JPH0388372A - 半導体発光素子の発光出力測定装置 - Google Patents
半導体発光素子の発光出力測定装置Info
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- JPH0388372A JPH0388372A JP1222957A JP22295789A JPH0388372A JP H0388372 A JPH0388372 A JP H0388372A JP 1222957 A JP1222957 A JP 1222957A JP 22295789 A JP22295789 A JP 22295789A JP H0388372 A JPH0388372 A JP H0388372A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J3/28—Investigating the spectrum
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G01J2001/4252—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources for testing LED's
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の目的】
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子
の発光出力測定装置に関する。 （従来の技術） 一般に、発光ダイオード等の半導体発光素子は、製造後
に発光出力が測定され、この測定結果に応じて良品、不
良品を選別したり、発光出力に応じて分類している。 第４図は、従来の発光出力測定装置の一例を示すもので
ある。 発光ダイオード等の発光索子１の一方のオーミック電極
２は平面状の電極板３に接触され、この発光素子１の他
方のオーミック電極４には、針状電極５が接触されてい
る。これら電極３．５の相互間には、電流供給源６が設
けられ、この電流供給源６から発光素子１に一定の電流
が供給される。 前記発光素子１の上方には、直径が１’０〜２０１のフ
ォトダイオード等からなる受光素子７が配設され、この
受光素子７によって発光素子１から出力される光が受光
され光電変換される。この受光素子７の出力は、出力測
定回路８を構成する電圧計８ａによって測定される。 第５図は、従来の発光出力測定装置の他の例を示すもの
であり、第４図と同一部分については同一符号を付し、
異なる部分についてのみ説明する。 この測定装置においては、針状電極５に代えて、受光素
子７の外囲器７ａの表面に酸化錫などの透明導電性電極
層９を設け、この透明導電性電極層９を発光素子１の他
方のオーミック電極４に接触して電流を供給し、受光素
子６によって発光素子１の発光出力を測定している。 （発明が解決しようとする課題） ところで、上記第４図に示す装置において、発光索子１
と受光素子７との相互間隔は、発光素子１の一辺の長さ
ｐが０．３− 程度であるのに対して、針状電極５を
配設するスペースを確保するために、通常数十鳳ｍ以上
とする必要がある。このため、受光面積が有限な受光素
子７では、発光素子１から出力される光の極一部しか検
出することができないものである。したがって、この測
定装置では、発光素子１の発光出力を正確に測定するこ
とが困難なものであった。 また、上記第５図に示す装置においては、受光素子７を
発光素子１の表面に接近することが可能であるため、発
光出力の測定精度そのものは改善することができるわし
かし、透明導電性電極層９の電気伝導度は、例えばρ５
−１００Ω／ａｍ２であり、金属と比較して低いため、
印加電流によって発熱し、発光素子１の発光出力に悪影
響を与えるという欠点を有していた。 しかも、透明導電性電極層９の電気伝導度が低いため、
発光素子１の順方向電圧特性をこの測定装置によって測
定した場合、透明導電性電極層９の電圧降下を含んで測
定することとなり、正確な測定が困難なものであった。 この発明は、上記従来の測定装置が有する課題を解決す
るものであり、その目的とするところは、半導体発光素
子の発光出力を正確に測定することが可能な半導体発光
素子の発光出力測定装置を提供しようとするものである
。 ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、上記課題を財決するため、半導体発光素子
の第１、第２の電極にそれぞれ接触され、半導体発光素
子に動作電流を供給する第３、第４の電極と、この第４
の電極が受光面に配設され、前記半導体発光素子から出
力される光を受光する受光素子とを設け、第４の電極を
網目状の金属によって構成している。 （作用） すなわち、この発明は、受光素子の受光面に網目状の金
属によって構成された第４の電極を設け、この第４の電
極を介して発光素子に動作電流を供給するとともに、発
光素子から発生された光を受光素子に導くことにより、
受光素子を発光素子に近接することがで、きるとともに
、発光素子の発熱を防止して発光素子の発光出力を正確
に測定可能としている。 （一実施例） 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。 第１図において、発光ダイオード等の発光素子１１には
、オーミック電極１２．１３が設けられている。これら
オーミック電極１２．１３のうち、一方のオーミック電
極１２は平面状の電極板１４に接触されている。この電
極板１４は金属材料の表面に金メツキが施されている。 一方、受光素子１５の受光面には、網目状の電極１６が
設けられている。この網目状の電極１６は、例えばガラ
ス等からなる透明絶縁物によって構成された受光素子１
５の外囲器１５ａの表面に金を蒸着して形成されている
。この網目状の電極１６は、測定時に前記発光素子１１
