JPH04116660A - 感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像形成方法 - Google Patents
感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像形成方法Info
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- JPH04116660A JPH04116660A JP23751690A JP23751690A JPH04116660A JP H04116660 A JPH04116660 A JP H04116660A JP 23751690 A JP23751690 A JP 23751690A JP 23751690 A JP23751690 A JP 23751690A JP H04116660 A JPH04116660 A JP H04116660A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像
形成方法に関するものである。更に詳しくは簡易な構成
と処理方法でインクの像形成を行い得る感光性高分子及
び感光性高分子積層体及び画像形成方法に関するもので
ある。
形成方法に関するものである。更に詳しくは簡易な構成
と処理方法でインクの像形成を行い得る感光性高分子及
び感光性高分子積層体及び画像形成方法に関するもので
ある。
従来の技術
一般に感光性高分子積層体上にインクの像を形成する技
術としては平版印刷技術が知られている。
術としては平版印刷技術が知られている。
平版印刷版の感光性高分子としてはジアゾ系感光性組成
物や0−ナフトキノンジアジド系感光性組成物などが用
いられてきた。これらの感光性組成物は親水化処理され
たアルミニウム板上に積層され、画像露光されることに
より感光性組成物の露光部分が現像液に対して不溶化も
しくは可溶化する。これによりアルミニウムが露出した
部分と感光性組成物で覆われた部分が形成され、ここG
二温し水とインクを供給することにより、親水化処理さ
れたアルミニウムの露出した部分が水膜で覆われ、怒光
性組成物で覆われた部分の表面にインクの像が形成され
る(例えば5urface Control&洗浄設計
No、40p、18 1988)。
物や0−ナフトキノンジアジド系感光性組成物などが用
いられてきた。これらの感光性組成物は親水化処理され
たアルミニウム板上に積層され、画像露光されることに
より感光性組成物の露光部分が現像液に対して不溶化も
しくは可溶化する。これによりアルミニウムが露出した
部分と感光性組成物で覆われた部分が形成され、ここG
二温し水とインクを供給することにより、親水化処理さ
れたアルミニウムの露出した部分が水膜で覆われ、怒光
性組成物で覆われた部分の表面にインクの像が形成され
る(例えば5urface Control&洗浄設計
No、40p、18 1988)。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の平版印刷で用いられてきた画像形
成では、インクの像を形成するために支持体として極度
に親水化処理が施されたアルミニウム板を必要とし、か
つ支持体上に形成された感光性樹脂層は露光部分もしく
は東露光部分が現像処理によって完全に除去されなけれ
ばならない。
成では、インクの像を形成するために支持体として極度
に親水化処理が施されたアルミニウム板を必要とし、か
つ支持体上に形成された感光性樹脂層は露光部分もしく
は東露光部分が現像処理によって完全に除去されなけれ
ばならない。
つまり、特別に親水化処理した支持体が必要であり、イ
ンクの像を形成するために非画線部の感光性樹脂を完全
に除去しなければならず、現像処理が複雑であるという
問題点があった。
ンクの像を形成するために非画線部の感光性樹脂を完全
に除去しなければならず、現像処理が複雑であるという
問題点があった。
本発明は上記課題に鑑み、インクの像を形成するために
特別の支持体を必要と廿ず、かつ簡易な現像処理でイン
クの像を形成できる感光性高分子及び感光性高分子積層
体及び画像形成方法を提供するものである。
特別の支持体を必要と廿ず、かつ簡易な現像処理でイン
クの像を形成できる感光性高分子及び感光性高分子積層
体及び画像形成方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は高分子の側鎖に、一般弐
C+0
(式中のArは芳香族性残基、R,、R2,R3R,、
R5は水素原子、アルキル基、アルコキン基、芳香族性
残基である。ただしR1とR6のいずれか一方は水素原
子である。)で表わされる感光性基を有することを特徴
