ベック効果とは、2種類の導体を接続して閉回路を作
り、その2つの接点を異なった温度にするとこの回路に
起電力が発生し電流が流れる現象をいい、発生した起電
力を熱起電力(本明細書では、単に起電力と称する場合
がある)という。この時発生した電流を熱電流という。
熱起電力はそのような金属同士では数μV/Kしか得ら
れないが、金属と半導体では数百μV/Kにもなる。
【0038】熱電変換素子10の場合、図2中太い矢印
で示す方向から熱が流れる。即ち、第2の面19は第1
の面18よりも相対的に温度が高いと、起電力によって
電流は図中の実線の矢印方向に流れる。なぜなら、p形
素子では正孔の密度は温度が高いほど大きくなるため正
孔は高温部から低温部へ拡散するからである。その結
果、高温部が負、低温部は正に帯電する。帯電によって
素子中の電界が高まるとキャリアの拡散が妨げられるよ
うになり、ついには平衡状態に達する。このように出現
する電圧が熱起電力であり、n形素子の場合には正孔が
電子に置換される。
【0039】第2の用途は、電気エネルギーを熱エネル
ギーに変換して熱電変換素子10を冷却装置として使用
する用途である。これは、ペルチェ効果を利用する。ペ
ルチェ効果とは、ゼーベック効果と逆の現象であり、上
述の閉回路に直流回路を接続して電流を流すと、接合点
に熱の吸収あるいは発生が起こる現象である。熱電流と
同じ方向に外部から電流を流すと熱電対の高温接合点で
熱の吸収、低温接合点では熱の発生がおこる。熱電変換
素子10の場合、図中破線で示す方向から電流が流れる
と、第2の面において熱の吸収が起きる。
【0040】以下、図7を参照し、CPU本体30の動
作について説明する。ここで、図7は、図1に示すCP
U30の熱電変換素子10に対する制御フローチャート
である。ノート型パソコン200を起動し、動作を行う
ことによってCPU本体30は発熱する。CPU本体3
0からの発熱量は温度センサが検出する。CPU30
は、温度センサからの情報でCPU30が第1の温度以
上であるか判断する(ステップ1010)。
【0041】通常第1の温度とは第1の面18の表面温
度であり、おおよそ室温である。なお、実際の室温はノ
ート型PCの使用環境において異なるため、必要があれ
ば、一定の温度を第1の温度として予め記憶させておく
よりも、別の温度センサを設け室温を検出し第1の温度
を定義することとしてもよい。
【0042】このとき、熱電変換素子10は、ステップ
1010を境に、熱エネルギーを電気エネルギーに変換
する。第1の面18は空気に接しているため、ほぼ室温
を維持する。CPU本体30が発熱して室温より高い温
度になることで、それに接する第2の面19もCPU3
0とほぼ同じ温度、もしくはわずかに低い温度になる。
それに伴い、第1の面18と第2の面19の間に温度差
が生じる。熱電変換素子10は、温度差が生じることで
エネルギーの変換動作を行い、起電力を発生する。この
とき発生する電流は、出力端子15方向に流れる(図2
参照)。また、熱電変換素子10は温度差が生じている
限り、かかる発電動作を継続的に行う。
【0043】なお、ステップ1010は、制御系におい
て必ずしも必要とされるものではなく、ステップ101
0は選択的である。ステップ1010を設けると、熱電
変換素子10の起電力発生時期を確認することができ便
利である。LCD画面212に表示手段を設ける、もし
くはベース220にLEDが点灯することで第1の温度
を知らせる機能をノート型PC200に付加すること
で、ユーザが可視的に確認可能となる。
【0044】次に、CPU30は、温度センサの情報よ
りCPU30の温度が第2の温度以下であるか判断する
(ステップ1020)。第2の温度とは、CPU30独
自に定められている動作保証温度の上限温度である。C
PU30の温度が第2の温度より上である場合、CPU
30は発熱によるCPU30の破壊防止するためにステ
ップ1060に移行する。CPU30の温度が第2の温
度以下であるなら、ステップ1025に移行する。
【0045】以下、ステップ1025以降の動作を説明
する。CPU30は、図8に示すスイッチ80を定電圧
化回路50側に接続する命令を出す(ステップ102
5)。ここで図8は、図1に示す熱電変換素子10と接
続する回路の切り替え方法を示した回路図である。この
とき、熱電変換素子10は、発電動作を継続している。
出力端子15から流れ出た電流は、定電圧化回路50
(図5または図6)に流れ、所定の電圧に変換される。
即ち,スイッチ80が定電圧化回路50に接続されたと
き、電気は熱電変換素子10から定電圧化回路50に方
