JPH04111315A - 半導体ウェーハの自動洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェーハの自動洗浄装置Info
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- JPH04111315A JPH04111315A JP22968690A JP22968690A JPH04111315A JP H04111315 A JPH04111315 A JP H04111315A JP 22968690 A JP22968690 A JP 22968690A JP 22968690 A JP22968690 A JP 22968690A JP H04111315 A JPH04111315 A JP H04111315A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 39
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、不純物を除去する薬液槽とリンス用純水槽
を配列した半導体ウェーハの自動洗浄装置の改良に係り
、薬液槽列と純水槽列を搬送方向に並列配列し、リンス
後の半導体ウェーハを純水槽列上を移動させ、かつ純水
槽列上方にクリーンユニットを配置することにより、純
水槽上からのダウンフローのみとなして系内の排気量を
従来の約1/2とし、排ガス設備及び空調設備の小能力
化を達成した半導体ウェーハの自動洗浄装置に関する。
を配列した半導体ウェーハの自動洗浄装置の改良に係り
、薬液槽列と純水槽列を搬送方向に並列配列し、リンス
後の半導体ウェーハを純水槽列上を移動させ、かつ純水
槽列上方にクリーンユニットを配置することにより、純
水槽上からのダウンフローのみとなして系内の排気量を
従来の約1/2とし、排ガス設備及び空調設備の小能力
化を達成した半導体ウェーハの自動洗浄装置に関する。
従来の技術
従来の半導体ウェーハの自動洗浄装置は、第3図、第4
図に示す如く、半導体ウェーハの搬送方向へ、半導体ウ
ェーハを浸漬して不純物を除去する複数種の薬液槽(2
1〜24)と複数のリンス用純水槽(31〜34)を交
互に複数対直列配置し、各槽上から清浄空気をダウンフ
ローさせるクリーンユニット(8)を配置し、槽列の長
手方向の一方に排気ダクト(9)を配置して排気する構
成からなる。
図に示す如く、半導体ウェーハの搬送方向へ、半導体ウ
ェーハを浸漬して不純物を除去する複数種の薬液槽(2
1〜24)と複数のリンス用純水槽(31〜34)を交
互に複数対直列配置し、各槽上から清浄空気をダウンフ
ローさせるクリーンユニット(8)を配置し、槽列の長
手方向の一方に排気ダクト(9)を配置して排気する構
成からなる。
ローダ−(1)にセットされたウェーハキャリア(10
)は、所要軌道上を走行する搬送用ロボット(6)によ
って、先ずA薬液の薬液槽(21)で洗浄後、純水槽(
31)でリンスし、次にB薬液の薬液槽(22)で洗浄
後、純水槽(32)でリンスする工程を、所要薬液回数
繰り返す洗浄処理を完了した後、乾燥装置(4)に入れ
られる。乾燥された半導体ウェーハは搬送用ロボット(
7)によってアンローダ−(5)に転送される。
)は、所要軌道上を走行する搬送用ロボット(6)によ
って、先ずA薬液の薬液槽(21)で洗浄後、純水槽(
31)でリンスし、次にB薬液の薬液槽(22)で洗浄
後、純水槽(32)でリンスする工程を、所要薬液回数
繰り返す洗浄処理を完了した後、乾燥装置(4)に入れ
られる。乾燥された半導体ウェーハは搬送用ロボット(
7)によってアンローダ−(5)に転送される。
この場合、純水洗浄の完了したウェーハキャリア(10
)は、薬液槽(2)上を搬送されるためペーパーが搬送
ラインに上昇しないように、第4図に示す如く、クリー
ンユニット(8)からの全面ダウンフローによりペーパ
ーの押え込みが実施されていた。
)は、薬液槽(2)上を搬送されるためペーパーが搬送
ラインに上昇しないように、第4図に示す如く、クリー
ンユニット(8)からの全面ダウンフローによりペーパ
ーの押え込みが実施されていた。
発明が解決しようとする課題
上述の如く、従来の自動洗浄装置は、洗浄完了したウェ
ーハが各薬液槽の上を搬送されるため、搬送ラインをク
リーンな雰囲気するため、搬送ラインの全面ダウンフロ
ーが不可欠であり、クリーンユニット(8)から吹出さ
れたクリーンエアーはすべて排気ダクト(9)から排気
しなければならないなめ、排気量が多く、排気ダクト(
