JPH11158613A - 電極基板、及び該電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板、及び該電極基板の製造方法Info
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- JPH11158613A JPH11158613A JP33059397A JP33059397A JPH11158613A JP H11158613 A JPH11158613 A JP H11158613A JP 33059397 A JP33059397 A JP 33059397A JP 33059397 A JP33059397 A JP 33059397A JP H11158613 A JPH11158613 A JP H11158613A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極の剥離を防止する。
【解決手段】 金属電極３において、ガラス基板２に接
する第１層３１は、ガラス基板２との密着性が良好な金
属に窒素を含有させたもので構成し、第３層３３は、電
気抵抗の小さなＣｕ系の金属で構成する。また、第１層
３１と第３層３３との間の第２層３２は、第１層３１を
構成する金属（第１金属）と第３層３３を構成する金属
（第３金属）とを混合したものであり、これら第１金属
と第３金属との組成比は、第１層３１に接する部分にて
第１金属が１００％となると共に第３層３３に接する部
分にて第３金属が１００％となるように、第２層３２の
厚さ方向に沿って連続的に変化するようにしている。こ
れにより、第１層３１とガラス基板２との密着性が向上
され、第１層３１と第３層３３との密着性も向上され
る。
する第１層３１は、ガラス基板２との密着性が良好な金
属に窒素を含有させたもので構成し、第３層３３は、電
気抵抗の小さなＣｕ系の金属で構成する。また、第１層
３１と第３層３３との間の第２層３２は、第１層３１を
構成する金属（第１金属）と第３層３３を構成する金属
（第３金属）とを混合したものであり、これら第１金属
と第３金属との組成比は、第１層３１に接する部分にて
第１金属が１００％となると共に第３層３３に接する部
分にて第３金属が１００％となるように、第２層３２の
厚さ方向に沿って連続的に変化するようにしている。こ
れにより、第１層３１とガラス基板２との密着性が向上
され、第１層３１と第３層３３との密着性も向上され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基材に金属電極を
形成した電極基板及び該電極基板の製造方法に関する。
形成した電極基板及び該電極基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶パネル等においては、金
属電極をガラス等の基板（基材）の表面に形成したもの
（以下、“電極基板”とする）が用いられている。
属電極をガラス等の基板（基材）の表面に形成したもの
（以下、“電極基板”とする）が用いられている。
【０００３】ところで、この金属電極の材料としては、
一般に用いられているＡｌやＡｌ合金よりもＣｕやＣｕ
合金（以下、“Ｃｕ系の金属”とする）の方が電気抵抗
が小さくて好ましく、特に液晶パネルにおいては液晶駆
動速度を向上させる等の優れた効果を奏することが知ら
れているが（“ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ
Ｓ”１９９３年２月号）、一方では、金属電極とガラス
基板との密着性が悪く、金属電極が剥れ易いという問題
があった。
一般に用いられているＡｌやＡｌ合金よりもＣｕやＣｕ
合金（以下、“Ｃｕ系の金属”とする）の方が電気抵抗
が小さくて好ましく、特に液晶パネルにおいては液晶駆
動速度を向上させる等の優れた効果を奏することが知ら
れているが（“ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ
Ｓ”１９９３年２月号）、一方では、金属電極とガラス
基板との密着性が悪く、金属電極が剥れ易いという問題
があった。
【０００４】そこで、Ｃｕ系の金属によって金属電極を
形成すると共に、金属電極とガラス基板との密着性を向
上させるようにした以下のものが提案されている。 金属電極を、ガラス基板との密着性が良好な金属層
（例えば、クロム層、モリブデン層、チタン層）と、Ｃ
ｕ系の金属層との積層構造とし、前者（ガラス基板との
密着性が良好な金属層）をガラス基板に接するように配
置したもの（特開平３−８２１８８号公報）。
形成すると共に、金属電極とガラス基板との密着性を向
上させるようにした以下のものが提案されている。 金属電極を、ガラス基板との密着性が良好な金属層
（例えば、クロム層、モリブデン層、チタン層）と、Ｃ
ｕ系の金属層との積層構造とし、前者（ガラス基板との
密着性が良好な金属層）をガラス基板に接するように配
置したもの（特開平３−８２１８８号公報）。
【０００５】なお、このような構造の電極基板において
は両金属層の間で剥離が生じ易いため、両金属層の間
に、組成を連続的に変化させた層を設けた電極基板が提
案されている（特開平９−２５８２４６号公報）。 金属電極を、窒素を含有させてガラス基板との密着
性を良好にしたＣｕ系の金属層と、窒素を含有させない
Ｃｕ系の金属層との積層構造とし、前者（窒素を含有さ
せたＣｕ系の金属層）をガラス基板に接するように配置
