JPH04125522A - アクティブマトリクス液晶ディスプレイ - Google Patents
アクティブマトリクス液晶ディスプレイInfo
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- JPH04125522A JPH04125522A JP2248511A JP24851190A JPH04125522A JP H04125522 A JPH04125522 A JP H04125522A JP 2248511 A JP2248511 A JP 2248511A JP 24851190 A JP24851190 A JP 24851190A JP H04125522 A JPH04125522 A JP H04125522A
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- Japan
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- liquid crystal
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- crystal display
- matrix liquid
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイに利
用され、特に、それに用いられるスイッチング素子基板
の構造を改良したアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに関する。
用され、特に、それに用いられるスイッチング素子基板
の構造を改良したアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イに関する。
口概要〕
本発明は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイにお
いて、 スイッチング素子基板上の表示領域に接した領域に、表
面が保護膜だ覆われずに露出した金属電極を設け、パネ
ル内に微量に存在する不純物を吸着反応させることによ
り、 不純物による液晶特性の劣化を防止したものである。
いて、 スイッチング素子基板上の表示領域に接した領域に、表
面が保護膜だ覆われずに露出した金属電極を設け、パネ
ル内に微量に存在する不純物を吸着反応させることによ
り、 不純物による液晶特性の劣化を防止したものである。
この種のアクティブマトリクス液晶ディスプレイのスイ
ッチング素子基板においては、素子の信軸性を確保する
ために、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜などに
よる保護膜が全体に形成され、駆動ＩＣとの接続端子、
対向基板との接続電極部分などの保護膜を除去していた
。
ッチング素子基板においては、素子の信軸性を確保する
ために、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜などに
よる保護膜が全体に形成され、駆動ＩＣとの接続端子、
対向基板との接続電極部分などの保護膜を除去していた
。
第３図は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴという。）
をスイッチング素子として用いたアクティブマ） ＩＪ
クス液晶ディスプレイの断面図である。
をスイッチング素子として用いたアクティブマ） ＩＪ
クス液晶ディスプレイの断面図である。
ＴＦＴ１３の最上層にプラズマＣＶＤ法による窒化シリ
コン膜を２０００人の犀さに成膜し保護膜８とし、ポリ
イミド膜１４および液晶１５等のＴＰＴ特性への影響を
抑制している。
コン膜を２０００人の犀さに成膜し保護膜８とし、ポリ
イミド膜１４および液晶１５等のＴＰＴ特性への影響を
抑制している。
なお、第３図において、１はガラス基板および１６はシ
ール材である。
ール材である。
この従来のＴＦＴアレイ基板では、パネル内部にあたる
部分がすべて保護膜に覆われているため、ポリイミド膜
およびシール材から放出される不純物など種々のパネル
内部に微量に存在する不純物が液晶に溶解し、液晶の特
性を劣化させる欠点があった。
部分がすべて保護膜に覆われているため、ポリイミド膜
およびシール材から放出される不純物など種々のパネル
内部に微量に存在する不純物が液晶に溶解し、液晶の特
性を劣化させる欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、パ
ネル内部に存在する不純物による液晶の劣化を防止した
アクティブマトリクス液晶ディスプレイを提供すること
にある。
ネル内部に存在する不純物による液晶の劣化を防止した
アクティブマトリクス液晶ディスプレイを提供すること
にある。
口課題を解決するための手段：
本発明は、複数の薄膜トランジスタがアレイ状に形成さ
れ最上層に保護膜が形成されたスイッチング素子基板を
備えたアクティブマトリクス液晶ディスプレイにおいて
、前記スイッチング素子基板は、その表示、領域に接す
る領域に設けられ、表面が前記保護膜で覆われずに露出
した金属電極を含むことを特徴とする。
れ最上層に保護膜が形成されたスイッチング素子基板を
備えたアクティブマトリクス液晶ディスプレイにおいて
、前記スイッチング素子基板は、その表示、領域に接す
る領域に設けられ、表面が前記保護膜で覆われずに露出
した金属電極を含むことを特徴とする。
また、本発明は、前記金属電極は、前記薄膜トランジス
タのドレイン配線の一部分から構成されることが望まし
い。
タのドレイン配線の一部分から構成されることが望まし
