JPH04104991A - ダイヤモンドの製造方法および装置 - Google Patents

ダイヤモンドの製造方法および装置

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JPH04104991A
JPH04104991A JP21902190A JP21902190A JPH04104991A JP H04104991 A JPH04104991 A JP H04104991A JP 21902190 A JP21902190 A JP 21902190A JP 21902190 A JP21902190 A JP 21902190A JP H04104991 A JPH04104991 A JP H04104991A
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JP
Japan
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flame
diamond
container
substrate
gas
Prior art date
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JP21902190A
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English (en)
Inventor
Yukihiro Sakamoto
幸弘 坂本
Matsufumi Takatani
松文 高谷
Miki Sawai
美喜 澤井
Takeshi Miura
毅 三浦
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Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ダイヤモンドの製造方法および装置に関し、
特に、酸化炎(外炎)を消失させ燃焼炎を還元炎く内炎
)のみとした状態で効率よくダイヤモンドを形成するた
めの新規な改良に関する。
[従来の技術] 従来、用いられていたダイヤモンドの製造方法としでは
、気相法、燃焼法等があるが、その中で燃焼法の場合に
は、図示していないが、トーチからの燃焼炎のうち還元
炎(内炎)中に基板を位置させ、この還元炎(内炎)に
よって炭素化1物を基板上に析出させることにより、ダ
イヤモンドの生成を得ていた。
[発明が解決しようとする課題] 従来のダイヤモンドの製造方法は、以上のように構成さ
れていたため、次のような課題が存在していた。
すなわち、従来の方法の場きには、還元炎(内炎)と酸
化炎(外炎)から構成される燃焼炎のうち、還元炎(内
炎)内に基板を位置させてダイヤモンドの析出を行って
いるため、基板に生成したダイヤモンドが酸化炎(外炎
)の作用によってエツチングされてしまうことがあり、
基板の位置を自由に変えることができず、大面積のダイ
ヤモンド膜およびダイヤモンド膜の大量生産を行うこと
が極めて困難であった。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされた
もので、特に、酸化炎(外炎)を消失させ燃焼炎を還元
炎(内炎)のみとした状態で効率よくダイヤモンドを形
成するようにしたダイヤモンドの製造方法および装置を
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明によるダイヤモンドの製造方法は、燃焼する燃焼
炎中に基板を位置させ、前記燃焼炎により前記基板にダ
イヤモンドを生成するようにしたダイヤモンドの製造方
法において、前記燃焼炎を非大気状態で形成することに
より、前記燃焼炎の酸化炎(外炎)を消失させ、還元炎
(内炎)のみ形成させるようにした方法である。
さらに詳細には、前記非大気状態は、減圧することによ
り得られるようにした方法である。
さらに詳細には、前記非大気状態は、ガスパージにより
得られるようにした方法である。
また、他の発明であるダイヤモンドの製造装置は、燃焼
する燃焼炎中に基板を位置させ、前記燃焼炎により前記
基板にダイヤモンドを生成するようにしたダイヤモンド
の製造装置において、前記燃焼炎を形成するためのトー
チを有する容器と、前記トーチに接続されたガス源と、
前記容器内に設けられ前記基板を設けるための載置台と
、前記容器内を非大気状態とするための非大気状態形成
手段とを備えた構成である。
さらに詳細には、前記非大気状態形成手段は、減圧装置
よりなるようにした構成である。
さらに詳細には、前記非大気状態形成手段は、前記容器
に接続された不活性ガス源であるようにした構成である
