JPH04110490A

JPH04110490A - ぶりきの製造方法

Info

Publication number: JPH04110490A
Application number: JP22719290A
Authority: JP
Inventors: Harutoshi Yamashita; 陽俊山下; Takeji Kondo; 近藤　桓次; Katsuto Kawamura; 勝人河村; Fumio Kokado; 古角　文雄; Kenji Kurihara; 栗原　研二
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1990-08-29
Filing date: 1990-08-29
Publication date: 1992-04-10
Anticipated expiration: 2015-05-29
Also published as: JP3046333B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、ハロゲン型電気錫めっきラインに、１６１プ
るさっきの製造方法に関する。

〈従来の技術〉ぶりきの耐蝕性とＴｅ３　（Ｔｉｎ　　Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｓｉｚｅ）との関係は一般に認められており、Ｔｅ３が
粗粒であるほうが而」蝕性に優れているといわれている
。　これに関して、リフロークエンチ時の溶融錫の冷却
速度を小さくする方法が知られている。

〈発明が解決しようとする課題〉しかし、前述のりフロー、クエンヂ時の溶融錫の冷却速
度を小さ（する方法を用いても、ハロゲン型電気錫めっ
きラインでは、先めっき面のＴｅ３が後めっき面のそれ
より細粒化しやすいという問題があった。

また、後めっき面のプレークーコンダククロール交換直
後においては、先めっき面でも後めっき面と同等の良好
なＴｅ３が得られる場合があり、このコンダククロール
の摩耗状態が先めっき面のＴｅ３に影響を及ぼずことが
指摘されていたが、必ずしも再現性は高くなく、先めっ
き面のＴｅ３を細粒化させるメカニズムについて十分に
説明できるものではなかった。

本発明は、前記問題点を解決し、先めっき面の良好なＴ
ｅ３を得ることができるぶりきの製造方法を提供するこ
とを目的としている。

く課題を解決するだめの手段〉リフロー、クエンチ後の先めっき面について錫結晶核の
中心を観察したところ、第３図のように成因直前に溶融
錫中のガスか抜りた跡のようなものが数多くみられた。

　　しかし、後めっき面に関してはこれらはほとんどみ
られなかっノこ。

そこで溶融錫中に含まれるガスは、フラックスと酸化錫
の反応によって生じる昇華性の生成物と考えた。

つぎに、ブレーク−通過直後の電着用を観察したところ
、後めっき面は電着用が押しつぶされた状態であった。

　これは摩耗したコンダククロールどストリップのスリ
ップによるものと考　え　ブこ　。

以上のことから、電着用が押しつぶされて無数のマイク
ロクラックが生成した先めっき面でフラックスどの反応
生成物かトラップされ、これがリフロー時に昇華し、結
晶核になり、Ｔｅ３か細粒化するものと考え、本発明を
完成させた。

すなわぢ、上記目的を達成するために本発明によれば、
ス）・リップの片面ずつを別々にめっきし、フラックス
を塗布した後、リフローおよびクエンチする電気錫めっ
きラインにおいて、前記フラックス塗布に続いて、少な
くとも前記ストリップの先めっき面を全幅にわたり均一
に洗）争した後リフローおよびクエンチすることを特徴
とするぶりきの製造方法が提供される。

以下に本発明をさらに詳細に説明する。　第１図は、本
発明の１例を示すフローの概要図である。

ストリップ１は、まず先めっき面ブｊノーター２でその
片面に所定の電気錫めっきが施され、続いて後めっき面
ブレーク−３で他の片面に所定の電気錫めっきが施され
る。

つぎに、フラックス処理・洗浄設備４に搬送され、ここ
でフラックスを塗布した後、少なくとも前記ス）・リッ
プの先めっき面を洗浄する。

フラックスは、電着用表層の酸化物を溶解し、後工程の
りフロー時に溶融錫の流動性を向上させ、平滑な光沢面
を得るためのものであるから、前記フラックス塗布はぶ
りきの製造上どうしても必要なプロセスである。

そこで、ストリップをフラックスに浸漬し、表層の酸化
物を溶解した後、マイクロクラック間にトラップされた
反応生成物を除去するために、先めっき面を温水洗する
。

第２図は、本発明におけるフラックス処理・洗ン争を実
施する設備の１例を示すフロー図である。　錫めっきさ
れたストリップ」はフラックスタンク５で所定量のフラ
ックスが塗布される。

