JPS61292346A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61292346A JPS61292346A JP60134658A JP13465885A JPS61292346A JP S61292346 A JPS61292346 A JP S61292346A JP 60134658 A JP60134658 A JP 60134658A JP 13465885 A JP13465885 A JP 13465885A JP S61292346 A JPS61292346 A JP S61292346A
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- resin
- heat sink
- bed
- molded layer
- mold layer
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に、半導体チ
ップに対して絶縁されたヒートシンクを有する樹脂封止
型半導体装置の改良に係る。
ップに対して絶縁されたヒートシンクを有する樹脂封止
型半導体装置の改良に係る。
例えばパワートランジスタアレイのような電力用半導体
装置では、一つのヒートシンク上に複数の半導体チップ
をマウントして組立て、これを単一の樹脂モールド層で
封止した形態のものが知られている。このような半導体
装置では、当然ながら個々の半導体チップとヒートシン
クとは絶縁されていなければならない。このため、当初
はセラミック基板が用いられていたが、コストが高いこ
とや加工性に問題があることから、種々の代替が提案さ
れている。
装置では、一つのヒートシンク上に複数の半導体チップ
をマウントして組立て、これを単一の樹脂モールド層で
封止した形態のものが知られている。このような半導体
装置では、当然ながら個々の半導体チップとヒートシン
クとは絶縁されていなければならない。このため、当初
はセラミック基板が用いられていたが、コストが高いこ
とや加工性に問題があることから、種々の代替が提案さ
れている。
出願人もセラミック基板を用いず、通常の金属製ヒート
シンクのみを用いて半導体チップ相互間の絶縁を達成し
得る樹脂封止型半導体装置の構造を先に提亭した。以下
に第２図〜第５図を参照し、この出願人の提案になる構
造を説明する。
シンクのみを用いて半導体チップ相互間の絶縁を達成し
得る樹脂封止型半導体装置の構造を先に提亭した。以下
に第２図〜第５図を参照し、この出願人の提案になる構
造を説明する。
第２図はアルミニウム板等の熱伝導性の高い金膜板から
なるヒートシンク１の平面図である。該ヒートシンク１
には放熱板に固着するためのビス止め孔１１が形成され
ている。また、第３図は銅系あるいは鉄系合金等の導電
性金属薄板をパターンニングしたリードフレーム２の平
面図である。
なるヒートシンク１の平面図である。該ヒートシンク１
には放熱板に固着するためのビス止め孔１１が形成され
ている。また、第３図は銅系あるいは鉄系合金等の導電
性金属薄板をパターンニングしたリードフレーム２の平
面図である。
図示のように、リードフレーム２には独立した四つのベ
ッド部２１及びリードパターン２２が形成され、これら
はフレーム２３に連結して支持されている。
ッド部２１及びリードパターン２２が形成され、これら
はフレーム２３に連結して支持されている。
出願人が先に提案した構造、を得るには、リードフレー
ム２のベッド部２１上に夫々半導体チップをダイボンデ
ィングし且つ所要のワイヤボンディングを施した後、こ
れをヒートシンク１と共に金型内にセットしてトランス
ファーモールドを行なう。その際、リードフレームはヒ
ートシンク１の上に所定の間隙を置いて設置し、この間
隙をモールド樹脂が埋めるようにする。第４図は、こう
して樹脂封止した後にリードフォーミングを行なった状
態を示す平面図であり、図中３は樹脂モールド層である
。
ム２のベッド部２１上に夫々半導体チップをダイボンデ
ィングし且つ所要のワイヤボンディングを施した後、こ
れをヒートシンク１と共に金型内にセットしてトランス
ファーモールドを行なう。その際、リードフレームはヒ
ートシンク１の上に所定の間隙を置いて設置し、この間
隙をモールド樹脂が埋めるようにする。第４図は、こう
して樹脂封止した後にリードフォーミングを行なった状
態を示す平面図であり、図中３は樹脂モールド層である
。
第５図は第４図ｖ−Ｖ線に沿う断面図で、図中４は半田
層５を介してベッド部２１上にダイボンディングされた
半導体チップ、６はボンディングワイヤである。図示の
ように、この構造ではリードフレーム２（特にベッド部
２１）とヒートシンク１との間の間隙に樹脂モールド層
３が介在し、これによって両者間の絶縁が達成されてい
る。
層５を介してベッド部２１上にダイボンディングされた