さらに詳細には、前記載置台は、温度を制御するための
冷却手段が設けられている構成である。
さらに詳細には、前記ガス源は、アセチレンガスおよび
酸素ガスからなるようにした構成である。
さらに詳細には、前記載置台は、X−Y方向に移動可能
なX−Yテーブルよりなる構成である。
さらに詳細には、前記トーチは、距離りを半径として回
転できるように曲折されている構成である。
[作 用] 本発明によるダイヤモンドの製造方法および装置におい
ては、容器内における雰囲気が、非大気状態形成手段に
よって非大気状態に変えられているため、燃焼炎の炎は
、酸化炎(外炎)が消失され、還元炎(内炎)のみの状
態となっており、還元炎(内炎)のみによって基板上に
ダイヤモンドが生成される。
従って、還元炎(内炎)のみによるダイヤモンドの形成
であるため、生成中に基板を移動させた場合でも、生成
されたダイヤモンドが酸化炎(外炎)によってエツチン
グされることがなく、極めて短時間に且つ高効率にダイ
ヤモンドの生成を行うことができる。
[実施例コ 以下、図面と共に本発明によるダイヤモンドの製造方法
および装置の好適な実施例について詳細に説明する。
第1図から第7国道は、本発明によるダイヤモンドの製
造方法を適用するための製造装置を示す概略構成図、第
2図は第1図の要部を示す拡大正面図、第3図は第2図
の側面図、第4図は第2図の断面図、第5図はX−Yテ
ーブルを示す平面図、第6図は第5図の側面図、第7図
はトーチの他の実施例を示す側断面を含む構成図である
図において符号1で示されるものは全体形状がほぼ箱形
をなし密閉状態に保持された容器であり、この容器1の
上部1aには、トーチ2が設けられている。
前記トーチ2には、含炭素ガスであるアセチレンを供給
するための第1供給路3および第2供給路4が一対の逆
火防止器5.6を介して接続されており、前記各供給路
3.4には、ガス源7としてのアセチレンガス8および
酸素ガス9が各々独立して接続されている。
前記第1供給路3には、第1バルブ10、第1流量計1
1および第2バルブ12が設けられており、前記第2供
給路4には、第3バルブ13、第2流量計14および第
4バルブ15が直列に設けられている。
前記トーチ2の下端2aは、前記上部1aを貫通して容
器1内に臨んでおり、このトーチ2の下方位置には、前
記容器1の底部1bを貫通して立上げられた保持部16
上に形成された載置台17が設けられている。
前記トーチ2および載置台17には、電源18に電源ス
ィッチ19を介して接続された直流バイアス電源20が
接続されている。まな載置台17に接続された温度検出
部21は、前記載置台17内の温度センサ22に接続さ
れている。さらに、容器1に設けられた圧力センサ22
Aからの圧力信号は圧力検出部21Aにより検出されて
いる。
前記載置台17内には、この載置台17の温度を約80
0〜1000℃に保持するための冷却手段55としての
往水22および復水23がパイプ24.25を介して供
給されており、パイプ24にはフローメータ26が設け
られている。
前記載置台17は、その下部に設けられたモータ27に
よって図示しないラックピニオン等の結き手段を介して
上下動自在に構成され、この載置台17の変位状態は、
この容器1を保持している保持台28に設けられた直線
変位計29および変位計検出部30によって検出され、
その検出結果はパネルメータ31によって表示されるよ
うに構成されている。
前記モータ27には、上・止・下スイッチ32に接続さ
れており、この上・止・下スイッチ32の操作により、
このモータ27を介して載置台17を上昇・止・下降さ
せることができる。
前記各流量計11.14に電源を供給するために設けら
れた流量計用電源33は、前記各流量計11.14に供
給されていると共に、この流量計用電源33は、前記容
器1に接続された予備用ガス供給ライン34に設けられ
た予備用流量計35に接続され、この予備用ガス供給ラ
イン34に接続された第3バルブ36には、アルゴン、
チッソ等の不活性ガス源37(容器1内の非大気状態と
するための非大気状態形成手段をなす)が接続されてい
る。
前記容器1には、真空ポンプからなる減圧装置40によ
って構成された非大気状態形成手段が、粗引きライン4
1および微調ライン42を介して接続されており、この
粗引きライン41にはバルブ43が設けられていると共
に、この微調ライン42には、微調バルブ44が設けら
れている。また、この減圧装置40にはAC200V電
源40Aが接続されている。
さらに、前記容器1は、第2図に示されるように、透明
窓50を有する開閉扉51が、取手52および蝶番53
を介して開閉自在に構成されており、前記容器1を載置
する基台箱60内には、前述の減圧装置40が内蔵され
ている。
