JPH0393780A - 2―(1―ヒドロキシアルキル))テトラヒドロフラン類の製造方法 - Google Patents
2―(1―ヒドロキシアルキル))テトラヒドロフラン類の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒド
ロフラン類の製造方法に関し、特にコバルト錯体を触媒
として用いる新規な反応により、有毒な水銀化合物を用
いずに2−(1一ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフ
ラン類を高収率で得ることができる方法に関する。
ロフラン類の製造方法に関し、特にコバルト錯体を触媒
として用いる新規な反応により、有毒な水銀化合物を用
いずに2−(1一ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフ
ラン類を高収率で得ることができる方法に関する。
く従来の技術〉
従来、ヒドロキシオレフィン類から、2−(1−ヒドロ
キシアルキル)テトラヒドロフラン類を製造する方法と
して、5−フエニルー5−ヒドロキシ−1−ベンテンを
、酢酸水銀または塩化水銀と反応させた後、酸素と水素
化ホウ素ナトリウムと反応させる方法が知られている[
J.Heterocycle. Chem.,15 1
313(1978)] .く発明が解決しようとする課
題〉 しかし、上記従来の方法においては、有毒な水銀化合物
を使用しなければならず、またトータルな収率は20〜
60%と低<2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒ
ドロフラン類を低収率でしか得られなかった. そこで本発明の目的は、有毒な水銀化合物を用いずに,
2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフラン類
を高収率で得ることができる方法を提供することにある
. く課題を解決するための手段〉 本発明は、前記課題を解決するために、一般式(I): 『 [式中、R1は置換または非置換の1価の炭化水素基ま
たは酸素含有複素環基であり、n 2 R3 R4
およびRl1は同一でも異なってもよく、水素原子また
は置換もしくは非置換の1価の炭化水素基であり、ただ
しR2とR3の少くとも一方は水素原子であり、R4と
R5は相互に結合して環を形成していてもよい]で表さ
れるヒドロキシオレフィン類の化合物から選ばれる少く
とも1種を、 一般式(■): [式中、Rll RI3 Rl4およびRl8は同
一でも異なってもよく、水素原子、置換または非置換の
1価の炭化水素基、もしくは式(a)二一CO2 R”
(a) (ここで、R17は低級アルキル基、アリール基または
アリールアルキル基を示す) で表される基または式(b): − C O N R ”R ” ( b )(ここ
で、Rl6およびRI9は同一でも異なってもよく、水
素原子、低級アルキル基、アリール基またはアリールア
ルキル基を示し、またRl51とRl9は結合して環を
形成してもよいし、酸素原子を介して結合して式: {−CHz h−0→CH2 +. [ここで、ぶおよびmは同一でも異なってもよく正の整
数を示す] で表される基であってもよい) で表される基である。
キシアルキル)テトラヒドロフラン類を製造する方法と
して、5−フエニルー5−ヒドロキシ−1−ベンテンを
、酢酸水銀または塩化水銀と反応させた後、酸素と水素
化ホウ素ナトリウムと反応させる方法が知られている[
J.Heterocycle. Chem.,15 1
313(1978)] .く発明が解決しようとする課
題〉 しかし、上記従来の方法においては、有毒な水銀化合物
を使用しなければならず、またトータルな収率は20〜
60%と低<2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒ
ドロフラン類を低収率でしか得られなかった. そこで本発明の目的は、有毒な水銀化合物を用いずに,
2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフラン類
を高収率で得ることができる方法を提供することにある
. く課題を解決するための手段〉 本発明は、前記課題を解決するために、一般式(I): 『 [式中、R1は置換または非置換の1価の炭化水素基ま
たは酸素含有複素環基であり、n 2 R3 R4
およびRl1は同一でも異なってもよく、水素原子また
は置換もしくは非置換の1価の炭化水素基であり、ただ
しR2とR3の少くとも一方は水素原子であり、R4と
R5は相互に結合して環を形成していてもよい]で表さ
れるヒドロキシオレフィン類の化合物から選ばれる少く
とも1種を、 一般式(■): [式中、Rll RI3 Rl4およびRl8は同
一でも異なってもよく、水素原子、置換または非置換の
1価の炭化水素基、もしくは式(a)二一CO2 R”
(a) (ここで、R17は低級アルキル基、アリール基または
アリールアルキル基を示す) で表される基または式(b): − C O N R ”R ” ( b )(ここ
で、Rl6およびRI9は同一でも異なってもよく、水
素原子、低級アルキル基、アリール基またはアリールア
ルキル基を示し、またRl51とRl9は結合して環を
形成してもよいし、酸素原子を介して結合して式: {−CHz h−0→CH2 +. [ここで、ぶおよびmは同一でも異なってもよく正の整
数を示す] で表される基であってもよい) で表される基である。
