JPH0388768A - 半導体磁器とその製造方法 - Google Patents
半導体磁器とその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
監墓り生血月玉号
本発明は半導体磁器、より詳細には磁器焼結体の粒界層
を絶縁化して粒界絶縁層を形成した半導体磁器およびそ
の製造方法に関する。
を絶縁化して粒界絶縁層を形成した半導体磁器およびそ
の製造方法に関する。
ｋ米公藍逝
一般に粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは結晶粒界に偏
析した化合物を誘電体として用いるもので、粒界層の厚
みを利用して非常１こ高い誘電率の磁器コンデンサを得
るものである。
析した化合物を誘電体として用いるもので、粒界層の厚
みを利用して非常１こ高い誘電率の磁器コンデンサを得
るものである。
たとえば、５ｒＴｉＯｘを主原料にし、Ｎｂ、Ｏ，、Ｙ
２Ｏ２などを原子価制御剤として添加し、また焼結助剤
として５ｉＯ１ＡＲ１Ｏｓ 、 ＣｕＯ、ＭｎＯ２ｍｏ
ｌなどの一種あるいは数種を組合わせて添加し、還元雰
囲気中で焼結して磁器焼結体を得、該磁器焼結体の結晶
粒界に絶縁層を形成するために、 Ｂｉ、Ｊ３． Ｃｕ
Ｏ、Ｍｎ０ｉなどの金属酸化物を熱拡散させて粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサを得ていた。
２Ｏ２などを原子価制御剤として添加し、また焼結助剤
として５ｉＯ１ＡＲ１Ｏｓ 、 ＣｕＯ、ＭｎＯ２ｍｏ
ｌなどの一種あるいは数種を組合わせて添加し、還元雰
囲気中で焼結して磁器焼結体を得、該磁器焼結体の結晶
粒界に絶縁層を形成するために、 Ｂｉ、Ｊ３． Ｃｕ
Ｏ、Ｍｎ０ｉなどの金属酸化物を熱拡散させて粒界絶縁
型半導体磁器コンデンサを得ていた。
また、特開昭５２−９８９９７号公報には、拡散物質と
してＢＩＪａが５〜９５ｍｏｊ％およびＭｎ０２が９５
〜５ ｍｏ１％からなる組成物を熱拡散させ、結晶粒界
に絶縁層を形成しまた半導体磁器素子が開示されている
。
してＢＩＪａが５〜９５ｍｏｊ％およびＭｎ０２が９５
〜５ ｍｏ１％からなる組成物を熱拡散させ、結晶粒界
に絶縁層を形成しまた半導体磁器素子が開示されている
。
−Ｓにコンデンサの特性としては、誘電率（ε１１ｐｐ
、）、絶縁抵抗率（ρａＰｆ１．）が十分に高く、また
、誘電損失（ｔａｎδ）および温度特性の一つである静
電容量温度変化率（ＴＣ）が十分に小さいことが必要で
ある。
、）、絶縁抵抗率（ρａＰｆ１．）が十分に高く、また
、誘電損失（ｔａｎδ）および温度特性の一つである静
電容量温度変化率（ＴＣ）が十分に小さいことが必要で
ある。
そこで、上記特性を得るＩ、：めに、前記ＬＩＩＯ□。
ＡｊｚＯｓ 、ＣｕＯ、ＭｎＯ□などの一種あるいは数
種を組合わせた組成を有する化合物が焼結助剤として用
いられ、またＢ１２Ｏ３、ＣｕＯ、１Ｊｎｏｚなどの金
属酸化物が拡散物質として用いられている。
種を組合わせた組成を有する化合物が焼結助剤として用
いられ、またＢ１２Ｏ３、ＣｕＯ、１Ｊｎｏｚなどの金
属酸化物が拡散物質として用いられている。
また、主原料としてち前記のＳｒＴｉＯ３以外にＢａＴ
ｉＯｓ、ＭｇＴｉＯｓ、ＣａＴｉ０ａ、ＰｂＴｉＯｓな
どが用いられている。
ｉＯｓ、ＭｇＴｉＯｓ、ＣａＴｉ０ａ、ＰｂＴｉＯｓな
どが用いられている。
及里立邂穀已ムＬＬζｉ空狸遷
しかしながら、前記主成分と、前記焼結助剤と、前記拡
散物質などとを組合わせても、コンデンサの特性（Ｅ
ａｐｐ、 ＋ ９ ｓａｐ、ｔａｎ δ、ＴＣなど）
をすべて良好なレベルに保つような半導体磁器は未だ得
られていない。
散物質などとを組合わせても、コンデンサの特性（Ｅ
ａｐｐ、 ＋ ９ ｓａｐ、ｔａｎ δ、ＴＣなど）
をすべて良好なレベルに保つような半導体磁器は未だ得
