JPH0396389A - 光学的記録方法 - Google Patents

光学的記録方法

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JPH0396389A JP2169710A JP16971090A JPH0396389A JP H0396389 A JPH0396389 A JP H0396389A JP 2169710 A JP2169710 A JP 2169710A JP 16971090 A JP16971090 A JP 16971090A JP H0396389 A JPH0396389 A JP H0396389A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光、熱等の手段により光学的性質が変化する
記録膜を基板上に備え、その光学的性質の変化を利用し
て情報の記録・再生・消去を行う光学的記録方法に係り
、特に、記録情報を長期に亘って保持できる光学的記録
方法の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
この種の光学的記録方法に利用される光記録媒体は、例
えば、第４９図に示すようにフォーカシング、並びにト
ラッキングサーボ用のプリグループ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏ
ｖｅ）　　（　ａ　）が設けられた光透過性基板（ｂ）
と、この基板（ｂ）面上に一様に設けられた記録膜（Ｃ
）と、この記録膜（ｃ）面上に一様に設けられた保護膜
（ｄ）とでその主要部が構成され、この光記録媒体の記
録膜（ｃ）へ半導体レーザ等光源からの集束光（ｆ）を
照射しその反射光を光ダイオード等の受光素子（図示せ
ず）へ入力させてその記録情報の再生を行うものである
。
ところで、従来における光学的記録方法には記録情報の
書換ができない記録・再生タイプと、この書換ができる
記録・再生・消去タイプとがあり、前者の記録・再生タ
イプとしてｊ穴開け方式１と『バブル方式１が知られて
いる。
すなわち、上記１穴開け方式１とは第５０図に示すよう
に、上記光記録媒体の記録膜（ｃ）面ヘレーザ光等を照
射し、その照射部位の記録膜（Ｃ）を融解させて基板（
ｂ）面を露出させる方式で、この開口部（ｇ）と非開口
部との反射率の違いを利用して情報の記録・再生を行う
方法であり、他方、１バブル方式１とは、第５１図に示
すようにレーザ光を照射して基板（ｂ）の一部を加熱し
、基板（ｂ）側から発生するガスの圧力を利用して照射
部位にバブル（ｈ）を形或する方式で、このバブル（ｈ
）の形成部位と非形成部位との反射率の違いを利用して
情報の記録・再生を行う方法である。
一方、記録情報の書換ができる後者の記録・再生・消去
タイプとは、第５２図に示すように光、熱等の手段によ
り上記記録１ｆｉ（ｃ）の光学的性質を可逆的に変化さ
せ、その光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生
・消去を行う方式で、具体化された方法として『相変化
方式１と『光磁気方式１とが知られている。
すなわち、上記ｊ相変化方式１とは第５３図に示すよう
に結晶質状態（　ｃｒ）にある記録膜（ｃ）の一部へ高
出力のレーザスポットを照射し、高温急速加熱処理と急
速冷却処理を施してその照射部位を結晶質状態（Ｃ『）
からアモルファス状態（　ａｍ）へ変化させ、結晶質状
態（　ｃｒ）にある部位とアモルファス状態（　ａｍ）
にある部位の反射率の違い（第５４図参照）を利用して
情報の記録・再生を行う一方、第５５図に示すように上
記記録膜（ｃ）の記録部位へ低出力のレーザスポットを
照射し、比較的ゆっくりした低温加熱処理と冷却処理を
施すことにより照射部位をアモルファス状態（　ａｍ）
から記録前の結晶質状態（　ｃｒ）へ変化させて情報の
消去を行う方法であり、他方、ｊ光磁気方式通とは、第
５６図に示すように磁性材料により構成された記録膜（
ｃ）へ矢印方向の磁界をかけた状態でレーザスポットを
照射し、その照射部位の磁化方向を反転させることでそ
のカー回転角を変化させ、このカー回転角の変化（第５
７図参照）を利用して情報の記録・再生を行う一方、第
５８図に示すように記録時とは磁界の方向を反転させた
状態で記録膜（Ｃ）の記録部位ヘレーザスポットを照射
し、その照射部位の磁化方向を記録前の状態に戻して情
報の消去を行う方法である。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、これ等従来における光学的記録方法には
、以下に示すような問題点があった。
まず、記録・再生タイプの１穴開け方式１及び『バブル
方式１においては、記録膜に形成された開口部やバブル
の形状及び記録膜自体が経時的に変化し易く記録情報の
保存安定性に欠ける問題点があり、かつ、記録情報の書
換もできないといった問題点があった。
一方、記録・再生・消去タイプの『相変化方式１におい
ては、上述したように結晶質−アモルファス間の相変化
に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生・
消去を行う方式で、記録後における記録膜にエネルギー
レベルの異なる結晶質領域とアモルファス領域が並存し
ているため、準安定状態にあるアモルファス領域が経時
的に結晶化され易く、上記ｒ穴開け方式１等と同様その
記録情報の保存安定性に欠ける問題点があった。
また、記録・再生・消去タイプのｊ光磁気方式１は、上
述したようにカ一回転角の変化を検出して記録情報を再
生する方式であるが、その記録膜にＴｂ，　Ｆｅ等酸化
を受け易い材料を含んでいるため、これ等材料が経時的
に酸化されてその記録情報の保存安定性に欠ける問題点
があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、記録情報を長期に亘って保持でき
る光学的記録方法を提供することにある。
すなわち請求項Ｉに係る発明は、 光、熱等の手段により光学的性質が変化する記録膜を基
板上に備え、その光学的性質の変化を利用して情報の記
録・再生、又は記録・再生・消゜去を行う光学的記録方
法を前提とし、 光、熱等の手段により上記記録膜を選択的に相分離させ
てその部位の光学的性質を変化させることを特徴とする