の他方のオーミック電極１３に接触される。この網目状
の電極１６と前記電極板１４の相互間には電流供給源１
７が設けられており、この電流供給源１７から発光素子
１１の動作電流が供給される。 発光素子１１から出力される光は、電極１６の網目を介
して受光素子１５に供給され、この受光素子１５によっ
て光電変換される。この受光素子１５には、電源１８を
介して出力測定回路１９が接続されており、この出力測
定回路１９を構成する電圧計２０に、受光素子１５の光
電変換出力が供給され、発光素子１１の出力光が測定さ
れる。 第２図は、前記網目状の電極１６を示すものである。同
図に示すように、電極１６の幅ａは９０μｍ、電極１６
の相互間Ｓｂは１０μ麿とされている。 また、前記発光素子１１の他方のオーミック電極１３の
直径Ｃは、第３図に示すごとく、１００μ口に設定され
ている。したがって、網目状の電極１６は、発光素子１
１のオーミック電極１３のどのような位置関係であって
も、このオーミック電極１３に接触することができる。 上記実施例によれば、受光索子１５の受光面に網目状の
電極１６を設け、この網目状の電極１６を介して受光素
子１５を発光素子１１に対向させている。したがって、
発光素子１１と受光素子１５との相互間角を数量−程度
に設定することができ、しかも、網目状の電極１６によ
る発光素子１１からの光の遮断は、受光面の中での網目
状の電極１６の面積比に基づくと、この実施例では約２
０％に過ぎないため、発光索子１１から出力される光の
大部分を受光素子１５に入射することができ、発光素子
１１の出力光を正確に測定することができるものである
。 また、網目状の電極１６は金によって構成されているた
め、電気伝導度が従来の透明導電性電極層９に比べて極
めて高い。したがって、網目状の電極１６からの発熱は
殆ど無視することができ、発熱により発光素子１１の出
力光が変化することを防止するできるものである。 さらに、網目状の電極１６の電気伝導度が高いため、網
目状の電極１６の電圧降下を無視することができる。し
たがって、発光素子の順方向電圧特性を正確に測定する
ことができるものであり、汎用性の高い測定装置とする
ことができるものである。 また、網目状の電極１６の電極相互間隔は、発光素子１
１のオーミック電極１３の直径より狭く設定されている
。したがって、網目状の電極１６を確実にオーミック電
極１３に接触することができる。 しかも、網目状の電極１６の電気伝導度が高いため、網
目状の電極１６のどの部分が電極１３に接触した場合に
おいても、抵抗値が変化せず正確に測定を行うことがで
きる。 なお、この発明は、発光ダイオードの発光出力の測定に
限定されるものではなく、例えば前面発光タイプの半導
体レーザの発光出力の測定に適用することも可能である
。 また、上記実施例においては、網目状の電極１６を受光
索子１５の外囲器１５ａに蒸着したが、これに限らず、
予め作製された網目状の金属電極を外囲器１５ａに取付
ける構成としても同様の効果を得ることが可能である。 その他、この発明の要旨を変えない範囲において種々変
形実施可能なことは勿論である。 ［発明の効果］ 以上、詳述したようにこの発明によれば、受光素子の受
光面に網目状の金属によって構成された第４の電極を設
け、この第４の電極を介して発光素子に動作電流を供給
するとともに、発光素子から発生された光を受光素子に
導くことにより、受光素子を発光素子に近接することが
できるとともに、発光素子の発熱を防止して発光素子の
発光出力を正確に測定することが可能な半導体発光素子
の発光出力測定装置を提供できる。
の発光出力測定装置に関する。 （従来の技術） 一般に、発光ダイオード等の半導体発光素子は、製造後
に発光出力が測定され、この測定結果に応じて良品、不
良品を選別したり、発光出力に応じて分類している。 第４図は、従来の発光出力測定装置の一例を示すもので
ある。 発光ダイオード等の発光索子１の一方のオーミック電極
２は平面状の電極板３に接触され、この発光素子１の他
方のオーミック電極４には、針状電極５が接触されてい
る。これら電極３．５の相互間には、電流供給源６が設
けられ、この電流供給源６から発光素子１に一定の電流
が供給される。 前記発光素子１の上方には、直径が１’０〜２０１のフ
ォトダイオード等からなる受光素子７が配設され、この
受光素子７によって発光素子１から出力される光が受光
され光電変換される。この受光素子７の出力は、出力測
定回路８を構成する電圧計８ａによって測定される。 第５図は、従来の発光出力測定装置の他の例を示すもの
であり、第４図と同一部分については同一符号を付し、
異なる部分についてのみ説明する。 この測定装置においては、針状電極５に代えて、受光素
子７の外囲器７ａの表面に酸化錫などの透明導電性電極
層９を設け、この透明導電性電極層９を発光素子１の他
方のオーミック電極４に接触して電流を供給し、受光素
子６によって発光素子１の発光出力を測定している。 （発明が解決しようとする課題） ところで、上記第４図に示す装置において、発光索子１
と受光素子７との相互間隔は、発光素子１の一辺の長さ
ｐが０．３− 程度であるのに対して、針状電極５を
配設するスペースを確保するために、通常数十鳳ｍ以上
とする必要がある。このため、受光面積が有限な受光素
子７では、発光素子１から出力される光の極一部しか検
出することができないものである。したがって、この測
定装置では、発光素子１の発光出力を正確に測定するこ
とが困難なものであった。 また、上記第５図に示す装置においては、受光素子７を
発光素子１の表面に接近することが可能であるため、発
光出力の測定精度そのものは改善することができるわし
かし、透明導電性電極層９の電気伝導度は、例えばρ５
−１００Ω／ａｍ２であり、金属と比較して低いため、
印加電流によって発熱し、発光素子１の発光出力に悪影