られていない。
特にε。、とＴＣとの両立が難しく、またＥ ａ、、Ｉ
ｌとＴＣとがともに良好なフィルムコンデンサやマイカ
コンデンサの台頭もあり、磁器コンデンサは産業上の用
途面で厳しい制限を受けていた。
ｌとＴＣとがともに良好なフィルムコンデンサやマイカ
コンデンサの台頭もあり、磁器コンデンサは産業上の用
途面で厳しい制限を受けていた。
すなわち、拡散物質としてＭｎ０ａあるいはＣｕｏを用
いて得られる半導体磁器は、ρ０．は高いがＥ、 ａｐ
ｐ、ｊａｎδ、丁Ｃなどが十分ではなく、Ｂｉｔ’ｓを
用いた場合には、ε、ｌ、２およびｔ、ａ、ｎδは良好
であるがρａｐｐおよびＴＣが不十分となるなどの課題
があった。
いて得られる半導体磁器は、ρ０．は高いがＥ、 ａｐ
ｐ、ｊａｎδ、丁Ｃなどが十分ではなく、Ｂｉｔ’ｓを
用いた場合には、ε、ｌ、２およびｔ、ａ、ｎδは良好
であるがρａｐｐおよびＴＣが不十分となるなどの課題
があった。
また、前記特開昭５２−９８９９７号公報に開示されて
いる拡散物質を用いた場合は、Ｂ１２Ｏ３、ＣｕＧ 、
ＭｎＯ２ｍｏｌなどの金属酸化物を単体で使用する場
合と比較すると各特性とも若干は改良されるが十分とは
言えなかった。
いる拡散物質を用いた場合は、Ｂ１２Ｏ３、ＣｕＧ 、
ＭｎＯ２ｍｏｌなどの金属酸化物を単体で使用する場
合と比較すると各特性とも若干は改良されるが十分とは
言えなかった。
一方、特開昭５６−７４９１３号公報には、主原料の５
ｒＴｉＯｓの一部をＣａＴｉＯｓと置換することにより
ＴＣの改善を図った例が開示されているが。この場合も
ε８．、ｐが劣化するなど、またＴＣもさほど改善され
ていないなどの課題があった。
ｒＴｉＯｓの一部をＣａＴｉＯｓと置換することにより
ＴＣの改善を図った例が開示されているが。この場合も
ε８．、ｐが劣化するなど、またＴＣもさほど改善され
ていないなどの課題があった。
本発明は上記の課題に鑑み発明されたものであって、フ
ィルムコンデンサの諸特性（Ｃ１１１１１１、ρａｐｐ
、＋ ｔａｌｌ δ、ＴＣ）と同等の優れた特性を有し
ながら、しかも従来製造プロセスを損なうことのない安
価な粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目的として
いる。
ィルムコンデンサの諸特性（Ｃ１１１１１１、ρａｐｐ
、＋ ｔａｌｌ δ、ＴＣ）と同等の優れた特性を有し
ながら、しかも従来製造プロセスを損なうことのない安
価な粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目的として
いる。
より具体的には、コンデンサの電気的特性をバランスよ
く改善し、特に誘電率（Ｆ−ａｐｐ、 ）と静電容量温
度変化率（ＴＣ）とが共に良好な粒界絶縁型半導体磁器
を提供することを目的としている。
く改善し、特に誘電率（Ｆ−ａｐｐ、 ）と静電容量温
度変化率（ＴＣ）とが共に良好な粒界絶縁型半導体磁器
を提供することを目的としている。
課し重Ｊ置輿するたΔぽと１段
上記した目的を達成するため本発明に係る半導体磁器は
、 ５ｒＴｉＯａが９７−８０ｍｏｌ Ｃ９７−８Ｏが３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ２Ｏ，が０゜
０５〜０．４０ｍｏ２およびＣｕＯとＭｎ０ａとのうち
少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む焼結
体であって、その結晶粒界が、 Ｂｉ、 Ｎｂ、 Ｃｓ
を含む酸化物の絶縁層により形成されていることを特徴
とし、また、本発明に係る半導体磁器の製造方法では、 ５ｒＴｉ０：ｉが９７〜８０ｍｏｌ ＣａＴｉＯａが３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、ＮｂｚＯｓが０゜