ものであり、 一方、請求項２に係る発明は請求項１に係る発明を前提
とし、 状態図上その不混和ギャップ線が液相領域に現れる記録
材料にて上記記録膜を構成し、かつ、その出力が選択的
に切換わる単一の記録消去用ビームを上記記録膜面へ照
射してワンビームによる情報の書換えを行うことを特徴
とするものであり、 また、請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明と同
様に請求項１に係る発明を前提とし、記録膜の隣接部位
に放熱作用を有する熱干渉層を設け、この記録膜につい
てその高温加熱急冷処理によりスピノーダル分解に伴う
相分離を起こさせることを特徴とするものである。
ここで、上記『相分離（Ｐｈａｓｅ　ｓｅｐａｒａｔｉ
ｏｎ）ｊとは、無機化合物、有機化合物を含め形態に違
いこそあれ複数或分からなる材料系に共通して現れる熱
力学的に説明可能゛な特徴的現象で、上記材料系の初期
相が夫々の条件にあった熱プロセスにより互いに異なっ
た組或をもつ２つの相に分離する現象をいう。そして、
相分離の形態としては、熱力学的平衡とみなせるプロセ
ス（具体的には加熱徐冷プロセス）を経て分解が達成さ
れるパイノーダル分解と、熱力学的に非平衡なプロセス
（具体的には加熱急冷プロセス）によって達成されるス
ピノーダル分解の２つの形態があり、更に、共重合体等
の有機化合物に特徴的に現れるミクロ相分離がある。尚
、上記相分離は、金属学でいう偏析（ｓｅｇｅｒｅｇａ
ｔ　ｉｏｎ　）や、包析、共析といったものとは熱力学
的に明確に区別できる現象であり、また、その状態図と
しては、不変反応を含まない不混和ギャップ、又は溶解
度ギャップと呼ばれる図に特徴的に現れる現象である。
そして、これ等発明において記録膜を構或する材料とし
ては、光、熱等の手段によりパイノーダル分解若しくは
スビノーダル分解を引起す性質を具備している、例えば
、合金、酸化物、ハロゲン化物、不定比化合物等の無機
化合物、２成分系とみなされるポリマーブレンド、俗に
『ポリマーアロイ』と呼ばれる有機化合物、及び、光、
熱等の手段によりミクロ相分離を引起こす性質を具備し
ている、例えば、ランダム共重合体、交互共重合体、ブ
ロック共重合体、グラフト共重合体、定序性高分子等が
ある。
ここで、上記ｊバイノーダル分解』とｊスピノーダル分
解１について図面を参照して詳細に説明する。
まず、第６図はその混合割合いが［χモル％コのＡ成分
と、［（１−χ）モル％コのＢ或分とで構成される二威
分系混合体の、ＴｃとＴ，の温度における均質混合系と
不均質混合系での自由エネルギ差（ΔＧ）のχに対する
変化を示したグラフ図である。
このグラフ図において、温度ＴｅにおけるΔＧχ曲線は
、全組成域でＡ−Ｂ系が均質混合体として存在する方が
安定であることを示しており、また、温度Ｔ１における
ΔＧ一χ曲線は、ａとｂの組戊間で、系はａとｂの組或
から成る不均質混合体になる方が安定であることを示し
ている。
また、第７図において実線で示した曲線（Ａ）は上記Δ
Ｇ−χ曲線における点ａとｂの温度に対する軌跡をプロ
ットしたものであり、一方、破線で示した曲線（Ｂ）は
上記ΔＧ−χ曲線における変曲点ｃ，ｄの軌跡をプロッ
トしたもので、上記曲線（　Ａ．　）で囲まれた温度一
組成域が不混和領域であることを示している。
そして、第７図において不混和ギャップ線である曲線（
Ａ）と曲線（Ｂ）で囲まれた温度一組成域をパイノーダ
ル領域といい、この領域内での相分離はパイノーダル分
解機構によって進行するものである。すなわち、この領
域内では単一相中に生じた組或変動の内、ある限界値以
上の組成変動のみが安定に生き残り、それが相分離にお
ける核となり、その核が或長ずることで相分離が進行す
る。そして、相分離の初期段階から二相間の界面での組
成差がはっきりしており、第８図の電子顕微鏡写真概略
拡大図に示すように成長した核が母相と絹成の異なる球
状の結晶（アモルファスの場合もある）となりＲａｙｌ
ｅｉｇｈ散乱を起こしている。
従って、この相分離を引起した部位と起こさない部位と
でその反射率に差異が生ずるため、この反射率の差異を
利用して光学的記録が可能となるものである。
一方、第７図において曲線（Ｂ）で囲まれた温度一組成
域をスピノーダル領域といい、この領域内での相分離は
スピノーダル分解機構によって進行する。すなわち、こ
の領域内では単一相中に最初生じた微小な組成変動は相
分離を助長させ、相分離は拡散支配により進行する。そ
して、相分離の初期の段階では二相の界面での組成差は
連続的であり、第９図の電子顕微鏡写真概略拡大図に示
すように相分離構造は二相がからみ合った形態をとって
おり、パイノーダル分解同様、Ｒａｙｌｅｉｇｈ散乱を
起こす。従って、この場合においても、相分離を引起し
た部位と起こさない部位とでその反射率に差異が生ずる
ため、この反射率の差異を利用して光学的記録が行える
ものである。
ここで、スピノーダル分解は上記パイノーダル分解に較
べて核生成を伴わないため、その分この分解に要するエ
ネルギが少なくてよく、パイノーダル分解より速い速度
で相分離が進行する。
請求項３に係る発明はスピノーダル分解のこの性質を利
用したもので、パイノーダル分解に伴う相分離を利用す
る方法に較べてスピノーダル分解を利用する請求項３に
係る記録方法の方がより速く記録を行うことができる利
点を有している。
更に、パイノーダル分解機構により相分離された部位に
ついて、スピノーダル分解を引起させることも可能であ
り、また、反対にスピノーダル分解により相分離された
部位をパイノーダル分解させることも可能である。すな
わち、いずれか一方の状態にある記録膜を、その不混和
ギャップ線より高い温度に加熱して一旦単一相の状態に
戻した後、この記録膜を徐冷処理してパイノーダル分解
させるか又は急冷処理してスピノーダル分解させること
により互いに他方の分離状態に移行させることができる
。そして、パイノーダル分解に伴う相分離を引起した部
位とスピノーダル分解に伴う相分離を引起した部位とで
はその反射率に差異が生ずるためこの反射率の差異を利
用することで、すなわち、一方の相分離状態を記録状態
に対応させ他方の相分離状態を消去状態に対応させるこ
とにより光学的記録を行うことも可能である。
尚、このスビノーダル分解とパイノーダル分解間の相分
