JPH04110111A

JPH04110111A - 光デイスク基板の製造方法

Info

Publication number: JPH04110111A
Application number: JP22675990A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Matsumoto; 松本　良文; Kanehiro Nakamura; 中村　兼寛
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 1990-08-30
Filing date: 1990-08-30
Publication date: 1992-04-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は耐熱性に優れ、反りの小さい光デイスク基板の
製造方法に関するものであるっ（従来技術）光ディスク基板の製造方法としては、ポリカーボネート
やポリメタクリル酸メチル等り射出成形法が仰られてい
るうこの方法は生産性が高いものの、粘度の高い樹脂を
高圧でキャビティに注入するためて分子配向が起こり、
光学的異方性が生じやす−。

また、少なくとも一方が光透：ｉ性物質よりなる一対の
成形型により成形された空間に光硬化性樹脂を注入した
後、光透過性物質よりなる一方の型を通して光を照射１
−で重合させ、光ディスク基板を成形する方法があるっ
この方法は比較的低粘度の光硬化性樹脂を無圧力下又は
低圧力下で硬化させるため、分子配向かなく光学的に均
一であるが、耐熱性に劣り、機械精度、特に基板の反り
が大きめという問題がある。

上記した問題に対して型内で光硬化性樹脂を硬化させた
後−型外て取り出し、型内で光を照射した面とは反対側
の面から再び光を照射して再硬化させる方法、もしくは
、さらに加熱炉中で加熱処理を行なう方法が採用されて
′ハる（持開昭６４−２７９０８号公報）。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記の方法シま基板の反りを小さくする
ことはできるが、基板の耐熱性を十分て改善するには至
ってＡない。

そこで−本発明の目的は、耐熱性に優れ、且つ反りの小
さい光ディスク基板を製造する二とにあるっ（課題を解決するための手段）本発明者らは、上記した優れた性質を有する光ディスク
基板の製造について研究を重ねたつその結果、上記した
目的を達成した光ディスク基板の開発に成功し一本発明
を提案するて至ったつ即ち、本発明は、重合性単量体又はその部分重合体を少
なくとも一方の型が光透過性物質よりなる一対の成形型
でより形成された空間に注入し、光透過性物質よりなる
一方の型を通して光を照射して注型重合した後−得られ
た重合体を成形型より取り出し一上記の１合時に光を照
射した重合体の面と反対側Ｉ７）面に、昇温しつつ光を
照射することを特徴とする光ディスク基板の製造方法で
あるっ本発明で１．！！用される重合性単量体又１まその部分
重合体は、公知の化合物が何ら制限なく［Ｊｌれる。例
えば、スチレン、つ−メチルスチレン、α−メチルスチ
レン、クロロスチレン、フルオロスチレン、ブロモスチ
レン。

ブチルスチレン、　ｔｒａｎｓ−スチルベン、ジビニル
ベンゼンなどのスチレン及びその誘導体：メタクリル酸
メチル、メタクリル酸ブチル。

メタクリル酸エチル、メタクリル酸フェニル。

メタクリル醗シクロヘキシル、メタクリル酸ボルニル、
メタクリル酸インボルニル、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチルなどのメタクリル酸エステル及びアクリル酸
エステル：無水マレイン酸、フェニル無水マレイン酸ナ
トツマレイン酸及びその誘導体；Ｎ〜メチルマレイミド
、Ｎ−フェニルマレイミド等のマレイミド誘導体などが
挙げられる。なお、上記の重合性単量体と共重合可能な
単量体を併用してもよい。また、架橋剤の併用も可能で
ある。

本発明に！＞いて１機械清度に優れ且つ耐熱性が高く、
また、複屈折及び散水車が小さい光ディスク基板を得る
ためには、１合性単量体として特にスチレンあるいはそ
の誘導体を１０〜５０重量％、アクリル酸エステル又は
メタクリル酸エステルを５〜５０重量％及び該化合物と
共重合可能な下記一般式〔Ｉ〕で表わされる分子内に少
なくとも２個以上のビニルフェニル基を有する化合物６
０〜６５重量％よりなる組成物を用いることが好ましｂ
９上記式中、Ｒ１で示される一１＠の有機基としては、
例、ｔば、蓋換苓１．　＜は非、ｆ換ハ脂、彷族若しく
は芳香族の炭化水素基、又はこｒ、ら基が好適である。

上記の炭化水素基の置換基としては・・ロゲン原子が挙
げられ、また脂肪族の炭化水素基の置換基としてはフェ
ニル基が挙げられる。

また、本発明で使用される重合性単量体の部分１合体は
、上記し±重合性単量体を公知の方法で部分１合するこ
とによって得ることができる。

前記した重合性単量体又はその部分重合体には、重合開
始剤が添加される。重合開始剤としては、光によって重
合を開始させることのできる公知の化合物が何らＮ限な
く採用される。例えば、ベンゾインメチルエーテル。

ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインインプロピルエ
ーテル、ペンゾインインブチルエ−チル等のベンゾイン
エーテル類；ベノジルシ（チルケタール、ベンジルジエ
チルケタール等のベンジルケタール類；１−ヒドロキシ
ンクロヘキ・／ルフェニルケトン、４−イノプロピル−
２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオフェノン、２−
ヒドロキシ−２−メチル−プロピオフェノン等のα−ヒ
ドロキシアセトフェノン類；２−メチル−〔４−（メチ
ルチオ）フェニルクー２−モルフォリノ−１−プロパノ
ン等のα−アミノアセトフェノン類；ヘンシル等ノα−
ジカルボニル類；ベンゾフェノン、アセトフェノン、０
−ベンゾイル安息香酸メチル等の芳香族ケトン類；チオ
キサントン、　２，４−ジエチルチオキサントン等のチ
オキサントンＩｉ；　　４，４’−ビスジメチルアミノ
ベンゾフェノン、　　４．４’−ビスジエチルアミノベ
ンゾフェノン、Ｐ−Ｎ、Ｎ−ジメチル−アミノ−アセト
フェノン等の芳香族アミンｉｌｌ：　ｐ　　ｔ−ブチル
トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロア
セトフェノン等のクロロアセトフェノン類：　Ｆｅ−芳
８３化合物等の光カチオン系開始剤などが挙げられる。

これらの１合、開始剤シま、重合性単量体又はその部分
重合体１００重量部に対して、一般には０．１〜１０重
量部、好ましくは０．２〜５重量部の範囲で使用される
。

さらに、上記の重合性単量体又はその部分重合体に、本
発明の目的の達成を阻害しない範囲で、例えば増感剤、
酸化防止剤、光安定剤、離型剤、帯電防止剤などを混合
してもかまわないつ上記した重合性単量体又はその部分重合体は一少なくと
も一方の型が光透過性物質よりなる一対の成形型により
形成された空間に注入され、光透過性物質よりなる一方
の型を通して光を照射し注型重合を行なうつ注型重合は、０．１〜１０陣／′ｉ−好ましくは０．５
〜５Ｋｆ／−の加圧下に行なうことが一得られる重合体
のヒケを防止し、光学異方性ケ・ｊ・さくするためて好
ましハっ重合性単量体又はその部分１合体でかけられる圧力は、
注型重合の間、一定の圧力であ・）でも良いが一注型１
合によって生吸する部分１合体の粘度の上昇に応じて圧
力を増加する方法が好適に採用されるっ注型重合の際の温度は特に限定されないが、通常５０℃
〜１００℃の範囲で行なわれる。

また、１合時間は重合性単量体又はその部分重合体の組
成、光の強度及び温度等により異なるが、通ｔは３分〜
６０分穆度であるっ成形型内で注型重合して得られた重
合体は、成形型より取り出し、成形型内での重合時に光
を照射した重合体のｆとは反対側の面に、昇温！一つつ
再度光の照射を行なう。昇温を開始する温度は、室温か
ら重合温度までの範囲から選ぶことが、得られる光ディ
スク基板のソリを小さくするために好ましいうまた、昇
温の終了温度は、後述する方法によって測定された光デ
ィスク基板の軟化温度より１０℃低い温度から軟化温度
未満−好ましくは、５°Ｃ低い温度から軟化温度未満の
範囲かも選ぶことが、上記の昇温開始温度の選択理由と
同様の理由により好ましいっ昇温速度は、作業時間を短
くするためには大きい方がよいが一得られる光ディスク
基板のソリが大きくなるため一一般には０．２〜ｂ１〜ｂ１ハウ本発明において昇温しつつ光の照射を行なう方法として
は、一定の昇温速度で昇温を行ないながら、光を連続し
て、あるいは断続的に照射する方法や、階段状に昇温を
行ないながら、光を連続して、あるいは断続的に照射す
る方法等が挙げられる。上記の階段状に昇温を行なう場
合には一平均昇温速度が前記した昇温速度の範囲である
ことが好まし−。また−光を断続的に照射する場合には
、昇温の開始温度から終了温度の全域にわたって、でき
るだけ平均化して光照射することが好まし実施例　３実施（ｌにおいて、紫外線の再照射時の昇温速度を３．
５℃／分とし、紫外線を２分間照射した後２分間休む操
作を５回操り返したこと以外は実施例１と同様にして光
ディスク基板を作成した。得られた光ディスク基板の物
性を表−１に示したつ比較例１．２実施例１と同様てして注型重合した後、成形型から１合
体を取り出し、注型重合時と紫外線を照射した面とは反
対側の面に、営温で紫外線を１０分間照射した。得られ
た光ディスク基板の物性を比較例１として表−１に示し
た。

また、上記の光ディスク基板をさらに１３０℃の恒温槽
の中に６分間入れて加熱処理を行なったうその結果を比
較例２として表−１に示した。

表実施例−１（注）反り角の符号が正の場合は成形金型内で光を照射
した面を内側にした反り、負の場合は成形金型内で光を
照射した面を外側にした反りを示す。

【図面の簡単な説明】

＠１図は本発明の光ディスク基板を製造する際に用いた
成形金型の垂直断面図である。図中、１は固定金型、２は光透通性９ＩｋＪ買よりなる
可動金型、３−まキャビティー、４はスタンバ−９５は
注入口、６は加圧製電゛（連結されたコ・γドを夫々示
すっ第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）重合性単量体又はその部分重合体を少なくとも一
方の型が光透過性物質よりなる一対の成形塵により形成
された空間に注入し、光透過性物質よりなる一方の型を
通して光を照射して注型重合した後、得られた重合体を
成形型より取り出し、上記の重合時に光を照射した重合
体の面と反対側の面に、昇温しつつ光を照射することを
特徴とする光ディスク基板の製造方法。