JPH039326A - 液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法 - Google Patents

液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法

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JPH039326A
JPH039326A JP1143597A JP14359789A JPH039326A JP H039326 A JPH039326 A JP H039326A JP 1143597 A JP1143597 A JP 1143597A JP 14359789 A JP14359789 A JP 14359789A JP H039326 A JPH039326 A JP H039326A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法に関
し、詳しくは、光制御機能を有し、光エレクトロニクス
等の分野で好適に用いられる高度に配向した状態が固定
化された液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法に関
する。
〔従来技術〕
液晶材料をデバイスとして利用するためには、一般には
、液晶を一定の配列に並べてやる（配向）必要があるが
、この分子配向は、電場、磁場、せん断力あるいは界面
などの外場・の影９により変化する。そして、この配回
変化１、二由来する光制御機能を利用して、各種オプ１
へ工１ツクｌ−ロニクス用途への応用展開がなされてい
る。
液晶には高り）子のものと低分子のものとに大別される
が、前者（高分子液晶）の場合、液晶の配向状態に固定
化することによって、これらの機能を固定化した状態で
用いられるところに大きな特徴があり、後者の低置イ液
晶どけ異なった領域での応用が図られている。例えば、
低分子液晶用配向膜（特開昭６１−４２６１８号公組に
記載）、非線形光学素子（特開昭６２−２０１４１９号
公報に記載）、円偏光フィルろイー及びノツチフィルタ
ー（特開昭６ｏ−ｘ９ｉｚｏ３号公報に記載）、光メモ
リ−（特開昭６２−６６９９０号公報に記載）、液晶表
示用色補償板などへの応用があげら肛、これらを実施す
るには、所望の分子配向を高度に制御する必要がある。
その具体例としては、前記の液晶表示素子用色補償板−
より詳しくは、スーパ・−ツィステッドネマティック（
ＳＴＮ）型液晶表示素子用色補償択−はＳＴＮ型液晶表
示素子に特有の複屈折効果により色づき側解消するため
にＳＴＮ型妓品表示素子の液晶セルと偏光板との間に挿
入されで用いらオｌ７．セルを通過することによって波
長により異なる楕円率、方位角に持・った楕円偏光どな
った先を再度方位角のそろった直線偏光に戻すよ・うに
作用することが必要である。このような機能は液晶性高
分子を水平にかつ−・定の方向に高い秩序度と高い均一
性を持って配向させることによって初めて発現させるこ
とができるものであるわ と１：ろし、低勺子液晶の配向状態を配向膜に用いで制
御する方法は確立されており、丁ＮあるいはＳＴＮ液晶
デイスプレィの基本技術になっているが、高分子液晶の
配向状態髪制御する手法は、ある限られた領域内では、
ネマチック、スメクチックヌはコ１ノステリックのいず
力、のタイプであ−）ても、低分子・液晶以上のオーダ
ーパラメ・−ターをもって配向する技術（例えば、すり
応力のような外力を与える方法；電場や磁場の外力を与
える方法シ・ど）が知られているものの、ご九〇の方法
によったのでは大面積の配向制御が不可能であったり、
水平配向は行なえたにしても面内の一軸配向は制御でき
ない等の不都合を有している。即ち、高分子液晶の配向
を高度に制御し、かつ、七わを固定化する技術は確立１
．”〔いるどばいい難いのが実情である。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は基板に対して平行でしかもドメイン分割もなく