9)に接続される排ガス設備及び自動洗浄装置の設置室
内の空調設備(図には吹出口(11)のみ表示)に処理
能力の大きな装置が必要であった。
ーハが各薬液槽の上を搬送されるため、搬送ラインをク
リーンな雰囲気するため、搬送ラインの全面ダウンフロ
ーが不可欠であり、クリーンユニット(8)から吹出さ
れたクリーンエアーはすべて排気ダクト(9)から排気
しなければならないなめ、排気量が多く、排気ダクト(
9)に接続される排ガス設備及び自動洗浄装置の設置室
内の空調設備(図には吹出口(11)のみ表示)に処理
能力の大きな装置が必要であった。
この発明は、半導体ウェーハの自動洗浄装置のかかる問
題に鑑み、処理能力の小さな排気ガス設備及び空調設備
で処理が可能な構成からなる排気量の少ない半導体ウェ
ーハの自動洗浄装置の提供を目的としている。
題に鑑み、処理能力の小さな排気ガス設備及び空調設備
で処理が可能な構成からなる排気量の少ない半導体ウェ
ーハの自動洗浄装置の提供を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
半導体ウェーハの搬送方向へ、半導体ウェーハを浸漬し
て不純物を除去する薬液槽とリンス用純水槽を複数対直
列配置し、各槽上から清浄空気をダウンフローさせるク
リーンユニットを配置し、槽列の長手方向の一方から排
気する構成からなる半導体ウェーハの自動洗浄装置にお
いて、薬液槽列と、純水槽列を搬送方向に並列配列し、
リンス後の半導体ウェーハを純水槽列上を移動させ、か
つ純水槽列上方にクリーンユニットを配置し、薬液槽列
側から排気することを特徴とする半導体ウェーハの自動
洗浄装置である。
て不純物を除去する薬液槽とリンス用純水槽を複数対直
列配置し、各槽上から清浄空気をダウンフローさせるク
リーンユニットを配置し、槽列の長手方向の一方から排
気する構成からなる半導体ウェーハの自動洗浄装置にお
いて、薬液槽列と、純水槽列を搬送方向に並列配列し、
リンス後の半導体ウェーハを純水槽列上を移動させ、か
つ純水槽列上方にクリーンユニットを配置し、薬液槽列
側から排気することを特徴とする半導体ウェーハの自動
洗浄装置である。
この発明は、上記構成の加えて、薬液槽列と純水槽列の
間に搬送用ロボットを設置した構成、あるいはさらに搬
送用ロボットが旋回動作が可能なアームを有する構成と
することができる。
間に搬送用ロボットを設置した構成、あるいはさらに搬
送用ロボットが旋回動作が可能なアームを有する構成と
することができる。
作用
この発明は、従来の半導体ウェーハの自動洗浄装置にお
いて、薬液槽及び純水槽を横1列に配列するために全面
ダウンフローを必要とすることに鑑み、薬液槽列と純水
槽列を搬送方向に並列配列しかつ純水槽列上方にクリー
ンユニットを配置し、薬液槽列側から排気する構成とし
たもので、かかる構成により常に洗浄完了後の製品は純
水槽上部を搬送させることができるため、純水槽上部の
みのダウンフローでクリーンな雰囲気を保つことができ
、排気量が従来装置に比べて約50%減少し、排ガス設
備及び空調設備の小能力化が達成できる。
いて、薬液槽及び純水槽を横1列に配列するために全面
ダウンフローを必要とすることに鑑み、薬液槽列と純水
槽列を搬送方向に並列配列しかつ純水槽列上方にクリー
ンユニットを配置し、薬液槽列側から排気する構成とし
たもので、かかる構成により常に洗浄完了後の製品は純
水槽上部を搬送させることができるため、純水槽上部の
みのダウンフローでクリーンな雰囲気を保つことができ
、排気量が従来装置に比べて約50%減少し、排ガス設
備及び空調設備の小能力化が達成できる。
実施例
第1図はこの発明による半導体ウェーハの自動洗浄装置
の一実施例を示す平面説明図、第2図aは第1図のA−
A断面説明図で搬送ロボットがローダーにある状態、同
図すは第1図B−B断面説明図で搬送ロボットが薬液槽
上にある状態、同図Cは第1図B−B断面説明図で搬送
ロボットが純水槽上にある状態を示す。
の一実施例を示す平面説明図、第2図aは第1図のA−
A断面説明図で搬送ロボットがローダーにある状態、同
図すは第1図B−B断面説明図で搬送ロボットが薬液槽
上にある状態、同図Cは第1図B−B断面説明図で搬送
ロボットが純水槽上にある状態を示す。
第1図に示す自動洗浄装置は、図左側からローダ−(1
)、2列の処理槽列(21〜25X31〜35)、そし
て乾燥装置(4)、アンローダ−(5)から構成されて
いる。
)、2列の処理槽列(21〜25X31〜35)、そし
て乾燥装置(4)、アンローダ−(5)から構成されて
いる。
この発明の特徴である搬送方向に平行配置される2列の