とする感光性高分子である。
R5は水素原子、アルキル基、アルコキン基、芳香族性
残基である。ただしR1とR6のいずれか一方は水素原
子である。)で表わされる感光性基を有することを特徴
とする感光性高分子である。
また、本発明は高分子の側鎖に、前記−船人(I)(式
中のAr、R,、R2,R3,R,、R5は前記と同し
意味をもつ)で表わされる感光性基を有する感光性高分
子と支持体からなることを特徴とする感光性高分子積層
体である。
中のAr、R,、R2,R3,R,、R5は前記と同し
意味をもつ)で表わされる感光性基を有する感光性高分
子と支持体からなることを特徴とする感光性高分子積層
体である。
さらに、本発明は高分子の側鎖に、前記一般弐N)(式
中のAr、R,、R2,R8,R4゜R5ば前記と同し
意味をもつ)で表わされる感光性基を有する感光性高分
子と支持体からなる感光性高分子積層体に画像露光し、
感光性高分子積層体上にインクの像を形成することを特
徴とする画像形成方法である。
中のAr、R,、R2,R8,R4゜R5ば前記と同し
意味をもつ)で表わされる感光性基を有する感光性高分
子と支持体からなる感光性高分子積層体に画像露光し、
感光性高分子積層体上にインクの像を形成することを特
徴とする画像形成方法である。
作用
本発明は上記した構成において、光を照射することによ
り以下の反応を生し、感光性高分子の表面を疎水性から
親水性へと大きく変えることができる。
り以下の反応を生し、感光性高分子の表面を疎水性から
親水性へと大きく変えることができる。
(以 下 余 白)
そこで、この感光性高分子と支持体からなる感光性高分
子積層体を、画像露光することにより、感光性高分子積
層体上に疎水性表面と親水性表面のパターンを形成する
ことができる。この感光性高分子積層体上にインクロー
ラーなどてインクを供給することにより、疎水性表面あ
るいは親水性表面のいずれかにインクが付着し、インク
のパターンを形成することができる。
子積層体を、画像露光することにより、感光性高分子積
層体上に疎水性表面と親水性表面のパターンを形成する
ことができる。この感光性高分子積層体上にインクロー
ラーなどてインクを供給することにより、疎水性表面あ
るいは親水性表面のいずれかにインクが付着し、インク
のパターンを形成することができる。
本発明において前記−船人(1)の化合物の式中のAr
はフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基ならびに置換
フェニル基、置換ビフェニル基、置換ナフチル基などで
あり、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ペル
フルオロアルキル基などがある。式中のRn (n=1
〜5)はアルキル基、アルコキシ基、芳香族性残基であ
るが、この際のアルキル基、アルコキシ基は直線状、枝
分かれ状のいずれでもよく、また異なる位置のRn(n
=1〜5)どうしが結合して環構造を形成していてもよ
い。
はフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基ならびに置換
フェニル基、置換ビフェニル基、置換ナフチル基などで
あり、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ペル
フルオロアルキル基などがある。式中のRn (n=1
〜5)はアルキル基、アルコキシ基、芳香族性残基であ
るが、この際のアルキル基、アルコキシ基は直線状、枝
分かれ状のいずれでもよく、また異なる位置のRn(n
=1〜5)どうしが結合して環構造を形成していてもよ
い。
本発明の感光性高分子は前記−船人(+)を含んだビュ
ル化色物やイソプロペニル化合物なとを重合させるか、
あるい:よ前記−船人CI)を含んだしニル化合物やイ
ソプロペニル化合物などと他の連鎖重合性単量体のうち
の一種類あるいは数種類と共重合させること2二よって
得らnる。この際S:用いられる連鎖重合性単量体には
、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸2−ヒドロキンエチル、スチ
レン、置換スチレン、塩化ビニルなどがある。
ル化色物やイソプロペニル化合物なとを重合させるか、
あるい:よ前記−船人CI)を含んだしニル化合物やイ
ソプロペニル化合物などと他の連鎖重合性単量体のうち
の一種類あるいは数種類と共重合させること2二よって
得らnる。この際S:用いられる連鎖重合性単量体には
、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸2−ヒドロキンエチル、スチ
レン、置換スチレン、塩化ビニルなどがある。