響を与えるという欠点を有していた。 しかも、透明導電性電極層９の電気伝導度が低いため、
発光素子１の順方向電圧特性をこの測定装置によって測
定した場合、透明導電性電極層９の電圧降下を含んで測
定することとなり、正確な測定が困難なものであった。 この発明は、上記従来の測定装置が有する課題を解決す
るものであり、その目的とするところは、半導体発光素
子の発光出力を正確に測定することが可能な半導体発光
素子の発光出力測定装置を提供しようとするものである
。 ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、上記課題を財決するため、半導体発光素子
の第１、第２の電極にそれぞれ接触され、半導体発光素
子に動作電流を供給する第３、第４の電極と、この第４
の電極が受光面に配設され、前記半導体発光素子から出
力される光を受光する受光素子とを設け、第４の電極を
網目状の金属によって構成している。 （作用） すなわち、この発明は、受光素子の受光面に網目状の金
属によって構成された第４の電極を設け、この第４の電
極を介して発光素子に動作電流を供給するとともに、発
光素子から発生された光を受光素子に導くことにより、
受光素子を発光素子に近接することがで、きるとともに
、発光素子の発熱を防止して発光素子の発光出力を正確
に測定可能としている。 （一実施例） 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。 第１図において、発光ダイオード等の発光素子１１には
、オーミック電極１２．１３が設けられている。これら
オーミック電極１２．１３のうち、一方のオーミック電
極１２は平面状の電極板１４に接触されている。この電
極板１４は金属材料の表面に金メツキが施されている。 一方、受光素子１５の受光面には、網目状の電極１６が
設けられている。この網目状の電極１６は、例えばガラ
ス等からなる透明絶縁物によって構成された受光素子１
５の外囲器１５ａの表面に金を蒸着して形成されている
。この網目状の電極１６は、測定時に前記発光素子１１
の他方のオーミック電極１３に接触される。この網目状
の電極１６と前記電極板１４の相互間には電流供給源１
７が設けられており、この電流供給源１７から発光素子
１１の動作電流が供給される。 発光素子１１から出力される光は、電極１６の網目を介
して受光素子１５に供給され、この受光素子１５によっ
て光電変換される。この受光素子１５には、電源１８を
介して出力測定回路１９が接続されており、この出力測
定回路１９を構成する電圧計２０に、受光素子１５の光
電変換出力が供給され、発光素子１１の出力光が測定さ
れる。 第２図は、前記網目状の電極１６を示すものである。同
図に示すように、電極１６の幅ａは９０μｍ、電極１６
の相互間Ｓｂは１０μ麿とされている。 また、前記発光素子１１の他方のオーミック電極１３の
直径Ｃは、第３図に示すごとく、１００μ口に設定され
ている。したがって、網目状の電極１６は、発光素子１
１のオーミック電極１３のどのような位置関係であって
も、このオーミック電極１３に接触することができる。 上記実施例によれば、受光索子１５の受光面に網目状の
電極１６を設け、この網目状の電極１６を介して受光素
子１５を発光素子１１に対向させている。したがって、
発光素子１１と受光素子１５との相互間角を数量−程度
に設定することができ、しかも、網目状の電極１６によ
る発光素子１１からの光の遮断は、受光面の中での網目
状の電極１６の面積比に基づくと、この実施例では約２
０％に過ぎないため、発光索子１１から出力される光の
大部分を受光素子１５に入射することができ、発光素子
１１の出力光を正確に測定することができるものである
。 また、網目状の電極１６は金によって構成されているた
め、電気伝導度が従来の透明導電性電極層９に比べて極
めて高い。したがって、網目状の電極１６からの発熱は
殆ど無視することができ、発熱により発光素子１１の出
力光が変化することを防止するできるものである。 さらに、網目状の電極１６の電気伝導度が高いため、網
目状の電極１６の電圧降下を無視することができる。し
たがって、発光素子の順方向電圧特性を正確に測定する
ことができるものであり、汎用性の高い測定装置とする
ことができるものである。 また、網目状の電極１６の電極相互間隔は、発光素子１
１のオーミック電極１３の直径より狭く設定されている
。したがって、網目状の電極１６を確実にオーミック電
極１３に接触することができる。 しかも、網目状の電極１６の電気伝導度が高いため、網
目状の電極１６のどの部分が電極１３に接触した場合に
おいても、抵抗値が変化せず正確に測定を行うことがで
きる。 なお、この発明は、発光ダイオードの発光出力の測定に
限定されるものではなく、例えば前面発光タイプの半導
体レーザの発光出力の測定に適用することも可能である
。 また、上記実施例においては、網目状の電極１６を受光
索子１５の外囲器１５ａに蒸着したが、これに限らず、
予め作製された網目状の金属電極を外囲器１５ａに取付
ける構成としても同様の効果を得ることが可能である。 その他、この発明の要旨を変えない範囲において種々変
形実施可能なことは勿論である。 ［発明の効果］ 以上、詳述したようにこの発明によれば、受光素子の受
光面に網目状の金属によって構成された第４の電極を設
け、この第４の電極を介して発光素子に動作電流を供給
するとともに、発光素子から発生された光を受光素子に
導くことにより、受光素子を発光素子に近接することが
できるとともに、発光素子の発熱を防止して発光素子の
発光出力を正確に測定することが可能な半導体発光素子
の発光出力測定装置を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す一部切除した構成図
、第２図は網目状の電極を示す平面図、第３図は発光素
子を示す上面図、第４図、第５図はそれぞれ従来の発光