０５〜０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎ０ｉとのうち
少なくとも１種が０．１０−０．４０ｍｏｌを含む磁器
焼結体の表面に、 Ｂｉ、ｒｌｌｈが２０〜９８ｍｏｌ ＮｂａＯａが２〜８ｍｏｌ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が２〜８０ｍｏｌ
を主原料とする組成物を塗布した後焼成することを特徴
としている。
、 ５ｒＴｉＯａが９７−８０ｍｏｌ Ｃ９７−８Ｏが３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ２Ｏ，が０゜
０５〜０．４０ｍｏ２およびＣｕＯとＭｎ０ａとのうち
少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含む焼結
体であって、その結晶粒界が、 Ｂｉ、 Ｎｂ、 Ｃｓ
を含む酸化物の絶縁層により形成されていることを特徴
とし、また、本発明に係る半導体磁器の製造方法では、 ５ｒＴｉ０：ｉが９７〜８０ｍｏｌ ＣａＴｉＯａが３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、ＮｂｚＯｓが０゜
０５〜０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎ０ｉとのうち
少なくとも１種が０．１０−０．４０ｍｏｌを含む磁器
焼結体の表面に、 Ｂｉ、ｒｌｌｈが２０〜９８ｍｏｌ ＮｂａＯａが２〜８ｍｏｌ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が２〜８０ｍｏｌ
を主原料とする組成物を塗布した後焼成することを特徴
としている。
このように本発明にかかる半導体磁器は、主原料に５ｒ
ＴｉＯａおよびＣａＴｉ０．ｖの２成分を用い、材料を
半導体化するための原子価制御剤としてＮｂ２Ｏ５を添
加し、焼結助剤ヒしてＣｕＯとＭｎ０ａ＆のうち少なく
と（）１種を添加し、さらに粒界絶縁化拡散物質として
ＢｉＪｓ、Ｎｂ２Ｏ５およびセシウムの炭酸塩または酸
化物を主原料とする組成物を用いている。
ＴｉＯａおよびＣａＴｉ０．ｖの２成分を用い、材料を
半導体化するための原子価制御剤としてＮｂ２Ｏ５を添
加し、焼結助剤ヒしてＣｕＯとＭｎ０ａ＆のうち少なく
と（）１種を添加し、さらに粒界絶縁化拡散物質として
ＢｉＪｓ、Ｎｂ２Ｏ５およびセシウムの炭酸塩または酸
化物を主原料とする組成物を用いている。
任亘
上記した半導体磁器およびその製造方法によれば、主原
料である５ｒＴｉＯａ、ＣａＴｉＯｓに原子価制御剤で
あるＮｂ、０８ 、および焼結助剤であるＣｕＯとＭｎ
Ｏ＊などを混合して焼結させた磁器焼結体の結晶粒界に
、さらに粒界絶縁化拡散物質であるＢｊえ０６、ＮｂＪ
ｌｌおよびセシウムの炭酸塩または酸化物を組合わせた
組成物を拡散させることにより半導体磁器を得ているの
で、従来の組成および製造方法によって得た半導体磁器
と比較して良好な電気的な諸性性が得られる。
料である５ｒＴｉＯａ、ＣａＴｉＯｓに原子価制御剤で
あるＮｂ、０８ 、および焼結助剤であるＣｕＯとＭｎ
Ｏ＊などを混合して焼結させた磁器焼結体の結晶粒界に
、さらに粒界絶縁化拡散物質であるＢｊえ０６、ＮｂＪ
ｌｌおよびセシウムの炭酸塩または酸化物を組合わせた
組成物を拡散させることにより半導体磁器を得ているの
で、従来の組成および製造方法によって得た半導体磁器
と比較して良好な電気的な諸性性が得られる。
すなわち、εａｐｐ、およびρｓｐｐの良好な特性を得
ながらＴＣを±３％以内に小さく抑えることが可能とな
る。また、 ｔａｎδも１．５％以下で安定する。
ながらＴＣを±３％以内に小さく抑えることが可能とな
る。また、 ｔａｎδも１．５％以下で安定する。
Ｘ産出
以下、本発明に係る実施例を説明する。