本発明の感光性高分子において、前記一般式(1)を含
んだビニル化合物やイソプロペニル化合物はアクリル酸
、メタクリル酸、4−ビニル安、ワ、香酸のような不飽
和カルボン酸のハライドとヘンジイン誘導体からエステ
ルを形成させる反応で得られる。また、前記ヘンジイン
誘導体は置換ヘンズアルデヒドのベンゾイン縮合や置換
マンゾロニトリルと前記芳香族性残基を有するグリニヤ
ール試薬との反応などによって得られ、たとえば33’
4 4’−テトラメトキンヘンジイン、33’
、4.5’−テトラメトキンヘンジイン、3′5′−ジ
メトキノヘンヅイン、4−メチル−35′−ジメトキン
ヘンヅイン、4−フェニル3’、5’−ジメトキシヘン
ヅイン、4−トリフルオロメチル−3’、5’−ノメト
キシヘンヅイン、4−ペルフルオロプロピル−3′
5′−ジメトキンヘンゾイン、3’ 、4.5’−トリ
メトキンヘンジインなどがある。
んだビニル化合物やイソプロペニル化合物はアクリル酸
、メタクリル酸、4−ビニル安、ワ、香酸のような不飽
和カルボン酸のハライドとヘンジイン誘導体からエステ
ルを形成させる反応で得られる。また、前記ヘンジイン
誘導体は置換ヘンズアルデヒドのベンゾイン縮合や置換
マンゾロニトリルと前記芳香族性残基を有するグリニヤ
ール試薬との反応などによって得られ、たとえば33’
4 4’−テトラメトキンヘンジイン、33’
、4.5’−テトラメトキンヘンジイン、3′5′−ジ
メトキノヘンヅイン、4−メチル−35′−ジメトキン
ヘンヅイン、4−フェニル3’、5’−ジメトキシヘン
ヅイン、4−トリフルオロメチル−3’、5’−ノメト
キシヘンヅイン、4−ペルフルオロプロピル−3′
5′−ジメトキンヘンゾイン、3’ 、4.5’−トリ
メトキンヘンジインなどがある。
本発明の感光性高分子積層体は、前記感光性高分子を支
持体上に積層したものであり、前記感光性高分子を溶媒
に溶かし、スピンコード法、ディンデコート法、ロール
コート法、キャスト法などによって前記支持体上に積層
することができる。
持体上に積層したものであり、前記感光性高分子を溶媒
に溶かし、スピンコード法、ディンデコート法、ロール
コート法、キャスト法などによって前記支持体上に積層
することができる。
この際に用いられる溶媒は前記感光性高分子を熔かすも
のであればよく、たとえばベンゼン、トルエン、クロロ
ホルム、塩化メチレンなどである。
のであればよく、たとえばベンゼン、トルエン、クロロ
ホルム、塩化メチレンなどである。
また、前記支持体は前記感光性高分子を積層できるもの
であればよく、たとえばガラス、アルミナ、アルミニウ
ム、シリコン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネートなどの基板やフィ
ルムなどを用いることができ、これらの基板やフィルム
は前記感光性高分子を積層する前に、親水化、疎水化、
平滑化、接着性向上、耐溶剤性向上などのための物理的
あるいは化学的処理を施しておいてもよい。
であればよく、たとえばガラス、アルミナ、アルミニウ
ム、シリコン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネートなどの基板やフィ
ルムなどを用いることができ、これらの基板やフィルム
は前記感光性高分子を積層する前に、親水化、疎水化、
平滑化、接着性向上、耐溶剤性向上などのための物理的
あるいは化学的処理を施しておいてもよい。
本発明の画像形成方法において、画像露光はフォトマス
クを用いた害着露光、投影露光などによって行なうこと
ができ、光源には低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、キセノンランプ、カーボンアーク、蛍光灯などを使
うことができる。
クを用いた害着露光、投影露光などによって行なうこと
ができ、光源には低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、キセノンランプ、カーボンアーク、蛍光灯などを使
うことができる。
本発明の画像形成方法において、感光性高分子積層体上
に形成されるインクは平版印刷に用いられるものと同様
のものを用いることができる。
に形成されるインクは平版印刷に用いられるものと同様
のものを用いることができる。
本発明の画像形成方法において、前記感光性高分子積層
体は画像露光後に現像処理を行なうが、現像液はアルカ
リ性洗浄剤水溶液やベンゼン、アセトン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、アルコールなどの有機溶剤を用いる
ことができる。
体は画像露光後に現像処理を行なうが、現像液はアルカ