、基板に平行な面内で−・様な方向に配向した液晶性高
分子薄膜付基板、及び、その製造方法の提供を目的とす
るものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の１つは、基板と、その基板」二に形成された配
向膜と、その配向股上に形成されたサーモトロピック液
晶性高分子薄膜とを主構成とした液晶性高分子薄膜付基
板において、該配向膜は該基板上に塗工されたポリアミ
ック酸又はその誘導体被膜を閉環させた得られたガラス
転移温度が３００℃を超えるポリイミドであって、かつ
２ラビング処理されたものであることを特徴どしている
やまた、本発明の他のＪつは、こうした液晶性高分子薄
膜付基板の製造方法に特徴を有しており、とわについて
は後の記載から明らかになろう。
ちなみに、本発明者らは高分子液晶の配向が高度に制御
された液晶性分子簿膜付基板について多くの研究・検討
を行なってきたが、液晶性高分子としてサーモトロピッ
ク液晶が選択され、かつ、これの薄膜が形成される配向
膜（この配向膜は基板上に形成されている）として特定
の樹脂膜のラビング処理されたものが採用されれば、前
記目的が十分達成しうろことを確めた。本発明はこれに
よりなされたものである。
以下に本発明な添付の図面に従がいながら更に詳細に説
明する。
第１図は本発明に係る液晶性高分子簿膜付基板の概略断
面図であり、１は基板、２は配向膜（ラビング処理され
たポリイミド膜）、３はサーモトロピック液晶性高分子
薄膜を表わしている。
基板１は透光性を有するガラス、プラスチック、セラミ
ックスなどが好ましく用いられるう但し、基板１はポリ
イミド膜の形成時１００〜３５０℃に加熱されることか
ら、その温度で変形等を生じるようなものは避けねばな
らない。このためガラス、セラミックスは別として、基
板１用プラスチツクには、ポリエチレンテレフタレート
、ボリアリレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエ
チレンテレフタレートなどのポリエステルや、ポリエー
テルスルホン、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケ
トン、ポリフェニレンスルフィドなどの耐熱性を有する
樹脂フィルムが有効に使用しうる。また、本発明の液晶
性高分子薄膜付基板がオプトエレクトロニクスデバイス
に利用されるときには更に複屈折の小さいことも要求さ
れ、その場合の基板１としては、ボリアリレート、ポリ
エーテルスルホン、ポリスルホン、ポリフェニレンスル
フィドなどのプラスチックやガラス、セラミックスが特
に好ましい。
配向膜２はラビング処理が施されたポリイミド膜であり
、このポリイミドは、後に記載したように、そのガラス
転移温度が３００℃を超える性状を有していることが必
要である。なお、このポリイミド膜の厚さは２００〜１
ｏｏｏｏ人の範囲であり、好ましくは３００〜３０００
人である。２００人より薄いと均一な配向が得られにく
く、逆に、　１ｏｏｏｏ人より厚いとポリイミド特有の
着色（黄色）が顕著に現われてくる。
これに加え、本発明液晶性高分子薄膜付基板の製造に際
して、ポリイミド膜は液晶性高分子溶液と直接接触する
ため、高い耐溶剤性を有している必要がある（液晶性高
分子溶液の調製には溶剤が用いられることによる）。そ
して、この耐溶剤性は基板ｌ上にポリアミック酸被膜を
形成後、不溶性のポリイミドとする方法およびイミド化
後のガラス転移点が３００℃より以上となるような配向
膜材料を採用することにより初めて達成できる。
これを参考までに付言すれば、例えば、既にイミド化さ
れた下記式（Ｃ−１）、（Ｃ−２）及び（Ｃ−３）で表
わされたような可溶性ポリイミドの塗布膜や、下記式（
Ｃ−４）及び（Ｃ−５） で表わされたようなアミド樹脂、可溶性ナイロンなどの