したもの（特開平６−３１０５１２号公報）。
は両金属層の間で剥離が生じ易いため、両金属層の間
に、組成を連続的に変化させた層を設けた電極基板が提
案されている（特開平９−２５８２４６号公報）。 金属電極を、窒素を含有させてガラス基板との密着
性を良好にしたＣｕ系の金属層と、窒素を含有させない
Ｃｕ系の金属層との積層構造とし、前者（窒素を含有さ
せたＣｕ系の金属層）をガラス基板に接するように配置
したもの（特開平６−３１０５１２号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の場
合には、ガラス基板との密着性が良好な金属層をガラス
基板に接するように配置するだけでは充分ではなく、該
金属層の膜厚を厚くしたり、該金属層をスパッタ法にて
形成する場合のＡｒガスの圧力を適正に管理する必要が
ある。しかし、このような管理自体が困難であり、一定
の密着性を有する金属電極を安定して形成することは困
難であった。また、金属層の膜厚を厚くした場合には、
金属電極全体の比抵抗が上昇したり、製造の際のエッチ
ングが困難となって正確なパターニングができない等の
問題があった。
合には、ガラス基板との密着性が良好な金属層をガラス
基板に接するように配置するだけでは充分ではなく、該
金属層の膜厚を厚くしたり、該金属層をスパッタ法にて
形成する場合のＡｒガスの圧力を適正に管理する必要が
ある。しかし、このような管理自体が困難であり、一定
の密着性を有する金属電極を安定して形成することは困
難であった。また、金属層の膜厚を厚くした場合には、
金属電極全体の比抵抗が上昇したり、製造の際のエッチ
ングが困難となって正確なパターニングができない等の
問題があった。
【０００７】一方、上記の場合には密着性が不十分で
あり、実用性に欠けるという問題がある。実際に、本発
明者がクロスカットテープ試験（パターニングしない状
態の金属層に５mm幅の切れ目を縦横に入れ、この状態の
金属層にテープを貼付して引き剥し、金属層の剥離を観
察する試験）を行ったところ、部分的に剥離が生じた。
このような問題は、ガラス基板としてＡＮガラス（無ア
ルカリガラス、旭硝子（株）社製）を用いた場合に特に
顕著である。
あり、実用性に欠けるという問題がある。実際に、本発
明者がクロスカットテープ試験（パターニングしない状
態の金属層に５mm幅の切れ目を縦横に入れ、この状態の
金属層にテープを貼付して引き剥し、金属層の剥離を観
察する試験）を行ったところ、部分的に剥離が生じた。
このような問題は、ガラス基板としてＡＮガラス（無ア
ルカリガラス、旭硝子（株）社製）を用いた場合に特に
顕著である。
【０００８】そこで、本発明は、基材と金属電極との剥
れ、及び金属電極内部での剥れを防止する電極基板、及
び該電極基板の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
れ、及び金属電極内部での剥れを防止する電極基板、及
び該電極基板の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００９】また、本発明は、金属電極自体の比抵抗が
小さい電極基板、及び該電極基板の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
小さい電極基板、及び該電極基板の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【００１０】さらに、本発明は、金属電極のパターニン
グが容易な電極基板、及び該電極基板の製造方法を提供
することを目的とするものである。
グが容易な電極基板、及び該電極基板の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記事情を考
慮してなされたものであり、基材と、該基材の表面に形
成された金属電極と、を備えた電極基板において、前記
金属電極が、前記基材に接するように配置された第１層
と、該第１層を覆うように配置された第２層と、該第２
層を覆うように配置された第３層と、を少なくとも有
し、前記第１層が、前記基材との密着性が良好な金属に
窒素が含有されて構成され、前記第３層が、Ｃｕ若しく
はＣｕ合金にて形成され、かつ、前記第１層を形成する
金属を第１金属とし、前記第３層を形成する金属を第３
金属とした場合に、前記第２層が、これら第１金属及び
第３金属が混合されて構成されたものであり、これら第
１金属と第３金属との組成比は、前記第１層に接する部
分にて第１金属が１００％となると共に前記第３層に接
する部分にて第３金属が１００％となるように、前記第
２層の厚さ方向に沿って連続的に変化するように設定さ
れた、ことを特徴とする。
慮してなされたものであり、基材と、該基材の表面に形
成された金属電極と、を備えた電極基板において、前記
金属電極が、前記基材に接するように配置された第１層
と、該第１層を覆うように配置された第２層と、該第２
層を覆うように配置された第３層と、を少なくとも有
し、前記第１層が、前記基材との密着性が良好な金属に
窒素が含有されて構成され、前記第３層が、Ｃｕ若しく
はＣｕ合金にて形成され、かつ、前記第１層を形成する
金属を第１金属とし、前記第３層を形成する金属を第３
金属とした場合に、前記第２層が、これら第１金属及び
第３金属が混合されて構成されたものであり、これら第
１金属と第３金属との組成比は、前記第１層に接する部
分にて第１金属が１００％となると共に前記第３層に接