向に流れる。
【0046】次に、CPU10は、所定の電圧に変換さ
れた電流を「蓄電するか」か判断する(ステップ103
0)。かかる判断は、基本的にYesを選択する構成に
することが好ましい。後述するバッテリ60の充電可能
容量を越えるときに、ステップ1030でNoを選択す
るものとする。そして、駆動用回路90に接続し駆動用
電力の一部として使用するとしてもよい。しかし、発電
された電力を一時的に蓄積する、もしくは、駆動用電力
として即座に使用するとしても、熱電変換素子10より
発生した熱エネルギーに対するノート型PC200の相
対的なエネルギー消費量は同じである。よって、熱電変
換素子10からの起電力を蓄電するか、または駆動用と
するかは選択的である。ノート型PC200に図示しな
いスイッチを設け、ユーザに上述の判断を委ねる構成と
してもよい。また、バッテリを使用しない構成の電子機
器に対しては、ステップ1030でNOを選択し、後述
するステップ1050に移行するような構成にしてもよ
い。
【0047】ステップ1030においてCPU30が
「蓄電する」と判断した場合、所定の電圧に変換された
電流をバッテリ60に蓄電する(ステップ1040)。
通常ノート型PCは、携帯性が必要とされるために、バ
ッテリ60を搭載可能な構成をとる。ノート型PCは、
かかるバッテリで駆動電力を確保する。バッテリ60
は、ニッケルー水素電池、リチウムイオン二次電池やポ
リマー型リチウム二次電池に代表される蓄電機能を有す
る二次電池である。二次電池は、蓄電機能を有する点で
通常の電池(一次電池)とは異なる。熱電変換素子10
で発生した起電力を二次電池で蓄積する場合は、バッテ
リ60を使用することで発生した電流の蓄電が可能とな
る。そして、ステップ1020に再び移行する。
【0048】ステップ1030においてCPU30が
「駆動用電力の一部として使用する」と判断した場合、
駆動用回路90に接続して電流を駆動用電力の一部とし
て使用する(ステップ1050)。なおここで、駆動用
回路90は発生した電力を駆動用の電力としてノート型
PC200に還元するための回路である。しかし、熱電
変換素子10で発生する電力だけでは、ノート型PC2
00を駆動させるには十分ではない。従って、不足する
電力をすでに使用している駆動用電力、即ちバッテリ6
0の電力もしくはAC電源、から補えばよい。そして、
ステップ1020に再び移行する。
【0049】かかる構成は、ノート型PC200の電力
消費の低減に有効であることは明らかである。その場
合、発生した電力をバッテリに蓄電する、もしくは駆動
用電力の一部として使用するかは問題とならない。
【0050】以下、ステップ1060以降の動作につい
て説明する。ステップ1060でCPU30の温度が第
2の温度以上であると判断したら、CPU30は熱電変
換素子10の接続されるスイッチ80の切り替えを行う
(ステップ1060)。上述したように、ステップ10
30以降の動作を行う場合、熱電変換素子10は、定電
圧電源化の回路の接続されている(図8中点線)。ステ
ップ1060において切り替え動作を行うと、熱電変換
素子10は駆動用電源70に接続される(図8中実
線)。かかる切り替えは、スイッチ80を用いてCPU
30によって任意に切り替わることが好ましい。
【0051】ステップ1060において、熱電変換素子
10と駆動用電源70が接続されると、駆動用電源70
から熱電変換素子10に向かって電流が流れる。なお、
図8に示す駆動用電源70は、バッテリ又はAC電源を
意味する。駆動用電力70は、定電圧化回路50に接続
されているバッテリ50及び駆動用回路90に接続され
る電源と同一であるが,熱電変換素子10に電力を出力
する点において区別されたい。このとき、熱電変換素子
10には発電用として使用したときとは逆方向に電流が
流れる。即ち、駆動用電源70から流れる電流は、出力
端子15(図2における破線の矢印方向)から熱電変換
素子10に流れる。破線方向から熱電変換素子10に電
流が流れると、熱電変換素子10の第2の面19は熱の
吸収を行う。即ち第2の面19は、冷却された面とな
る。第2の面19が冷却することで、CPU30から発
生する熱を吸収し、CPU30を冷却する。また、駆動
用電力の電圧の印加は一定であるので、熱電変換素子1
0の第2の面19の冷却温度は一定である。よってCP
U30の温度は第2の温度以下で一定に保持される。
【0052】また、ユーザの使用状況に応じてCPU3
0の発熱の温度は変化する。ユーザがコマンドの実行な