塗布膜をラビング処理した配向膜では、液晶性高分子溶
液を塗布した後、配向膜２が溶解してしまったり、溶解
しないまでも配向性能が極端に低下したり消失したりし
てしまう。但し、これらの樹脂は、低分子液晶に対して
は良好な配向性を示すものである。
また、ポリアミック酸被膜を形成後、不溶性のポリイミ
ドとする方法でもポリイミドのガラス転移点（Ｔｇ）が
３００℃以下であると、部分的に配向不良を生ずる１例
えば、液晶表示素子用配向剤として広く知られている日
立化成社製のＰＩＸ１４００．　ＰＩＸ５４００（とも
にＴｇ＝２９０℃）を本発明の配向膜２として用いた場
合、−軸配向はみられるものの、液晶性高分子の塗布溶
媒によっては配向欠陥を生じ、モノドメインが得られな
い場合がある。これは、ガラス転移点の低い材料では、
分子間の相互作用が小さいため、液晶性高分子の塗布溶
媒によって溶解までには至らないものの、表面の膨潤、
表面の部分的な溶解などのため配向規制力が低減するも
のと考えられる。
こうした理由から１本発明においては、配向膜２は、基
板１上に塗布されたポリアミック酸被膜を基板１上で閉
環されて得られるガラス転移温度が３００℃を超えるポ
リイミドで形成されている必要があり、さらに、液晶性
高分子に一軸性の配向規制佇与えるためにラビング処理
が旅され゛〔−いる必要がある。
本発明で用いることのできるポリイミドの代表例とし１
：は次のようなものがあげられる。
−◎−Ｃ１１，−◎−、−Ｃ＞ＳＯ，−◎〜、−◎−０
Ｇ（＋−◎−この他の例としては下記一般式（４） −〇÷０９）、−〇−０−σ等である。）で表わされる
ものも使用可能であイ）。
勿論、配向膜２の形成材料は上記のもの１＝限定される
訳ではないが、ポリイミド骨格中にメチレン鎖、シロキ
サン鎖のような屈折性基、オルト置換フェニレン基、シ
クロヘキサン基などを導入し。
たものはガラス転移点（Ｔｇ）が大きく低下づるため好
ましくない。
液晶性高分子膜３はサーモ［−ロピツク性を示すもので
あるが、具体的には、ポリエステル、ポリエステルアミ
ド、ポリカーボネート、ポリエーテルなど主鎖に液晶性
残基を有する主鎖型液晶性ｆ分子 −（Ｎ’−Ｘ１ＭＡ’−Ｘ’）− ｘｌ、ｆ　ニーＣＤＩ）、−Ｇ）ＮＨ−、−０ＣＯ−、
−０−等Ｍ’　：　−Ｐｈ−■０−Ｐｈ−，−Ｐｈ−脚
−ｐｈ−、−Ｐｈ−Ｐｔｒ−。
↓ −Ｐｈ−Ｐｈ−ＣＯＯ−Ｐｌｒ　、−日ｒＮ−ＣｌトＰ
ａ１−等Ａ’　：　−＋０Ｉ２ｈ　、　−（（＆Ｃ１（
、Ｏｈ　Ｉ　ｎｃｌＩ、蟻。
島 （但し、ｐｈはフェニレン基、 ０〜１８の整数を表わす。） 及び、下記構造式（５） ％式％） ） （但し、Ｒ１はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、二１・口基又はシアノ基であり、　ＩＩはＯ・・−
１８の整数を表わす。） を有するビニル系高分子、ポリシロキサン等が代表例と
してあげられるい 続いて、本発明の第２である液晶性高分子薄膜付基板の
製造方法をついて、第２図イ１−参照しながら、説明を
進めることにする。
Ｃａ＞まず、基板１上にポリアミック酸またはその誘導
体を主成分とする被膜２″を形成する。被膜の形成方法
としては、ポリアミック酸の溶液を、従来公知のスピン
コード法、ディッピング法。
グラビアコート法、ロールコート法などにより基板１上
に塗布し、溶媒を加熱留去する方法が好適である。溶液
濃度は塗布法によって異なるが０．１〜１０％の範囲で
ある。ここでの溶媒としてはＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルカプロラクタ
ム、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホアミド
などがあげられる。
（ｂ）加熱によりポリアミック酸を閉環させて、ポリイ
ミド膜２′とする。このとき、必要な温度はおおむね１
００−３５０℃より好ましくは１３０〜３５０℃の範囲
である。
（ｃ）形成されたポリイミド膜２′の表面をラビング材
