JPH0391198A - メモリ再書き込み方式 - Google Patents
メモリ再書き込み方式Info
- Publication number
- JPH0391198A JPH0391198A JP1227541A JP22754189A JPH0391198A JP H0391198 A JPH0391198 A JP H0391198A JP 1227541 A JP1227541 A JP 1227541A JP 22754189 A JP22754189 A JP 22754189A JP H0391198 A JPH0391198 A JP H0391198A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- address
- data
- rewrite
- signal
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はECC付きメモリで読み出しデータにエラー
が発生した場合、CPUを使用せずに再書き込みを行う
ようにしたメモリ再書き込み方式[従来の技術] 従来、E CC(Error Checking an
d Correcti。
が発生した場合、CPUを使用せずに再書き込みを行う
ようにしたメモリ再書き込み方式[従来の技術] 従来、E CC(Error Checking an
d Correcti。
n〉機能、すなわち、1ビツトエラーの訂正および2ビ
ツトエラーの検出機能を有するECC付きメモリ回路に
おいて、ソフトエラーによって1ビツトエラーが発生し
た場合、1ビツトエラーは訂正されて読み出される。し
かし、CPUはこのlビットエラーの発生を検出した場
合、1ビツトエラーの再書き込みを行わず無視するか、
またはCPU内部のアドレスレジスタを参照してアドレ
スレジスタの示す番地に再書き込みを実行するようにな
っている。
ツトエラーの検出機能を有するECC付きメモリ回路に
おいて、ソフトエラーによって1ビツトエラーが発生し
た場合、1ビツトエラーは訂正されて読み出される。し
かし、CPUはこのlビットエラーの発生を検出した場
合、1ビツトエラーの再書き込みを行わず無視するか、
またはCPU内部のアドレスレジスタを参照してアドレ
スレジスタの示す番地に再書き込みを実行するようにな
っている。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来のECC付きメモリ回路において、lビッ
トエラーの発生時、1ビツトエラーの発生した番地に対
する再書き込みを行わない場合には、lビットエラーの
発生した番地を読み出す度に1ビツトエラーが発生する
ため、2ビツトエラーが発生する確率が高くなるのでメ
モリ回路の信頼性が低下する問題があった。一方、CP
Uが再書き込みを行う場合には、CPUに余分な処理を
させる結果となり、CPUの処理効率が低下する問題が
あった。
トエラーの発生時、1ビツトエラーの発生した番地に対
する再書き込みを行わない場合には、lビットエラーの
発生した番地を読み出す度に1ビツトエラーが発生する
ため、2ビツトエラーが発生する確率が高くなるのでメ
モリ回路の信頼性が低下する問題があった。一方、CP
Uが再書き込みを行う場合には、CPUに余分な処理を
させる結果となり、CPUの処理効率が低下する問題が
あった。
[課題を解決するための手段]
この発明のメモリ再書き込み方式は、エラー検出信号に
応じてアドレスをラッチするアドレスラッチ回路と、エ
ラー検出信号に応じて再書き込み要求信号を出力すると
ともに、再書き込み許可信号に応じて再書き込みサイク
ル信号を出力する再書き込み制御回路と、再書き込み要
求信号を入力した際、メモリに対するアクセスが可能に
なった時点で再書き込み許可信号を出力するメモリアク
セス調停回路とを設け、ECCLSIによってエラー検
出信号が出力された場合、エラーを検出したアドレスの
データを訂正し、この訂正したデータをエラーが検出さ
れたアドレスに書き込むようにしている。
応じてアドレスをラッチするアドレスラッチ回路と、エ
ラー検出信号に応じて再書き込み要求信号を出力すると
ともに、再書き込み許可信号に応じて再書き込みサイク
ル信号を出力する再書き込み制御回路と、再書き込み要
求信号を入力した際、メモリに対するアクセスが可能に
なった時点で再書き込み許可信号を出力するメモリアク
セス調停回路とを設け、ECCLSIによってエラー検
出信号が出力された場合、エラーを検出したアドレスの
データを訂正し、この訂正したデータをエラーが検出さ
れたアドレスに書き込むようにしている。
[作用コ