半導体チップ、６はボンディングワイヤである。図示の
ように、この構造ではリードフレーム２（特にベッド部
２１）とヒートシンク１との間の間隙に樹脂モールド層
３が介在し、これによって両者間の絶縁が達成されてい
る。
なお、上記の構造における放熱性はベッド部２１とヒー
トシンク１との間に介在するモールド樹脂の熱伝導率に
依存する。そこで、樹脂モールド層３として結晶性シリ
カ粉末を混合して熱伝導率を向上させたエポキシ樹脂（
λ−６０ｘ １０ ’ ｃａｌ／α−ｓｅｃ ・℃）が
用いられている。
トシンク１との間に介在するモールド樹脂の熱伝導率に
依存する。そこで、樹脂モールド層３として結晶性シリ
カ粉末を混合して熱伝導率を向上させたエポキシ樹脂（
λ−６０ｘ １０ ’ ｃａｌ／α−ｓｅｃ ・℃）が
用いられている。
上記従来の樹脂封止型半導体装置に用いられている高熱
伝導性樹脂は、結晶性シリカが多く混入されているため
に粘度が高くならざるを得ない。
伝導性樹脂は、結晶性シリカが多く混入されているため
に粘度が高くならざるを得ない。
このため、トランスファーモールドで樹脂モールド層３
を形成する際にベッド部２１とヒートシンクの間を埋め
る樹脂層にボイドが発生し易く、このボイド発生は絶縁
耐圧を低下させる。この傾向は樹脂液の粘度に比例し、
且つベッド部とヒートシンク間の距離に反比例するから
、シリカ含有率を高めて放熱特性を向上しようとすると
ボイド発生が顕著になって絶縁性が低下してしまう問題
があった。また、樹脂液の粘度が高くなると、トランス
ファーモールドの際の樹脂液の流れ抵抗が大きくなり、
ボンディングワイヤ６の切断等、所謂ボンディングオー
ブン不良を起こし易いという問題が生じる。
を形成する際にベッド部２１とヒートシンクの間を埋め
る樹脂層にボイドが発生し易く、このボイド発生は絶縁
耐圧を低下させる。この傾向は樹脂液の粘度に比例し、
且つベッド部とヒートシンク間の距離に反比例するから
、シリカ含有率を高めて放熱特性を向上しようとすると
ボイド発生が顕著になって絶縁性が低下してしまう問題
があった。また、樹脂液の粘度が高くなると、トランス
ファーモールドの際の樹脂液の流れ抵抗が大きくなり、
ボンディングワイヤ６の切断等、所謂ボンディングオー
ブン不良を起こし易いという問題が生じる。
一方、シリカ含有量を増大し且つボイド発生を抑制しよ
うとすればベッド部／ヒートシンク間の距離を大きくせ
ざるを得す、樹脂層による熱抵抗が増大して放熱特性向
上の効果が得られなくなってしまう。因みに、ベッド部
２１の寸法が８ ｍ Ｘ８ＩＩｌｌ１１モールド樹脂と
してλ−６０ｘ １０４ｃａｌ ／α・ｓｅｃ ・℃の
結晶性シリカ含有エポキシ樹脂を用いた場合、ボイド発
生の関係からベッド部／ヒートシンク間距離を０．５
ｍ以下にすることはできなかった。
うとすればベッド部／ヒートシンク間の距離を大きくせ
ざるを得す、樹脂層による熱抵抗が増大して放熱特性向
上の効果が得られなくなってしまう。因みに、ベッド部
２１の寸法が８ ｍ Ｘ８ＩＩｌｌ１１モールド樹脂と
してλ−６０ｘ １０４ｃａｌ ／α・ｓｅｃ ・℃の
結晶性シリカ含有エポキシ樹脂を用いた場合、ボイド発
生の関係からベッド部／ヒートシンク間距離を０．５
ｍ以下にすることはできなかった。
本発明は上記従来の樹脂封止型半導体装置における問題
を改善するためになされたもので、ベッド部とヒートシ
ンク間の距離を短縮すると共に、ボイドの発生を防止し
且つ両者間に介在するモールド樹脂層の結晶性シリカ含
有率を増大し、絶縁性を維持しつつ放熱特性を向上する
ことができる樹脂封止型半導体装置の構造を提供しよう
とするものである。
を改善するためになされたもので、ベッド部とヒートシ
ンク間の距離を短縮すると共に、ボイドの発生を防止し
且つ両者間に介在するモールド樹脂層の結晶性シリカ含
有率を増大し、絶縁性を維持しつつ放熱特性を向上する
ことができる樹脂封止型半導体装置の構造を提供しよう
とするものである。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、金属製のベッド
部表面にマウントされた半導体チップと、前記ベッド部
及び前記半導体チップを前記ベッド部の裏面が露出する
ように封止する第一の樹脂モールド層と、前記ベッド部
の露出した裏面下に所定の距離を置いて配置された金属
製のヒートシンクと、該ヒートシンクおよび前記第一の
樹脂モールド層の外側を覆い、且つ前記ベッド部の露出
面と前記ヒートシンクとの間の間隙に充填して形成され
た第二の樹脂モールド層と、該第二樹脂モールド層を貫
通してその先端部が前記第一の樹脂モールド層内に配置
され、且つボンディングワイヤを介して前記半導体チッ
プ表面の内部端子に接続されたリードとを具備したこと
を特徴とするものである。
部表面にマウントされた半導体チップと、前記ベッド部
及び前記半導体チップを前記ベッド部の裏面が露出する
ように封止する第一の樹脂モールド層と、前記ベッド部