処理槽列のうち、図上側(装置奥側)が薬液槽(21〜
25)列、図下側(装置手前側)が純水槽(31〜35
)列であり、第2図す、cに示す如く、装置手前側の純
水槽(31〜35)列上力にのみクリーンユニット(8
)が配置され、薬液槽(21〜25)列の装置奥側に排
気ダクト(9)が配置されている。
処理槽列のうち、図上側(装置奥側)が薬液槽(21〜
25)列、図下側(装置手前側)が純水槽(31〜35
)列であり、第2図す、cに示す如く、装置手前側の純
水槽(31〜35)列上力にのみクリーンユニット(8
)が配置され、薬液槽(21〜25)列の装置奥側に排
気ダクト(9)が配置されている。
ここではウェーハキャリア(10)の搬送に2種のロボ
ットを使用しており、薬液槽(21〜25)列と純水槽
(31〜35)列間の中央部上方に配置し、搬送用口ボ
ソト(6)がローダ−(1)から乾燥装置(4)までの
搬送を行い、乾燥装置(4)からアンローダ−(5)ま
でを両者間の別の搬送用ロボット(7)が行なう。
ットを使用しており、薬液槽(21〜25)列と純水槽
(31〜35)列間の中央部上方に配置し、搬送用口ボ
ソト(6)がローダ−(1)から乾燥装置(4)までの
搬送を行い、乾燥装置(4)からアンローダ−(5)ま
でを両者間の別の搬送用ロボット(7)が行なう。
搬送用ロポ、7)(6)には、薬液槽(21〜25)列
と純水槽(31〜35)列間の中央部上方に配置した軌
道部を搬送方向に前後進(図で左右方向)するユニッh
(6a)に、上昇・下降が可能なシャフト(6b)に
旋回アーム(6c)が装着され、アーム先端にウェーハ
キャリア(10)の所要係合部に嵌合するチャッキング
を設けた機構からなる。
と純水槽(31〜35)列間の中央部上方に配置した軌
道部を搬送方向に前後進(図で左右方向)するユニッh
(6a)に、上昇・下降が可能なシャフト(6b)に
旋回アーム(6c)が装着され、アーム先端にウェーハ
キャリア(10)の所要係合部に嵌合するチャッキング
を設けた機構からなる。
また、搬送用ロボット(7)は乾燥装置(4)とアンロ
ーダ−(5)の同装置前部に設置され、前進・後進、上
昇・下降及びウェーハキャリア(10)のチャッキング
が可能な構成からなる。
ーダ−(5)の同装置前部に設置され、前進・後進、上
昇・下降及びウェーハキャリア(10)のチャッキング
が可能な構成からなる。
上記構成からなるこの発明による自動洗浄装置において
、ローダ−(1)にセットされたウェーハキャリア(1
0)は、第2図aに示す如く搬送用ロボット(6)によ
ってチャッキングされ、第2図すに示す如く薬液槽(2
1)側に90°の旋回を行い、投入すべき薬液槽(21
)の上まで前進する。
、ローダ−(1)にセットされたウェーハキャリア(1
0)は、第2図aに示す如く搬送用ロボット(6)によ
ってチャッキングされ、第2図すに示す如く薬液槽(2
1)側に90°の旋回を行い、投入すべき薬液槽(21
)の上まで前進する。
搬送用ロボット(6)はアームを下降させてウェーハキ
ャリア(10)を薬液槽(21)に投入し、アームを上
昇させてプログラムされた他の作業を行い、所要時間の
洗浄を完了した後、当該薬液槽(21)に戻り、槽内に
入っている先に投入したウェーハキャリア(10)を取
出して純水槽(31)上まで180°旋回する。なお、
第2図Cは純水槽(35)側に旋回した状態を示すが、
純水槽(31)上まで180°旋回した場合も同様であ
る。
ャリア(10)を薬液槽(21)に投入し、アームを上
昇させてプログラムされた他の作業を行い、所要時間の
洗浄を完了した後、当該薬液槽(21)に戻り、槽内に
入っている先に投入したウェーハキャリア(10)を取
出して純水槽(31)上まで180°旋回する。なお、
第2図Cは純水槽(35)側に旋回した状態を示すが、
純水槽(31)上まで180°旋回した場合も同様であ
る。
ウェーハキャリア(10)を純水槽(31)に投入して
リンスを行い、リンス完了後、搬送用ロボット(6)に
てウェーハキャリア(10)は引き上げられて隣接の純
水槽(32)へ移動した後、側薬液が入った薬液槽(2
3)上へ旋回し薬液洗浄が行われ、再びリンスのため純
水槽(32)に旋回移動し、前述の工程を繰り返し行い
最後に乾燥装置(4)まで搬送される。また、薬液洗浄
が1回の単液処理の場合は、例えば最初の薬液槽(21
)で洗浄完了後、アームを上昇させ薬液槽(21)に入
っているウェーハキャリア(10)を取出して純水槽(
31)上まで180°旋回し、純水槽(3□)でリンス
完了後、搬送用ロボット(6)により純水槽(31〜3
