JP2010003348A - 半導体記憶装置及び誤り訂正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】特定の第1信号線上に配置されたメモリセルから誤り訂正符号が付与されたデータを読み出す読出手段と、当該読み出されたデータのうち、特定のデータのみを選択的に出力する出力手段との間に、前記読出手段により読み出されたデータ中に発生する誤りを前記誤り符号データに基づいて訂正する復号化手段を設け、この復号化手段により誤りを訂正したデータを、前記特定の第1信号線上のメモリセルに書き戻す。
【選択図】 図1
Description
まず、第1の実施形態にかかる半導体記憶装置100について説明する。半導体記憶装置100は、外部から入力される各種信号(後述する制御信号CTRLやROW・COLアドレス信号、制御信号WE、RE等)に応じて、内蔵する半導体メモリ(メモリセルアレイ部11)に対しデータの書き込みやデータ読み出しを行うものである。なお、ここで「外部」とは、半導体記憶装置100に接続された外部機器を意味する。
まず、図5〜図7を参照して、外部から入力されるデータをメモリセルアレイ部11に書き込む際の動作について説明する。図5は半導体記憶装置100の書き込み処理の手順を示したシーケンス図である。まず、制御処理部15は、外部からデータの書き込みを指示する制御信号CTRLが入力されると(ステップS11)、書き込み処理の開始を指示する制御信号CTRL2を読出書込回路112及び誤り訂正符号復号回路131に出力することで(ステップS12)、書き込み処理を開始する。
次に、メモリセルアレイ部11から符号データを読み出し、外部へ出力する際の動作について説明する。図8は半導体記憶装置100の読出処理の手順を示したシーケンス図である。まず、制御処理部15は、外部からデータの読み出しを指示する制御信号CTRLが入力されると(ステップS31)、読み出し処理の開始を指示する制御信号CTRL2を読出書込回路112及び誤り訂正符号復号回路131に出力することで(ステップS32)、書き込み処理を開始する。
次に、読み出し処理の際の誤り訂正復号処理の結果、誤りが検出された場合に行われる符号データの書き戻し処理について説明する。なお、本処理は、上述したステップS40での書き戻しフラグの有効化に伴い実行されるものである。
次に、第2の実施形態について説明する。なお、上述した第1の実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付与し、説明を省略する。
まず、外部から入力されたデータをメモリセルアレイ部11に書き込む際の動作について説明する。図14は半導体記憶装置200の書き込み処理の手順を示したシーケンス図である。制御処理部15は、外部から書き込みを指示する制御信号CTRLが入力されると(ステップS61)、書き込み処理の開始を指示する制御信号CTRL2を読出書込回路112及び誤り訂正処理部22(誤り訂正符号復号回路221、データ制御回路222)に出力することで(ステップS62)、書き込み処理を開始する。
次に、メモリセルアレイ部11からデータを読み出し、外部に出力する際の動作について説明する。図15は半導体記憶装置200の読出処理の手順を示したシーケンス図である。制御処理部15は、外部からデータの読み出しを指示する制御信号CTRLが入力されると(ステップS81)、読み出し処理の開始を指示する制御信号CTRL2を読出書込回路112及び誤り訂正処理部22(誤り訂正符号復号回路221、データ制御回路222)に出力することで(ステップS82)、書き込み処理を開始する。
次に、メモリセルアレイ部11に符号データを書き戻す際の動作について説明する。なお、本処理は、上述したステップS76、S96での書き戻しフラグ151の有効化に伴い実行されるものである。
11 メモリセルアレイ部
111 メモリアレイ
112 読出書込回路
12 ROWアドレス復号部
13 誤り訂正処理部
131 誤り訂正符号復号回路
132 バッファ
14 COLアドレス復号部
15 制御処理部
151 書き戻し戻しフラグ
200 半導体記憶装置
21 ROWアドレス制御部
22 誤り訂正処理部
221 誤り訂正符号復号回路
222 データ制御回路
23 制御処理回路
Claims (10)
- 誤り訂正符号が付加された符号データを記憶する複数のメモリセルを、互いに直交する複数の第1信号線と複数の第2信号線との交点に配置したメモリセルアレイと、
外部から指定された特定の前記第1信号線を有効化する有効化手段と、
前記有効化手段により有効化された前記第1信号線上の複数のメモリセルから各符号データを読み出す読出手段と、
前記読出手段により読み出された符号データ中の誤りを前記誤り訂正符号に基づいて訂正し、当該符号データを復号した復号データを生成する復号化手段と、
前記復号化手段により生成された復号データのうち、外部から指定された特定の前記第2信号線上に配置されたメモリセルに対応する復号データを出力する出力手段と、