フラックスどしては、Ｎ　＋−１、Ｃｆ：２、ＨＣ４を
挙げることができる。　塗布条件は限定しないか、例え
ばＮ＋１．Ｃｆｌ　（’　０　、５　ｇ／１２　）水溶
液中に００５〜２秒浸漬することにより錫酸化物が溶解
し、フラックスが塗布される。　本発明においてフラッ
クス塗布は浸漬に限るものではない。　また、片面塗布
でもよい。

つぎに、温水洗設備６で少なくとも前記ストリップの先
めっき面を洗浄してマイクロクラック間にトラップされ
た反応生成物を除去する。　これにより、後工程のりフ
ロー時にガスが抜けることによる結晶核が発生すること
なく、先めっき面の良好な゛「Ｏ８が得られる。

前記洗ン争方法としては限定しないが、温水スプレー７
などを用いることができる。

この場合、温水がストリップの幅方向全域にわたりむら
なくかかっていることが必要である。　スプレーの目詰
まりなどにより一部温水洗が不十分な場合１：］、その
部分でＴｅ３が細粒化する現象がみられる。

また、洗浄効果を高めるために、使用する水は６０°Ｃ
以」二の温水を用いるのが好ましい。

第２図に示すように、ストリップ］の両面を洗浄する場
合は、錫目イ月量に対してフラックス濃度が高いときに
発生しゃすいフラックス汚れの発生を防止できる。　８
はリンガロール、９はドライヤーである。

適宜のドライヤー９で水分を除去、乾燥した後、リフロ
ー１０４６よひクエンチ１］により電着錫を溶融、凝固
させ所望の良好なＴｅ３を両面に有するぶりきを得るこ
とができる。

〈実施例〉以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。

（実施例１）第１図および第２図に示すフローにより、ス）・リップ
（厚さ０．３２ｍｍ、幅７８０ｍｍの冷延１１ｉｌ様）
を下記条件で電気錫めっきした。

ストリップのラインスピード：２５０ｍｐｍ先めっき面および後めっき面プレーターのめっき条件：目側り潰　片面１１　、　２ｇ／ｍ２電流密度　４０　Ａ／ｄｒｎ’ フラックス塗花・ＮＨ，Ｃ，ｆ２　（０、５ｇ／、Ｃ）
水溶液に２秒浸漬温水スプレーストリップ全幅にｓ　ｏ　’ｃの温水を１０℃／分スプ
レーリフロー（クエンチ）合金すずが１．ｏｇ／ｍ’（片面）生成できるのを目標
として、２８０°Ｃに４〜５秒保って後、ｓ　ｏ　’ｃ
の温水に浸漬してクエンチした。

比較のため、温水スプレー７を停止したほかは実施例１
と同様にしでぶつきを製造した（比較例）。

実施例１と比較例の先めっき面の結晶構造を観察したと
ころ、温水洗浄した実施例１は第５図に示すように比較
例（第４図）に（らべ優れたＴｅ３を示した。

〈発明の効果〉本発明は、以上説明したように構成されているので、フ
ラックス浸漬後先めっき面を温水洗することにより、後
めっき面と同等のＴｅ３を得ることができる。

また、後めっき面も温水洗することにより、錫目付量に
対してフラックス濃度が高いときに発生しやすいフラッ
クス汚れを防止する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のフローの概要を示すライン図である
。第２図は、本発明の１例を示すフラックス処理周辺のフ
ロー図である。第３図、第４図おにび第５図は、結晶の構造を示す図面
代用写真である。　第３図は、従来のクエンチ後の先め
っき面（倍率１．５００）　、第４図および第５図ｉｌ
ｌ、それぞれ温水洗なしの場合と温水洗ありの場合の先
めっき面（倍率０．５）を示す。符号の説明ｌ・・・ス１へリップ、２・・・先めっき面ブレーク− ３・・・後めっき面プレーター４・・・フラックス処理・洗浄設備、５・・・フラックスタンク、６・・・温水洗設備、７・・・温水スプレー８・・・リンガロール、９・・・ドライヤー］０・・・リフロー１１・・・クエンヂＦＩＧ、１ＦＩＧ、２ン ↓１０４９０　（４）工０／″辺 ■

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ストリップの片面ずつを別々にめっきし、フラッ
クスを塗布した後、リフローおよびクエンチする電気錫
めっきラインにおいて、前記フラックス塗布に続いて、
少なくとも前記ストリップの先めっき面を全幅にわたり
均一に洗浄した後リフローおよびクエンチすることを特
徴とするぶりきの製造方法。