い。
また、本発明は、前記金属電極は、そのために特別に設
けられたダミー電極を含み構成されることが望ましい。
けられたダミー電極を含み構成されることが望ましい。
口作用〕
本発明は、パネル内部に露出した金属電極を有しており
、パネル内部に微量に含まれる不純物を金属電極に吸着
反応させる一種のゲッタリング手段を有している。
、パネル内部に微量に含まれる不純物を金属電極に吸着
反応させる一種のゲッタリング手段を有している。
従って、パネル内部に微量に存在する不純物が液晶と反
応を起こし液晶を劣化させることを防止することができ
る。
応を起こし液晶を劣化させることを防止することができ
る。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の要部を示す平面図、
および第１図ら）はそのＡ−Ａ’断面図で、スイッチン
グ素子としてＴＰＴを用いたＴＦＴアレイ基板のセル部
を示す。
および第１図ら）はそのＡ−Ａ’断面図で、スイッチン
グ素子としてＴＰＴを用いたＴＦＴアレイ基板のセル部
を示す。
本実−実施例のスイッチング素子基板は、本発明の特徴
とするところの、表示電極７に接する領域に設けられ、
ＴＦＴのドレイン配線５の一部分の表面上から保護膜８
を除去して表面を露出させた金属電極としての、同図で
斜線を施して表した保護膜除去部９を有している。
とするところの、表示電極７に接する領域に設けられ、
ＴＦＴのドレイン配線５の一部分の表面上から保護膜８
を除去して表面を露出させた金属電極としての、同図で
斜線を施して表した保護膜除去部９を有している。
なお、第１図（ａ）および（ｂ）において、１はガラス
基板、２はＴＰＴのゲートおよびゲート配線、３はゲー
ト絶縁膜、４は半導体層、ならびに６はＴＰＴのソース
である。
基板、２はＴＰＴのゲートおよびゲート配線、３はゲー
ト絶縁膜、４は半導体層、ならびに６はＴＰＴのソース
である。
次に、本実−実施例の製造方法の主要点について説明す
る。
る。
ＴＰＴが形成されたのち、保護膜８となる窒化シリコン
膜を厚さ２０００人プラズマＣＶＤ法によって形成し、
ＴＰＴの上層配線であるドレイン配線５上の窒化シリコ
ン膜をエツチング除去し、保護膜除去部９を形成する。
膜を厚さ２０００人プラズマＣＶＤ法によって形成し、
ＴＰＴの上層配線であるドレイン配線５上の窒化シリコ
ン膜をエツチング除去し、保護膜除去部９を形成する。
ここで、ドレイン配線５は、スパッタ法によりクロムを
厚さ２０００人形成し、エツチングにより幅１６μｍの
ラインパターンになっており、幅１６μｍのうち８μｍ
分の保護膜８がエツチング除去される。
厚さ２０００人形成し、エツチングにより幅１６μｍの
ラインパターンになっており、幅１６μｍのうち８μｍ
分の保護膜８がエツチング除去される。
このように、ドレイン配線５上の保護膜８のみをエツチ
ングするたｔＳＴＦＴアレイ基板の表面形状は安定した
ものとなり、液晶分子の配向性への悪影響を防止するこ
とが可能である。
ングするたｔＳＴＦＴアレイ基板の表面形状は安定した
ものとなり、液晶分子の配向性への悪影響を防止するこ
とが可能である。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図で、Ｔ
ＦＴアレイ基板のセル部を示す。
ＦＴアレイ基板のセル部を示す。
本第二実施例は、本発明の特徴とするところの、ドレイ
ン配線５の表示領域外の部分にダミー電極１０が設けら
れており、このダミー電極１０上の保護膜は図で斜線を
施して示すようにエツチング除去されている。なお、本
第二実施例では、ドレイン配線５の接続端子１上上にも
保護膜除去部９が設けられている。
ン配線５の表示領域外の部分にダミー電極１０が設けら
れており、このダミー電極１０上の保護膜は図で斜線を
施して示すようにエツチング除去されている。なお、本
第二実施例では、ドレイン配線５の接続端子１上上にも
保護膜除去部９が設けられている。
この第二実施例では、不純物ゲッタリング用のダミー電
極１０を別に設けることにより、不純物と金属の反応に
より、配縁機能が失われることはなく、配線の信頼住が
向上する利点がある。
極１０を別に設けることにより、不純物と金属の反応に
より、配縁機能が失われることはなく、配線の信頼住が
向上する利点がある。
以上説明したように、本発明は、スイッチング素子基板
のパネル内部にあたる部分の金属配線上またはダミー電
極上の保護膜をエツチング除去することにより、ポリイ
ミドに含まれる不純物、シール材から放出される不純物
など種々のパネル内に存在する不純物と金属電極とを反
応させ、不純物と液晶の反応を抑制し、液晶特性の劣化
を防止する効果がある。
のパネル内部にあたる部分の金属配線上またはダミー電
極上の保護膜をエツチング除去することにより、ポリイ
ミドに含まれる不純物、シール材から放出される不純物
など種々のパネル内に存在する不純物と金属電極とを反
応させ、不純物と液晶の反応を抑制し、液晶特性の劣化
を防止する効果がある。
第１図（ａ）は本発明の第一実施例の要部を示す平面図
。 第１図（ｂ）は第１図（ａ）の、ヘーへ′断面図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図。 第３図は従来例の要部を示す断面図。 １・・・ガラス基板、２・・・ゲート配線、３・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・半導体層、５・・ドレイン配線、
６ソース、７・・・表示電極、８・・保護膜、９・保護
膜除去部、１０・・・ダミー電極、１１・・・接続端子
、１２・・表示領域、１３・・・ＴＦＴ、１４・・・ポ
リイミド、１５１液晶、１６・・・シール材。