４で一方向にラビング処理を行なう、ラビング材４とし
ては紐、ポリエステル、ナイロン等の植毛布または布、
ウレタン、ナイロン等のスポンジが好適に用いられる。
ラビング時の荷重は１−２００ｇ／ｃｊ好ましくは２０
−１５０ｇ／ａＪである。このラビング処理によりポリ
イミド膜表面はラビング方向に一様に配向する。
本発明では、通常の液晶表示素子とは異なり、−単一の
基板上で−すなわち、液晶性高分子被膜の片側のみが配
向膜に接し、他方は周囲の雰囲気（一般的には空気）に
露出されて配向制御を行うものである。このため、配向
膜の表面張力により液晶性高分子の表面張力が小さい場
合には、液晶性高分子が加熱中にはじかれて均質な膜が
作製できないことがある。こうした観点より、用いられ
る液晶性高分子の種類にもよるが、一般的にいって配向
膜２の表面張力は３５ｄｙｎｅ／ｃｍ以上、より好まし
くは４０ｄｙｎｅ／ａｍ以上である。
（ｄ）サーモトロピック液晶性高分子を有機溶媒に溶解
させた溶液３′をポリイミド配向膜２上に塗布する。液
晶性高分子用の溶媒としては、そこで用いられる液晶性
の高分子の種類、重合度によっても異なるが、一般には
、クロロホルム、ジクロロエタン、テトラクロロエタン
、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、オルソ
ジクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、これらと
フェノール、０−クロロフェノール、クレゾールなどフ
ェノール系溶媒との混合溶媒。
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド。
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどの非
プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒から適宜選択される。溶液濃度は塗
布方法、高分子の粘性などにより相違するが１通常は５
〜５０重量％の範囲で使用され、好ましくは１０〜３０
重景気の範囲である。塗布方法としてはスピンコード法
、ロールコート法、グラビアコート法、ディッピング法
などが採用できる。
（ｅ）溶媒を乾燥により除去し、所定温度で所定時間加
熱処理してモノドメインな液晶配向を完成させた後、ガ
ラス転移点以下の温度に冷却する。
このときの熱処理温度は液晶性高分子がガラス転位点以
上の温度から選ばれる。配向膜の界面効果による配向を
助ける意味でポリマーの粘性は低い方が良く、従って、
熱処理温度は高い方が好ましいが、あまり高いとコスト
の増大と作業性の悪化を招き好ましくない、また、液晶
性高分子の種類によってはネマティック相より高温部に
等六相を有するが、この温度域で熱処理しても均一な配
向が得られないことが多い、このように、熱処理温度は
液晶性高分子のガラス転位点以上であることが必要で、
等六相への転移点以下であることが好ましい、一般的に
は５０℃〜３００℃の範囲が好ましく、特に１００℃〜
２５０℃の範囲が特に好ましい、また、先に触れたよう
に、液晶性高分子の相との関連では、この処理温度にお
いて液晶性高分子はネマティック相またはコレステリッ
ク相であることが好ましく、スメクティック相では高い
粘性のため均一な配向は得られない。配向膜上で液晶状
態において十分な配向を得るために必要な熱処理時間は
、ポリマーの組成、分子基ｒＪ、。って異なり一概には
いえないが、１０秒から６０分の範囲が好まし６〈。
特に３０秒か１Ｅ１３０分の範囲が好ましい、】０秒よ
り短い場合は配向が不十分となり、また６０分より長い
場合は生産性が低下しりＩましくない、液晶配向が完成
されτから散品性高分子膜はガラス転移点以下のＲ度に
冷却されるが、こぶしは配向の固定化を意図し、でいる
ためである。冷却速度は特に制限されず、加熱界囲気か
らガラス転移点以下のｆ囲気、に移すだけでかまわない