する部分にて第３金属が１００％となるように、前記第
２層の厚さ方向に沿って連続的に変化するように設定さ
れた、ことを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、基材の表面に少なくとも
３層の金属をスパッタ法によって積層すると共に該積層
した金属をパターニングして金属電極を形成する、電極
基板の製造方法において、前記３層の金属を、前記基材
の側から順に第１金属、第２金属及び第３金属とした場
合に、前記第１金属の成膜には、前記基材との密着性が
良好な金属ターゲットとＡｒ及びＮ2 の混合スパッタガ
スとを用い、前記第２金属の成膜には、前記第１金属か
らなる第１ターゲット、並びに前記第３金属からなる第
３ターゲットを並べて配置したスパッタ装置を用い、こ
れらのターゲットに電圧を印加した状態で前記基材を第
１ターゲットの側から第３ターゲットの側へ移動させる
ことにより前記第２金属の成膜を行い、かつ、前記第３
金属の成膜には、Ｃｕ若しくはＣｕ合金をターゲットと
して用いる、ことを特徴とする。
３層の金属をスパッタ法によって積層すると共に該積層
した金属をパターニングして金属電極を形成する、電極
基板の製造方法において、前記３層の金属を、前記基材
の側から順に第１金属、第２金属及び第３金属とした場
合に、前記第１金属の成膜には、前記基材との密着性が
良好な金属ターゲットとＡｒ及びＮ2 の混合スパッタガ
スとを用い、前記第２金属の成膜には、前記第１金属か
らなる第１ターゲット、並びに前記第３金属からなる第
３ターゲットを並べて配置したスパッタ装置を用い、こ
れらのターゲットに電圧を印加した状態で前記基材を第
１ターゲットの側から第３ターゲットの側へ移動させる
ことにより前記第２金属の成膜を行い、かつ、前記第３
金属の成膜には、Ｃｕ若しくはＣｕ合金をターゲットと
して用いる、ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１４】本実施の形態に係る電極基板１は、図１に
示すように、ガラス基板等の基材２を備えており、該基
材２の表面には、少なくとも３層からなる金属電極３が
複数形成されている（図には１つのみ示す）。
示すように、ガラス基板等の基材２を備えており、該基
材２の表面には、少なくとも３層からなる金属電極３が
複数形成されている（図には１つのみ示す）。
【００１５】この３層のうち基材２に接するように配置
された層３１（以下、“第１層３１”とする）は、基材
２との密着性が良好な金属（例えば、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの合金）に
て形成されており、その膜厚は３００Å程度に設定され
ている。
された層３１（以下、“第１層３１”とする）は、基材
２との密着性が良好な金属（例えば、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの合金）に
て形成されており、その膜厚は３００Å程度に設定され
ている。
【００１６】また、基材２の側から数えて３番目の層３
３（第２層３２を覆うように配置された層であって、以
下“第３層３３”とする）は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金に
より形成されている。
３（第２層３２を覆うように配置された層であって、以
下“第３層３３”とする）は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金に
より形成されている。
【００１７】さらに、基材２の側から数えて２番目の層
３２（第１層３１を覆うように配置された層であって、
以下“第２層３２”とする）は、第１層３１を構成する
金属（以下、“第１金属”とする）と第３層３３を構成
する金属（以下、“第３金属”とする）とが混合されて
構成されている。しかも、それら第１金属と第３金属と
の組成比は、第１層３１に接する部分にて第１金属が１
００％となると共に第３層３３に接する部分にて第３金
属が１００％となるように、第２層３２の厚さ方向に沿
って連続的に変化するように設定されている（以下、こ
の第２層３２を構成する金属を“第２金属”とする）。
３２（第１層３１を覆うように配置された層であって、
以下“第２層３２”とする）は、第１層３１を構成する
金属（以下、“第１金属”とする）と第３層３３を構成
する金属（以下、“第３金属”とする）とが混合されて
構成されている。しかも、それら第１金属と第３金属と
の組成比は、第１層３１に接する部分にて第１金属が１
００％となると共に第３層３３に接する部分にて第３金
属が１００％となるように、第２層３２の厚さ方向に沿
って連続的に変化するように設定されている（以下、こ
の第２層３２を構成する金属を“第２金属”とする）。
【００１８】なお、上述した第１層３１には１ａｔ％以
上５０ａｔ％未満の含有率で窒素が含有されている。こ
の場合、第２層３２にも、窒素を１ａｔ％以上５０ａｔ
％未満の含有率で含有させても良い。
上５０ａｔ％未満の含有率で窒素が含有されている。こ
の場合、第２層３２にも、窒素を１ａｔ％以上５０ａｔ
％未満の含有率で含有させても良い。
【００１９】一方、第３層３３を覆うように第４層３４
を形成し、この第４層３４をＮｉやＭｏ等の酸化防止効
果のある金属にて構成しても良い。
を形成し、この第４層３４をＮｉやＭｏ等の酸化防止効
果のある金属にて構成しても良い。