5)列上を乾燥装置(4)まで搬送される。
リンスを行い、リンス完了後、搬送用ロボット(6)に
てウェーハキャリア(10)は引き上げられて隣接の純
水槽(32)へ移動した後、側薬液が入った薬液槽(2
3)上へ旋回し薬液洗浄が行われ、再びリンスのため純
水槽(32)に旋回移動し、前述の工程を繰り返し行い
最後に乾燥装置(4)まで搬送される。また、薬液洗浄
が1回の単液処理の場合は、例えば最初の薬液槽(21
)で洗浄完了後、アームを上昇させ薬液槽(21)に入
っているウェーハキャリア(10)を取出して純水槽(
31)上まで180°旋回し、純水槽(3□)でリンス
完了後、搬送用ロボット(6)により純水槽(31〜3
5)列上を乾燥装置(4)まで搬送される。
従って、薬液槽(2)と純水槽(3)の処理が完了した
ウェーハキャリア(10)はすべて純水槽(31〜35
)列上を搬送される構成であるため、クリーンな雰囲気
の確保は純水槽(31〜35)列上のみでよい。
ウェーハキャリア(10)はすべて純水槽(31〜35
)列上を搬送される構成であるため、クリーンな雰囲気
の確保は純水槽(31〜35)列上のみでよい。
すなわち、純水槽(31〜35)列上部にのみクリーン
ユニット(8)を取付はダウンフローし、薬液槽(21
〜25)列の雰囲気が進入しないように、純水槽(31
〜35)列から薬液槽(21〜25)列への所要の流速
を確保すべく、薬液槽(21〜25)列の装置奥側に配
置した排気ダクト(9)にて排気して搬送通路となる純
水槽(31〜35)列上のクリーンな雰囲気が維持され
る。
ユニット(8)を取付はダウンフローし、薬液槽(21
〜25)列の雰囲気が進入しないように、純水槽(31
〜35)列から薬液槽(21〜25)列への所要の流速
を確保すべく、薬液槽(21〜25)列の装置奥側に配
置した排気ダクト(9)にて排気して搬送通路となる純
水槽(31〜35)列上のクリーンな雰囲気が維持され
る。
また図示しないが、純水槽(31〜35)列と薬液槽(
21〜25)列の間には、搬送用ロボット(6)のアー
ム等の予め設定した可動範囲外に間仕切りを取付け、ク
リーンユニットの風量ができるだけ少量になるように構
成するとよい。
21〜25)列の間には、搬送用ロボット(6)のアー
ム等の予め設定した可動範囲外に間仕切りを取付け、ク
リーンユニットの風量ができるだけ少量になるように構
成するとよい。
洗浄を完了し乾燥装置(4)へ移動投入されたウェーハ
キャリア(1o)は、乾燥処理後、搬送用ロボット(7
)によって取出されアンローダ−(5)に搬出される。
キャリア(1o)は、乾燥処理後、搬送用ロボット(7
)によって取出されアンローダ−(5)に搬出される。
発明の効果
この発明による半導体ウェーハの自動洗浄装置は、従来
の薬液槽と純水槽を1列に配列して、処理を完了した製
品が薬液槽の上を搬送される構成に対して、薬液槽と純
水槽を2列に並列配置したことにより、処理を完了した
製品を純水槽列上を搬送することが可能となり、ベーパ
ーの押え込みは不要で、薬液槽列側から排気し純水槽列
上部のにクリーンな雰囲気を確保するだけでよい。
の薬液槽と純水槽を1列に配列して、処理を完了した製
品が薬液槽の上を搬送される構成に対して、薬液槽と純
水槽を2列に並列配置したことにより、処理を完了した
製品を純水槽列上を搬送することが可能となり、ベーパ
ーの押え込みは不要で、薬液槽列側から排気し純水槽列
上部のにクリーンな雰囲気を確保するだけでよい。
すなわち、薬液槽列からのペーパー上昇の押え込みがな
くなり、また純水槽列のみのダウンフローを実施するだ
けでよいため、排気量が約50%減少し、排ガス設備及
び空調設備の著しく小型化、小能力化が可能で、大幅な
省エネルギーが達成できる。
くなり、また純水槽列のみのダウンフローを実施するだ
けでよいため、排気量が約50%減少し、排ガス設備及
び空調設備の著しく小型化、小能力化が可能で、大幅な
省エネルギーが達成できる。
第1図はこの発明による半導体ウェーハの自動洗浄装置
の一実施例を示す平面説明図、第2図aは第1図のA−
A断面説明図で搬送ロボットがローダーにある状態、同
図すは第1図B−B断面説明図で搬送ロボットが薬液槽
上にある状態、同図Cは第1図B−B断面説明図で搬送
ロボットが純水槽上にある状態を示す。 第3図は従来の半導体自動洗浄装置を示す平面図、第4
図は第3図のA−A断面図である。 1・・・ローダ−121〜25・・・薬液槽、31〜3
5・・・純水槽、4・・乾燥装置、5・・・アンローダ
−6,7・・・搬送用ロボット、8・・・クリーンユニ