ゆなお、液晶性高分子酵膜Ｈ；を板浸室温付近で用いる
ことを想定し、液晶性高分子の最大の特徴である配向固
定化−すなわち液晶状態の配向状態をガラス転移点以下
に冷却することにより固定化するーを行なって用いよう
とする場合、液晶性高分子のガラス転移点は３０℃以上
であることが好ましく　特に５０℃以」−８であること
が好ましい。ガラス転移点が３０℃より低い場合じは、
室温付近で使用すると、固定化された液晶構造が変化す
る場合があり、好ましくない、液晶性Ｉｊ分子３の膜厚
は１００μｍ１１以下の背ｉ、囲がｔ４まし・く、特に
５０岸以ｆであることがより好ましい、１００１ＪＩ！
１以上であると、均一な配向を得るにが困難となる、と
ごろで、液晶性高分子は先に述べたように、１−の相系
列にコレステリック相もＩ５＜はネマティック相を持つ
ものが好ましく、両オ［］の温度範囲７熱処理が行オ〕
れるのが望ましい、このような条件を満たす液晶性高分
子とし、では、次１Ｊ示すようなポリエステルをより好
耐１２．い例とし２丁示す、′″と、１・舅できる。
（ＯＡｒ’　　ＣＯ’ｊ−４０−Ａｒ”Ｃ（：ｌｌ　）
−−（Ｏ−Ａｒ１−Ｏ’３−−＋Ｃｏ−Ａｒ”Ｃ０）−
□（Ｏ−Ａｒ”−０う−−＋ｃ（−）−Ａｒ　１ＣＯ’
）−ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルａ、−ル基Ｉ）
るいはアルコキシ基又はフエー、ル基を表オ）し、ｋ（
ま０゜１．２のいずれ、かであるａ）、　−（）−〇−
、″Ｃ）で）−２から１２ノ整数）、−〇−ＣＩ（７Ｃ
１ｌ−ＣＨ，Ｑ−１，０−ヌはＣＨｏ 素原子、ハロゲンＪＪ″Ａ子、炭素数が１へ４のアルキ
ル基あるいはアルコキシ基又はノエニル基を表わし、ρ
は０，１，２．のいずれかである７）、より具体的には
下記のような構造即位かＩう構成さカフるポリマー、ポ
リエステルを例示することかできる。
本発明の液晶性高分子薄膜ｆＪ基板Ｌし擾゛３いては、
用途によっては、前記液晶性高分子に光学活性基を導入
したり、光学活性基をもつ液晶性品分−ｒ、低置イ液晶
、非液晶性物質など後添加し゛（コ［ノステリック相を
呈するようにすることもできる１、このような用途とし
ては、円偏光フィルターノツチフィルター、コレステリ
ンク相の選択反射を利用した光メモリ−、ＳＴＮ型液晶
表示素子用色補償板などがある。この場合、配向膜に接
する液晶性高分子の分子はラビング方向に平行に配向し
、厚み方向に液晶性高分子のピッチに対応したねじれ構
造をとるようになる。
〔実施例〕
次に実施例及び比較例を示す。
実施例１ ガラス基板上に下記式（６） で示されるポリアミック酸の２．５重量％、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン溶液をスピンフート法で塗布し、７０
℃で１０分間乾燥させて、膜厚約１０００人のポリアミ
ック酸被膜を形成した。次いで、基板を２７０℃で１時
間加熱し、ポリアミック酸を閉環させ、下記式（７）の
ポリイミド膜が形成された基板を得た。
なお、上記構造のポリイミドの示差走査熱量計により求
めたガラス転移温度は４００℃であった。ポリイミド膜
の表面を綿植毛布で約５０ｇ／ｃｄの加重を加えながら
一方向にラビングし、配向膜付基板を作製した。
次いで、下記式（８） で示されるポリエステル系液晶性高分子を１．１，２゜
２−テトラクロロエタンに溶解して１５重ｉ％溶液を調
製した。このポリエステル溶液を前記配向膜付基板の配
向膜上にスピンコード法で塗布したのち、７０℃で乾燥
した。
続いて、この試料を空気恒温槽中で１９０℃で５分間熱
処理したのち、恒温槽より取り出して放冷し、配向固定
化を行なった。得られたポリエステルの膜厚は約１．１
声であり、完全透明で平滑なフィルムであった。このフ
ィルムの配向状態をクロスニコルにした偏光顕微鏡で観
察したところ、ラビング方向と偏光板透過軸とが平行の
ときには完全に暗視野となり、４５″試料を回転させる