離を利用する記録方法において、その記録膜の急冷処理
又は徐冷処理は照射ビームの出力を切換えることにより
施すことができるため、その出力が選択的に切換わる単
一の記録消去用ビームを適用することによりワンビーム
による情報の書換えが可能となる利点を有している。
また、上記スビノーダル分解とパイノーダル分解間の相
分離を利用する記録方法に加えて、例えば、記録材料の
アモルファス相とパイノーダル分解に伴う相分離間の光
学的性質の相違を利用した方注においてもワンビームに
よる情報の書換えが可能である。すなわち、いずれか一
方の状態にある記録膜をその不混和ギャップ線より高い
温度に加熱して一旦単一相の状態に戻した後、この記録
膜を徐冷処理してパイノーダル分解に伴う相分離を引起
こさせるか又は急冷処理してアモルファス相にすること
により互いに他方の状態に移行させることができる。従
って、例えばそのアモルファス相を記録状態に対応させ
他方の相分離状態を消去状態に対応させることによりワ
ンビームによる情報の書換えが可能となる。
更にまた、核成長を伴うパイノーダル分解により相分離
が進行している場合、この核内においてスピノーダル分
解が並行して進行することもある。
この場合、パイノーダル分解単独のものと較べて核内に
からみ合い構造がみられるため、この相分離を引起した
部位の反射率はパイノーダル分解単独の場合と較べて異
なることとなる。
従って、相分離を起こしてない部位と、パイノーダル分
解とスピノーダル分解を起こしている部位、並びに、パ
イノーダル分解のみを起こしている部位の反射率の違い
を利用して３値化信号を記録することも可能である。
次に、上記不混和ギャップは、Ａ或分とＢ成分で示した
二成分系混合体において、その固相領域（例えば第１０
図〜第１４図に示す状態図等参照）に現れる場合と液相
領域（例えば第１５図〜第１７図に示す状態図等参照）
に現れる場合があるが、いずれの記録材料を適用した場
合においてもその記録時におけるレーザ等の照射条件は
その記録材料の不混和ギャップ線より高い温度に設定す
る必要がある。
ここで、不混和ギャップが液相領域に現れる記録材料を
適用した場合、所定温度に設定されたレーザの照射によ
りその記録膜が溶融し記録膜の二成分系混合体が均一に
混和されて単一相の状態となり、しかる後、再度新たな
状態に向かって記録膜が冷却されて相分離するため、こ
の冷却速度を調整することにより上述したワンビームに
よる情報の書換えが可能になる利点を有している。
尚、上述した請求項２に係る発明は、この不混和ギャッ
プ線が液相領域に現れる記録材料の特質を巧みに利用し
たもので、 状態図上その不混和ギャップ線が液相領域に現れる記録
材料にて記録膜を構成し、 かつ、その出力が選択的に切換わる単一の記録消去用ビ
ームを上記記録膜面へ照射してワンビームによる情報の
書換えを行うことを特徴としたものである。
一方、上記不混和ギャップが固相領域に現れる記録材料
を適用した場合、たとえレーザ等の照射条件を不混和ギ
ャップ線より高い温度に設定したとしても、その温度条
件下において記録膜は固相状態にあることからその拡散
速度が遅く、従って、記録膜が必ずしも完全な均一相に
ならなくなって上記ワンビームによる情報の書換え方式
が適用できないことがある。そこで、不混和ギャップが
固相領域に現れる記録材料を適用した場合においては、
レーザ等の照射条件を上記固相領域より高い液相領域以
上の温度に設定することでワンビームによる情報の書換
え方式の適用が可能になる。但し、ワンビームによる情
報の書換え方式を採らない場合には、上記レーザ等の照
射条件を固相領域の温度に設定しても当然のことながら
よい。
そして、上述したようなパイノーダル分解又はスピノー
ダル分解を引起す材料としては、合金、及び、以下の元
素群から選択された各元素の酸化物又はハロゲン化物の
内から２種以上の酸化物又はハロゲン化物の混合系が挙
げられる。
すなわち、 ＩＡ族（Ｌｉ，　Ｎａ，　Ｋ　，　Ｒｂ，　Ｃｓ，　Ｆ
ｒ）ＩＩＡ族（ＢｅＳＭｇＳＣａＳＳｒ、Ｂａ，　Ｒａ
）ＩＩｒＡ族（Ｓｃ，　Ｙ　） ＩＶＡ族（Ｔｉ，　Ｚｒ，　Ｉｆ） ＶＡ族（Ｖ　，　Ｎｂ，　Ｔａ） ＶＩＡ族（Ｃｒ，　Ｍｏ，　Ｗ　） ■Ａ　族　（Ｍｎ，　　Ｔｃ，　　Ｒｅ）’ａＡ族（Ｆ
ｅ，　Ｃｏ，　Ｎｉ，　Ｒｕ，　Ｒｈ，　Ｐｄ，　Ｕｓ
，Ｉｒ，Ｐｔ） ＩＢ族（Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｕ） ｎＢ族（Ｚｎ，　Ｃｄ，　Ｈｇ） ＩＩＩＢ族（Ｂ　，　ＡＩ、Ｇａ，　ＩｎＳＴｌ）ＩＶ
Ｂ族（ＳｉＳＧｅ，　Ｓｎ，　Ｐｂ）ＶＢ族（Ａｓ，　
Ｓｂ，　Ｂｉ） ＶＩＢ族（Ｓｅ，　Ｔｅ，　Ｐｏ） ランタノイド （Ｃｅ，　Ｐｒ，　ＮｄＸＰｍ，　ＳｒｎＸＥｕ，　Ｇ
ｄ．　Ｔｂ，Ｄ）７，　ＨＯ，　Ｅｒ，　Ｙｂ） アクチノイド （Ａｃ，　Ｔｈ，　Ｐａ） 具体的な材料を挙げると、第１０図〜第ｌ２図に示した
状態図のパイノーダル曲線（Ａ）からパイノーダル分解
を引起こすことが確認されている以下の合金、及び、第
ｌ３図に示した状態図のスピノーダル曲線（Ｂ）からス
ピノーダル分解を引起こすことが確認されている以下の
合金、すなわち、ＰｂＴｅ　−　ＧｅＴｅａ合系（第１
０図）Ａｕ−Ｐｔ混合系（第１１図） Ａｕ−Ｎｉ混合系（第１２図） ＰｂＳ　−　ＰｂＴｅ混合系（第１３図）及び、 ＧｅＳｅ２−　ＧｅＳｅ混合系 （例えば、Ｇｅ＋　ｌ．　ａｓｓｅｓｓ．　ｔｓ）Ａｓ
−Ｇｅ−Ｔｅ混合系 （例えば、ＡｓｎＧｅ＋ｓＴｅｓ＋　）等の合金や、 カツコ内の文献によりパイノーダル分解又はスピノーダ
ル分解を引起すことが確認されている以下の酸化物一酸
化物混合系材料、すなわち、ＬｉＪ　　ＳｉＬ混合系 （　Ｙ．　Ｍａｒ　ｉｙａ，　Ｄ．　Ｈ．　Ｗａｒｒ　
ｉｎｇｔｏｎ，　Ｒ．　Ｗ．　Ｄｏｕｇｌａｓ．Ｐｈｙ
ｓ．　Ｃｈｅｍ．　Ｇｌａｓｓｅｓ．　８，　１９，　
（１９６７）　）ＮａｚＯ−　ＳｒＯｔ混合系 （Ｙ．　Ｍｏｒｉｙａ．　Ｄ．　Ｈ．　Ｗａｒｒｉｎｇ
ｔｏｎ，　Ｒ．　Ｗ．　Ｄｏｕｇｌａｓ，Ｐｈｙｓ．　
Ｃｈｅｍ．　Ｇｌａｓｓｅｓ，　８，　１９，　（１９
６７）　）ＢａＯ　−Ｓｉｎ．混合系 （　Ｔ．　Ｐ．　Ｓｅｗａｒｄ，　Ｄ．　Ｒ．　Ｏｈ　
ｌｍａｎｎ，　Ｄ．　Ｔｕｒｎｂｕ　ｌ　ｌ，Ｐｈｙｓ
．Ｃｈｅｍ．Ｇ１ａ．ｓｓｅｓ，５１．２７８（１９６