どを行わない状況が長く続いた場合、熱電変換素子10
の冷却効果を利用しなくても、CPU30自身の温度が
継続的に第2の温度以下である場合も考えられる。その
場合、再びステップ1025以降の動作を行い、熱電変
換素子10を発電用として利用することが考えられる。
【0053】しかしCPU30は、第2の温度以下にな
っている要因が熱電変換素子10の冷却効果の為か、C
PU30自身の発熱量が低減した為かを判断できない。
そこで、ステップ1020へ移行させ、CPU30の温
度を確認する。CPU30は第2の温度以下であるので
ステップ1025に移行する。ステップ1025を行い
熱電変換素子10の冷却効果がなくなると、CPU30
は発熱に相当する温度に戻る。そして工程は、ステップ
1030からステップ1040又は1050を経由して
再度ステップ1020に移行する。
【0054】再びステップ1020を行い、CPU30
が第2の温度以上であるならば、熱電変換素子10の冷
却効果により一時的に温度が下がっていたと判断するこ
とができる。そして自動的にステップ1060に移行す
るので、CPU30の冷却を行うことができる。また、
CPU30が第2の温度以下であるならば、CPU30
の発熱量が低減したと判断することができる。そして、
自動的にステップ1025に移行するので、発熱を発電
に利用することができる。
【0055】しかし上述の動作を繰り返し行うことは、
発電効率及び冷却効率の面から考えると好ましくない。
そこで、ステップ1080を設け、一定時間経過後にC
PU30の温度を確認するものとする。かかる構成にす
ることで、冷却が必要なくなったとき、熱電変換素子1
0を発電用として切り替えて使用することができる。
【0056】発電時とは逆方向に流れる電流によって、
熱電変換素子10は上述したペルチェ効果利用しCPU
30の放熱効果を得られる。かかる放熱効果は、CPU
30の温度上昇に伴う熱によるCPU30の破壊を防止
する役割を果す。上述の構成にすることでCPU30の
冷却手段にクーラー等の手段を使用するのと比較して
も、ノート型PC200の薄型化及び小型化を図れるの
は明らかである。
【0057】次に、本発明の別の例示的一態様としての
ノート型PC200Aについて説明する。ノート型PC
200AはCPUパッケージ40を搭載する。図3を参
照するに、本発明はCPUパッケージ40の内部に熱電
変換素子10を配置する。ここで、図3は、本発明の別
の例示的一態様のCPUパッケージ40の概略断面図で
ある。
【0058】CPUパッケージ40は、熱電変換素子1
0と、CPU本体30と、CPU本体30を覆うパッシ
ベーション膜42と、これらを収納する樹脂モールド4
4とを有する。
【0059】CPUパッケージ40は、図1に示すCP
U本体30と同様に図示しない温度センサを更に備え
る。温度センサは、CPU本体30に電気的に接続さ
れ、CPU本体30の表面及び近傍でCPUパッケージ
40の温度を検出し、CPU本体30に通知する。代替
的に、CPUパッケージ40は温度検知機能を有する素
子を有してもよい。
【0060】図3に示す熱電変換素子10は、樹脂モー
ルド31を介在させずにCPU本体30に接続されるた
め、図1に示す構成よりも高い温度に対応可能な部材を
使用している。例えば、Bi−Sb系部材は低融点であ
るため使用に適さない場合があり、本実施例の熱電変換
素子10は、例えば、n型素子及びp型素子にSi−G
e系の部材を使用する。
【0061】再び図3を参照するに、熱電変換素子10
の第2の面19はCPU本体30上に形成したパッシベ
ーション膜42に接触している。本実施例の熱電変換素
子10は、図1に示すそれと比較して高い熱電力を得ら
れる。これは、熱電変換素子10がCPU本体30によ
り近接して設けられているためである。また、Si−G
e系の高温で熱電変換効率高い素子材を用いたためであ
る。また、熱電変換素子10が定電圧化回路に接続され
ている点は図1に示す熱電変換素子10と同様である。
【0062】ノート型PC200Aの動作はノート型P
C200と同様であるため、ここでの詳しい説明は省略
する。かかる構成はノート型PCの省電力化及びCPU
の冷却において、ノート型PCの薄型化を妨げることな
く実現されることが理解できるであろう。さらに、CP
Uなどの発熱素子の最適動作環境となる温度に熱電変換
素子を用いても良いことはいうまでもない。
【0063】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。例えば、本発明の熱電変換素子10
