JPH0391237A - 蒸着用マスク - Google Patents
蒸着用マスクInfo
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- JPH0391237A JPH0391237A JP22811989A JP22811989A JPH0391237A JP H0391237 A JPH0391237 A JP H0391237A JP 22811989 A JP22811989 A JP 22811989A JP 22811989 A JP22811989 A JP 22811989A JP H0391237 A JPH0391237 A JP H0391237A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、蒸着やスパッタリングあるいはプラズマＣＶ
Ｄ等で薄膜パターンを形成する時に用いる蒸着用マスク
に関するものであり、さらに詳しくはホトリソグラフィ
ーを行わずに精度よく薄膜パターンを基板上に形成する
ために用いる蒸着用メタルマスクに関するものである。
Ｄ等で薄膜パターンを形成する時に用いる蒸着用マスク
に関するものであり、さらに詳しくはホトリソグラフィ
ーを行わずに精度よく薄膜パターンを基板上に形成する
ために用いる蒸着用メタルマスクに関するものである。
（ロ）従来の技術および発明が解決しようとする課題
ホトリソグラフィーを行わずに基板上に薄膜パターンを
形成する方法として、厚みの薄いガラスや金属に所定の
パターンを形成しておき、それを蒸着用マスクとして用
いて成膜を行い、基板上に所定のパターンを形成する方
法が一般に用いられている。
形成する方法として、厚みの薄いガラスや金属に所定の
パターンを形成しておき、それを蒸着用マスクとして用
いて成膜を行い、基板上に所定のパターンを形成する方
法が一般に用いられている。
特に、精度の良いパターンを形成する時は、従来、Ｆｅ
、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を材料とする厚みの
薄いメタルマスクを用い、基板の裏面より磁石にて基板
表面にメタルマスクを密着させパターン形成を行ってい
る。
、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を材料とする厚みの
薄いメタルマスクを用い、基板の裏面より磁石にて基板
表面にメタルマスクを密着させパターン形成を行ってい
る。
しかしながら、Ｆｅ、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金
を材料とするメタルマスクを用いてスパッタリングによ
って成膜を行うと、メタルマ夫りのパターンエツジ部分
と基板表面間で局所的な電界集中が発生し、基板表面に
異常放電による損傷を与えるおそれがある。
を材料とするメタルマスクを用いてスパッタリングによ
って成膜を行うと、メタルマ夫りのパターンエツジ部分
と基板表面間で局所的な電界集中が発生し、基板表面に
異常放電による損傷を与えるおそれがある。
この問題を解決するためには、マスクの材料としてＳｉ
ｎ、やセラミック等を用いる方法があるが、基板表面と
マスクとの密着性を向上できないために高精度のパター
ンを得ることが難しい。
ｎ、やセラミック等を用いる方法があるが、基板表面と
マスクとの密着性を向上できないために高精度のパター
ンを得ることが難しい。
そのため、従来はＮｉやＣＯあるいはそれらの合金を材
料とするメタルマスク表面にテフロンをコーティングし
て絶縁処理を行ったメタルマスクを用いる方法が採用さ
れていた。
料とするメタルマスク表面にテフロンをコーティングし
て絶縁処理を行ったメタルマスクを用いる方法が採用さ
れていた。
しかし、テフロンをコーティングしたマスクは高温下で
は使用できないため、制限された温度下でしか使用でき
ないという問題が発生していた。
は使用できないため、制限された温度下でしか使用でき
ないという問題が発生していた。
本発明はこれらの問題点を解決し、種々の条件下におい
て精度の良好な薄膜パターンが得られる蒸着用マスクを
提供するものである。
て精度の良好な薄膜パターンが得られる蒸着用マスクを
提供するものである。
（ハ）課題を解決するための手段
この発明は、鉄、ニッケルおよびコバルトあるいはそれ
らの合金を材料とする蒸着用マスクにおいて、表面に酸
化絶縁膜を形成してなる蒸着用マスクである。
らの合金を材料とする蒸着用マスクにおいて、表面に酸
化絶縁膜を形成してなる蒸着用マスクである。
すなわち、本発明の蒸着用マスクは、材料としてＦｅ、
ＮｉやＣＯあるいはそれらの合金を用い、そのメタルマ
スクの表面に、例えば、酸化タンクルなどの酸化絶縁膜
を形成することによって、基板表面とメタルマスクのパ
ターンエツジ間で発生する異常放電を防止し、かつ高温
下においてもメタルマスクの使用を可能にするものであ
る。
ＮｉやＣＯあるいはそれらの合金を用い、そのメタルマ
スクの表面に、例えば、酸化タンクルなどの酸化絶縁膜
を形成することによって、基板表面とメタルマスクのパ
ターンエツジ間で発生する異常放電を防止し、かつ高温
下においてもメタルマスクの使用を可能にするものであ
る。
この発明における酸化絶縁膜としては、Ｔａ２０５膜な
どの耐酸性、耐アルカリ性に富んだ膜が好ましいものと
して挙げられる。また、Ａｌ２Ｏ３膜や、Ｎｂ２Ｏ５膜
を用いても良い。
どの耐酸性、耐アルカリ性に富んだ膜が好ましいものと
して挙げられる。また、Ａｌ２Ｏ３膜や、Ｎｂ２Ｏ５膜
を用いても良い。