７））Ａｌｔｏｓ　−Ｓｉｆ２混合系 （Ｊ．Ｆ．Ｍａｃｄｏｗｅｌｌ．Ｇ．Ｈ．Ｂｅａｌ，Ｊ
．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，５２．１７（１９６９
））１３２０１　　Ｓｉｆｔ混合系 （　Ｒ．　Ｊ．　Ｃｈａｒｌｅｓ，　Ｆ．　Ｇ．　Ｗａ
ｇｓｔａｇｇ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．．５１
．１６（１９６８））ＬｉｌＯ　　ＢＪｓ混合系 （Ｒ．Ｒ．Ｓｈａｗ，Ｄ．Ｒ．Ｕｈｌｍａｎｎ．Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．．５１，３７７（１９６８）
）Ｎａ．（１　−　Ｂ．Ｏｉ混合系 （　Ｒ．　Ｒ．　Ｓｈａｗ，　Ｄ．　Ｒ．　Ｕｈ　ｌｍ
ａｎｎ，Ｊ．Ａ＋＋＋．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，５１，
３７７（１９６８））Ｋ２０　ＢＪ＊混合系 （　Ｒ．　Ｒ．　Ｓｈａｗ，　Ｄ．　Ｒ．　Ｕｈ　ｌ．
ｍａｎｎ＋Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．．５１，３
７７（ｉ９６８））Ｒｂ２０−　８２０．混合系 （Ｒ．Ｒ．Ｓｈａｗ，Ｄ．Ｒ．Ｕｈｌｍａｎｎ，Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．．５１，３７７（１９６８）
）Ｃｓ．Ｏ　−　Ｂ，Ｏｚ混合系 ？Ｒ，Ｒ．Ｓｈａｗ，Ｄ．Ｒ．ＵｈＩｍａｎｎ＋Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，５１，３７７（１９６８）
）ＰｂＯ　　Ｂ２０３混合系 （Ｊ．Ｈ．Ｓｉｍｏｎｓ，Ｊ．Ａ＋ｎ．Ｃｅｒａｍ．Ｓ
ｏｃ．．５６，２８６（１９７３））の材料群、及び、
第１４図〜第３０図に示した状態図の不混和ギャップ線
（Ａ）から相分離を引起すことが確認されている以下の
酸化物一酸化物混合系材料、 すなわち、 ＺｒＯ２−　Ｔｈｅ．混合系（第１４図）ＣａＯ−Ｓｉ
ｎ．混合系（第１５図） Ｂ２０３　　ＰｂＯ混合系（第ｌ６図）Ｂ２０ｓ　　’
ｂｕｓ混合系（第１７図）Ｓｎｏｗ　　Ｔｉ０２混合系
（第１８図）ＮｉＯ　−　Ｃｏｏ混合系（第１９図），
ＡＩ．Ｏ＋　−　ＣｒｚＯｓ混合系（第２０図）ＳｉＯ
ｚ　　Ａｌ■０，混合系（第２１図）ＺｎＷＯ＋　　Ｍ
ｎＷＯ＜混合系（第２２図）ＣａＷＯｔ　−　ＮａＳｍ
（ＷＯ＋　）ｔ混合系（第２３図）ＣａＷＯ＋　　Ｓｍ
ｚ（ＷＯ＜）ｓ混合系（第２４図）？ｎＭｏＯ＜　−　
ＺｎＭｏＯ４混合系（第２５図）ｐｅ２Ｔｉｏ＋　−　
ＦｅｓＯ＜混合系（第２６図）Ｃａ３ＣｒｔＳＬ（Ｌ２
Ｃａ＊Ｆｅ２ＳｉｓＯ＋■混合系（第２７図）６５Ｍｇ
ＳｉＯ，／３５ＦｅＳｉＯｓ−ＣａＳｉＯ３混合系（第
２８図）ＬｉＡｌｓＯ＊　　ＬｉＦｅｓＯ＊混合系（第
２９図）ＮａＡＩＳ！ｓｏｎ　−　ＫＡＩＳｉｚＯｇ混
合系（第３０図）等の材料群、及び、 ＮａｔＱ　　Ｂ２ｕｓ　　Ｓｊ０１混合系等があり、ま
た、第３１図〜第４５図に示した状態図の不混和ギャッ
プ線（Ａ）から相分離を引起すことが確認されている以
下のハロゲン化均一ハロゲン化物混合系材料、 すなわち、 ＬｉＣＩ−ＮａＣＩ混合系（第３１図）ＫＣＩ　−　Ｎ
ａＣＩ混合系（第３２図）ＣｓＣｌ　−　ＴＩＣＩ混合
系（第３３図）ＣａＣｌｚ　−　ＭｎＣＩ２混合系（第
３４図）ＣａＣｌｚ　　ＳｒＣｌｚ！合系（第３５図）
ＬｉＢｒ−ＡｇＢｒ混合系（第３６図）ＡｇＢｒ　−　
ＮａＢｒ混合系（第３７図）ＫＢｒ　−　ＮａＢｒ混合
系（第３８図）ＴＩＢｒ　−　ＣｓＢｒ混合系（第３９
図）Ｋｌ−Ｎａｌ混合系（第４０図） ＮａＩ　−　Ｃａｌｔ混合系（第４ｌ図）（Ｇａｉｔ）
２ＮａＧａｌ＜混合系（第４２図）（Ｇａｉｔ）ｔ　　
ＫＧａＩ，混合系（第４３図）（Ｇａｌｓ）２ＲｂＧａ
Ｉ４混合系（第４４図）ＧａＡＩＩ４−Ｇａｍｌ＋混合
系（第４５図）等の材料群がある。
また、上記パイノーダル分解又はスピノーダル分解を引
起こす他の材料としては、酸化物、ハロゲン化物等の不
定比化合物を挙げることができる。
ここで、この不定比化合物とは、元素Ｍと元素Ｘから或
る化合物においてその組成が定比よりずれている化合物
をいい、その元素Ｍと元素Ｘとが（ｍ一δ）対ｎの割合
で化合している不定比化合物（但し、ｍ，ｎは正の整数
、δは０くδくＩを満たす数である）の場合、δは組成
の定比からのずれの程度を表し『不定比率』という。こ
の組或の定比よりのずれは、元素Ｍ又は元素Ｘが格子欠
陥を有することによって生ずる。格子欠陥として、例え
ば、空格子を持つような場合、空格子間に引力が作用し
、これが定比化合物とは異なった性質を呈する一因とな
っている。
そして、この不定比化合物においては、この化合物を構
成する元素Ｍと元素Ｘから或る２戊分系混合体とみなす
ことができ、上記記録材料と同様にパイノーダル分解又
はスビノーダル分解を引起こすものである。すなわち、
このような不定比化合物においては、温度の変化により
パイノーダル分解又はスビノーダル分解を引起こして空
格子点の多い相と少ない相（すなわち、その不定比率の
相違する２つの相）に相分離するものである。
このような不定比化合物としては、ベリリウム（Ｂｅ）
　、ホウ素ＣＢ）、マグネシウム（Ｍｇ）　、アルミニ
ウム（ＡＩ）、珪素（Ｓｉ）　、スヵンジウム（Ｓｃ）
　、チタン（Ｔｆ）　、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃ
ｒ）、マンガン（Ｍｎ）　、鉄（Ｆｅ）　、コバルト（
ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）　、銅（Ｃｕ）　、亜鉛（Ｚ
ｎ）、ガリウム（Ｇａ）　、ゲルマニウム（Ｇｅ）、砒
素（Ａｓ　）、セレン（Ｓｅ）、ルビジウム（Ｒｂ）、
イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）　、ニオブ
（Ｎｂ）　、モリブデン（Ｍｏ）　、テクネチウム（Ｔ
ｃ）　、ルテニウム（Ｒｕ）　、ｏジウム（Ｒｈ）　、
パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）　、カドミウム（Ｃｄ