Rl2およびRIMは、同一でも異なってもよく、水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または式(C): −COOR” (c) (ここで、R2Gは水素原子または低級アルキル基を示
す) で表される基である. また、R1〜RI15は互いに同一でも異なっていても
よい.] で表される化合物から選ばれる少くとも1種を触媒とし
て用い、かつ1級アルコールおよび/または2級アルコ
ールの存在下に、酸素含有ガスと反応させる工程を含む
、一般式( III )[式中、R’ R2 R’
R’ およびR’は前記一般式(I)と同じ] で表される2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒド
ロフラン類の製造方法を提供するものである。
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または式(C): −COOR” (c) (ここで、R2Gは水素原子または低級アルキル基を示
す) で表される基である. また、R1〜RI15は互いに同一でも異なっていても
よい.] で表される化合物から選ばれる少くとも1種を触媒とし
て用い、かつ1級アルコールおよび/または2級アルコ
ールの存在下に、酸素含有ガスと反応させる工程を含む
、一般式( III )[式中、R’ R2 R’
R’ およびR’は前記一般式(I)と同じ] で表される2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒド
ロフラン類の製造方法を提供するものである。
本発明の出発物質であるヒドロキシオレフィン類の化合
物を表わす一般式(I)において、Rlは置換または非
置換の1価の炭化水素基または酸素含有複素環基である
。 この置換または非置換の1価の炭化水素基としては
、例えば、メチル基、エチル基、プロビル基、イソブロ
ビル基、プチル基、イソブチル基、t−ブチル基等の低
級アルキル基;シクロヘキシル基、シクロベンチル基、
シクロオクチル基等の脂環式炭化水素基;フェニル基、
ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基
またはアリールアルキル基:並びにこれらの基の炭素原
子に結合している水素原子の一部または全部が、塩素、
フッ素、臭素等のハロゲン原子、メトキシ基等のアルコ
キシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、メチレン
ジオキシ基、アシル基、エステル基、アミド基などで置
換されてなる基、例えば、4−クロロフェニル基、メト
キシフェニル基、1−ヒドロキシエチル基、3.4−メ
チレンジオキシフェニル基、4−アセチル基、4−アセ
トキシル基、4−ジメチルアミノカルパモイル基などが
挙げられる。 酸素含有複素環基としては、例えば、2
−フリル基 3−フリル基が挙げられる R2R3
R4およびR′は同一でも異なってもよく、水素原
子または置換もしくは非置換の1価の炭化水素基である
. この置換もしくは非置換の1価の炭化水素基として
は、例えば、前記Rlについて例示したものと同じもの
を挙げることができる。 ただし、R2とR3の少くと
も1方は水素原子であり、R4とR5は相互に結合して
環を形成してもよい。 例えばR4とRSは結合して、
フェニル基、シクロヘキシル基等の基を形成していても
よい。
物を表わす一般式(I)において、Rlは置換または非
置換の1価の炭化水素基または酸素含有複素環基である
。 この置換または非置換の1価の炭化水素基としては
、例えば、メチル基、エチル基、プロビル基、イソブロ
ビル基、プチル基、イソブチル基、t−ブチル基等の低
級アルキル基;シクロヘキシル基、シクロベンチル基、
シクロオクチル基等の脂環式炭化水素基;フェニル基、
ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基
またはアリールアルキル基:並びにこれらの基の炭素原
子に結合している水素原子の一部または全部が、塩素、
フッ素、臭素等のハロゲン原子、メトキシ基等のアルコ
キシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、メチレン
ジオキシ基、アシル基、エステル基、アミド基などで置
換されてなる基、例えば、4−クロロフェニル基、メト
キシフェニル基、1−ヒドロキシエチル基、3.4−メ
チレンジオキシフェニル基、4−アセチル基、4−アセ
トキシル基、4−ジメチルアミノカルパモイル基などが
挙げられる。 酸素含有複素環基としては、例えば、2
−フリル基 3−フリル基が挙げられる R2R3
R4およびR′は同一でも異なってもよく、水素原
子または置換もしくは非置換の1価の炭化水素基である
. この置換もしくは非置換の1価の炭化水素基として
は、例えば、前記Rlについて例示したものと同じもの
を挙げることができる。 ただし、R2とR3の少くと
も1方は水素原子であり、R4とR5は相互に結合して
環を形成してもよい。 例えばR4とRSは結合して、
フェニル基、シクロヘキシル基等の基を形成していても
よい。
この一般式(1)で表されるヒドロキシオレフィン類の
具体例として、5−フエニルー5一ヒドロキシ−1−ベ
ンテン、5−ヒドロキシ−1−ヘキセン、6−フェニル
ー5−ヒドロキシ−1−ヘキセン、6−フェニルー6−
ヒドロキシ−2−ヘキセン、5−(4−メトキシフエニ