（ニ）作用
本発明によれば、マスクの材料としてＦｅ。
ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を使用していることか
ら、基板裏面より磁石を用いて、マスクと基板表面を密
着させることにより高精度のパターンを得ることができ
るとともに、マスク表面に形成された酸化絶縁膜により
、基板表面への異常放電の防止、マスクの高温下での使
用が可能となる。
ら、基板裏面より磁石を用いて、マスクと基板表面を密
着させることにより高精度のパターンを得ることができ
るとともに、マスク表面に形成された酸化絶縁膜により
、基板表面への異常放電の防止、マスクの高温下での使
用が可能となる。
（ホ）実施例
以下図に示す実施例にもとづいてこの発明を詳述する。
なお、これによってこの発明は限定を受けるものではな
い。
い。
まず初めに、Ｆｅ、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を
材料とする０、５ｍｍ厚程度の金属板にエツチング等で
第４図（ａ） （ｂ） （ｃ）に示すような複数の開口
ｌａパターンを有するメタルマスク１全作Ｘ一 する。
材料とする０、５ｍｍ厚程度の金属板にエツチング等で
第４図（ａ） （ｂ） （ｃ）に示すような複数の開口
ｌａパターンを有するメタルマスク１全作Ｘ一 する。
次に、このメタルマスクｌをホルダー２に固定しく第２
図（ａ）参照）、スパッタリングによりメタルマスクｌ
の下面にＴ ａ ２０ ｓよりなる絶縁膜４を２〜３μ
ｍの厚さｄに形成する（第２図（ｂ）参照）。
図（ａ）参照）、スパッタリングによりメタルマスクｌ
の下面にＴ ａ ２０ ｓよりなる絶縁膜４を２〜３μ
ｍの厚さｄに形成する（第２図（ｂ）参照）。
このときのＴ ｌ ２０ ｓ膜４の形成条件は、Ａｒガ
スと０２ガスの混合ガス（０膜混合比（０膜程度）を用
い、ターゲット３としてＴａ、Ｏｓを用い、約３ｘ ｔ
ｏ−３Ｔｏｒｒのガス圧下で８００Ａ／ｍｉｎ程度のス
パッタ速度で行った。
スと０２ガスの混合ガス（０膜混合比（０膜程度）を用
い、ターゲット３としてＴａ、Ｏｓを用い、約３ｘ ｔ
ｏ−３Ｔｏｒｒのガス圧下で８００Ａ／ｍｉｎ程度のス
パッタ速度で行った。
このようにして絶縁膜４を表面に形成したマスクｌの断
面を第１図に示す。
面を第１図に示す。
次にこの絶縁膜４を表面に形成したマスクｌを用いて基
板上に薄膜パターンを形成する方法を第２図（ｃ） （
ｄ）および第３図を用いて説明する。
板上に薄膜パターンを形成する方法を第２図（ｃ） （
ｄ）および第３図を用いて説明する。
まず、先に作成したマスクｌの絶縁膜４を形成した面側
を基板５の表面５ａであるパターン形成面側に面接させ
て、ホルダー２に固定し、基板５の裏面５ｂ側に磁石６
を固定する（第２図（Ｃ）参照）。これによってマスク
１は基板表面５ａに密着する。
を基板５の表面５ａであるパターン形成面側に面接させ
て、ホルダー２に固定し、基板５の裏面５ｂ側に磁石６
を固定する（第２図（Ｃ）参照）。これによってマスク
１は基板表面５ａに密着する。
次にこれにスパッタリングにより所望の膜形成を行えば
（第３図（ｄ）参照）、基板５上にメタルマスクのパタ
ーン８が高精度で転写される（第３図参照）。
（第３図（ｄ）参照）、基板５上にメタルマスクのパタ
ーン８が高精度で転写される（第３図参照）。
この際、スパッタリングは、金属あるいは酸化物ターゲ
ット７を用いて行い、金属あるいは酸化物の０，２〜０
．５μｍ厚の薄膜パターン８を得た。
ット７を用いて行い、金属あるいは酸化物の０，２〜０
．５μｍ厚の薄膜パターン８を得た。
なお、本実施例においてメタルマスクにＴａｘＯ５膜を
形成する方法としてＴａｔＯｓをターゲットとして用い
たスパッタを示したが、Ｔａをターゲットとしてリアク
ティブスパッタによりＴａ２Ｏ、膜を形成してもよく、
またメタルマスク表面にＴａ膜を形成してから陽極酸化
によりＴ ａ ２０−膜を形成してもよい。
形成する方法としてＴａｔＯｓをターゲットとして用い
たスパッタを示したが、Ｔａをターゲットとしてリアク
ティブスパッタによりＴａ２Ｏ、膜を形成してもよく、
またメタルマスク表面にＴａ膜を形成してから陽極酸化
によりＴ ａ ２０−膜を形成してもよい。
また、本実施例では、酸化絶縁膜としてＴａ１Ｏ５膜を
用いたものを示したが、これに限らずＡ ｌ ｔｏ ａ
膜やＮ ｂ ｔ Ｏ５膜などを用いても良い。そして、
これらの膜も、上記実施例と同様のスパッタリング法な
どの形成方法を用いて上記実施例と同様の厚さに形成で
きる。
用いたものを示したが、これに限らずＡ ｌ ｔｏ ａ
膜やＮ ｂ ｔ Ｏ５膜などを用いても良い。そして、
これらの膜も、上記実施例と同様のスパッタリング法な
どの形成方法を用いて上記実施例と同様の厚さに形成で
きる。
（へ）発明の効果
以上のように本発明によれば、マスクの材料としてＦｅ
、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を使用しているため
、磁石を用いることによりマスクを基板表面に密着させ
、高精度のパターンを形成することが可能である。また
□、マスク表面にＴａｔＯｓ膜などの酸化絶縁膜を形成
することにより、マスクのパターンエツジと基板表面間
の電界集中による異常放電を防止でき、基板表面に損傷
を与えることなくパターンを形成することが可能である
。
、ＮｉやＣｏあるいはそれらの合金を使用しているため
、磁石を用いることによりマスクを基板表面に密着させ
、高精度のパターンを形成することが可能である。また
□、マスク表面にＴａｔＯｓ膜などの酸化絶縁膜を形成