と、フィルムのレターデーション（約ｏ、ｔ３．ｍ）に
対応するほぼ無色の明視野が観察され、−軸性の水平配
向をしていることが確認された。また、試料サイズ（１
２０ｍｍ　Ｘ　１２０＋ａｍ）全面にわたって欠陥はま
ったくみられなかった。
実施例２ 実施例１と同様にして作製した配向処理基板上に、前記
式（８）で表わされたポリエステルと、下記式（９）で
表わされる光学活性なポリエステルとを、重量比で９５
：５の割合で含む濃度１５重量％のテトラクロロエタン
溶液をスクリーン印刷法により塗布し、７０℃で乾燥し
た。その後、実施例１と同様の条件下に熱処理及び固定
化を行なった。得られたポリエステルの膜厚は約６．７
μｍであり、完全に透明で平滑なフィルムであった。
このフィルムの配向状態をクロスニコルにした偏光顕微
鏡で観察したところ、全面にわたって均一な複屈折色が
観察され、欠陥もまったくみられなかった。また偏光解
析の結果、このフィルムは厚み方向に２４０°ねじれて
おり、配向膜面での配向方向はラビング方向と平行であ
った。
実施例３ 実施例２において、ポリアミック酸として下記式（１０
）で示されるポリアミック酸の２．５重量％Ｎ−メチル
ピロリドン溶液を用いてポリイミド配合膜を製膜した以
外は同様にして液晶性高分子薄膜付基板を作成した。こ
のものは実施例２と同様にすぐれた配向性が確認された
。
実施例４ 実施例２において、ポリアミック酸として下記式（１１
）で示されるポリアミック酸の２．Ｓ重弧ダＮ−メチル
ピロリドン溶液を用いて約８００人の配向膜を形成した
ほかは同様にして液晶性高分子薄膜付基板を作製したが
、このものは実施例２と同様にづ−ぐ九た配向性が確認
された。
（ポリアミック酸　　） （ポリイミド　） 実施例５ ポリアミック酸どして日立化成社製のイソインドロキナ
ゾリンジオン骨格浸食むポリイミド（ＬＱ５２００）の
２，５重量Ｉ−メチルピロリドン溶液粁用いたほかは実
施例２と同様ｊ、こして液晶性高分子薄膜付基板を作製
した。なお、ＬＱ５２００の硬化膜のガラス転移温度は
４００℃以上であった２、：の場合す実施例２と同様に
゛ずぐれた配向性が確認六オｔた。
比較例」− ガラス基板−にに上記式（１２）で示される町治′性ポ
リイミドの２．５１斌２γ〜ブチＹ」ラクトン溶液をス
ビンフー１−法で塗布し、１２０℃で乾燥した後（膜厚
約１０００人）、ラビング処理を行なった配向処理基板
を用い、更に実施例ｊ１と同じ液晶を用いて成品性高分
子薄膜イゴ基板も作製した１、この試料は１田しており
、配向状態をクロスニコルにした偏夕ｔｉ顕微鏡で観察
したと、：、　７．　、多数の微少なドメイン分割がみ
られ、試料を回転しても明るさの変化はほどんどみられ
なか−）たゆ 比較例２ ガラス基板上に■立化成」」′製のポリアミック酸Ｐ　
１１　Ｘ　１４００の２８５）重量％Ｎ−メチルビ１コ
リドソ溶液るスビンコ〜・ト法で塗布１−、．７０″Ｃ
：’ｒ　Ｒ燥後、７゛７０“（二で１時間加熱し〔イソ
インドロキナゾリンジオン唄に有するポリイミド（膜厚
約１０００人）を形成した。このポリイミドのガラス転
移温度は２９０℃であった。
この配向処理基板を用い、実施＠１と同じ液晶を用いて
液晶性高分子薄膜付基板ｔ・作製した。この試料は外観
上はぼ透明であったが、クロスニコルにした偏光Ｒ微鏡
の観６察では部分的に無配向部分がみられた。
〔発明の効果〕
本発明によれば下記のＪ、うな効果かもたらさハ。
る。
（］）液晶性高分子膜を湿式、塗布法Ｖより作製するの
で、薄膜が非常に精度良くＬ造できる。液晶性高分子の
粘度や塗布法にも依存するが、１０〜３０重量％程度の
溶液濃度で数舊１１−・数十・Ｐの薄膜が得られ、１〜
５重量２程度の濃度で約１１７ａ前後の薄膜が膜厚精度
良く製造できる。
（２）熱環化タイプでか７つガラス転移温度が３００℃
以上の限定されたポリイミド配向膜の使用であるため、
上記（１）のような液晶性高分子溶液の塗布工程番コお
いても、配向性能の劣化はまったくみられず５低分子液