【００２０】次に、本実施の形態に係る電極基板１の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００２１】本実施の形態においては、スパッタ法を用
いて、基材２の表面のほぼ全体に第１金属、第２金属及
び第３金属を順に積層し、その後、積層したこれらの第
１金属等をエッチングによってパターニングし、所定形
状の金属電極３を形成する。
いて、基材２の表面のほぼ全体に第１金属、第２金属及
び第３金属を順に積層し、その後、積層したこれらの第
１金属等をエッチングによってパターニングし、所定形
状の金属電極３を形成する。
【００２２】なお、第１金属の成膜は、スパッタガスと
してＡｒガスとＮ2 ガスとの混合ガスを用いて行い、第
１金属に窒素を含有させれば良い。ここで、ターゲット
には、基材２との密着性が良好な金属を用いる。
してＡｒガスとＮ2 ガスとの混合ガスを用いて行い、第
１金属に窒素を含有させれば良い。ここで、ターゲット
には、基材２との密着性が良好な金属を用いる。
【００２３】また、第２金属の成膜は、第１金属からな
るターゲット（以下、“第１ターゲット”とする）と第
３金属からなるターゲット（以下、“第３ターゲット”
とする）とを並べて配置したスパッタ装置を用いて行
い、両ターゲットに電圧を印加した状態で基材２を第１
ターゲットの側から第３ターゲットの側へ移動させるこ
とにより行う。なお、スパッタガスとしてＡｒガス１０
０％のものを用いても良く、ＡｒガスとＮ2 ガスとの混
合ガスを用いて第２金属に窒素を含有させるようにして
も良い。
るターゲット（以下、“第１ターゲット”とする）と第
３金属からなるターゲット（以下、“第３ターゲット”
とする）とを並べて配置したスパッタ装置を用いて行
い、両ターゲットに電圧を印加した状態で基材２を第１
ターゲットの側から第３ターゲットの側へ移動させるこ
とにより行う。なお、スパッタガスとしてＡｒガス１０
０％のものを用いても良く、ＡｒガスとＮ2 ガスとの混
合ガスを用いて第２金属に窒素を含有させるようにして
も良い。
【００２４】さらに、第３金属の成膜には、Ｃｕ若しく
はＣｕ合金をターゲットとして用いる。
はＣｕ合金をターゲットとして用いる。
【００２５】この場合、同じくスパッタ法を用いて、Ｎ
ｉやＭｏ等の酸化防止効果のある金属を第３金属を覆う
ように形成しても良い。
ｉやＭｏ等の酸化防止効果のある金属を第３金属を覆う
ように形成しても良い。
【００２６】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
る。
【００２７】本実施の形態によれば、基材２との密着性
が良好な金属に１ａｔ％以上５０ａｔ％未満の窒素が含
有されたもので第１層３１が形成されているため、金属
電極３と基材２との密着性を向上できる。
が良好な金属に１ａｔ％以上５０ａｔ％未満の窒素が含
有されたもので第１層３１が形成されているため、金属
電極３と基材２との密着性を向上できる。
【００２８】また、該密着性は第１層３１の膜厚が薄い
場合においても確保されるため、その膜厚を厚くする必
要が無い。したがって、金属電極３全体の比抵抗が上昇
したり、製造の際のエッチングが困難となって正確なパ
ターニングができない等の問題を回避できる。
場合においても確保されるため、その膜厚を厚くする必
要が無い。したがって、金属電極３全体の比抵抗が上昇
したり、製造の際のエッチングが困難となって正確なパ
ターニングができない等の問題を回避できる。
【００２９】なお、第２層３２に、窒素を１ａｔ％以上
５０ａｔ％未満の含有率で含有させた場合には、金属電
極３全体の比抵抗をさらに下げることができる。
５０ａｔ％未満の含有率で含有させた場合には、金属電
極３全体の比抵抗をさらに下げることができる。
【００３０】さらに、第１層３１と第３層３３との間に
は、上述のように構成した第２層３２を配置しているた
め、第１層３１及び第３層３３の密着性を向上できる。
は、上述のように構成した第２層３２を配置しているた
め、第１層３１及び第３層３３の密着性を向上できる。
【００３１】またさらに、上述のような第４層３４を形
成した場合には、第３層３３の酸化を防止できる。
成した場合には、第３層３３の酸化を防止できる。
【００３２】
【実施例】（実施例１）基材２としては、３００×３４
０ｍｍの寸法のＡＮガラス基板（旭硝子（株）社製）を
用いた（以下、“ガラス基板２”とする）。
０ｍｍの寸法のＡＮガラス基板（旭硝子（株）社製）を
用いた（以下、“ガラス基板２”とする）。
【００３３】また、第１層３１には、窒素含有率が１ａ
ｔ％以上５０ａｔ％未満のＮｉ−Ｍｏ合金（Ｍｏ含有率
８．３ａｔ％）を用い、その膜厚を３００Åとした。
ｔ％以上５０ａｔ％未満のＮｉ−Ｍｏ合金（Ｍｏ含有率
８．３ａｔ％）を用い、その膜厚を３００Åとした。
【００３４】さらに第２層３２は、Ｎｉ−Ｍｏ（第１金
属）とＣｕ（第３金属）とが混合したもので形成した。
そして、Ｎｉ−ＭｏとＣｕとの組成比は、第１層３１に
接する部分にてＮｉ−Ｍｏが１００％となると共に第３
層３３に接する部分にてＣｕが１００％となるように、
第２層３２の厚さ方向に沿って連続的に変化するように
した。なお、この第２層３２の膜厚を３００Åとした。
属）とＣｕ（第３金属）とが混合したもので形成した。
そして、Ｎｉ−ＭｏとＣｕとの組成比は、第１層３１に
接する部分にてＮｉ−Ｍｏが１００％となると共に第３
層３３に接する部分にてＣｕが１００％となるように、