することにより、マスクのパターンエツジと基板表面間
の電界集中による異常放電を防止でき、基板表面に損傷
を与えることなくパターンを形成することが可能である
。
さらに、マスク表面の絶縁物としてテフロンコーティン
グを行ったものは２００℃以上の高温下では使用上好ま
しくないが、本発明のようにＴａ。
グを行ったものは２００℃以上の高温下では使用上好ま
しくないが、本発明のようにＴａ。
Ｏ６膜などの酸化絶縁膜を用いれば高温下での使用も可
能となる。しかも、ＴａｔＯｓ膜などの酸化絶縁膜は耐
酸性、耐アルカリ性に富んだ膜であるので、マスクとし
て使用した場合に付着した種々の薄膜をエツチング除去
することによる繰り返し７− 使用も可能であるという利点を有する。
能となる。しかも、ＴａｔＯｓ膜などの酸化絶縁膜は耐
酸性、耐アルカリ性に富んだ膜であるので、マスクとし
て使用した場合に付着した種々の薄膜をエツチング除去
することによる繰り返し７− 使用も可能であるという利点を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第２図は
上記実施例における蒸着用マスクの製造工程および該マ
スクによって作成される薄膜パターンの製造工程を説明
するための説明図、第３図は上記実施例におけるマスク
を用いて薄膜パターンを形成してなる基板の構成説明図
、第４図（ａ）はメタルマスクの平面図、第４図（ｂ）
はその側面図、第４図（Ｃ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’
矢視図である。 ｌ・・・・・・メタルマスク、 ２・・・・・・
ホルダー３・・・・・・ＴａｔＯｓターゲット、４・・
・・・・Ｔ ａ ２０ ｓ膜、５・・・・・・基板、
６・・・・・・磁石、７・・・・・・金
属あるいは酸化物ターゲット、８・・・・・・金属ある
いは酸化物の薄膜パターン。
上記実施例における蒸着用マスクの製造工程および該マ
スクによって作成される薄膜パターンの製造工程を説明
するための説明図、第３図は上記実施例におけるマスク
を用いて薄膜パターンを形成してなる基板の構成説明図
、第４図（ａ）はメタルマスクの平面図、第４図（ｂ）
はその側面図、第４図（Ｃ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’
矢視図である。 ｌ・・・・・・メタルマスク、 ２・・・・・・
ホルダー３・・・・・・ＴａｔＯｓターゲット、４・・
・・・・Ｔ ａ ２０ ｓ膜、５・・・・・・基板、
６・・・・・・磁石、７・・・・・・金
属あるいは酸化物ターゲット、８・・・・・・金属ある
いは酸化物の薄膜パターン。
Claims (1)
- １、鉄、ニッケルおよびコバルトあるいはそれらの合金
を材料とする蒸着用マスクにおいて、表面に酸化絶縁膜
を形成してなる蒸着用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22811989A JPH0391237A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 蒸着用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22811989A JPH0391237A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 蒸着用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391237A true JPH0391237A (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=16871509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22811989A Pending JPH0391237A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 蒸着用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006107151A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-12 | Woowon Electronics Co., Ltd. | An apparatus for evaporating electrode of liquid lens |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP22811989A patent/JPH0391237A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006107151A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-12 | Woowon Electronics Co., Ltd. | An apparatus for evaporating electrode of liquid lens |
| KR100644350B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2006-11-10 | 우원전자 주식회사 | 액체렌즈 전극 증착장치 |
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