本発明によるダイヤモンドの製造装置は、前述したよう
に構成されており、以下に、この製造装置を用いた製造
方法について述べる。
まず、載置台17上に、基板61を取付け、この状態で
、各バルブ10.13を開弁してトーチ2に対してアセ
チレンガス8および酸素ガス9を供給すると共に、開閉
扉51を開いて容器1内を着火状態として開閉扉51を
閉じる。
その後、直ちに減圧装置40(非大気状態形成手段)を
作動させ、容器1内を300〜400Torrの減圧状
態(非大気状態)とすると、着火時には酸化炎(外炎)
と還元炎く内炎)とから構成されていた燃焼炎62は、
還元炎(内炎)のみの燃焼炎62となる。
この状態で、基板61が載置された載置台17を、往水
22と復水23とからなる冷却手段55を介して冷却し
、温度センサ22からの検出信号を温度検出部21を介
して直流バイアス電源20の電源を制御することにより
、前記載置台17を約800〜1000℃に制御した状
態で、所定時間、燃焼炎62の燃焼を継続すると、熱分
解されたダイヤモンド成分が基板61上に形成される。
尚、このダイヤモンド形成にあたっては、燃焼炎62に
対する基板61の高さ位置を最適な関係におく必要があ
るため、モータ27を介して載置台17を上下動させ、
基板61を最適位置に移動している。
また、アセチレンガス(C=H2)を1.51/分、酸
素ガス(02)を1.51/分供給すると共に、予備ガ
スライン34を介して、予備ガス源37からアルゴンガ
ス、チッソガス等不活性ガスを供給することにより、燃
焼炎62の燃焼状態が安定し、且つ、この不活性ガスの
供給によって、容器1内に付着するススがスパッタされ
て、スス取りが行われる。
さらに、前述の実施例では、容器1内を非大気状態とす
る手段として減圧した場合について述べたが、アルゴン
、チッソ等の不活性ガスを容器l内に供給し、ガスパー
ジ状態とした場合も、燃焼炎62を還元炎(内炎)のみ
とすることができることは述べるまでもないことである
また、前記載置台17は前述の実施例に限らず、例えば
、第5図および第6図に示すように、X−Yテーブル7
0を有する構成とすることもできる。
すなわち、このX−Yテーブル70は、X方向モータ7
1およびY方向モータ72が接続されており、このX−
Yテーブル70の下方には、前記X方向モータ71に結
合するX方向テーブル73およびY方向モータ72に結
合するY方向テーブル74が、ベツド75上で互いに積
層された状態で設けられている。
また、前記ベツド75に設けられた往水22用のパイプ
24および復水23用のパイプ25が同軸状に接続され
、前記X−Yテーブル70には、一対の曲折自在形の往
水管24aおよび復水管25aが前記各パイプ24.2
5に連通して取付けられていることにより、前記X−Y
テーブル70が前述の温度に冷却されるように構成され
ている。
従って、この載置台17を構成するX−Yテーブル70
上に基板61を載置し、各モータ71゜72を作動させ
ることにより、基板61はx−Y方向に自在に移動され
、基板61の全面にわたり均一なダイヤモンド膜を生成
することができる。
さらに、前記容器1の上部1aに設けられた前記トーチ
2は、前述の実施例に限らず、例えば、第7図に示すよ
うに、前記トーチ2を曲折させ、トーチ先端2aがトー
チ2の回転軸心2人より傷心するように構成すると共に
、このトーチ2は、前記上部1aに固定された保持部8
0のジヨイント81を介して回転自在に保持されている
前記保持部80上には、駆動モータ82が設けられ、こ
の駆動モータ82の回転軸82aに設けられた駆動ギア
83は、前記トーチ2のトーチ基部2bに設けられた従
動ギア84に噛合している。
この従動ギア84を回転することによって、トーチ基部
2bを回転することができ、前記トーチ先端2aの軸心
2Bと前記回転軸心2A間の距離りを半径として、前記
トーチ先端2aを回転させることができる。
従って、前記トーチ先端2aを距離りを半径として回転
させると共に、前述のX−Yテーブル70上の基板61
との組合わせによって、基板61上のダイヤモンド膜の
均−且つ迅速な生成を得ることができるものである。
[発明の効果コ 本発明によるダイヤモンドの製造方法および装置は、以
上のように構成されているため、次のような効果を得る
ことができる。
すなわち、容器内を非大気状態とすることにより、燃焼
炎の酸化炎(外炎)を消去し還元炎(内炎)のみとする
ことができ、生成中に基板を移動させた場合でも、酸化
炎(外炎)によるダイヤモンドのエツチング等を起すこ
となく、ダイヤモンドの生成を行うことができ、極めて
高効率のダイヤモンドの生産を可能とする効果を奏する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図から第7国道は、本発明によるダイヤモンドの製