ル)−5−ヒドロキシ−1−ベンテン、5一(2−フリ
ル)−5−ヒドロキシ−1−ベンテン,5−(4−クロ
ロフエニル)−5−ヒドロキシ−1−ペンテン、6.6
−ジメチル−5一ヒドロキシ−1−ヘプテン、2−(1
−ヒドロキシエチル)スチレン、5−ヒドロキシ−1一
オクテン、8−ヒドロキシ−4−デセン、1一フェニル
ー6−ヒドロキシ−2−ヘブテン、5一シクロヘキシル
−5−ヒドロキシー1−ペンテン、5− (3.4−メ
チレンジオキシフエニル)−5−ヒドロキシ−1−ベン
テンなどが挙げられる。
具体例として、5−フエニルー5一ヒドロキシ−1−ベ
ンテン、5−ヒドロキシ−1−ヘキセン、6−フェニル
ー5−ヒドロキシ−1−ヘキセン、6−フェニルー6−
ヒドロキシ−2−ヘキセン、5−(4−メトキシフエニ
ル)−5−ヒドロキシ−1−ベンテン、5一(2−フリ
ル)−5−ヒドロキシ−1−ベンテン,5−(4−クロ
ロフエニル)−5−ヒドロキシ−1−ペンテン、6.6
−ジメチル−5一ヒドロキシ−1−ヘプテン、2−(1
−ヒドロキシエチル)スチレン、5−ヒドロキシ−1一
オクテン、8−ヒドロキシ−4−デセン、1一フェニル
ー6−ヒドロキシ−2−ヘブテン、5一シクロヘキシル
−5−ヒドロキシー1−ペンテン、5− (3.4−メ
チレンジオキシフエニル)−5−ヒドロキシ−1−ベン
テンなどが挙げられる。
本発明で触媒として用いられる化合物を表す前記一般式
(■!)において、Rll Rl3 Rl4および
Rl8は同一でも異なってもよく、水素原子、置換また
は非置換の1価の炭化水素基、もしくは式(a)または
式(b)で表される基である。 置換または非置換の1
価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基
、nープロビル基、iso−プロビル基、n−ブチル基
、iso−ブチル基、sec−プチル基、tert−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチ
ル基等の炭素原子数1〜10の低級アルキル基:シクロ
ベンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の脂
環式または縮合環系炭化水素基;フェニル基、ナフチル
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フエニルプロビル
基、フェニルブチル基等の芳香族炭化水素基;およびこ
れらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部また
は全部がメチル基、エチル基、n−プロビル基, is
o−プロビル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−プチル基、メトキシ基、エ
トキシ基、n−ブロポキシ基、iso−ブロボキシ基、
n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、see−ブトキ
シ基、tert−プトキシ基等のアルキル基、アルコキ
シル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子
、あるいはアセチル基等のアシル基、アセトキシル基等
のエステル基、ジメチルアミド基等のアミド基などで置
換されてなる基、例えば、4−メチルフェニル基、4−
メトキシフェニル基、4−クロロフエニル基、4−アセ
チルフエニル基、CF3等のバーフルオロアルキル基、
エステル基、カルバモイル基などが挙げられる。
(■!)において、Rll Rl3 Rl4および
Rl8は同一でも異なってもよく、水素原子、置換また
は非置換の1価の炭化水素基、もしくは式(a)または
式(b)で表される基である。 置換または非置換の1
価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基
、nープロビル基、iso−プロビル基、n−ブチル基
、iso−ブチル基、sec−プチル基、tert−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチ
ル基等の炭素原子数1〜10の低級アルキル基:シクロ
ベンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の脂
環式または縮合環系炭化水素基;フェニル基、ナフチル
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フエニルプロビル
基、フェニルブチル基等の芳香族炭化水素基;およびこ
れらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部また
は全部がメチル基、エチル基、n−プロビル基, is
o−プロビル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−プチル基、メトキシ基、エ
トキシ基、n−ブロポキシ基、iso−ブロボキシ基、
n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、see−ブトキ
シ基、tert−プトキシ基等のアルキル基、アルコキ
シル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子
、あるいはアセチル基等のアシル基、アセトキシル基等
のエステル基、ジメチルアミド基等のアミド基などで置
換されてなる基、例えば、4−メチルフェニル基、4−