）　、インジウム（　Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）　、アンチモ
ン（ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ハフニウム（Ｉｆ）　、
タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒ
ｅ）　、オスミウム（Ｏｓ）　、イリジウム（ｂ）、白
金（Ｐｔ）　、金（Ａｕ）　、タリウム（ＴＩ）　、鉛
（Ｐｂ）　、ビスマス（Ｂｉ）　、セリウム（Ｃｅ）　
、ブラセオジム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメ
チウム（Ｐｍ）　、サマリウム（Ｓｍ）　、ユウロビウ
ム（Ｅｕ）　、ガドリウム（Ｇｄ）　、テルビウム（Ｔ
ｂ）　、ジスプロシウム（Ｄｙ）　、ホルミウム（Ｈｏ
）、エルビウム（Ｅｒ）　，ツリウム（Ｔｍ）、イッテ
ルビウム（Ｙｂ）　、ルテチウム（Ｌｕ）　、及び、ウ
ラン（Ｕ）より選択された少なくとも１以上の金属性元
素と、 酸素（０）、イオウ（Ｓ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）、
ヨウ素（■）、臭素（Ｂｒ）　、および、塩素（ＣＩ）
より選択された少なくとも１以上の元素とから成る化合
物が適用できる。
更に、状態図上、温度に対して上に凸なる単調な曲線が
現れる無機系材料は上記不混和ギャップを通常有してお
り、本発明の記録材料として適用可能である。
そして、上記不定比化合物及び無機系材料の具体例とし
ては、第４６図〜第４８図に示した状態図の不混和ギャ
ップ線（Ａ）から相分離を引起すことが確認されている
以下の材料群、すなわち、ＣｅＯ．系（第４６図） Ｂｉ　　ＢｉｚＯｓ混合系（第４７図）ＣａＣＯａ　　
ＭｎＣＯｓ混合系（第４８図）等の記録材料群が挙げら
れる。
また、上記記録材料として適用できる有機系の材料とし
ては、パイノーダル分解又はスピノーダル分解を引起こ
す『ボリマーアロイ』と称されるポリマーブレンドや、
ミクロ相分離を引起こすランダム共重合体、交互共重合
体、ブロック共重合体、グラフト共重合体、並びに定序
性高分子等がある。
そして、無機系の記録材料を適用した場合について説明
すると、パイノーダル分解若しくはスピノーダル分解を
引起す上記無機系の材料を基板上に着膜してこれを単一
相の結晶質状態又はアモルファス状態に調整し、この調
整された記録膜へ光、熱等のビームを照射して選択的に
相分離させ、この部位の反射率を変化させて情報の書込
みを行い、これを記録・再生専用型の光記録媒体に供｛
７たり、あるいはこの相分離させた部位に光、熱等のビ
ームを照射してその照射部位を溶融させ、この溶融部位
を初期状態に戻すことにより記録・再生・消去用の光記
録媒体に供するものである。
尚、不混和ギャップが液相領域に現れる無機系記録材料
を適用した場合、あるいは、不脛和ギャップが固相領域
に現れる無機系記録材料を適用した場合であってレーザ
等の照射条件を液相領域以上の温度に設定した場合には
上述したワンビームによる情報の書換え方式の適用が可
能である。
一方、有機系の記録材料を適用した場合について説明す
ると、パイノーダル分解若しくはスピノーダル分解、又
はミクロ相分離を引起こす上記有機系の材料を基板上に
着膜してこれを単一相状態に調整し、この調整された記
録膜へ光、熱等のビームを照射して選択的に相分離させ
、この部位の反射率を変化させて情報の書込みを行い、
これを記録・再生専用型の光記録媒体に供したり、ある
いはこの相分離させた部位に光、熱等のビームを照射し
てその照射部位を溶融させ、この溶融部位を初期状態に
戻すことにより記録・再生・消去用の光記録媒体に供す
るものである。
ここで、上記記録膜を形成する基板材料として基板側か
ら照射するタイプにおいては、ガラス、及び、光透過性
のアクリル、ポリカーポネート、エポキシ等の樹脂材料
が利用でき、一方、基板の反対側から照射するタイプに
おいてはアルミニウム等の金属材料が利用できる。尚、
基板として樹脂材料を使用した場合には、基板の熱的損
傷を防ぐため基板と記録膜間に、例えば、Ｓｉｎ２、Ｚ
ｒ０２、ＺｎＳ等で構成される熱干渉層を介装してもよ
い。
特に、Ｓ　ｉｔＬ等放熱作用を有する熱干渉層を記録膜
の隣接部位に設けることで記録膜の高温加熱急冷処理が
施せるため、スピノーダル分解に伴う相分離を情報記録
手段として利用する請求項３に係る発明の適用が可能に
なる。
また、記録膜の表面を保護する目的で記録膜面上に、上
記熱干渉層を構成する材料や、紫外線硬化樹脂、アクリ
ル、ポリカーポネート、エポキシ樹脂等により保護膜層
を設けてもよく、更に、上記記録膜からの反射光量を高
める目的で記録膜面上にＺｎＳ等の高屈折率層を設けて
もよい。
次ニ、パイノーダル分解又はスピノーダル分解を引起す
性質を有する無機系材料にて構成される記録膜を基板上
に被着させる手段としては、熱蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、反応性スパッタリング法、化学的気相成長法
（ＣＶＤ）　、イオン支援蒸着法（ＩＡＤ）　、分子線
エピタキシ法（ＭＢＥ）等が適用でき、一方、パイノー
ダル分解若しくはスピノーダル分解、又はミクロ相分離
を引起す性質を有する有機系材料にて構成される記録膜
を基板上に彼着させる手段としては、上述した共重合体
等を基板上において直接重合反応させて彼着させてもよ
く、あるいは共重合体等を溶解した２次化合物を適宜手
段で基板上に塗布して彼着させてもよい。
尚、この技術的手段については、記録情報の書換が可能
であるため、記録・再生・消去タイプに適用されるが、
記録情報の保存安定性が良好なため、上述したように記
録・再生専用タイプにも当然のことながら適用できる。
〔作用〕
請求項ｌに係る発明によれば、 光、熱等の手段により記録膜を選択的に相分離させてそ
の部位の光学的性質を変化させているため、上記記録膜
の経時的な状態変化が起こり難くこの相分離状態を長期
に亘って保持することが可能となり、 一方、請求項２に係る発明によれば、 状態図上その不混和ギャップ線が液相領域に現れる記録
材料にて記録膜を構威し、 かつ、その出力が選択的に切換わる単一の記録哨去用ビ
ームを上記記録膜面へ照射してワンビームによる情報の