ECCLSIによってエラー検出信号が出力された場合
、再書き込み制御回路から再書き込みサイクル信号が出
力されたとき、ラッチ回路がラッチしたアドレスをメモ
リに与えてメモリからデータを読み出し、この読み出し
たデータをECCLSIによって訂正し、この訂正した
データをアドレスラッチ回路がラッチした前記アドレス
に従ってメモリに書き込むことにより、読み出されたデ
ータにエラーがあることがECCLSIによって検出さ
れた場合、上記データを訂正して再書き込みを行うこと
ができる。
、再書き込み制御回路から再書き込みサイクル信号が出
力されたとき、ラッチ回路がラッチしたアドレスをメモ
リに与えてメモリからデータを読み出し、この読み出し
たデータをECCLSIによって訂正し、この訂正した
データをアドレスラッチ回路がラッチした前記アドレス
に従ってメモリに書き込むことにより、読み出されたデ
ータにエラーがあることがECCLSIによって検出さ
れた場合、上記データを訂正して再書き込みを行うこと
ができる。
[実施例]
次に、この発明について図面を参照して説明する。
図はこの発明のメモリ再書き込み方式の一実施例におけ
るECC付きメモリ回路の構成国である。
るECC付きメモリ回路の構成国である。
1はアドレスバス、2はデータバス、3はメモリアクセ
ス調停回路である。4はメモリリフレッシュ回路であり
、メモリアクセス調停回路3にメモリリフレッシュ要求
信号fを送出し、メモリアクセス調停回路3からメモリ
リフレッシス許可信号gを受は取ると、メモリ11にリ
フレッシュ動作をさせるためのアドレスを供給するよう
になっている。
ス調停回路である。4はメモリリフレッシュ回路であり
、メモリアクセス調停回路3にメモリリフレッシュ要求
信号fを送出し、メモリアクセス調停回路3からメモリ
リフレッシス許可信号gを受は取ると、メモリ11にリ
フレッシュ動作をさせるためのアドレスを供給するよう
になっている。
5はメモリアクセス調停回路3からの制御信号に応じて
メモリ11にメモリ制御信号iを供給するメモリ制御信
号生成回路、6はメモリアクセス調停回路3からの制御
信号に応じてECCLSlloにECC制御信号信号供
給するECC制御信号生戒回路である。
メモリ11にメモリ制御信号iを供給するメモリ制御信
号生成回路、6はメモリアクセス調停回路3からの制御
信号に応じてECCLSlloにECC制御信号信号供
給するECC制御信号生戒回路である。
7はECCLSlloから送出された1ビツトエラー発
生信号aに応じて再書き込み要求信号すをメモリアクセ
ス調停回路3に送出し、これに応じてメモリアクセス調
停回路3から送出される再書き込み許可信号Cを入力す
ると、再書き込みサイクル信号りを出力する再書き込み
制御回路である。
生信号aに応じて再書き込み要求信号すをメモリアクセ
ス調停回路3に送出し、これに応じてメモリアクセス調
停回路3から送出される再書き込み許可信号Cを入力す
ると、再書き込みサイクル信号りを出力する再書き込み
制御回路である。
8はアドレスバス1のアドレスを1ビツトエラー発生信
号aに応じてラッチするとともに、ラッチしたデータを
再書き込みサイクル信号りに応じて出力するアドレスラ
ッチ回路である。
号aに応じてラッチするとともに、ラッチしたデータを
再書き込みサイクル信号りに応じて出力するアドレスラ
ッチ回路である。
9はメモリリフレッシュ制御回路4、アドレスラッチ回
路8、またはアドレスバス1から供給されるアドレスを
選択してメモリ11に供給するメモリ入力アドレスセレ
クタである。
路8、またはアドレスバス1から供給されるアドレスを
選択してメモリ11に供給するメモリ入力アドレスセレ
クタである。
ECCLSIl0は1ビツトエラー発生信号aを出力す
る。また、ECC制御信号信号従ってメモリ11から入
力したデータを訂正するとともに、訂正したデータをメ
モリ11に送出する。
る。また、ECC制御信号信号従ってメモリ11から入
力したデータを訂正するとともに、訂正したデータをメ
モリ11に送出する。
12aはアドレスラッチ回路8から送出されたアドレス
を再書き込みサイクル信号りに従ってメモリ入力アドレ
スセレクタ9に出力するバッファ、12bはアドレスバ
スlから送出されたアドレスをメモリリードライト許可
信号eに従ってメモリ入力アドレスセレクタ9に出力す
るバッファである。
を再書き込みサイクル信号りに従ってメモリ入力アドレ
スセレクタ9に出力するバッファ、12bはアドレスバ
スlから送出されたアドレスをメモリリードライト許可
信号eに従ってメモリ入力アドレスセレクタ9に出力す
るバッファである。
次に、動作について説明する。