メトキシフェニル基、4−クロロフエニル基、4−アセ
チルフエニル基、CF3等のバーフルオロアルキル基、
エステル基、カルバモイル基などが挙げられる。
また、式(a)におけるR1の低級アルキル基としては
、例えば、メチル基、エチル基、n−プロビル基、is
o−プロビル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基等のC1〜C,。
、例えば、メチル基、エチル基、n−プロビル基、is
o−プロビル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基等のC1〜C,。
、好ましくはCl〜C,のアルキル基が挙げられる、
式(b)におけるR” R”の低級アルキル基として
は、例えばメチル基、エチル基、n−プロビル基、is
o−プロビル基、n−プチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−プチル基、一(CH2)T
I − (n = 4〜6)等のC1〜C.。、好ま
しくはCl〜C5のアルキル基が挙げられ。 さらに、
RlaとR1は結合して環を形成し、例えば、式: {−cHw }4、{−CHz +s で表される基などであってもよいし、酸素原子を挟んで
結合して 式: +CH2 ”rT””0−(CH2÷.(ここで、℃お
よびmは同一でも異なってもよく、正の整数、好ましく
は2〜3の整数である) で表される基、例えば、下記式: {−CH2 +r−o−(co2+z で表される基を形成していてもよい。
は、例えばメチル基、エチル基、n−プロビル基、is
o−プロビル基、n−プチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−プチル基、一(CH2)T
I − (n = 4〜6)等のC1〜C.。、好ま
しくはCl〜C5のアルキル基が挙げられ。 さらに、
RlaとR1は結合して環を形成し、例えば、式: {−cHw }4、{−CHz +s で表される基などであってもよいし、酸素原子を挟んで
結合して 式: +CH2 ”rT””0−(CH2÷.(ここで、℃お
よびmは同一でも異なってもよく、正の整数、好ましく
は2〜3の整数である) で表される基、例えば、下記式: {−CH2 +r−o−(co2+z で表される基を形成していてもよい。
またRlF RIMおよびRI9のアリール基、アリ
ールアルキル基としては、フェニル基、ナフチル基、ベ
ンジル基、フエニルエチル基、フェニルブロビル基、フ
ェニルブチル基等が挙げられる。
ールアルキル基としては、フェニル基、ナフチル基、ベ
ンジル基、フエニルエチル基、フェニルブロビル基、フ
ェニルブチル基等が挙げられる。
Rl2およびR”は、同一でも異なってもよく、水素原
子、低級アルキル基、ハロゲン原子、または式(C)で
表される基である。 低級アルキル基としては、例えば
、メチル基、エチル基、n−プロビル基, iso−プ
ロビル基、n一ブチル基、sec−プチル基、iso−
ブチル基、tert−ブチル基等のC1〜CIOのアル
キル基が挙げられる。 ハロゲン原子としては、例えば
、フッ素、塩素等が挙げられる。 ま た式(c):C
OOR20におけるR2Gで表される低級アルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、プロビル基、イ
ソプロビル基、ブチル基,イソプチル基、t−ブチル基
、sec−ブチル基等が挙げられる。
子、低級アルキル基、ハロゲン原子、または式(C)で
表される基である。 低級アルキル基としては、例えば
、メチル基、エチル基、n−プロビル基, iso−プ
ロビル基、n一ブチル基、sec−プチル基、iso−
ブチル基、tert−ブチル基等のC1〜CIOのアル
キル基が挙げられる。 ハロゲン原子としては、例えば
、フッ素、塩素等が挙げられる。 ま た式(c):C
OOR20におけるR2Gで表される低級アルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、プロビル基、イ
ソプロビル基、ブチル基,イソプチル基、t−ブチル基
、sec−ブチル基等が挙げられる。
ここで、一般式( I1 )におけるR1〜RIMは、
それぞれ互いに同一でも、異なっていてもよい。
それぞれ互いに同一でも、異なっていてもよい。
本発明において、上記一般式(■!)で表される化合物
は、1種単独でも2 fl以上を組合せても用いられる
。
は、1種単独でも2 fl以上を組合せても用いられる
。
この一般式( II )で表される化合物の好ましいも
のとして、下記表1に挙げられる配位子Lを有する一般
式CoL.で表されるコバルト(II)錯体が例示され
る。
のとして、下記表1に挙げられる配位子Lを有する一般
式CoL.で表されるコバルト(II)錯体が例示され
る。
さらに好ましいものとして、配位子Lが下記式:
で表されるコバルト(II)錯体CoL,が挙げられる
。
。
本発明で触媒として用いられるコバルト( II )錯
体において、Coに配位する配位子Lは同一であっても
異なっていてもよい。
体において、Coに配位する配位子Lは同一であっても
異なっていてもよい。
このコバルト(II)錯体は、いずれの方法によって得
られたものでもよく、特に限定されない。 また、市販
品を用いてもよい。
られたものでもよく、特に限定されない。 また、市販
品を用いてもよい。
このコバルト(■!)錯体は、例えば、同一の配位子を