前記復号化手段により生成された復号データを符号化し、前記誤り訂正符号を付加した符号データを生成する符号化手段と、
前記符号化手段により生成された符号データを、前記有効化された第1信号線上のメモリセルに書き戻す書戻手段と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記復号化手段と前記出力手段との間に設けられ、前記復号化手段により生成された復号データを、当該復号データの読み出し先となったメモリセルの配置位置に対応する前記第2信号線と関連付けて記憶する記憶手段を更に備え、
前記出力手段は、前記記憶手段に記憶された復号データのうち、外部から指定された特定の前記第2信号線に関連付けられた復号データを読み出すことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記記憶手段は、前記復号化手段により生成された復号データを、当該復号データの読み出し先となった前記メモリセルの配置位置に対応する前記第1信号線と、当該復号データに対する前記復号化手段による誤り検出の有無を示す検出結果情報と関連付けたラインデータを一又は複数記憶し、
前記有効化手段は、前記記憶手段に記憶された復号データのうち、誤りが検出されたことを示す検出結果情報に関連付けられた第1信号線を有効化し、
前記書戻手段は、前記記憶手段に記憶された復号データのうち、誤りが検出されたことを示す検出結果情報に関連付けられた復号データを、前記有効化手段により有効化された第1信号線上のメモリセルに書き戻すことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記記憶手段に記憶された復号データのうち、外部から指定された特定の前記第1信号線及び前記第2信号線に関連付けられた復号データに、書き込み対象のデータを上書きする上書手段を更に備え、
前記符号化手段は、前記上書手段により上書きされたデータを含む前記復号データ全体を符号化することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体記憶装置。 - 前記記憶手段に記憶された既存の復号データのうち、外部から指定された特定の前記第1信号線に関連付けられた復号データが存在するか否かを判定し、当該復号データが存在すると判定した場合に、前記記憶手段に対する前記特定の第1信号線についての新たなラインデータの記憶を制限する記憶制御手段を更に備えたことを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体記憶装置。
- 前記記憶制御手段は、前記記憶手段に記憶されたラインデータのうち、誤りの非検出を示す検出結果情報を含んだラインデータの記憶領域を、新たなラインデータの記憶用に解放することを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記記憶手段は、前記記憶領域の解放が可能か否かを示した有効判別情報を当該記憶領域に記憶されたラインデータと関連付けて記憶し、
前記記憶制御手段は、前記有効判別情報が解放可能を示す記憶領域を、新たなラインデータの記憶用に解放することを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。 - 前記記憶制御手段は、前記ラインデータが前記記憶手段に記憶されてから所定時間経過した後、当該ラインデータに関連付けられた有効判別情報を解放不可から解放可能に切り替えることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1信号線は、前記メモリセルアレイのワード線であり、
前記第2信号線は、前記メモリセルアレイのビット線であることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 誤り訂正符号が付加された符号データを記憶する複数のメモリセルを、互いに直交する複数の第1信号線と複数の第2信号線との交点に配置したメモリセルアレイを備える半導体記憶装置の誤り訂正方法であって、
有効化手段が、外部から指定された特定の前記第1信号線を有効化する有効化工程と、
読出手段が、前記有効化工程で有効化された前記第1信号線上の複数のメモリセルから各符号データを読み出す読出工程と、
復号化手段が、前記読出工程で読み出された符号データ中の誤りを前記誤り訂正符号に基づいて訂正し、当該符号データを復号した復号データを生成する復号化工程と、
出力手段が、前記復号化工程で生成された復号データのうち、外部から指定された特定の前記第2信号線上に配置されたメモリセルに対応する復号データを出力する出力工程と、
符号化手段が、前記復号化工程で生成された復号データを符号化し、前記誤り訂正符号を付加した符号データを生成する符号化工程と、
書戻手段が、前記符号化工程で生成された符号データを、前記有効化された第1信号線上のメモリセルに書き戻す書戻工程と、
を含むことを特徴とする誤り訂正方法。
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