なお、以下の説明においては、半導体磁器製造における
一次焼成後の焼結体を磁器焼結体と記し、粒界絶縁層の
形成された二次焼成後の焼結体を半導体磁器と記すこと
とする。
一次焼成後の焼結体を磁器焼結体と記し、粒界絶縁層の
形成された二次焼成後の焼結体を半導体磁器と記すこと
とする。
本実施例における半導体磁器１２は第を図および第２図
に示すように半導体化された平均粒径約５０ａｍの結晶
粒１０と、結晶粒１０間の厚さ約０．１μｍの粒界層１
１とから構成されている。
に示すように半導体化された平均粒径約５０ａｍの結晶
粒１０と、結晶粒１０間の厚さ約０．１μｍの粒界層１
１とから構成されている。
そして、粒界層１１が絶縁性の誘電体層で形成された半
導体磁器１２の上下両面に電極１３．１４が形成されて
半導体磁器コンデンサなどが構成されている。
導体磁器１２の上下両面に電極１３．１４が形成されて
半導体磁器コンデンサなどが構成されている。
まず上記磁器焼結体の作製方法を説明する。
５ｒＴｉＯｓが９７〜８０ ｍｏｌ 、 ＣａＴｉＯｓ
が３＝２０ｍｏｌよりなる主成分１００ ｍｏｉに対し
、これに原子価制御剤としてＮｂＪａを０．０５〜０．
４０ｍｏｌ、焼結助剤としてＣｕＯとＭｎＯオとのうち
少なくとも１種を０． １０−０．４０ｍｏｌの各範啜
で添加し、これを粉末状態として混合後、直径１０ｎ＋
＋＋＋、厚さ０．８ ｍｍの円板形状に加圧成形する。
が３＝２０ｍｏｌよりなる主成分１００ ｍｏｉに対し
、これに原子価制御剤としてＮｂＪａを０．０５〜０．
４０ｍｏｌ、焼結助剤としてＣｕＯとＭｎＯオとのうち
少なくとも１種を０． １０−０．４０ｍｏｌの各範啜
で添加し、これを粉末状態として混合後、直径１０ｎ＋
＋＋＋、厚さ０．８ ｍｍの円板形状に加圧成形する。
この円板状の素体を還元雰囲気（Ｈ，１〜１５％、Ｎ２
９９〜８５％）中で１４００〜１５４０℃程度の温度で
４〜１０時間焼成して磁器焼結体を作製した。
９９〜８５％）中で１４００〜１５４０℃程度の温度で
４〜１０時間焼成して磁器焼結体を作製した。
次に、上記方法で得た磁器焼結体の粒界層を絶縁化する
ために、ＢｉＪｓが２０〜９０ ｍｏｌ、 ＮｂｚＯ，
が２〜８ｍｏｌおよびセシウムの炭酸塩（Ｃ８ａＣＯｓ
。
ために、ＢｉＪｓが２０〜９０ ｍｏｌ、 ＮｂｚＯ，
が２〜８ｍｏｌおよびセシウムの炭酸塩（Ｃ８ａＣＯｓ
。
Ｃ５ＨＣＯ，など）または酸化物（Ｃｓ、ＯｌＣｓｉＯ
ｇなど）が２〜７８ｍｏｌを主原料とする組成物を混合
後ベースト状にし、この組成物のペーストを上記磁器焼
結体の表面に塗布し、その後大気中で１０５０〜１３５
０℃で１〜２時間焼成して、半導体磁器１２を得た。さ
らに、この半導体磁器１２の両面に銀ペーストを焼き付
けて電極１３．１４を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを得た。
ｇなど）が２〜７８ｍｏｌを主原料とする組成物を混合
後ベースト状にし、この組成物のペーストを上記磁器焼
結体の表面に塗布し、その後大気中で１０５０〜１３５
０℃で１〜２時間焼成して、半導体磁器１２を得た。さ
らに、この半導体磁器１２の両面に銀ペーストを焼き付
けて電極１３．１４を形成し、粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサを得た。
次に、 ＳｒＴｉ０ｇ、 ＣａＴｉ０！、 ＮｂｚＯ
ａ 、 ＣｕＯ、Ｍｎ０１Ｂ１ｚＯｓ 、 Ｃｓ１
ＣＯｓの混合物を用いて各種作製した上記試料についＣ
１それぞれの電気的特性を測定した。その結果を表１に
示す０表１中、誘電率ε１□、誘電損失ｔａｎ ５およ
び２０℃における静電容量値を基準とした一り５℃〜＋
８５℃温度範囲での静電容量温度変化率ＴＣは周波数１
ｋＨｚ、 ＡＣｌ、Ｖを印加して測定した値である。
ａ 、 ＣｕＯ、Ｍｎ０１Ｂ１ｚＯｓ 、 Ｃｓ１