2個有するコバルト(I!)錯体の場合、ジケトンとC
OCAzを原料として、下記式: に従って、脱塩法で製造することができる。
2個有するコバルト(I!)錯体の場合、ジケトンとC
OCAzを原料として、下記式: に従って、脱塩法で製造することができる。
この方法で生成した錯体は通常はそのまま乾燥してもよ
いが、有機溶媒で押出後乾燥して反応に使用してもよい
。
いが、有機溶媒で押出後乾燥して反応に使用してもよい
。
本発明の方法において、前記一般式(■)で表される化
合物である触媒の使用量は、通常、出発原料である前記
一般式(1)で表されるヒドロキシオレフィン類I I
loftに対して好ましくは5〜40mo℃%程度であ
る。 例えば、5一フェニルー5−ヒドロキシ−1−ベ
ンテン1moj2に対して、ビス[4. 4−ジメチル
−1−モルホリノカルバモイル−1.3−ペンタンジオ
ナト]コバルト( II )錯体は5〜40moJZが
適する. 本発明の方法は、上記一般式(I)で表されるヒドロキ
シオレフィン類から選ばれる少くとも1種を、一般式(
II )で表される化合物を触媒として、1級アルコ
ールおよび/または2級アルコールの存在下に反応させ
る方法である。
合物である触媒の使用量は、通常、出発原料である前記
一般式(1)で表されるヒドロキシオレフィン類I I
loftに対して好ましくは5〜40mo℃%程度であ
る。 例えば、5一フェニルー5−ヒドロキシ−1−ベ
ンテン1moj2に対して、ビス[4. 4−ジメチル
−1−モルホリノカルバモイル−1.3−ペンタンジオ
ナト]コバルト( II )錯体は5〜40moJZが
適する. 本発明の方法は、上記一般式(I)で表されるヒドロキ
シオレフィン類から選ばれる少くとも1種を、一般式(
II )で表される化合物を触媒として、1級アルコ
ールおよび/または2級アルコールの存在下に反応させ
る方法である。
用いられる1級アルコールまたは2級アルコールは、脂
肪族、脂環式、芳香族またはこれらの置換基を有するも
のであればよく、特に限定されない。 例えば、メタノ
ール、エタノール、n−プロバノール、n−ヘキサノー
ル、ベンジルアルコール、イソプロパノール、シクロペ
ンタノール、シクロヘキサノール、フェネチルアルコー
ル等が挙げられる. これらのうちで、好ましいものは
、エタノール、イソプロバノールである。
肪族、脂環式、芳香族またはこれらの置換基を有するも
のであればよく、特に限定されない。 例えば、メタノ
ール、エタノール、n−プロバノール、n−ヘキサノー
ル、ベンジルアルコール、イソプロパノール、シクロペ
ンタノール、シクロヘキサノール、フェネチルアルコー
ル等が挙げられる. これらのうちで、好ましいものは
、エタノール、イソプロバノールである。
1級アルコールおよび/または,2級アルコールの使用
量は、出発物質である前記一般式(1)で表されるヒド
ロキシオレフィン類1■ofLに対して、通常、IIt
以上が良い。 なお、1級アルコールまたは2級アルコ
ールは、ヒドロキシオレフィン類の溶媒として用いるの
が好ましいが、必要により反応に不活性な他の溶媒によ
り希釈して用いても良い。
量は、出発物質である前記一般式(1)で表されるヒド
ロキシオレフィン類1■ofLに対して、通常、IIt
以上が良い。 なお、1級アルコールまたは2級アルコ
ールは、ヒドロキシオレフィン類の溶媒として用いるの
が好ましいが、必要により反応に不活性な他の溶媒によ
り希釈して用いても良い。
本発明に用いる酸素含有ガスとしては、酸素ガス(純酸
素)でもよいし、酸素含有窒素ガス(例えば空気)、酸
素含有アルゴンガス等の酸素含有不活性ガスでも良い. 酸素含有ガス中の酸素の分圧は、好ましくは0. 2
〜3 0atm ,より好ましくは、1〜15atmが
良い。 酸素の分圧がこの範囲内にあると、反応速度が
速く、反応収率も良い。
素)でもよいし、酸素含有窒素ガス(例えば空気)、酸
素含有アルゴンガス等の酸素含有不活性ガスでも良い. 酸素含有ガス中の酸素の分圧は、好ましくは0. 2
〜3 0atm ,より好ましくは、1〜15atmが
良い。 酸素の分圧がこの範囲内にあると、反応速度が
速く、反応収率も良い。
また、本発明の方法においては、得られる2−(1−ヒ
ドロキシアルキル)テトラヒドロフラン類の収率を向上
させるために、脱水剤、酸素以外の酸化剤を用いてもよ
い。
ドロキシアルキル)テトラヒドロフラン類の収率を向上
させるために、脱水剤、酸素以外の酸化剤を用いてもよ
い。
用いられる脱水剤としては、例えば、無水硫酸ナトリウ
ムNa,504 無水硫酸マグネシウムMgS04
、ゼオライト系脱水剤(商品名モレキュラーシーブとし
て市販されているもの)等が挙げられる。 好ましくは
、ゼオライト系脱水剤である。
ムNa,504 無水硫酸マグネシウムMgS04
、ゼオライト系脱水剤(商品名モレキュラーシーブとし
て市販されているもの)等が挙げられる。 好ましくは
、ゼオライト系脱水剤である。
この脱水剤を使用する場合、その使用量は通常、出発物
質であるヒドロキシオレフィン類1trailに対して
50g〜2kg程度である。
質であるヒドロキシオレフィン類1trailに対して
50g〜2kg程度である。
また、酸素以外の酸化剤としては、例えば、ヨードソベ
ンゼン;t−プチルハイドロパーオキシド、クメンハイ
ドロパーオキシド等のハイドロバーオキシド類などを挙
げることができ、好ましくはハイドロパーオキシド類で
ある。
ンゼン;t−プチルハイドロパーオキシド、クメンハイ
ドロパーオキシド等のハイドロバーオキシド類などを挙