の露出した裏面下に所定の距離を置いて配置された金属
製のヒートシンクと、該ヒートシンクおよび前記第一の
樹脂モールド層の外側を覆い、且つ前記ベッド部の露出
面と前記ヒートシンクとの間の間隙に充填して形成され
た第二の樹脂モールド層と、該第二樹脂モールド層を貫
通してその先端部が前記第一の樹脂モールド層内に配置
され、且つボンディングワイヤを介して前記半導体チッ
プ表面の内部端子に接続されたリードとを具備したこと
を特徴とするものである。
上記のように、本発明は樹脂モールド層を二層に分けた
ことを要点とするもので、第一の樹脂モールド層を形成
した後、第二の樹脂モールド層をトランスファーモール
ドして製造することになる。
ことを要点とするもので、第一の樹脂モールド層を形成
した後、第二の樹脂モールド層をトランスファーモール
ドして製造することになる。
この場合、一段階のトランスファーモールドによる従来
の場合とは樹脂液の流れが異なるため、最終的に空気が
溜り易い部分はベッド部／ヒートシンク間の間隙ではな
く、第一の樹脂モールド層の外側部分になる。その結果
、第二の樹脂モールド層として粘度の高い樹脂を用い且
つベッド部／ヒートシンク間の間隙を狭くした場合にも
、この間隙内を充填する樹脂層にボイドが形成されるの
を防止できる。従って、第二の樹脂モールド層としてシ
リカ含有量の多い高熱伝導率の樹脂を用い、絶縁性を維
持しつつ放熱特性を向上することが可能となる。
の場合とは樹脂液の流れが異なるため、最終的に空気が
溜り易い部分はベッド部／ヒートシンク間の間隙ではな
く、第一の樹脂モールド層の外側部分になる。その結果
、第二の樹脂モールド層として粘度の高い樹脂を用い且
つベッド部／ヒートシンク間の間隙を狭くした場合にも
、この間隙内を充填する樹脂層にボイドが形成されるの
を防止できる。従って、第二の樹脂モールド層としてシ
リカ含有量の多い高熱伝導率の樹脂を用い、絶縁性を維
持しつつ放熱特性を向上することが可能となる。
また、第二の樹脂モールド層を形成する際には既に第一
の樹脂モールド層が形成されているから、高粘性の樹脂
液によるトランスファーモールドに際してもボンディン
グオーブン等の問題は発生しない。
の樹脂モールド層が形成されているから、高粘性の樹脂
液によるトランスファーモールドに際してもボンディン
グオーブン等の問題は発生しない。
なお、半導体チップとヒートシンクとの間の絶縁は、第
２図〜第５図のように複数個の半導体チップを単一のパ
ッケージ内に封止する場合に限らず、１ＷＡの半導体チ
ップを封止した半導体装置においても必要とされるもの
である。即ち、複数の半導体装置の夫々をそのヒートシ
ンクを同一の放熱板上に固定して設置する場合には、当
然に同様の絶縁が要求される。従って、本発明は第２図
〜第５図に説明した半導体装置のみならず、１個の半導
体チップを封止した樹脂封止型半導体装置に適用した場
合にもその特有の効果を奏するものである。
２図〜第５図のように複数個の半導体チップを単一のパ
ッケージ内に封止する場合に限らず、１ＷＡの半導体チ
ップを封止した半導体装置においても必要とされるもの
である。即ち、複数の半導体装置の夫々をそのヒートシ
ンクを同一の放熱板上に固定して設置する場合には、当
然に同様の絶縁が要求される。従って、本発明は第２図
〜第５図に説明した半導体装置のみならず、１個の半導
体チップを封止した樹脂封止型半導体装置に適用した場
合にもその特有の効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。同図において、第２図〜第５図と
同じ部分には同一の参照番号を付しである。即ち、１は
ヒートシンク、２はリードフレーム、２１はベッド部、
４は半導体チップ、５は半田合金等のマウント剤層、６
はＡｕ、ＡＩ等の金属細線からなるボンディングワイヤ
である。
を示す断面図である。同図において、第２図〜第５図と
同じ部分には同一の参照番号を付しである。即ち、１は
ヒートシンク、２はリードフレーム、２１はベッド部、
４は半導体チップ、５は半田合金等のマウント剤層、６
はＡｕ、ＡＩ等の金属細線からなるボンディングワイヤ
である。
この実施例においては、樹脂モールド層が第一の樹脂モ
ールドＭｉ３ｔ 、第二の樹脂モールド層３２の二層構
造になっており、何れも結晶性シリカを含む高熱伝導性
エポキシ樹脂からなっている。但し、第一の樹脂モール
ド層３１にはλ−６０Ｘ１０’ ｃａｌ ／ｃｍ ６
ｓｅｃ ＊ ’ｃのものを用い、第二の樹脂モールド層
３２には更に熱伝導率の高いλ＝８０〜９０４ ｃａｔ
／ｃｘｒ −ｓｅｃ −’Ｃのものを用いている。
ールドＭｉ３ｔ 、第二の樹脂モールド層３２の二層構
造になっており、何れも結晶性シリカを含む高熱伝導性
エポキシ樹脂からなっている。但し、第一の樹脂モール
ド層３１にはλ−６０Ｘ１０’ ｃａｌ ／ｃｍ ６