出力測定装置を示すものであり、第４図は構成図、第５
図は一部切除した構成図である。 １１・・・発光素子、１２．１３・・・オーミック電極
、１４・・・電極板、１５・・・受光素子、１５ａ・・
・外囲器、１６・・・網目状の電極、１９・・・出力測
定回路。 第 １ 図 第３図
、第２図は網目状の電極を示す平面図、第３図は発光素
子を示す上面図、第４図、第５図はそれぞれ従来の発光
出力測定装置を示すものであり、第４図は構成図、第５
図は一部切除した構成図である。 １１・・・発光素子、１２．１３・・・オーミック電極
、１４・・・電極板、１５・・・受光素子、１５ａ・・
・外囲器、１６・・・網目状の電極、１９・・・出力測
定回路。 第 １ 図 第３図
Claims (2)
- （１）第１、第２の電極を有する半導体発光素子の前記
第１の電極に接触される第３の電極と、前記半導体発光
素子の出力光を受光する受光素子と、 この受光素子の受光面に配設され、前記半導体発光素子
の第２の電極に接触され、前記第３の電極ともに半導体
発光素子に動作電流を供給する網目状金属によって構成
された第４の電極と、を具備したことを特徴とする半導
体発光素子の発光出力測定装置。 - （２）前記第４の電極の網目のサイズは半導体発光素子
の第２の電極の直径より若干小さくされていることを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子の発光出力測定
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22295789A JPH06101592B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
| US07/571,158 US5065007A (en) | 1989-08-31 | 1990-08-23 | Apparatus for measuring light output from semiconductor light emitting element |
| KR1019900013453A KR940010054B1 (ko) | 1989-08-31 | 1990-08-30 | 반도체발광소자의 발광출력측정장치 |
| DE90116757T DE69003911T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-08-31 | Gerät zum Messen der Lichtleistung eines lichtemittierenden Halbleiterelements. |
| EP90116757A EP0415440B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-31 | Apparatus for measuring light output from semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22295789A JPH06101592B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388372A true JPH0388372A (ja) | 1991-04-12 |
| JPH06101592B2 JPH06101592B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=16790531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22295789A Expired - Lifetime JPH06101592B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065007A (ja) |
| EP (1) | EP0415440B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06101592B2 (ja) |
| KR (1) | KR940010054B1 (ja) |
| DE (1) | DE69003911T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381103A (en) * | 1992-10-13 | 1995-01-10 | Cree Research, Inc. | System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices |
| GB9824671D0 (en) * | 1998-11-11 | 1999-01-06 | Cashmaster Int Ltd | Monitoring apparatus |
| US6760124B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Software determination of led brightness and exposure |
| US6970811B1 (en) * | 2000-03-22 | 2005-11-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hardware modeling of LED relative brightness |
| US6490037B1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-12-03 | Test Coach Corporation | Method and apparatus for verifying a color of an LED in a printed circuit board |