げることができ、好ましくはハイドロパーオキシド類で
ある。
この酸化剤を使用する場合、その使用量は、通常、出発
物質であるヒドロキシオレフィン類1 moj2に対し
て0.2〜2mof程度である。
物質であるヒドロキシオレフィン類1 moj2に対し
て0.2〜2mof程度である。
本発明の方法における反応は、通常、液相・中で連続的
に行ってもよいし、回分的に行ってもよい。
に行ってもよいし、回分的に行ってもよい。
反応温度は、0〜75℃がよい. O℃未満では反応が
進行しにくく、75℃を超えると、収率が低下する。
進行しにくく、75℃を超えると、収率が低下する。
本発明の方法によって得られる前記一般式( III
)で表される2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒ
ドロフラン類の代表的なものとしては、2−ヒドロキシ
メチル−5−フェニルテトラヒドロフラン、2−ヒドロ
キシメチル−5−メチルテトラヒドロフラン、2−ヒド
ロキシメチル−5−ペンジルテトラヒドロフラン、2(
1−ヒドロキシエチル)−5−フェニルテトラヒドロフ
ラン、2−ヒドロキシメチル−5(4−メトキシフェニ
ル)テトラヒドロフラン、2−ヒドロキシメチル−5−
(2−フリル)テトラヒドロフラン、2−ヒドロキシメ
チル−5−(4−クロロフェニル)テトラヒドロフラン
、2−ヒドロキシメチル−5−t−プチルテトラヒドロ
フラン、2−ヒドロキシメチル−5−プロビルテトラヒ
ドロフラン,2−(1ーヒドロキシ−2−フェニルエチ
ル)一5−メチルテトラヒドロフラン、2−ヒドロキシ
メチル−5−シクロヘキシルテトラヒドロフラン、2−
ヒドロキシメチル−5−(3.4−メチレンジオキシフ
ェニル)テトラヒドロフラン、2(1−ヒドロキシプチ
ル)−5−エチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。
)で表される2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒ
ドロフラン類の代表的なものとしては、2−ヒドロキシ
メチル−5−フェニルテトラヒドロフラン、2−ヒドロ
キシメチル−5−メチルテトラヒドロフラン、2−ヒド
ロキシメチル−5−ペンジルテトラヒドロフラン、2(
1−ヒドロキシエチル)−5−フェニルテトラヒドロフ
ラン、2−ヒドロキシメチル−5(4−メトキシフェニ
ル)テトラヒドロフラン、2−ヒドロキシメチル−5−
(2−フリル)テトラヒドロフラン、2−ヒドロキシメ
チル−5−(4−クロロフェニル)テトラヒドロフラン
、2−ヒドロキシメチル−5−t−プチルテトラヒドロ
フラン、2−ヒドロキシメチル−5−プロビルテトラヒ
ドロフラン,2−(1ーヒドロキシ−2−フェニルエチ
ル)一5−メチルテトラヒドロフラン、2−ヒドロキシ
メチル−5−シクロヘキシルテトラヒドロフラン、2−
ヒドロキシメチル−5−(3.4−メチレンジオキシフ
ェニル)テトラヒドロフラン、2(1−ヒドロキシプチ
ル)−5−エチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。
本発明の方法において、得られる2−(1−ヒドロキシ
アルキル)テトラヒドロフラン類は、シス体およびトラ
ンス体の混合物として得られるが、トランス体の選択率
は、通常97%以上である, 本発明の方法によって得られる2−(1−ヒドロキシア
ルキル)テトラヒドロフラン類は、例えば、医a薬合成
中間体等の用途に有用である。
アルキル)テトラヒドロフラン類は、シス体およびトラ
ンス体の混合物として得られるが、トランス体の選択率
は、通常97%以上である, 本発明の方法によって得られる2−(1−ヒドロキシア
ルキル)テトラヒドロフラン類は、例えば、医a薬合成
中間体等の用途に有用である。
〈実施例〉
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。 本発
明は、これらの実施例に限定されるものではない。
明は、これらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
反応容器に、5−フェニル−5−ヒドロキシー1−ベン
テン2 mmoi、ビス[4.4−ジメチル−1−モ
ルホリノカルバモイル−1.3ーペンタンジオナト]コ
バルト錯体0. 4 mmoILおよびイソブロビ
ルアルコール20mjlを仕込み、02ガス存在下、5
0℃で30分間反応させた。 溶媒留去後、得られた反
応混合物を、カラムクロマトグラフィーに掛け、5−フ
ェニルー2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランを収
率52%で得た。 得られた5−フェニルー2−ヒドロ
キシメチルテトラヒドロフランを’ H−NMRスペク
トルに掛けたところ、トランス体の選択率は97%以上
であった. (実施例2) 反応容器にさらにモレキュラーシーブ4A(アルドリッ
チ社製、^ctivated Powdwer ;ca
t. No.23,366−8) 1 gを仕込み、反
応時間をO.S時間に変更した以外は、実施例!と同様
にして反応させ、得られた反応混合物をカラムクロマト
グラフィーに掛けたところ、5−フェニル−2−ヒドロ
キシメチルテトラヒドロフランが収率62%で得られた
。 また、’H−NMR分析により、トランス体の選
択率が97%以上であることがわかった。
テン2 mmoi、ビス[4.4−ジメチル−1−モ