ＣＯｓの混合物を用いて各種作製した上記試料についＣ
１それぞれの電気的特性を測定した。その結果を表１に
示す０表１中、誘電率ε１□、誘電損失ｔａｎ ５およ
び２０℃における静電容量値を基準とした一り５℃〜＋
８５℃温度範囲での静電容量温度変化率ＴＣは周波数１
ｋＨｚ、 ＡＣｌ、Ｖを印加して測定した値である。
また、絶縁抵抗素ρａｐｅはＤＣ２５Ｖ印加後１分値の
電流より求めた値である。
電流より求めた値である。
特に誘電率Ｂ ａｐｐが７万クラスで静電容量温度変化
率ＴＣが±３％以内というのは、かってない大きな特徴
である。
率ＴＣが±３％以内というのは、かってない大きな特徴
である。
一方、ＣａＴｉＯｓが３巾０１未満ではＴＣが±５％以
上ヒ高く、また２５ｍｏ１以上ではε、ｐい、 ＴＣが
ともに劣化した。
上ヒ高く、また２５ｍｏ１以上ではε、ｐい、 ＴＣが
ともに劣化した。
焼結助剤、拡散物質については本発明に係る組成比以外
のものは各電気的特性のいずれかが本発明に係る組成比
のものと比較して劣っている。
のものは各電気的特性のいずれかが本発明に係る組成比
のものと比較して劣っている。
このように本発明に係る組成比以外のものをコンデンサ
として用いた場合には従来並のレベルもしくはそれ以下
となった。
として用いた場合には従来並のレベルもしくはそれ以下
となった。
また、表１中＊印のものは本発明の範囲内の試料を示し
２、それ以外はすべて本発明の範囲外の試料を示してい
る。
２、それ以外はすべて本発明の範囲外の試料を示してい
る。
（以下余白）
表１から明らかなように、本発明の範囲内の試料は、従
来品に比ベバランスのとれた良好な電気的特性（ｅ ａ
ｐｐｌ、 ρａｐ、−１ｔａｎδ、ＴＣ）が得られてい
ることがわかる。とくに、εａｐｐが７万クラスでＴＣ
が±３％以内となっており、極めて優れた特性いえる。
来品に比ベバランスのとれた良好な電気的特性（ｅ ａ
ｐｐｌ、 ρａｐ、−１ｔａｎδ、ＴＣ）が得られてい
ることがわかる。とくに、εａｐｐが７万クラスでＴＣ
が±３％以内となっており、極めて優れた特性いえる。
また、誘電損失ｔａｎδも１．５％以下で安定しており
、絶縁抵抗率ρ。２．も１０１０Ω−ｃｍ以上ヒ非常に
良好である。
、絶縁抵抗率ρ。２．も１０１０Ω−ｃｍ以上ヒ非常に
良好である。
つぎに、本発明の範囲内の条件で作製した試料の電気的
特性が優れている原因について調査した。
特性が優れている原因について調査した。
第２図中の線Ａ−Ｂに示すように、結晶粒界をはさむ領
域を対象にＸ線マイクロアナライザーを用いて線分析（
電子ビームを第２図のＡ−ＩＢ方向に線状に走査し、走
査部について元素の存在量の変化を測定する）を行なっ
た。
域を対象にＸ線マイクロアナライザーを用いて線分析（
電子ビームを第２図のＡ−ＩＢ方向に線状に走査し、走
査部について元素の存在量の変化を測定する）を行なっ
た。
その結果、結晶粒内には、Ｂｉ、 Ｎｂ、 Ｃｓがほと
んど存在しないのに対し、結晶粒界ではこれらの元素の
含有率が著しく高いことが確認された。結晶粒界におけ
るこれらの元素の存在形態は、むろん酸化物である。
んど存在しないのに対し、結晶粒界ではこれらの元素の
含有率が著しく高いことが確認された。結晶粒界におけ
るこれらの元素の存在形態は、むろん酸化物である。
本発明の半導体磁器は、結晶粒界がＢｉ、 Ｎｂおよび
Ｃｓの酸化物を含む層で形成されているために、電気的
特性が優れている。
Ｃｓの酸化物を含む層で形成されているために、電気的
特性が優れている。
上記実施例によれば、従来技術のプロセスを損なうこと
なく電気的特性を向上させることができ、しかも、誘電
率ε、□と静電容量温度変化率ＴＣとの両特性を損うこ
となく良好な値を得ることができたので、高価なフィル
ムコンデンサに近い特性を有しながら、しかも安価な価
格で半導体磁器製品を提供することができる。したがっ