ｓｅｃ ＊ ’ｃのものを用い、第二の樹脂モールド層
３２には更に熱伝導率の高いλ＝８０〜９０４ ｃａｔ
／ｃｘｒ −ｓｅｃ −’Ｃのものを用いている。
また、ベッド部２１の寸法は１０Ｊｌｌｌｌ Ｘ ＩＯ
Ｍ 、ベッド部／ヒートシンク間の距離は０．３ ｍで
ある。
Ｍ 、ベッド部／ヒートシンク間の距離は０．３ ｍで
ある。
上記実施例になる樹脂封止型半導体装置の製造に際して
は、従来と同様にリードフレーム３上で半導体チップ４
のダイボンディング及びワイヤボンディングを行なった
後、トランスファーモールドにより第一の樹脂モールド
層３１を形成して樹脂封止を行なう。次に、ヒートシン
ク１をトランスファーモルト金型内に設置し、更に該ヒ
ートシンク上に所定の間隔を置いて前記第一の樹脂モー
ルド層を形成したリードフレームを設置した後、トラン
スファーモールドを行なって第二の樹脂モールド層３２
を形成する。この二回目のトランスファーモールドにお
いて、樹脂液は先ずヒートシンク１と第一の樹脂モール
ド層との間を流れてから第一の樹脂モールドの外側に流
れ込む。従って、この場合の空気の逃げ場は従来のよう
にベッド部／ヒートシンク間の間隙ではなく、第二の樹
脂モールド層３２成形空間となり、問題の間隙部分には
何等ボイドを生じることなく高熱伝導率の樹脂を充填す
ることができた。
は、従来と同様にリードフレーム３上で半導体チップ４
のダイボンディング及びワイヤボンディングを行なった
後、トランスファーモールドにより第一の樹脂モールド
層３１を形成して樹脂封止を行なう。次に、ヒートシン
ク１をトランスファーモルト金型内に設置し、更に該ヒ
ートシンク上に所定の間隔を置いて前記第一の樹脂モー
ルド層を形成したリードフレームを設置した後、トラン
スファーモールドを行なって第二の樹脂モールド層３２
を形成する。この二回目のトランスファーモールドにお
いて、樹脂液は先ずヒートシンク１と第一の樹脂モール
ド層との間を流れてから第一の樹脂モールドの外側に流
れ込む。従って、この場合の空気の逃げ場は従来のよう
にベッド部／ヒートシンク間の間隙ではなく、第二の樹
脂モールド層３２成形空間となり、問題の間隙部分には
何等ボイドを生じることなく高熱伝導率の樹脂を充填す
ることができた。
上記実施例になる樹脂封止型半導体装置では、ベッド部
／ヒートシンク間の距離をＯＪ ｔｔｙｔｒと従来の１
／２に短縮し、且つこの間隙内を従来よりも熱伝導率の
高い樹脂で充填したため、この間隙内の樹脂層による熱
抵抗は従来の３．４℃／Ｗから１．８℃／Ｗと約４７％
改善することができた。また、この間隙内の樹脂層にお
けるボイドの発生を略完全に防止できたため、絶縁性の
低下といった問題は生じなかった。
／ヒートシンク間の距離をＯＪ ｔｔｙｔｒと従来の１
／２に短縮し、且つこの間隙内を従来よりも熱伝導率の
高い樹脂で充填したため、この間隙内の樹脂層による熱
抵抗は従来の３．４℃／Ｗから１．８℃／Ｗと約４７％
改善することができた。また、この間隙内の樹脂層にお
けるボイドの発生を略完全に防止できたため、絶縁性の
低下といった問題は生じなかった。
なお、本発明を効果的に適用できる具体的なデバイスと
しては、トランジスタ、トランジスタアレイの他、ダイ
オードアレイやソリッドステートリレー、フォトカブラ
等が挙げられる。
しては、トランジスタ、トランジスタアレイの他、ダイ
オードアレイやソリッドステートリレー、フォトカブラ
等が挙げられる。
以上詳述したように、本発明によればベッド部とヒート
シンク間に外囲器樹脂を介在させて両者間を絶縁した樹
脂封止型半導体装置において、ベッド部とヒートシンク
間の距離を短縮すると共に、ボイドの発生を防止し且つ
両者間に介在するモールド樹脂層の結晶性シリカ含有率
を増大し、絶縁性を維持しつつ放熱特性を向上すること
ができる等、顕著な効果が得られるものである。
シンク間に外囲器樹脂を介在させて両者間を絶縁した樹
脂封止型半導体装置において、ベッド部とヒートシンク
間の距離を短縮すると共に、ボイドの発生を防止し且つ
両者間に介在するモールド樹脂層の結晶性シリカ含有率
を増大し、絶縁性を維持しつつ放熱特性を向上すること
ができる等、顕著な効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
の断面図、第２図〜第５図は従来の樹脂封止型半導体装
置の一例を説明するための図である。 １・・・ヒートシンク、２・・・リードフレーム、２１
・・・ベッド部、３．３ｒ 、３２・・・樹脂モールド
層、４・・・半導体チップ、５・・・マウント剤、６・
・・ボンディングワイヤ 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 Ｖ」 第４図 第５図
の断面図、第２図〜第５図は従来の樹脂封止型半導体装
置の一例を説明するための図である。 １・・・ヒートシンク、２・・・リードフレーム、２１