書換えを行うため、書換え操作の簡略化を図ることが可
能となり、 また、請求項３に係る発明によれば、 記録膜の隣接部位に放熱作用を有する熱干渉層を設け、
この記録膜についてその高温加熱急冷処理によりスピノ
ーダル分解に伴う相分離を起こさせているため、相分離
に要する時間の短縮化を図ることが可能となる。
尚、本発明者は、請求項１〜３に係る発明において記録
膜の相分離状態が長期に亘って保持される理由について
以下のように推論している。
すなわち、相分離を引起している領域の記録膜が元の状
態に戻ってしまうためには、記録膜を構成するかなり多
くの原子がかなりの距離を拡散する必要がある。
しかし、少なくとも室温下において固相状態にある記録
膜については、これを構成する原子の拡散速度が極めて
遅く、また集団的でないので上記記録膜の経時的状態変
化が起こり難いことがまず考えられる。
また、相変化型記録材料の経時変化が隣接原子間の微小
な配置変動によって起こっていることとの対比からも本
発明において記録膜の経時的状態変化が起こり難いこと
が推論できる。
？実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
◎寒二里亘男 この実施例において使用された光記録媒体は、第１図に
示すように、厚さ１．２ｍｍ，直径５インチ１／４（Ｉ
ＳＯ標準）の耐熱性プラスチック（ポリカーボネート）
基板（１）と、この基板（１）面上に形成された厚さ１
０００オングストロームのＳｉＬ製熱干渉層（２）と、
この熱干渉層（２）面上に形戊されたＬｉＯ■−ＳｉＯ
■系混合体製の記録膜（３）とでその主要部が構成され
ているものである。
尚、記録膜（３）は、Ｌｉｄ．とＳｉｎ！の２のターゲ
？トを用いたスパッタリング法により（ＬｉＯ２）ｔｓ
（ＳｉＯ■）７５混合体を基板（１）の熱干渉層（２）
上に着膜して単一相の結晶質状態に調整されているもの
である。
そして、上記光記録媒体を１８０Ｏ　ｒｐｍで回転させ
、この状態で出力１０ｍＷ，周波数３．７ＭＨｚのレー
ザビームを記録膜（３）の記録領域へ照射し、照射部位
の記録膜温度を第２図に示す状態図の不混和領域温度に
設定することにより、記録膜（３）の一部についてパイ
ノーダル分解を引起させ、選択的に相分離させることで
その部位の反射率を変化させ情報の書込みを行うもので
ある。
一方、上記光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、
この状態で出力１ｍＷのレーザビームをその記録膜（３
）へ照射し、この反射ビームを受光素子により読取らせ
て記録情報の再生を行うもので、その再生信号のＣ／Ｎ
比は５０ｄＢであった。
尚、この光記録媒体は、記録・再生専用型の記録媒体と
して適用した。
このように、この実施例に係る光学的記録方法において
は、結晶質状態にある単一相の記録膜（３）の一部につ
いて『相変化方式ｊにおける相変化でなしにパイノーダ
ル分解に伴う相分離により光学的性質を変化させている
ため、状態変化が起り難くなってこの相分離状態を長期
に亘って保持できると共に、パイノーダル分解に伴う相
分離によりその部位の反射率が他の部位に較べて大きく
変化するため、記録膜（３）からの反射光のコントラス
トを大きくすることが可能となる。
従って、記録情報の保存安定性とＣ／Ｎ比を著しく向上
できる利点を有している。
◎星≦』（４剋 この実施例に係る光学的記録方法は、上記記録膜（３）
の上に更に高屈折率材料のＺｎＳ製高屈折率層（４）を
設けた光記録媒体を使用した点を除いて第一実施例に係
る光学的記録方法と略同一である。
そして、この実施例においても第一実施例と同様の利点
を有している他、更に、上記高屈折率層（４）の作用に
より記録膜（３）からの反射光量が増大するため、その
再生信号のＣ／Ｎ比が５３ｄＢ（第一実施例においては
５０ｄＢ）と向上する利点を有していた。
？玉二』０４図 この実施例に係る光学的記録方法は、この方法において
使用された光記録媒体（第４図参照）の記録膜（３）が
不定比化合物であるＴ　ｅ　Ｑ　ｔにより構或されてい
る点と、この記録膜（３）が直接基板（１）上に形成さ
れている点を除き第一実施例と略同一である。
ここで、上記記録膜（３）は、酸素ガスを存在させた状
態でＴｅのターゲットを用いたＲＦイオンブレーティン
グ法により基板（１）上にＴｅＯ■を着膜して単一相の
結晶質状態に調整されているものである。
尚、上記Ｔ　ｅ　Ｏ　ｔ中におけるＸは、ｘ　＝　１．
７５の値を示した。
また、ＲＦイオンブレーティングの設定条件は？下の通
りである。
ターゲットの蒸発方法：抵抗加熱 電子ビーム蒸着 雰囲気：Ａｒ圧力−　Ｉ　Ｘ　１０−”　〜Ｉ　ＰａＯ
■圧力−＝　ｌ　ｘ　１０−２〜Ｉ　ＰａＲＦパワー：
　　１００〜ＩＯＯＯＫＷＲ　ａ　ｔ　ｅ　：　　０．
５　〜ＩＯＡ／ｓｅｃまた、上記光記録媒体への情報の
書込み操作は、光記録媒体を１８００　ｒａｍで回転さ
せ、この状態で出力６　ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚのレ
ーザビームを記録膜（３）の記録領域へ照射し、その照
射部位の記録膜（３）を一旦溶融させた後、これを冷却
することでパイノーダル分解を引起させながら選択的に
相分離させることにより行った。
一方、上記光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、
この状態で出力１ｍＷのレーザビームをその記録膜（３
）へ照射し、この反射ビームを受光素子により読取らせ
て記録情報の再生を行うもので、その再生信号のＣ／Ｎ
比は５５ｄＢであった。
尚、７　ｅ　Ｏ　ｘにより構成された記録膜（３）が相
分離を引起こしている点については、ＴＥＭ写真（透過
型電子顕微鏡写真）により照射部位の構造がパイノーダ
ル分解特有の構造になっていることから確認している。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においては、
記録情報の保存安定性に優れた利点を有しており、特に
、再生信号のＣ／Ｎ比については上述したように５５ｄ
Ｂを示しており、第二実施例（第二実施例においては５
３ｄＢ）のものより優れていた。
また、この光記録媒体は記録・再生専用型の記録媒体と
して適用されている。