メモリ11からのデータ読み出し時、1ビツトエラーが
発生すると、ECCLS I 10はメモリ11から出
力されたデータを訂正してデータバス2に出力してメモ
リ読み出しサイクルは終了する。これと同時に、ECC
LSIl0はエビットエラー発生信号aをアドレスラッ
チ回路8に送出して1ビツトエラー発生時のアドレスを
ラッチさせる。また、この1ビツトエラー発生信号aを
入力した再書き込み制御回路7は、メモリアクセス調停
回路3に再書き込み要求信号すを送出する。
発生すると、ECCLS I 10はメモリ11から出
力されたデータを訂正してデータバス2に出力してメモ
リ読み出しサイクルは終了する。これと同時に、ECC
LSIl0はエビットエラー発生信号aをアドレスラッ
チ回路8に送出して1ビツトエラー発生時のアドレスを
ラッチさせる。また、この1ビツトエラー発生信号aを
入力した再書き込み制御回路7は、メモリアクセス調停
回路3に再書き込み要求信号すを送出する。
再書き込み要求信号すを入力したメモリアクセス調停回
路3は、他の要求信号、すなわち、メモリリードライト
要求信号dおよびメモリリフレッシュ要求信号fが有効
でないことを確認した後、再書き込み許可信号Cを再書
き込み制御回路7に出力する。
路3は、他の要求信号、すなわち、メモリリードライト
要求信号dおよびメモリリフレッシュ要求信号fが有効
でないことを確認した後、再書き込み許可信号Cを再書
き込み制御回路7に出力する。
再書き込み許可信号Cが有効になったため、再書き込み
制御回路7はバッファ12aおよびアドレスラッチ回路
8に再書き込みサイクル信号りを与えて両者を能動状態
にする。再書き込みサイクル信号りを入力したアドレス
ラッチ回路8は、エラーを発生したアドレスを能動状態
のバッファ12aを経由してメモリ入力アドレスセレク
タ9に供給し、メモリ11に入力する。
制御回路7はバッファ12aおよびアドレスラッチ回路
8に再書き込みサイクル信号りを与えて両者を能動状態
にする。再書き込みサイクル信号りを入力したアドレス
ラッチ回路8は、エラーを発生したアドレスを能動状態
のバッファ12aを経由してメモリ入力アドレスセレク
タ9に供給し、メモリ11に入力する。
次に、メモリ制御信号生成回路5は、メモリアクセス調
停回路3の制御信号に従ってまず読み出し動作を指示す
るメモリ制御信号iをメモリ11に供給し、その後で書
き込み動作を指示するメモリ制御信号iをメモリ11に
供給する。はじめのメモリ制御信号iに従ってメモリ1
1はECCLSIl0にデータを送出し、この読み出さ
れたデータはECCLSI 10によって訂正される。
停回路3の制御信号に従ってまず読み出し動作を指示す
るメモリ制御信号iをメモリ11に供給し、その後で書
き込み動作を指示するメモリ制御信号iをメモリ11に
供給する。はじめのメモリ制御信号iに従ってメモリ1
1はECCLSIl0にデータを送出し、この読み出さ
れたデータはECCLSI 10によって訂正される。
そして、次のメモリ制御信号iに従ってメモリ11はE
CCLSI 10によって訂正されたデータを書き込む
。
CCLSI 10によって訂正されたデータを書き込む
。
このようにしてメモリ11に対する再書き込み動作がな
される。
される。
[発明の効果]
以上説明したよう゛にこの発明のメモリ再書き込み方式
によれば、ECCLSIによってエラー検出信号が出力
された場合、再書き込み制御回路から再書き込みサイク
ル信号が出力されたとき、ラッチ回路がラッチしたアド
レスをメモリに与えてメモリからデータを読み出し、こ
の読み出したデータをECCLSIによって訂正し、こ
の訂正したデータをアドレスラッチ回路がラッチした前
記アドレスに従ってメモリに書き込むことにより、読み
出されたデータにエラーがあることがECCLSIによ
って検出された場合、上記データを訂正して再書き込み
を行うことができる。
によれば、ECCLSIによってエラー検出信号が出力
された場合、再書き込み制御回路から再書き込みサイク
ル信号が出力されたとき、ラッチ回路がラッチしたアド
レスをメモリに与えてメモリからデータを読み出し、こ
の読み出したデータをECCLSIによって訂正し、こ
の訂正したデータをアドレスラッチ回路がラッチした前
記アドレスに従ってメモリに書き込むことにより、読み
出されたデータにエラーがあることがECCLSIによ
って検出された場合、上記データを訂正して再書き込み
を行うことができる。
したがって、1ビツトエラーが発生した場合、必ず再書
き込みがなされるため、従来と違って2ビツトエラーの
発生する確率を低下させる効果がある。
き込みがなされるため、従来と違って2ビツトエラーの