ルホリノカルバモイル−1.3ーペンタンジオナト]コ
バルト錯体0. 4 mmoILおよびイソブロビ
ルアルコール20mjlを仕込み、02ガス存在下、5
0℃で30分間反応させた。 溶媒留去後、得られた反
応混合物を、カラムクロマトグラフィーに掛け、5−フ
ェニルー2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランを収
率52%で得た。 得られた5−フェニルー2−ヒドロ
キシメチルテトラヒドロフランを’ H−NMRスペク
トルに掛けたところ、トランス体の選択率は97%以上
であった. (実施例2) 反応容器にさらにモレキュラーシーブ4A(アルドリッ
チ社製、^ctivated Powdwer ;ca
t. No.23,366−8) 1 gを仕込み、反
応時間をO.S時間に変更した以外は、実施例!と同様
にして反応させ、得られた反応混合物をカラムクロマト
グラフィーに掛けたところ、5−フェニル−2−ヒドロ
キシメチルテトラヒドロフランが収率62%で得られた
。 また、’H−NMR分析により、トランス体の選
択率が97%以上であることがわかった。
(実施例3)
反応容器に、さらにモレキュラーシープ4A1gおよび
t−プチルハイドロパーオキシド2 msoj2を仕
込み、反応時間を0.5時間に変更した以外は、実施例
1と同様にして反応させ、得られた反応混合物をカラム
クロマトグラフィーに掛けたところ、5−フェニル−2
−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランが収率73%で
得られた. また、G.C.分析により、トランス体
の選択率が99%以上であることがわかった. (実施例4〜6) t−プチルハイドロパーオキシドの使用量を表2に示す
とおりに変更した以外は実施例3と同様にして反応させ
、得られた5−フェニルー2−ヒドロキシメチルテトラ
ヒドロフランの収率を測定した。 結果を表2に示す。
t−プチルハイドロパーオキシド2 msoj2を仕
込み、反応時間を0.5時間に変更した以外は、実施例
1と同様にして反応させ、得られた反応混合物をカラム
クロマトグラフィーに掛けたところ、5−フェニル−2
−ヒドロキシメチルテトラヒドロフランが収率73%で
得られた. また、G.C.分析により、トランス体
の選択率が99%以上であることがわかった. (実施例4〜6) t−プチルハイドロパーオキシドの使用量を表2に示す
とおりに変更した以外は実施例3と同様にして反応させ
、得られた5−フェニルー2−ヒドロキシメチルテトラ
ヒドロフランの収率を測定した。 結果を表2に示す。
表 2
(実施例7〜12)
ビス[4.4−ジメチル−1−モルホリノヵルバモイル
−1.3−ペンタジオナト]コバルト(■)錯体および
反応時間を表3に示すコバルト錯体および反応時間心変
更した以外は、実施例2と同様にして反応させ、得られ
た5ーフェニルー2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフ
ランの収率を測定した. 結果を表3に示す。
−1.3−ペンタジオナト]コバルト(■)錯体および
反応時間を表3に示すコバルト錯体および反応時間心変
更した以外は、実施例2と同様にして反応させ、得られ
た5ーフェニルー2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフ
ランの収率を測定した. 結果を表3に示す。
(実施例13〜20)
ビス[4.4−ジメチル−1一モルホリノカルパモイル
−1.3−ペンタジオナト〕コバルト(夏■)錯体の代
わりにビス[1,1.1−トリフルオロアセチルアセト
ナト]コバルト( II )錯体を用い、表4に示す反
応条件(反応温度、反応時間、溶媒(量)、酸素圧力、
添加剤(量))で行った以外は実施例2と同様にして反
応させ、得られた5−フェニル−2−ヒドロキシメチル
テトラヒドロフランの収率を測定した. 結果を表4に
示す。
−1.3−ペンタジオナト〕コバルト(夏■)錯体の代
わりにビス[1,1.1−トリフルオロアセチルアセト
ナト]コバルト( II )錯体を用い、表4に示す反
応条件(反応温度、反応時間、溶媒(量)、酸素圧力、
添加剤(量))で行った以外は実施例2と同様にして反
応させ、得られた5−フェニル−2−ヒドロキシメチル
テトラヒドロフランの収率を測定した. 結果を表4に
示す。
(実施例21〜30)
出発原料として、表5に示す種々のヒドロキシオレフィ
ンを使用した以外は実施例3と同様にして反応させ、得
られる2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフラン類の構
造を同定するとともに、収率を測定した. また、.G
.C.分析によりトランス体の選択率も測定した。
ンを使用した以外は実施例3と同様にして反応させ、得
られる2−ヒドロキシメチルテトラヒドロフラン類の構
造を同定するとともに、収率を測定した. また、.G
.C.分析によりトランス体の選択率も測定した。
く発明の効果〉
本発明の方法によれば、有毒な水銀化合物を用いること
な<、2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフ
ラン類を高収率で得ることができる。
な<、2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒドロフ
ラン類を高収率で得ることができる。
Claims (2)