第２層３２の厚さ方向に沿って連続的に変化するように
した。なお、この第２層３２の膜厚を３００Åとした。
【００３５】また、第３層３３には、１μｍの膜厚のＣ
ｕを用いた。
ｕを用いた。
【００３６】さらに、酸化防止層としての第４層３４に
は、３００Åの膜厚のＮｉ−Ｍｏ合金（Ｍｏ含有率８．
３ａｔ％）を用いた。
は、３００Åの膜厚のＮｉ−Ｍｏ合金（Ｍｏ含有率８．
３ａｔ％）を用いた。
【００３７】次に、電極基板の製造方法について説明す
る。
る。
【００３８】第１層３１の成膜条件は以下の通りであ
る。なお、Ｎ2 ガスの流量は、１〜６０ｓｃｃｍの範囲
内において一定とした。
る。なお、Ｎ2 ガスの流量は、１〜６０ｓｃｃｍの範囲
内において一定とした。
【００３９】 成膜圧力・・・・・・・・３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度・・・・・２００℃ Ａｒ流量・・・・・・・・１００ｓｃｃｍ Ｎ2 流量・・・・・・・・１〜６０ｓｃｃｍ ターゲットパワー・・・・１３Ｗ／ｃｍ2 成膜時間・・・・・・・・６０ｓｅｃ． 第２層３２の成膜においては、第１ターゲットとしてＮ
ｉ−Ｍｏターゲットを、第３ターゲットとしてＣｕター
ゲットを用いた。なお、成膜条件は以下の通りである。
ｉ−Ｍｏターゲットを、第３ターゲットとしてＣｕター
ゲットを用いた。なお、成膜条件は以下の通りである。
【００４０】 成膜圧力・・・・・・・・３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度・・・・・２００℃ Ａｒ流量・・・・・・・・１００ｓｃｃｍ Ｎ2 流量・・・・・・・・０ｓｃｃｍ ターゲットパワー・・・・１３Ｗ／ｃｍ2 成膜（ターゲット前通過）時間・・・・・６０ｓｅｃ． 第３層３３の成膜条件は以下の通りである。
【００４１】 成膜圧力・・・・・・・・３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度・・・・・２００℃ Ａｒ流量・・・・・・・・１００ｓｃｃｍ Ｎ2 流量・・・・・・・・０ｓｃｃｍ ターゲットパワー・・・・２８Ｗ／ｃｍ2 成膜時間・・・・・・・・７５０ｓｅｃ． 第４層３４の成膜条件は以下の通りである。
【００４２】 成膜圧力・・・・・・・・３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度・・・・・２００℃ Ａｒ流量・・・・・・・・１００ｓｃｃｍ Ｎ2 流量・・・・・・・・０ｓｃｃｍ ターゲットパワー・・・・１３Ｗ／ｃｍ2 成膜時間・・・・・・・・６０ｓｅｃ． 本実施例によれば、上述した実施の形態と同様の効果を
奏した。
奏した。
【００４３】なお、本発明者は、本実施例の効果、並び
に窒素含有率の適正値を確認すべく実験を行った。以
下、その実験の内容を説明する。
に窒素含有率の適正値を確認すべく実験を行った。以
下、その実験の内容を説明する。
【００４４】本実験においては、まず、第１層３１を成
膜する際のＮ2 流量が異なる７種類のサンプル（第１層
３１乃至第４層３４を成膜した状態のもので、エッチン
グしていないもの。Ｎ2 流量は０，１，５，１０，２
０，５０，６０ｓｃｃｍとした。）を作成し、各サンプ
ルについて、体積抵抗率の測定、クロスカットテープ試
験、ＷＤＸによる窒素含有率測定を行った。
膜する際のＮ2 流量が異なる７種類のサンプル（第１層
３１乃至第４層３４を成膜した状態のもので、エッチン
グしていないもの。Ｎ2 流量は０，１，５，１０，２
０，５０，６０ｓｃｃｍとした。）を作成し、各サンプ
ルについて、体積抵抗率の測定、クロスカットテープ試
験、ＷＤＸによる窒素含有率測定を行った。
【００４５】
【表１】 上表はその測定結果を示す表であるが、この実験より、
体積抵抗率は、窒素含有率の如何に拘らず一定（２．１
Ｅ−６Ωｃｍ）であることが分かった。
体積抵抗率は、窒素含有率の如何に拘らず一定（２．１
Ｅ−６Ωｃｍ）であることが分かった。
【００４６】また、クロスカットテープ試験を行った結
果、窒素含有率が０ａｔ％のものでは２０個中４個が剥
離し、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％未満のもの
では剥離は発生せず、この範囲が適正範囲であることが
分かった。
果、窒素含有率が０ａｔ％のものでは２０個中４個が剥
離し、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％未満のもの
では剥離は発生せず、この範囲が適正範囲であることが
分かった。
【００４７】一方、同様の成膜条件で、別に７種類のサ
ンプルを作成し、これらのサンプルについては、エッチ
ング（エッチャント；塩化第２鉄水溶液）を施して金属
電極３を８μｍの幅にパターニングした。そして、これ
らのサンプルについてテープ試験（パターニングした金
属電極３の表面にテープを貼付し、このテープを引き剥
して金属電極３の剥離を観察する試験）を行ったとこ
ろ、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％未満のもので
は剥離は発生しないことが分かった。 （実施例２）第１層３１には、窒素含有率が１ａｔ％以
上５０ａｔ％未満のＮｉを用い、その膜厚を３００Åと
した。
ンプルを作成し、これらのサンプルについては、エッチ
ング（エッチャント；塩化第２鉄水溶液）を施して金属