晶４以上の高度の水平でかっ配向方向が制御された高度
な配向が実現できる。
（３）液晶性高分子膜の片面のみを配向膜と接ｆｌｉＩ
Ｉさせて配向制御し、他の面はフリー・の状態例えば空
気相と接触させた状態で高度な配向制御とその固定化が
できる。−・般に、液晶の配自制＠　Ｎｉｌ：両界面を
配向膜と接触さ１！・て行うのが普通であり７片面が空
気相のときは空気界面の分子６（３向は一様でなく、そ
の影響により膜ハ方向の全領域にお〔プる均一な配向は
得ｌ）れないといわカ、１：：いる。本発明の場合５片
面のみの制御によりモノドメインのねじれネマチック配
向ができ、さらにそれを固定化できるという大きな特徴
を有する。
（４）本発明の液晶性高分子薄膜付基板は、その、）、
まで使用しても良いし、表面保護のために透明プラスチ
ックの保護層を設けてもよい。また５偏光板などの他の
光学素丑と組み合わせた形で使用してもよい。このよう
に、本発明の液晶性高分子薄膜付基板は、均一性にすぐ
れ、また高度な配向状態を反映して優れた光学性能を有
し、また、製造コストが安く生産性が高いため、液晶表
示素子補償板、光学フィルター、メモリー媒体等の分野
で、きわめて工業的な価値の大きなものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る液晶性高分子薄膜付基板の概略図
である。 第２図は本発明に係る液晶性高分子薄膜付基板の製造方
法を説明するための図である。 １・・・基板 ２・・・配向膜 ３・・・液晶性高分子薄膜 第 第 図 図 手続補正書 平成２年　３月 ／〆日 事件の表示 平成１年特許願第１４３５９７号 発明の名称 液晶性高分子薄膜付基板及びその製造方法補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　東京都大田区中馬込１丁目３番６号名　称　
　（６７４）　　株式会社　リ　コ　−（ばか１名）代
表者　浜　１）　　広 ４、代理人〒１５１ ８、補正の内容 本願明細書中において以下のとおり補正を行います。 （１）第１４頁下から第１２行のｒ−Ｐｈ＝Ｐｈ−Ｒ’
　Ｊを、ｒ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ″Ｊに訂正します。 （２）第２４頁下から第９行の構造式 ［ ５４補正命令の日付　　　自　　発 ６、補正により増加する請求項の数

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板と、その基板上に形成された配向膜と、その
    配向膜上に形成されたサーモトロピック液晶性高分子薄
    膜とを主構成要素としてなり、該配向膜は該基板上に塗
    工されたポリアミック酸又はその誘導体被膜を閉環させ
    て得られたガラス転移温度が３００℃を超えるポリイミ
    ドであって、かつ、ラビング処理されたものであること
    を特徴とする液晶性高分子薄膜付基板。
  2. （２）下記（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）及び（ｅ）の工程
    からなることを特徴とする液晶性高分子薄膜付基板の製
    造方法。 （ａ）基板上にポリアミック酸又はその誘導体を主成分
    とする溶液を塗工する工程。 （ｂ）加熱によりポリアミック酸又はその誘導体を閉環
    させてガラス転移温度が３００℃を超えるポリイミド被
    膜を形成する工程。 （ｃ）前記ポリイミド被膜をラビング処理する工程。 （ｄ）前記ラビング処理が施されたポリイミド被膜上に
    サーモトロピック液晶性高分子溶液を塗布する工程。 （ｅ）溶媒を留去して液晶性高分子の被膜を形成した後
    、これをそのガラス転移点以上の温度に保持し、続いて
    、ガラス転移点以下の温度に冷却する工程。
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