て、回路に使用するにあたり実装面、コスト面、保守面
において非常に有利な製品を提供できる。
なく電気的特性を向上させることができ、しかも、誘電
率ε、□と静電容量温度変化率ＴＣとの両特性を損うこ
となく良好な値を得ることができたので、高価なフィル
ムコンデンサに近い特性を有しながら、しかも安価な価
格で半導体磁器製品を提供することができる。したがっ
て、回路に使用するにあたり実装面、コスト面、保守面
において非常に有利な製品を提供できる。
なお、上記実施例では銀電極を形成したが、他の公知材
料からなる電極を形成してもよい。また焼結条件も実施
例の条件に限るものではなく、焼結体が十分に半導体化
される雰囲気と、粒界層が十分に絶縁化され得る条件で
あればよい。
料からなる電極を形成してもよい。また焼結条件も実施
例の条件に限るものではなく、焼結体が十分に半導体化
される雰囲気と、粒界層が十分に絶縁化され得る条件で
あればよい。
また、上記実施例ではコンデンサに利用する場合につい
て説明したが、他の磁器電子部品、例えばバリスタ、サ
ーミスタなどについてち同様に適用することができる。
て説明したが、他の磁器電子部品、例えばバリスタ、サ
ーミスタなどについてち同様に適用することができる。
及亘公劾呈
以上の説明により明らかな如く、本発明にかかる半導体
磁器にあっては、５ｒＴｉＯｓが９７〜８０ｍｏｌ 、
ＣａＴｉＯｓが３〜２０Ｉ！ｌｏｌよりなる主成分１
００ｍｏ１に対し、ＮｂｔＯｓが０．０５〜０．４０ｍ
ｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ２ｍｏｌとのうち少なくとも
１種が０．１ （Ｌ−０，４０ｍｏｌ含まれる磁器焼結
体の結晶粒界が、Ｂｉ、 Ｎｂ、 Ｃｓを含む酸化物の
絶縁層により形成されおり、電気的特性（εａｐ１．ｔ
ρａｐｐ６、ｔａｎδ、ＴＣ）に優れたちのが得られて
いる。特に、ε。、が７万クラスでＴｃを±３％以内と
小さくできたのは今回が初めてである。
磁器にあっては、５ｒＴｉＯｓが９７〜８０ｍｏｌ 、
ＣａＴｉＯｓが３〜２０Ｉ！ｌｏｌよりなる主成分１
００ｍｏ１に対し、ＮｂｔＯｓが０．０５〜０．４０ｍ
ｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ２ｍｏｌとのうち少なくとも
１種が０．１ （Ｌ−０，４０ｍｏｌ含まれる磁器焼結
体の結晶粒界が、Ｂｉ、 Ｎｂ、 Ｃｓを含む酸化物の
絶縁層により形成されおり、電気的特性（εａｐ１．ｔ
ρａｐｐ６、ｔａｎδ、ＴＣ）に優れたちのが得られて
いる。特に、ε。、が７万クラスでＴｃを±３％以内と
小さくできたのは今回が初めてである。
また、誘電損失ｔａｎδも１．５％以下で安定しており
、絶縁抵抗率ρ。、もＩＱＩＯΩ−ｃｍ以上と非常に良
好である。
、絶縁抵抗率ρ。、もＩＱＩＯΩ−ｃｍ以上と非常に良
好である。
また、製造方法においても、粒界絶縁化拡散物質として
Ｂｉｇｏｔが２０〜９０ ｍｏｌ ＋ ＮｂｔＯｓが
２〜８ ｍｏｌおよびセシウムの炭酸塩または酸化物が
２〜７８ｍｏｌを主原料とする組成物を上記磁器焼結体
の表面に塗布し、再び焼結して半導体磁器を生成してい
るので、従来技術のプロセスを損なうことなく、電気特
性（ε、ｐｐ１、ρ、ｐ２１、ｔａｎδ、ＴＣ）に優れ
た、とくに、誘電率ε。３と静電容量温度変化率ＴＯと
の両特性に優れたものを得ることができた。
Ｂｉｇｏｔが２０〜９０ ｍｏｌ ＋ ＮｂｔＯｓが
２〜８ ｍｏｌおよびセシウムの炭酸塩または酸化物が
２〜７８ｍｏｌを主原料とする組成物を上記磁器焼結体
の表面に塗布し、再び焼結して半導体磁器を生成してい
るので、従来技術のプロセスを損なうことなく、電気特
性（ε、ｐｐ１、ρ、ｐ２１、ｔａｎδ、ＴＣ）に優れ
た、とくに、誘電率ε。３と静電容量温度変化率ＴＯと
の両特性に優れたものを得ることができた。