リ性洗浄剤水溶液やベンゼン、アセトン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、アルコールなどの有機溶剤を用いる
ことができる。
実施例
次に本発明の一実施例について、詳細に説明す実施例1
シアン化カリウム1.5gを15mj2の水に溶解し、
エタノール30mfと3.4−ソメトキンヘンズアルデ
ヒドlogを加えて30分間還流する。
エタノール30mfと3.4−ソメトキンヘンズアルデ
ヒドlogを加えて30分間還流する。
反応溶液より固体をろ別じで3.3’、4.4’−テト
ラメトキシベンゾインを得る。
ラメトキシベンゾインを得る。
3.3’、4.4’−テトラメトキシベンゾイン2.0
gとトリエチルアミン2.24 gを溶解した塩化メチ
レン溶液20mj!にメタクリル酸クロライド2.3g
を溶解した塩化メチレン溶液10m1を0℃で撹拌しな
がら30分かけて滴下する。反応溶液を室温まで上げ、
さらに5時間撹拌する。
gとトリエチルアミン2.24 gを溶解した塩化メチ
レン溶液20mj!にメタクリル酸クロライド2.3g
を溶解した塩化メチレン溶液10m1を0℃で撹拌しな
がら30分かけて滴下する。反応溶液を室温まで上げ、
さらに5時間撹拌する。
反応混合溶液を水、希塩酸、希水酸化ナトリウム水溶液
、水で抽出する。有機層を乾燥した後、溶媒を留去、塩
化メチレン−メタノールから再結晶してメタクリル酸3
.3’、4.4’ −テトラメトキシベンゾインエステ
ルを得る。
、水で抽出する。有機層を乾燥した後、溶媒を留去、塩
化メチレン−メタノールから再結晶してメタクリル酸3
.3’、4.4’ −テトラメトキシベンゾインエステ
ルを得る。
メタクリル酸3.3’、4.4’−テトラメトキシベン
ゾインエステルとメタクリル酸メチルのヘンゼン7容液
にアゾビスイソブチロニトリルをカロえ、反応容器内を
窒素置換して60°Cで24時間反応させる。反応溶液
をメタノール中に投入巳で沈澱させ目的の共重合高分子
(感光性高分子)を得る。
ゾインエステルとメタクリル酸メチルのヘンゼン7容液
にアゾビスイソブチロニトリルをカロえ、反応容器内を
窒素置換して60°Cで24時間反応させる。反応溶液
をメタノール中に投入巳で沈澱させ目的の共重合高分子
(感光性高分子)を得る。
メタクリル83.3’、4.4’−テトラメトキシベン
ゾインエステルとメタクリル酸メチル共重合高分子をク
ロロホルムに熔解し、シランカップリング剤で処理した
ガラス基板状にスピンコードする。
ゾインエステルとメタクリル酸メチル共重合高分子をク
ロロホルムに熔解し、シランカップリング剤で処理した
ガラス基板状にスピンコードする。
石英ガラス上に形成されたフォトマスクを感光性高分子
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アルカリ性洗
浄剤水溶液で現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭
なインクの画像を得る。
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アルカリ性洗
浄剤水溶液で現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭
なインクの画像を得る。
実施例2
ブロモベンゼン39.5gと削り状マグネソウムロ、
15 gを500m1!、の乾燥したシュチルエーテル
中で反応させフェニルマグネシウムブロマイドを性成さ
せる。このf4液に3.5−ジメトキンマンテロニトリ
ル11.4gのベンゼン溶液を窒素雰囲気下に滴下し、
′30分間還流する。塩酸で加水分解して3’、5’−
ジメトキシヘンジインを得る。
15 gを500m1!、の乾燥したシュチルエーテル
中で反応させフェニルマグネシウムブロマイドを性成さ
せる。このf4液に3.5−ジメトキンマンテロニトリ
ル11.4gのベンゼン溶液を窒素雰囲気下に滴下し、
′30分間還流する。塩酸で加水分解して3’、5’−
ジメトキシヘンジインを得る。
3’、5’−ジメトキシヘンジイン2.0gとトリエチ
ルアミン2.24gを溶解した塩化メチレン18M20
mffにメタクリル酸クロライド2.3gを溶解した塩
化メチレン溶液10mfをo′cでi拌しながら30分
かけて滴下する。反応溶液を室温まで上げ、さらに5時
間攪拌する9反応混合溶液を水、希塩酸、希水酸化ナト
リウム水溶液、水で抽出する。有機層を乾燥した後、溶
媒を留去、塩化メチレン−メタノールから再結晶してメ
タクリル酸3’、5’−ジメトキシベンゾインエステル
を得る。
ルアミン2.24gを溶解した塩化メチレン18M20
mffにメタクリル酸クロライド2.3gを溶解した塩
化メチレン溶液10mfをo′cでi拌しながら30分
かけて滴下する。反応溶液を室温まで上げ、さらに5時
間攪拌する9反応混合溶液を水、希塩酸、希水酸化ナト
リウム水溶液、水で抽出する。有機層を乾燥した後、溶
媒を留去、塩化メチレン−メタノールから再結晶してメ
タクリル酸3’、5’−ジメトキシベンゾインエステル
を得る。
メタクリル酸3’、5’−ジ・メトキシベンゾインエス
テルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒドロキ
シエチルのベンゼン溶液にアゾビスイソブチロニトリル
を加え、反応容器内を窒素置換して60°Cで24時間
反応させる。反応溶液をメタノール中に投入して沈澱さ
せ目的の共重合高分子(感光性高分子)を得る。
テルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒドロキ
シエチルのベンゼン溶液にアゾビスイソブチロニトリル
を加え、反応容器内を窒素置換して60°Cで24時間
反応させる。反応溶液をメタノール中に投入して沈澱さ
せ目的の共重合高分子(感光性高分子)を得る。
メタクリル酸3’、5’−ジメトキシベンゾインエステ
ルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒドロキソ
エチルの共重合高分子とへキサメトキンメチルメラミン
とP−)ルエンスルホン酸をクロロホルムに熔解し、シ
ランカップリング剤で処理したガラス基板状にスピンコ
ードする。これを120°Cで30分間保持して高分子
を3次元架橋する。
ルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒドロキソ
エチルの共重合高分子とへキサメトキンメチルメラミン
とP−)ルエンスルホン酸をクロロホルムに熔解し、シ
ランカップリング剤で処理したガラス基板状にスピンコ
ードする。これを120°Cで30分間保持して高分子
を3次元架橋する。
石英ガラス上に形成されたフォトマスクを感光性高分子
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アセトニトリ
ルで現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭なインク
の画像を得る。
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アセトニトリ
ルで現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭なインク
の画像を得る。
実施例3
実施例2と同様の方法でメタクリル酸3′45′−トリ
メトキシベンゾインエステルを得る。
メトキシベンゾインエステルを得る。
メタクリル酸3’、4.5’−トリメトキシベンゾイン
エステルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒド
ロキシエチルのベンゼン溶液にアゾビスイソブチロニト
リルを加え、反応容器内を窒素置換して60°Cで24
時間反応させる。反応溶液をメタノール中に投入して沈
澱させ目的の共重合高分子(感光性高分子)を得る。
エステルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒド
ロキシエチルのベンゼン溶液にアゾビスイソブチロニト
リルを加え、反応容器内を窒素置換して60°Cで24
時間反応させる。反応溶液をメタノール中に投入して沈
澱させ目的の共重合高分子(感光性高分子)を得る。
メタクリル酸3’、4.5′−ジメトキノヘンヅインエ
ステルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒトロ
キ7・エチルの共重合高分子とへキサメトキノメチルメ
ラミンとP−トルエンスルホン酸をクロロホルムに熔解
し、ノランカ、プリング剤で処理したガラス基板上にス
ピンコードする。
ステルとメタクリル酸メチルとメタクリル酸2−ヒトロ
キ7・エチルの共重合高分子とへキサメトキノメチルメ
ラミンとP−トルエンスルホン酸をクロロホルムに熔解
し、ノランカ、プリング剤で処理したガラス基板上にス
ピンコードする。
これを120°Cで30分間保持して高分子を3次元架
橋する。
橋する。
石英ガラス上に形成されたフォトマスクを感光性高分子
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アセトニトリ
ルで現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭なインク
の画像を得る。
積層体に密着させ、低圧水銀灯で露光し、アセトニトリ
ルで現像後、水洗してインクを塗布すれば明瞭なインク
の画像を得る。
発明の効果
以上のように本発明の感光性高分子及び感光性高分子積
層体及び画像形成方法は、感光性高分子の表面を露光に
より疎水性から親水性へと大きく変えることができ、こ
の感光性高分子と支持体からなる感光性高分子積層体を
、画像露光することにより、感光性高分子積層体上に疎
水性表面と親水性表面のパターンが形成され、この感光
性高分子積層体上にインクを供給することにより、イン
クのパターンを形成することができる。したがって、特
別に親水化処理した支持体が不要であり、かつ非画線部
の感光性樹脂を除去する必要がな(まため、簡易な現像
処理でインクの像を形成することができる。
層体及び画像形成方法は、感光性高分子の表面を露光に
より疎水性から親水性へと大きく変えることができ、こ
の感光性高分子と支持体からなる感光性高分子積層体を
、画像露光することにより、感光性高分子積層体上に疎
水性表面と親水性表面のパターンが形成され、この感光
性高分子積層体上にインクを供給することにより、イン
クのパターンを形成することができる。したがって、特
別に親水化処理した支持体が不要であり、かつ非画線部
の感光性樹脂を除去する必要がな(まため、簡易な現像
処理でインクの像を形成することができる。
Claims (3)
- (1)高分子の側鎖に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のArは芳香族性残基、R_1、R_2、R_3
、R_4、R_5は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、芳香族性残基である。ただしR_1とR_5のいず
れか一方は水素原子である。)で表わされる感光性基を
有することを特徴とする感光性高分子。 - (2)請求項(1)の感光性高分子と支持体からなるこ
とを特徴とする感光性高分子積層体。 - (3)請求項(2)の感光性高分子積層体に画像露光し
、感光性高分子積層体上にインクの像を形成することを
特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23751690A JPH04116660A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23751690A JPH04116660A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04116660A true JPH04116660A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17016484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23751690A Pending JPH04116660A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 感光性高分子及び感光性高分子積層体及び画像形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04116660A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009169406A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184209A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-19 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光感受性重合体 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23751690A patent/JPH04116660A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184209A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-19 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光感受性重合体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009169406A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
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