- (1)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R^1は置換または非置換の1価の炭化水素基
または酸素含有複素環基であり、R^2、R^3、R^
4およびR^5は同一でも異なってもよく、水素原子ま
たは置換もしくは非置換の1価の炭化水素基であり、た
だしR^2とR^3の少くとも一方は水素原子であり、
R^4とR^5は相互に結合して環を形成していてもよ
い]で表されるヒドロキシオレフィン類の化合物から選
ばれる少くとも1種を、 一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R^1^1、R^1^3、R^1^4およびR
^1^6は同一でも異なってもよく、水素原子、置換ま
たは非置換の1価の炭化水素基、もしくは式(a):−
CO_2R^1^7(a) (ここで、R^1^7は低級アルキル基、アリール基ま
たはアリールアルキル基を示す) で表される基または式(b): −CONR^1^8R^1^9(b) (ここで、R^1^8およびR^1^9は同一でも異な
ってもよく、水素原子、低級アルキル基、アリール基ま
たはアリールアルキル基を示し、またR^1^8とR^
1^9は結合して環を形成してもよいし、酸素原子を挟
んで結合して式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [ここで、lおよびmは同一でも異なってもよく正の整
数を示す] で表される基を形成していてもよい) で表される基である。 R^1^2およびR^1^5は、同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または式
(c): −COOR^2^0(c) (ここで、R^2^0は水素原子または低級アルキル基
を示す) で表される基である。 また、R^1^1〜R^1^6は互いに同一でも異なっ
ていてもよい。] で表される化合物から選ばれる少くとも1種を触媒とし
て用い、かつ1級アルコールおよび/または2級アルコ
ールの存在下に、酸素含有ガスと反応させる工程を含む
、一般式(III):▲数式、化学式、表等があります▼
(III) [式中、R^1、R^2、R^3、R^4およびR^5
は前記一般式( I )と同じ] で表される2−(1−ヒドロキシアルキル)テトラヒド
ロフラン類の製造方法。 - (2)さらに脱水剤および/または酸化剤を使用するこ
とを特徴とする請求項1記載の2−(1−ヒドロキシア
ルキル)テトラヒドロフラン類の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1231089A JPH0393780A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 2―(1―ヒドロキシアルキル))テトラヒドロフラン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1231089A JPH0393780A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 2―(1―ヒドロキシアルキル))テトラヒドロフラン類の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0393780A true JPH0393780A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16918116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1231089A Pending JPH0393780A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 2―(1―ヒドロキシアルキル))テトラヒドロフラン類の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0393780A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020086333A (ko) * | 2002-08-28 | 2002-11-18 | 황익현 | 자체 냉각기능의 구조를 갖는 용기 |
JP4746141B1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-08-10 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1231089A patent/JPH0393780A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020086333A (ko) * | 2002-08-28 | 2002-11-18 | 황익현 | 자체 냉각기능의 구조를 갖는 용기 |
JP4746141B1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-08-10 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 |
JP2012006858A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 |
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