| US7023554B2 (en) * | 2003-11-14 | 2006-04-04 | Test Coach Corporation | Method and apparatus for determining a color and brightness of an LED in a printed circuit board |
| US7265822B2 (en) * | 2004-10-01 | 2007-09-04 | Test Coach Corporation | Method and apparatus for determining presence of a component in a printed circuit board |
| KR100768884B1 (ko) * | 2007-04-26 | 2007-10-19 | 서승환 | 기판의 발광소자 검사장치 |
| US8593148B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-11-26 | Sof-Tek Integrators, Inc. | System and method of testing high brightness LED (HBLED) |
| KR100953753B1 (ko) * | 2009-08-25 | 2010-04-19 | 주식회사 대한전광 | 집단 광원 측정 장치 |
| JP2017508272A (ja) * | 2013-12-22 | 2017-03-23 | リハイトン エレクトロニクス， インコーポレイテッドＬｅｈｉｇｈｔｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｉｎｃ． | 光起電性半導体の最大開路電圧を非接触で検知するためのシステムおよび方法 |
| US10302496B2 (en) | 2016-02-09 | 2019-05-28 | Nasa Solutions, Llc | Method and apparatus for determining presence and operation of a component in a printed circuit board |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD118942A1 (ja) * | 1975-04-01 | 1976-03-20 | ||
| DE3328899C2 (de) * | 1983-08-10 | 1985-07-11 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Photovoltaische Zelle |
| JPS62278423A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置の検査装置 |
| US4859939A (en) * | 1987-12-21 | 1989-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Non-destructive testing of SOS wafers using surface photovoltage measurements |
| US5008617A (en) * | 1989-06-20 | 1991-04-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Functional testing of ultra large area, ultra large scale integrated circuits |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22295789A patent/JPH06101592B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-23 US US07/571,158 patent/US5065007A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-30 KR KR1019900013453A patent/KR940010054B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-08-31 DE DE90116757T patent/DE69003911T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-31 EP EP90116757A patent/EP0415440B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5065007A (en) | 1991-11-12 |
| DE69003911T2 (de) | 1994-04-14 |
| KR910005042A (ko) | 1991-03-29 |
| EP0415440A3 (en) | 1991-09-18 |
| DE69003911D1 (de) | 1993-11-18 |
| EP0415440B1 (en) | 1993-10-13 |
| EP0415440A2 (en) | 1991-03-06 |
| KR940010054B1 (ko) | 1994-10-21 |
| JPH06101592B2 (ja) | 1994-12-12 |
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|
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