この結果、高価なフィルムコンデンサに近い特性を有し
、しかも安価な価格で提供することができる半導体磁器
を得ることができる。
、しかも安価な価格で提供することができる半導体磁器
を得ることができる。
また、電気あるいは電子回路に使用するにあたり実装面
、コスト面、保守面において非常に有利なものとなり、
電気・電子機器のコストダウンを図る上で非常に有効な
ものを提供できる。
、コスト面、保守面において非常に有利なものとなり、
電気・電子機器のコストダウンを図る上で非常に有効な
ものを提供できる。
第１図は本発明に係る半導体磁器を用いたコンデンサの
断面図、第２図は磁器焼結体の一部拡大図である。
断面図、第２図は磁器焼結体の一部拡大図である。
Claims (2)
- （１） ＳｒＴｉＯ＿３が９７〜８０ｍｏｌＣａＴｉＯ
＿３が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ＿２Ｏ＿５が
０．０５〜０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ＿２と
のうち少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏｌを含
む焼結体であって、その結晶粒界が、Ｂｉ、Ｎｂ、Ｃｓ
を含む酸化物の絶縁層により形成されていることを特徴
とする半導体磁器。 - （２） ＳｒＴｉＯ＿３が９７〜８０ｍｏｌＣａＴｉＯ
＿２が３〜２０ｍｏｌ よりなる主成分１００ｍｏｌに対し、Ｎｂ＿２Ｏ＿５が
０．０５〜０．４０ｍｏｌおよびＣｕＯとＭｎＯ＿２ｍ
ｏｌとのうち少なくとも１種が０．１０〜０．４０ｍｏ
ｌを含む磁器焼結体の表面に Ｂｉ＿２Ｏ＿３が２０〜９０ｍｏｌ Ｎｂ＿２Ｏ＿５が２〜８ｍｏｌ およびセシウムの炭酸塩または酸化物が２〜７８ｍｏｌ
を主原料とする組成物を塗布した後焼成することを特徴
とする半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223889A JPH0388768A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体磁器とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223889A JPH0388768A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体磁器とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388768A true JPH0388768A (ja) | 1991-04-15 |
Family
ID=16805297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223889A Pending JPH0388768A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体磁器とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824616A (en) * | 1995-03-02 | 1998-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223889A patent/JPH0388768A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824616A (en) * | 1995-03-02 | 1998-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
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