。 第１図（ｂ）は第１図（ａ）の、ヘーへ′断面図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す平面図。 第３図は従来例の要部を示す断面図。 １・・・ガラス基板、２・・・ゲート配線、３・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・半導体層、５・・ドレイン配線、
６ソース、７・・・表示電極、８・・保護膜、９・保護
膜除去部、１０・・・ダミー電極、１１・・・接続端子
、１２・・表示領域、１３・・・ＴＦＴ、１４・・・ポ
リイミド、１５１液晶、１６・・・シール材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の薄膜トランジスタがアレイ状に形成され最上
層に保護膜が形成されたスイッチング素子基板を備えた
アクティブマトリクス液晶ディスプレイにおいて、 前記スイッチング素子基板は、その表示領域に接する領
域に設けられ、表面が前記保護膜で覆われずに露出した
金属電極 を含むことを特徴とするアクティブマトリクス液晶ディ
スプレイ。 ２、前記金属電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン
配線の一部分から構成された請求項１に記載のアクティ
ブマトリクス液晶ディスプレイ。 ３、前記金属電極は、そのために特別に設けられたダミ
ー電極を含み構成された請求項１に記載のアクティブマ
トリクス液晶ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24851190A JP2621621B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | アクティブマトリクス液晶ディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24851190A JP2621621B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | アクティブマトリクス液晶ディスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125522A true JPH04125522A (ja) | 1992-04-27 |
| JP2621621B2 JP2621621B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17179274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24851190A Expired - Lifetime JP2621621B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | アクティブマトリクス液晶ディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621621B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030801A1 (fr) * | 1995-03-29 | 1996-10-03 | Hitachi, Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100737A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH01237622A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの製造方法 |
| JPH01283522A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 |
| JPH02153325A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Sharp Corp | 表示電極基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24851190A patent/JP2621621B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100737A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH01237622A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの製造方法 |
| JPH01283522A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 |
| JPH02153325A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Sharp Corp | 表示電極基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030801A1 (fr) * | 1995-03-29 | 1996-10-03 | Hitachi, Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621621B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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