ット、9・・・排気ダクト、10・・・ウェーハキャリ
ア、11・・・吹出口。
の一実施例を示す平面説明図、第2図aは第1図のA−
A断面説明図で搬送ロボットがローダーにある状態、同
図すは第1図B−B断面説明図で搬送ロボットが薬液槽
上にある状態、同図Cは第1図B−B断面説明図で搬送
ロボットが純水槽上にある状態を示す。 第3図は従来の半導体自動洗浄装置を示す平面図、第4
図は第3図のA−A断面図である。 1・・・ローダ−121〜25・・・薬液槽、31〜3
5・・・純水槽、4・・乾燥装置、5・・・アンローダ
−6,7・・・搬送用ロボット、8・・・クリーンユニ
ット、9・・・排気ダクト、10・・・ウェーハキャリ
ア、11・・・吹出口。
Claims (1)
- 1 半導体ウェーハの搬送方向へ、半導体ウェーハを浸
漬して不純物を除去する薬液槽とリンス用純水槽を複数
対直列配置し、各槽上から清浄空気をダウンフローさせ
るクリーンユニットを配置し、槽列の長手方向の一方か
ら排気する構成からなる半導体ウェーハの自動洗浄装置
において、薬液槽列と、純水槽列を搬送方向に並列配列
し、リンス後の半導体ウェーハを純水槽列上を移動させ
、かつ純水槽列上方にクリーンユニットを配置し、薬液
槽列側から排気することを特徴とする半導体ウェーハの
自動洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22968690A JPH04111315A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウェーハの自動洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22968690A JPH04111315A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウェーハの自動洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04111315A true JPH04111315A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16896110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22968690A Pending JPH04111315A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウェーハの自動洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04111315A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22968690A patent/JPH04111315A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
US5445171A (en) * | 1992-09-25 | 1995-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor cleaning apparatus and wafer cassette |
US5551459A (en) * | 1992-09-25 | 1996-09-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor cleaning apparatus and wafer cassette |
US5568821A (en) * | 1992-09-25 | 1996-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor cleaning apparatus and wafer cassette |
US5590672A (en) * | 1992-09-25 | 1997-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor cleaning apparatus and wafer cassette |
DE4332857C2 (de) * | 1992-09-25 | 1999-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
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