◎玉ヱ１１１１虹込 この実施例に係る光学的記録方法は、第５図に示すよう
にその基板（１）上にＳｉＯｚ製の熱干渉層（２）を設
け、かつ、この熱干渉層（２）面上にＴｅａ．製の記録
膜（３）を形成した光記録媒体が使用されている点を除
き第三実施例に係る記録方法と略同一である。
すなわち、上記記録膜（３）が単一相の結晶質状態に調
整された光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、こ
の状態で出力１０ｍＷ，周波数３．７ＭＨｚのレーザビ
ームを記録膜（３）の記録領域へ照射し、その照射部位
の記録膜（３）を一旦溶融させた後これを冷却すること
で選択的に相分離させることにより情報の書込みが行わ
れている。
尚、この光記録媒体は、第三実施例と同様に記録・再生
専用型の記録媒体として適用されている。
そして、この実施例においては、上記光記録媒体の記録
膜（３）面ヘレーザビームを照射して情報の書込みを行
う場合、書込み時のビーム出力が１０ｍＷと高く、かつ
、第三実施例に係る光記録媒体と異なり熱干渉層（２）
を備え、この熱干渉層（２）の放熱作用により照射部位
の記録膜温度が第三実施例のそれより急冷されるため、
この照射部位はパイノーダル分解でなしにスピノーダル
分解を引起すこととなる。
従って、第三実施例においてはパイノーダル分解を起こ
した部位の反射率が他の部位に較べ低くなる性質を利用
して光学的記録を行っていたのに対し、この実施例にお
いてはスピノーダル分解を起こした部位の反射率が他の
部位より高くなる性質を利用して光学的記録を行ったも
のである。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においても、
他の実施例と同様に記録情報の保存安定性に優れた利点
を有しており、かつ、再生信号のＣ／Ｎ比についても５
０ｄＢを示しており、従来のものと較べて高い値を示し
ていた。
更に、この実施例に係る光学的記録方法においてはスピ
ノーダル分解に伴う相分離を利用して情報の記録を行っ
ているため、第三実施例に較べてその書込み速度が速ま
る利点を有していた。
◎星ＩＪｔΔ この実施例に係る光学的記録方法は、第四実施例におけ
る光記録媒体を適用し、かつ、その記録膜（３）のスビ
ノーダル分解とパイノーダル分解間の相分離を利用して
ワンビームによる情報の書換えを行っている点を除き第
四実施例と略同一である。尚、この場合、スピノーダル
分解に伴う相分離を記録状態に、また、パイノーダル分
解に伴う相分離を消去状態に対応させている。
すなわち、記録膜（３）が単一相の結晶質状態に調整さ
れた光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、この状
態で出力８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚのレーザビームを
上記記録膜（３）面へ一様に照射してこの記録膜（３）
を一旦溶融させた後、これを徐冷してパイノーダル分解
に伴う相分離を一様に起こさせて記録膜（３）の初期化
を行った。
次に、初期化された光記録媒体を１８００　ｒｐｒｎで
回転させ、この状態で出力１０ｍＷ，周波数３．７ＭＨ
ｚのレーザビームを上記記録膜（３）の記録領域へ照射
し、その照射部位の記録膜（３）を一旦溶融させた後こ
れを急冷することでスピノーダル分解に伴う相分離を引
起こさせて情報の書込みを行った。
一方、この情報が書込まれた光記録媒体を１８０Ｏｒｐ
ｍで回転させ、この状態で出力１ｍＷのレーザビームを
その記録膜（３）へ、照射すると共に、この反射ビーム
を受光素子により読取らせて記録情報の再生を行った。
尚、再生信号のＣ／Ｎ比は第四実施例と略同一であった
。
また、上記光記録媒体に書込まれた情報を書換える場合
には、この光記録媒体を１８０Ｏ　ｒｐｍで回転させ、
この状態でその出力が選択的に切換わる単一の記録消去
用ビーム（記録時の出力１０ａ＋Ｗ、消去時の出力８　
ｍＷ，周波数３．７　ＭＨｚ）を照射することにより行
った。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においても、
他の実施例と同様に記録情報の保存安定性に優れた利点
を有しており、かつ、再生信号のＣ／Ｎ比についても従
来のものと較べて高い値を示していた。
更に、この実施例に係る光学的記録方法においては、ス
ビノーダル分解とパイノーダル分解間の相分離を利用し
てワンビームによる情報の書込み並びに書換えを行って
いるため、他の実施例に較べて情報の書換えができると
共に、その操作が簡便となる利点を有している。
◎星２』Ｕ４旦 この実施例に係る光学的記録方法は、この方法において
使用された光記録媒体の記録膜が基板上に直接形或され
たミクロ相分離を引起こす以下のトリブロック共重合体
により構威されている点を除き第一実施例と略同一であ
る。
ここで、上記記録膜は、基板上に（ポリスチレン）−（
ポリイソプレン）一（ポリスチレン）の構造をしたトリ
ブロック共重合体をリビング重合法により直接成膜し、
単一相の状態に調整されているものである。尚、この成
膜法に変えて、上記トリブロック共重合体をアルコール
等の溶剤に一旦溶解させた溶液を基板上にスピンコーテ
ィングし、その後、上記アルコール等の溶剤を蒸発させ
て単一相の状態に設定された記録膜を形成してもよい。
そして、上記光記録媒体への情報の書込み操作は、光記
録媒体を１８０Ｏ　ｒｐｍで回転させ、この状態で出力
７ｍＷ，周波数３．７ＭＨｚのレーザビームを記録膜の
記録領域へ照射し、その照射部位の記録膜を一旦溶融さ
せた後、これを冷却することでミクロ相分離を引起させ
ながら選択的に相分離させることにより行った。
一方、上記光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、
この状態で出力０．８ｍＷのレーザビームをその記録膜
（３）へ照射し、この反射ビームを受光素子により読取
らせて記録情報の再生を行うものである。
尚、この光記録媒体は記録・再生専用型の記録媒体とし
て適用した。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においても記
録情報の保存安定性に優れた利点を有しており、かつ、
再生信号のＣ／Ｎ比についても良好であった。