・・・ベッド部、３．３ｒ 、３２・・・樹脂モールド
層、４・・・半導体チップ、５・・・マウント剤、６・
・・ボンディングワイヤ 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 Ｖ」 第４図 第５図
Claims (1)
- 金属製のベッド部表面にマウントされた半導体チップ
と、前記ベッド部及び前記半導体チップを前記ベッド部
の裏面が露出するように封止する第一の樹脂モールド層
と、前記ベッド部の露出した裏面下に所定の距離を置い
て配置された金属製のヒートシンクと、該ヒートシンク
および前記第一の樹脂モールド層の外側を覆い、且つ前
記ベッド部の露出面と前記ヒートシンクとの間の間隙に
充填して形成された第二の樹脂モールド層と、該第二の
樹脂モールド層を貫通してその先端部が前記第一の樹脂
モールド層内に配置され、且つボンディングワイヤを介
して前記半導体チップ表面の内部端子に接続されたリー
ドとを具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134658A JPS61292346A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
| KR1019860004702A KR900001833B1 (ko) | 1985-06-20 | 1986-06-13 | 수지봉합형 반도체장치 |
| EP86304725A EP0206771B1 (en) | 1985-06-20 | 1986-06-19 | Packaged semiconductor device |
| DE8686304725T DE3684184D1 (de) | 1985-06-20 | 1986-06-19 | Verkapselte halbleiteranordnung. |
| US07/334,771 US4924351A (en) | 1985-06-20 | 1989-04-10 | Recessed thermally conductive packaged semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134658A JPS61292346A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292346A true JPS61292346A (ja) | 1986-12-23 |
| JPH0363822B2 JPH0363822B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=15133527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60134658A Granted JPS61292346A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292346A (ja) |
| KR (1) | KR900001833B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194643A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄型構造の半導体装置の製造方法 |
| JPH07169882A (ja) * | 1991-05-23 | 1995-07-04 | At & T Corp | モールドされた集積回路パッケージ |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP60134658A patent/JPS61292346A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-13 KR KR1019860004702A patent/KR900001833B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194643A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄型構造の半導体装置の製造方法 |
| JPH07169882A (ja) * | 1991-05-23 | 1995-07-04 | At & T Corp | モールドされた集積回路パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870000753A (ko) | 1987-02-20 |
| KR900001833B1 (ko) | 1990-03-24 |
| JPH0363822B2 (ja) | 1991-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |