JPH04115609A - ＧａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器 - Google Patents

ＧａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器

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Publication number
JPH04115609A
JPH04115609A JP23124490A JP23124490A JPH04115609A JP H04115609 A JPH04115609 A JP H04115609A JP 23124490 A JP23124490 A JP 23124490A JP 23124490 A JP23124490 A JP 23124490A JP H04115609 A JPH04115609 A JP H04115609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fet
distributed amplifier
voltage
power supply
drain
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Pending
Application number
JP23124490A
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English (en)
Inventor
Toshiro Watanabe
渡辺　寿郎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ分布型増幅器に間し、特
に、ＧａＡｓ　ＭＭＪＣ分布型増幅器の電源回路に関す
る。
従来の技術 従来、この種のＧａＡｓ　ＭＭＩＣ分布型増幅器は、第
３図に示すように、電源電圧ＶＯＯが反射波吸収用の５
０Ω終端抵抗ＲＤを介して印加されている。
発明が解決しようとする課題 上述した従来のＧａＡｓ　ＭＭＩＣ分布型増幅器では、
５０Ωの終端抵抗Ｒｏを介して給電されている為に、回
路電流が大きいとこの終端抵抗ＲＤでの電圧降下が大き
く、その結果ＦＥＴのドレイン−ソース間に充分な電圧
が印加できないという欠点があった。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規なＧａＡｓ　ＭＭＩＣ
分布型増幅器を提供することにある。
課題を解決するための手段 上記目的を達成する為に、本発明に係るＧａＡｓＭＭＩ
Ｃ分布型増幅器は、電源電圧をクランプするＦＥＴと備
えて構成される。
実施例 次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
第１図は本発明による第１の実施例を示す回路構成図で
ある。
第１図を参照するに、−点鎖線内に示す部分は一般的な
分布回路Ａであり従来例と同じである。
参照番号ｊ１〜Ｊ４はＦＥＴを示している。
一方、電源回路はＦＥＴ　Ｊ５と電圧分割抵抗Ｒ１、Ｒ
２により構成されている。いま電源端子ＶＤＤに＋１２
■を印加するものとする。ここで、Ｒ１：　Ｒ２−１＝
２の比であれば、ＦＥＴ　Ｊ５のゲート電位は＋８■に
クランプされる。従って、回路電流の大小にかかわらず
ＦＥＴ　Ｊｌ〜Ｊ４のドレイン−ソース間に８Ｖの電圧
が印加されることになる。
第２図は本発明による第２の実施例を示す回路構成図で
ある。
第２図を参照するに、−点鎖線内は第１図と同じ分布回
路Ａである。本第２の実施例による電源回路は、給電用
ＦＥＴ　Ｊ５と、定電流ＦＥＴ　Ｊ６と、電圧印加ＦＥ
Ｔ　Ｊ７と、電圧降下量調整用抵抗Ｒ５と、ゲト電流抑
制用抵抗Ｒ３とにより構成されている。
ＦＥＴ　Ｊ６、Ｊ７は、Ｉｎ５ｓ　（飽和電流）が数ｍ
Ａの小さなＦＥＴである。
いま、電源端子ＶＤＤに一１２ｙを印加するものとする
。Ｊ６は定電流ＦＥＴなので、抵抗Ｒ５には一定電流が
流れ、ＦＥＴ　Ｊ７のゲート電位は抵抗Ｒ５での電圧降
下分だけ高い電位にクランプされ、抵抗Ｒ，を介してＦ
ＥＴ　Ｊ５の電位が同様にクランプされる。仮にＦＥＴ
　Ｊ６を流れる電流が５ｍＡの場合には、Ｒｓ＝１６０
０ΩであればＦＥＴ　Ｊ５のゲート電位は８■にクラン
プされることになる。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、ＧａＡｓＭＭＩＣ
分布型増幅器の電源回路に電源電圧をクランプするＦＥ
Ｔを用いることにより、分布型増幅器のＦＥＴのドレイ
ン−ソース間に充分な電圧を印加できるという効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による第１の実施例を示す回路構成図、
第２図は、本発明による第２の実施例を示す回Ｈ構成図
、第３図は、従来例を示す回路図である。 、Ｈ１Ｊ２、Ｊ３．Ｊ４・・・増幅用ＦＥＴ　、　ＲＤ
・・・ドレイン側５０Ω終端抵抗、ＲＧ・・・ゲート側
５０Ω終端抵抗、ＣＩＮ、Ｃｏｕｔ−ＤＣプロ・ンク用
キャパシタ、ＣＲＦｌ、ＣＲＦ２−ＲＦショート用キャ
パシタ、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，・・・抵抗、Ｊ５・・・電源
電圧クランプ用ＦＥＴ　、Ｊ６・・・定電流用ＦＥＴ、
Ｊ７・・・電圧印加ＦＥＴ　、ＶＤＤ、ＶＧＧ・・・電
源端子、ＩＮ・・・入力端子、ＯＵＴ・・・出力端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、ＧａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器において、電源
    電圧をクランプするＦＥＴを有することを特徴とするＧ
    ａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器。
  2. （２）、前記ＦＥＴを、ドレインとソースを電源と前記
    分布型増幅器のドレイン側終端抵抗との間に接続し、ゲ
    ートを第１、第２の電圧分割抵抗の結合点に接続した一
    個のＦＥＴにより構成したことを更に特徴とする請求項
    （１）に記載のＧａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器。
  3. （３）、前記ＦＥＴを、給電用ＦＥＴと、定電流用ＦＥ
    Ｔと、電圧印加用ＦＥＴの３個のＦＥＴにより構成した
    ことを更に特徴とする請求項（１）に記載のＧａＡｓＭ
    ＭＩＣ分布型増幅器。
JP23124490A 1990-08-31 1990-08-31 ＧａＡｓＭＭＩＣ分布型増幅器 Pending JPH04115609A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004056805A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Da-Lightcom バイアス付与用アクティブ装荷装置を備えた超広帯域分布型増幅回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004056805A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Da-Lightcom バイアス付与用アクティブ装荷装置を備えた超広帯域分布型増幅回路

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