を有するCPU30が適用可能な電子機器はノート型パ
ソコンに限定されず、デスクトップ型PC、ワードプロ
セッサ、パーソナル・ディジタル・アシスタンツ(PD
A)その他の携帯型電子機器(携帯型ゲーム装置、各種
ドライブなど)に広く適用することができる。また、熱
電変換素子の配置場所はCPUに限定されず、発熱を有
する部分(例えば、チップセットなど)にも適用可能で
ある。
【0064】
【発明の効果】本発明の第1の側面の電子機器によれ
ば、熱電変換素子が変換した電気的エネルギーは電子機
器の電源として利用することができるので省エネルギー
を促進する。例えば、CPUなどの発熱性素子から従来
は大気中に捨てられていた熱エネルギーを電子機器の駆
動エネルギーとして再利用することができる。また、本
発明の第2の側面の電子機器によれば、熱電変換素子は
発熱性素子を冷却して熱的に保護し、その動作の安定化
させる。また、熱電変換素子はクーラー等の装置に比べ
て電子機器の薄型化に寄与する。
【0065】本発明のパッケージは、モールド内に発熱
性素子と熱電変換素子を収納するので熱電変換効率を高
めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の例示的一態様としてのノート型パー
ソナルコンピュータ(PC)に使用されるCPU近傍の
概略断面図である。
【図2】 図1に示すノート型PCに設けられる熱電変
換素子の概略斜視図である。
【図3】 本発明の別の例示的一態様のCPUパッケー
ジの概略断面図である。
【図4】 図1に示す熱電変換素子を有するノート型P
Cの概略斜視図である。
【図5】 図1に示す熱電変換素子に接続される定電圧
化回路の例示的な回路図である。
【図6】 図1に示す熱電変換素子に接続される定電圧
化回路の別の例示的な回路図である。
【図7】 図1に示すCPU本体の熱電変換素子に対す
る制御フローチャートである。
【図8】 図1に示す熱電変換素子と接続する回路の切
り替え方法を示した回路図である。
【符号の説明】
10 熱電変換素子 11 n型素子 12 p型素子 13 接合電極 14 出力端子 15 出力端子 16 基板 17 基板 18 第1の面 19 第2の面 30 CPU本体 31 樹脂モールド 40 CPUパッケージ 42 パッシベーション膜 44 樹脂モールド 50 定電圧化回路 60 バッテリ 70 駆動用電源 80 スイッチ 90 駆動用回路 200 ノート型PC
フロントページの続き (72)発明者 稲葉 信幸 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 若林 康一郎 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 山崎 祐司 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 Fターム(参考) 5E322 AA03 AB11 DC01 5F036 AA01 BA33 BF01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発熱性素子と、 前記発熱性素子の熱エネルギーを電気エネルギーに変換
    する熱電変換素子と、 前記熱電変換素子に接続され、前記電気エネルギーを受
    け取り、前記発熱性素子を駆動可能な電源回路とを有す
    る電子機器。
  2. 【請求項2】 前記電源回路は蓄電機能を有する部分を
    含む請求項1記載の電子機器。
  3. 【請求項3】 発熱性素子と、 電源回路と、 前記電源回路により供給される電気エネルギーを利用し
    てペルチェ効果により前記発熱性素子を冷却する熱電変
    換素子とを有する電子機器。
  4. 【請求項4】 前記発熱性素子と前記熱電変換素子とを
    接触させて収納する筐体を更に有する請求項1及び3記
    載の電子機器。
  5. 【請求項5】 前記熱電変換素子と前記電源回路の間に
    接続された定電圧化回路を更に有する請求項1又は2記
    載の電子機器。
  6. 【請求項6】 発熱性素子と、 熱電変換素子と、 前記発熱性素子及び熱電変換素子を収納して一の電子素
    子を形成するモールドとを有するパッケージ。
  7. 【請求項7】 前記発熱性素子と前記熱電変換素子との
    間に配置されたパッシベーション膜を更に有する請求項
    6記載のパッケージ。
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