発生する確率を低下させる効果がある。
また、この再書き込み動作はCPUの介入を必要としな
いので、従来に比較してCPUの処理効率を向上させる
効果がある。
いので、従来に比較してCPUの処理効率を向上させる
効果がある。
図はこの発明のメモリ再書き込み方式の一実施例におけ
るメモリ回路の構成国である。 3・・・メモリアクセス調停回路、7・・・再書き込み
制御回路、8・・・アドレスラッチ回路、1o・・・E
CCLSI、11−−・メモリ、a・・・1ビツトエラ
ー発生信号、b・・−再書き込み要求信号、C・・・再
書き込み許可信号、h・・・再書き込みサイクル信号。
るメモリ回路の構成国である。 3・・・メモリアクセス調停回路、7・・・再書き込み
制御回路、8・・・アドレスラッチ回路、1o・・・E
CCLSI、11−−・メモリ、a・・・1ビツトエラ
ー発生信号、b・・−再書き込み要求信号、C・・・再
書き込み許可信号、h・・・再書き込みサイクル信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メモリから読み出したデータにエラーが発生した場合に
エラー発生信号を出力するECCLSIを含むメモリ回
路おけるメモリ再書き込み方式において、 エラー検出信号に応じてアドレスをラッチするアドレス
ラッチ回路と、エラー検出信号に応じて再書き込み要求
信号を出力するとともに、再書き込み許可信号に応じて
再書き込みサイクル信号を出力する再書き込み制御回路
と、再書き込み要求信号を入力した際、メモリに対する
アクセスが可能になった時点で再書き込み許可信号を出
力するメモリアクセス調停回路とを設け、 ECCLSIによつてエラー検出信号が出力された場合
、再書き込み制御回路から再書き込みサイクル信号が出
力されたとき、ラッチ回路がラッチしたアドレスをメモ
リに与えてメモリからデータを読み出し、この読み出し
たデータをECCLSIによって訂正し、この訂正した
データをアドレスラッチ回路がラッチした前記アドレス
に従つてメモリに書き込むことを特徴とするメモリ再書
き込み方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1227541A JPH0391198A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | メモリ再書き込み方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1227541A JPH0391198A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | メモリ再書き込み方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0391198A true JPH0391198A (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=16862520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1227541A Pending JPH0391198A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | メモリ再書き込み方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0391198A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010003348A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及び誤り訂正方法 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1227541A patent/JPH0391198A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010003348A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及び誤り訂正方法 |
US8429496B2 (en) | 2008-06-19 | 2013-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and error correcting method |
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