造方法を適用するための製造装置を示す概略構成図、第
2図は第1図の要部を示す拡大正面図、第3図は第2図
の側面図、第4図は第2図の断面図、第5図はX−Yテ
ーブルを示す平面図、第6図は第5図の側面図、第7図
はトーチの他の実施例を示す側面図を倉む構成図である
。 1は容器、2はトーチ、7はガス源、17は載置台、3
7は不活性ガス源(非大気状態形成手段)、40は減圧
装置(非大気状態形成手段)、55は冷却手段、61は
基板、62は燃焼炎、70はXY子テーブルDは距離で
ある。 輩2M 特許出願人 株式会社日本製鋼所 同    上 高  谷  松  文

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1).燃焼する燃焼炎(62)中に基板(61)を位
    置させ、前記燃焼炎(62)により前記基板(61)に
    ダイヤモンドを生成するようにしたダイヤモンドの製造
    方法において、 前記燃焼炎(62)を非大気状態で形成することにより
    、前記燃焼炎(62)の酸化炎(外炎)を消失させ、還
    元炎(内炎)のみ形成させるようにしたことを特徴とす
    るダイヤモンドの製造方法。
  2. (2).前記非大気状態は、減圧することにより得られ
    ることを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドの製造
    方法。
  3. (3).前記非大気状態は、ガスパージにより得られる
    ことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドの製造方
    法。
  4. (4).燃焼する燃焼炎(62)中に基板(61)を位
    置させ、前記燃焼炎(62)により前記基板(61)に
    ダイヤモンドを生成するようにしたダイヤモンドの製造
    装置において、 前記燃焼炎(62)を形成するためのトーチ(2)を有
    する容器(1)と、前記トーチ(2)に接続されたガス
    源(7)と、前記容器(1)内に設けられ前記基板(6
    1)を設けるための載置台(17)と、前記容器(1)
    内を非大気状態とするための非大気状態形成手段(37
    ,40)とを備え、前記非大気状態形成手段(37,4
    0)で容器(1)内を非大気状態とし、前記燃焼炎(6
    2)を還元炎(内炎)のみの状態とすることを特徴とす
    るダイヤモンドの製造装置。
  5. (5).前記非大気状態形成手段は、減圧装置(40)
    よりなることを特徴とする請求項4記載のダイヤモンド
    の製造装置。
  6. (6).前記非大気状態形成手段は、前記容器(1)に
    接続された不活性ガス源(37)であることを特徴とす
    る請求項4記載のダイヤモンドの製造装置。
  7. (7).前記載置台(17)は、温度を制御するための
    冷却手段(55)が設けられていることを特徴とする請
    求項4乃至6の何れかに記載のダイヤモンドの製造装置
  8. (8).前記ガス源(7)は、アセチレンガスおよび酸
    素ガスからなることを特徴とする請求項4乃至7の何れ
    かに記載のダイヤモンドの製造装置。
  9. (9).前記載置台(17)は、X−Y方向に移動可能
    なX−Yテーブル(70)よりなることを特徴とする請
    求項4乃至8の何れかに記載のダイヤモンドの製造装置
  10. (10).前記トーチ(2)は、距離Dを半径として回
    転できるように曲折されていることを特徴とする請求項
    4乃至9の何れかに記載のダイヤモンドの製造装置。
JP21902190A 1990-08-22 1990-08-22 ダイヤモンドの製造方法および装置 Pending JPH04104991A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196094A (ja) * 1989-01-23 1990-08-02 Nippon Steel Corp 燃焼炎によるダイヤモンドの合成方法
JPH0426595A (ja) * 1990-05-17 1992-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相合成法
JPH0483797A (ja) * 1990-07-26 1992-03-17 Showa Denko Kk 気相法ダイヤモンドの合成法

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