◎垣よ』０４他 この実施例に係る光学的記録方法は、この方法において
使用された光記録媒体の記録膜が、基板上に直接塗布形
成されその冷却条件によりスビノーダル分解とパイノー
ダル分解を引起こす以下のボリマーブレンドにより構成
されている点を除き第五実施例と略同一である。尚、こ
の場合、パイノーダル分解に伴う相分離を記録状態に、
また、スピノーダル分解に伴う相分離を消去状態に対応
させている。
ここで、上記記録膜は、基板上にアセトンに溶解された
（ポリスチレン）一（ポリイソプレン）のポリマーブレ
ンドを塗布威膜して単一相の状態に調整されているもの
である。
すなわち、記録膜（３）が単一相の状態に調整された光
記録媒体を１８０Ｏ　ｒｐｍで回転させ、この状態で出
力８ｍＷ，周波数３．７ＭＨＺのレーザビームを上記記
録膜（３）面へ一様に照射してこの記録膜（３）を一旦
溶融させた後、これを急冷してスビノーダル分解に伴う
相分離を一様に起こさせて記録膜（３）の初期化を行っ
た。
次に、初期化された光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回
転させ、この状態で出力６ｍＷ１周波数３．７ＭＨＺの
レーザビームを上記記録膜（３）の記録領域へ照射し、
その照射部位の記録膜（３）を一旦溶融させた後これを
徐冷することでパイノーダル分解に伴う相分離を引起こ
させて情報の書込みを行った。
一方、この情報が書込まれた光記録媒体を１８００ｒｐ
ｍで回転させ、この状態で出力０．　８ｍＷのレーザビ
ームをその記録膜（３）へ照射すると共に、この反射ビ
ームを受光素子により読取らせて記録情報の再生を行っ
た。
また、上記光記録媒体に書込まれた情報を書換える場合
には、この光記録媒体を１８００　ｒｐｍで回転させ、
この状態でその出力が選択的に切換わる単一の記録消去
用ビーム（記録時の出力６ｍＷ、消去時の出力８ｍＷ、
周波数３．７　ＭＨｚ）を照射することにより行った。
そして、この実施例に係る光学的記録方法においても、
他の実施例と同様に記録情報の保存安定性に優れた利点
を有しており、かつ、再生信号のＣ／Ｎ比についても従
来のものと較べて高い値を示していた。
更に、この実施例に係る光学的記録方法においても、第
五実施例と同様にスピノーダル分解とパイノーダル分解
間の相分離を利用してワンビームによる情報の書込み並
びに書換えを行っているため、他の実施例に較べて情報
の書換えができると共に、その操作が簡便となる利点を
有している。
〔発明の効果〕
請求項１に係る発明によれば、 光、熱等の手段により記録膜を選択的に相分離させてそ
の部位の光学的性質を変化させており、上記記録膜の経
時的な状態変化が起こり難くこの相分離状態を長期に亘
って保持することが可能になるため、従来の光学的記録
方法に較べてその記録情報を長期に亘って保持できる効
果を有しており、 一方、請求項２に係る発明によれば、 状態図上その不混和ギャップ線が液相領域に現れる記録
材料にて記録膜を構成し、かつ、その出力が選択的に切
換わる単一の記録消去用ビームを上記記録膜面へ照射し
てワンビームによる情報の書換えを行うため、書換え操
作が簡略化される効果を有しており、 また、請求項３に係る発明によれば、 記録膜の隣接部位に放熱作用を有する熱干渉層を設け、
この記録膜についてその高温加熱急冷処理によりスピノ
ーダル分解に伴う相分離を起こさせており、相分離に要
する時間の短縮化が図れるため情報の記録若しくは書換
え速度が向上する効果を有している。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は本発明の実施例を示しており、第１図
は第一実施例において使用した光記録媒体の概略断面図
、第２図はその記録膜を構成する材料の擬２元状態図、
第３図〜第５図は第二実施例〜第四実施例において使用
した光記録媒体の概略断面図を夫々示し、第６図は〜第
７図はパイノーダル分解及びスピノーダル分解を説明す
るための図で、第６図はＡ−Ｂ二或分混合系の自由エネ
ルギ差（ΔＧ）とモル分率（χ）との関係を示したグラ
フ図、第７図はパイノーダル領域とスピノーダル領域を
示すグラフ図、第８図はパイノーダル分解に伴う相分離
を起こした部位の構造を示す拡大図、第９図はスビノー
ダル分解に伴う相分離を起こした部位の構造を示す拡大
図、第１０図〜第４８図は本発明において記録膜として
利用できる材料の擬２元状態図を夫々示しており、また
、第４９図は従来の光学的記録方法に使用される光記録
媒体の部分斜視図、第５０図〜第５２図はその部分拡大
図、第５３図〜第５５図はｊ相変化方式』における記録
・再生・消去の原理説明図、第５６図〜第５８図は『光
磁気方式』における記録・再生・消去の原理説明図を示
している。 〔符号説明〕 （１）・・・基板 （２）・・・熱干渉層 （３）・・・記録膜 （４）・・・高屈折率層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光、熱等の手段により光学的性質が変化する記録
    膜を基板上に備え、その光学的性質の変化を利用して情
    報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う光学的記
    録方法において、 光、熱等の手段により上記記録膜を選択的に相分離させ
    てその部位の光学的性質を変化させることを特徴とする
    光学的記録方法。
  2. （２）状態図上その不混和ギャップ線が液相領域に現れ
    る記録材料にて上記記録膜を構成し、 かつ、その出力が選択的に切換わる単一の記録消去用ビ
    ームを上記記録膜面へ照射してワンビームによる情報の
    書換えを行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の光学的記録方法。
  3. （３）上記記録膜の隣接部位に放熱作用を有する熱干渉
    層を設け、この記録膜についてその高温加熱急冷処理に
    よりスピノーダル分解に伴う相分離を起こさせることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録方法
    。
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