電極３を８μｍの幅にパターニングした。そして、これ
らのサンプルについてテープ試験（パターニングした金
属電極３の表面にテープを貼付し、このテープを引き剥
して金属電極３の剥離を観察する試験）を行ったとこ
ろ、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％未満のもので
は剥離は発生しないことが分かった。 （実施例２）第１層３１には、窒素含有率が１ａｔ％以
上５０ａｔ％未満のＮｉを用い、その膜厚を３００Åと
した。
【００４８】また第２層３２は、Ｎｉ（第１金属）とＣ
ｕ（第３金属）とが混合したもので形成した。そして、
ＮｉとＣｕとの組成比は、第１層３１に接する部分にて
Ｎｉが１００％となると共に第３層３３に接する部分に
てＣｕが１００％となるように、第２層３２の厚さ方向
に沿って連続的に変化するようにした。なお、この第２
層３２の膜厚を３００Åとした。
ｕ（第３金属）とが混合したもので形成した。そして、
ＮｉとＣｕとの組成比は、第１層３１に接する部分にて
Ｎｉが１００％となると共に第３層３３に接する部分に
てＣｕが１００％となるように、第２層３２の厚さ方向
に沿って連続的に変化するようにした。なお、この第２
層３２の膜厚を３００Åとした。
【００４９】さらに、酸化防止層としての第４層３４に
は、３００Åの膜厚のＮｉを用いた。
は、３００Åの膜厚のＮｉを用いた。
【００５０】上述した以外の構成（例えば、ガラス基板
２や第３層３３）は実施例１と同じにした。
２や第３層３３）は実施例１と同じにした。
【００５１】次に、電極基板の製造方法について説明す
る。
る。
【００５２】第１層３１の成膜にはＮｉターゲットを用
い、成膜条件は実施例１と同様とした。
い、成膜条件は実施例１と同様とした。
【００５３】第２層３２の成膜には、第１ターゲットに
Ｎｉターゲットを、第３ターゲットにＣｕターゲットを
用いた。また、成膜条件は以下の通りとした。特に、ス
パッタガスとしてはＡｒとＮ2 との混合ガスを用い、Ｎ
2 ガスの流量は、１〜６０ｓｃｃｍの範囲内において一
定とした。
Ｎｉターゲットを、第３ターゲットにＣｕターゲットを
用いた。また、成膜条件は以下の通りとした。特に、ス
パッタガスとしてはＡｒとＮ2 との混合ガスを用い、Ｎ
2 ガスの流量は、１〜６０ｓｃｃｍの範囲内において一
定とした。
【００５４】 成膜圧力・・・・・・・・３Ｅ−３ｔｏｒｒ 成膜前基板温度・・・・・２００℃ Ａｒ流量・・・・・・・・１００ｓｃｃｍ Ｎ2 流量・・・・・・・・１〜６０ｓｃｃｍ ターゲットパワー・・・・１３Ｗ／ｃｍ2 成膜（ターゲット前通過）時間・・・・・６０ｓｅｃ． さらに、実施例１と同じ成膜条件で第３層３３を形成し
た。
た。
【００５５】その後、ターゲットにＮｉを用い、実施例
１と同様の成膜条件で第４層３４を形成した。
１と同様の成膜条件で第４層３４を形成した。
【００５６】本実施例によれば、上述した実施の形態と
同様の効果を奏した。
同様の効果を奏した。
【００５７】なお、本発明者は、本実施例の効果、並び
に窒素含有率の適正値を確認すべく、実施例１と同様に
実験を行った。以下、その実験の内容を説明する。
に窒素含有率の適正値を確認すべく、実施例１と同様に
実験を行った。以下、その実験の内容を説明する。
【００５８】本実験においては、まず、第１層３１及び
第２層３２を成膜する際のＮ2 流量が異なる７種類のサ
ンプル（第１層３１乃至第４層３４を成膜した状態のも
ので、エッチングしていないもの。Ｎ2 流量は０，１，
５，１０，２０，５０，６０ｓｃｃｍとした。）を作成
し、各サンプルについて、体積抵抗率の測定、クロスカ
ットテープ試験、ＷＤＸによる窒素含有率測定を行っ
た。
第２層３２を成膜する際のＮ2 流量が異なる７種類のサ
ンプル（第１層３１乃至第４層３４を成膜した状態のも
ので、エッチングしていないもの。Ｎ2 流量は０，１，
５，１０，２０，５０，６０ｓｃｃｍとした。）を作成
し、各サンプルについて、体積抵抗率の測定、クロスカ
ットテープ試験、ＷＤＸによる窒素含有率測定を行っ
た。
【００５９】
【表２】 上表はその測定結果を示す表であるが、この実験より、
体積抵抗率は、窒素含有率の如何に拘らず一定（２．１
Ｅ−６Ωｃｍ）であることが分かった。
体積抵抗率は、窒素含有率の如何に拘らず一定（２．１
Ｅ−６Ωｃｍ）であることが分かった。
【００６０】また、クロスカットテープ試験を行った結
果、窒素含有率が０ａｔ％及び５０ａｔ％のものでは２
０個中４個が剥離し、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａ
ｔ％未満のものでは剥離は発生せず、この範囲が適正範
囲であることが分かった。
果、窒素含有率が０ａｔ％及び５０ａｔ％のものでは２
０個中４個が剥離し、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａ
ｔ％未満のものでは剥離は発生せず、この範囲が適正範
囲であることが分かった。
【００６１】一方、同様の成膜条件で、別に７種類のサ
ンプルを作成し、これらのサンプルについては、エッチ
ング（エッチャント；塩化第２鉄水溶液）を施して金属
電極３を８μｍの幅にパターニングした。そして、これ
らのサンプルについて上記実施例１と同様のテープ試験
を行ったところ、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％
未満のものでは剥離は発生しないことが分かった。
ンプルを作成し、これらのサンプルについては、エッチ
ング（エッチャント；塩化第２鉄水溶液）を施して金属
電極３を８μｍの幅にパターニングした。そして、これ
らのサンプルについて上記実施例１と同様のテープ試験
を行ったところ、窒素含有率が１ａｔ％以上５０ａｔ％
未満のものでは剥離は発生しないことが分かった。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
金属電極の第３層は電気抵抗の小さいＣｕ若しくはＣｕ
合金にて形成されているため、電極自体の比抵抗を小さ
くできる。
金属電極の第３層は電気抵抗の小さいＣｕ若しくはＣｕ
合金にて形成されているため、電極自体の比抵抗を小さ
くできる。
【００６３】また、金属電極の第１層は、基材との密着
性が良好な金属に窒素が含有されて構成されたものであ
るため、金属電極と基材との密着性を向上できる。この
効果は、窒素の含有率を１ａｔ％以上５０ａｔ％未満と
した場合に顕著である。
性が良好な金属に窒素が含有されて構成されたものであ
るため、金属電極と基材との密着性を向上できる。この
効果は、窒素の含有率を１ａｔ％以上５０ａｔ％未満と
した場合に顕著である。
【００６４】さらに、該密着性は第１層の膜厚が薄い場
合においても確保されるため、その膜厚を厚くする必要
が無い。したがって、金属電極全体の比抵抗が上昇した
り、製造の際のエッチングが困難となって正確なパター
ニングができない等の問題を回避できる。
合においても確保されるため、その膜厚を厚くする必要
が無い。したがって、金属電極全体の比抵抗が上昇した
り、製造の際のエッチングが困難となって正確なパター
ニングができない等の問題を回避できる。
【００６５】なお、第２層に、窒素を１ａｔ％以上５０
ａｔ％未満の含有率で含有させた場合には、金属電極全
体の比抵抗をさらに下げることができる。
ａｔ％未満の含有率で含有させた場合には、金属電極全
体の比抵抗をさらに下げることができる。
【００６６】またさらに、第１層と第３層との間の第２
層は、前記第１層を形成する第１金属と前記第３層を形
成する第３金属が混合されて構成されたものであり、こ
れら第１金属と第３金属との組成比は、前記第１層に接
する部分にて第１金属が１００％となると共に前記第３
層に接する部分にて第３金属が１００％となるように、
前記第２層の厚さ方向に沿って連続的に変化するように
設定されているため、第１層３１及び第３層３３の密着
性を向上できる。
層は、前記第１層を形成する第１金属と前記第３層を形
成する第３金属が混合されて構成されたものであり、こ
れら第１金属と第３金属との組成比は、前記第１層に接
する部分にて第１金属が１００％となると共に前記第３
層に接する部分にて第３金属が１００％となるように、
前記第２層の厚さ方向に沿って連続的に変化するように
設定されているため、第１層３１及び第３層３３の密着
性を向上できる。
【００６７】また、酸化防止効果のある金属にて前記第
３層を覆うように第４層を形成した場合には、第３層の
酸化を防止できる。
３層を覆うように第４層を形成した場合には、第３層の
酸化を防止できる。
【図１】本発明に係る電極基板の構造の一例を示す模式
図。
図。
１ 電極基板 ２ ガラス基板（基材） ３ 金属電極 ３１ 第１層 ３２ 第２層 ３３ 第３層
Claims (7)
- 【請求項１】 基材と、該基材の表面に形成された金属
電極と、を備えた電極基板において、 前記金属電極が、前記基材に接するように配置された第
１層と、該第１層を覆うように配置された第２層と、該
第２層を覆うように配置された第３層と、を少なくとも
有し、 前記第１層が、前記基材との密着性が良好な金属に窒素
が含有されて構成され、 前記第３層が、Ｃｕ若しくはＣｕ合金にて形成され、か
つ、 前記第１層を形成する金属を第１金属とし、前記第３層
を形成する金属を第３金属とした場合に、前記第２層
が、これら第１金属及び第３金属が混合されて構成され
たものであり、これら第１金属と第３金属との組成比
は、前記第１層に接する部分にて第１金属が１００％と
なると共に前記第３層に接する部分にて第３金属が１０
０％となるように、前記第２層の厚さ方向に沿って連続
的に変化するように設定された、 ことを特徴とする電極基板。 - 【請求項２】 前記第１層における窒素の含有率が１ａ
ｔ％以上５０ａｔ％未満である、 ことを特徴とする請求項１に記載の電極基板。 - 【請求項３】 前記第２層に窒素が含有されている、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電極基板。
- 【請求項４】 前記第２層における窒素の含有率が１ａ
ｔ％以上５０ａｔ％未満である、 ことを特徴とする請求項３に記載の電極基板。 - 【請求項５】 前記第１金属が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの合金である、 ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の電極基板。 - 【請求項６】 前記第３層を覆うように第４層が配置さ
れ、かつ、該第４層が酸化防止効果のある金属にて形成
された、 ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の電極基板。 - 【請求項７】 基材の表面に少なくとも３層の金属をス
パッタ法によって積層すると共に該積層した金属をパタ
ーニングして金属電極を形成する、電極基板の製造方法
において、 前記３層の金属を、前記基材の側から順に第１金属、第
２金属及び第３金属とした場合に、 前記第１金属の成膜には、前記基材との密着性が良好な
金属ターゲットとＡｒ及びＮ2 の混合スパッタガスとを
用い、 前記第２金属の成膜には、前記第１金属からなる第１タ
ーゲット、並びに前記第３金属からなる第３ターゲット
を並べて配置したスパッタ装置を用い、これらのターゲ
ットに電圧を印加した状態で前記基材を第１ターゲット
の側から第３ターゲットの側へ移動させることにより前
記第２金属の成膜を行い、かつ、 前記第３金属の成膜には、Ｃｕ若しくはＣｕ合金をター
ゲットとして用いる、 ことを特徴とする電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33059397A JPH11158613A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電極基板、及び該電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33059397A JPH11158613A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電極基板、及び該電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11158613A true JPH11158613A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18234398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33059397A Pending JPH11158613A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 電極基板、及び該電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11158613A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417316B2 (en) | 2004-06-17 | 2008-08-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit forming board, wired circuit board, and thin metal layer forming method |
| US8841541B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar battery and method of manufacturing the same |
| JP2015133167A (ja) * | 2015-04-22 | 2015-07-23 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブ |
| CN108055790A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 陈旺寿 | 一种电路板及其制作方法和应用 |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP33059397A patent/JPH11158613A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417316B2 (en) | 2004-06-17 | 2008-08-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit forming board, wired circuit board, and thin metal layer forming method |
| KR101120526B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2012-02-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 배선 회로 형성용 기판, 배선 회로 기판 및 금속박층의형성 방법 |
| US8841541B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar battery and method of manufacturing the same |
| JP2015133167A (ja) * | 2015-04-22 | 2015-07-23 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブ |
| CN108055790A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 陈旺寿 | 一种电路板及其制作方法和应用 |
| CN108055790B (zh) * | 2017-12-06 | 2019-10-18 | 深圳市和美源电子有限公司 | 一种电路板及其制作方法和应用 |
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