KR940010054B1

KR940010054B1 - 반도체발광소자의 발광출력측정장치

Info

Publication number: KR940010054B1
Application number: KR1019900013453A
Authority: KR
Inventors: 도시아키 다나카
Original assignee: 가부시키가이샤 도시바; 아오이 죠이치
Priority date: 1989-08-31
Filing date: 1990-08-30
Publication date: 1994-10-21
Also published as: JPH0388372A; US5065007A; DE69003911T2; KR910005042A; EP0415440A3; DE69003911D1; EP0415440B1; EP0415440A2; JPH06101592B2

Abstract

내용 없음.

Description

반도체발광소장의 발광출력측정장치

제 1 도는 본 발명의 1실시예를 나타낸 일부를 자른 구성도.

제 2 도는 그물코모양의 전극을 나타낸 평면도.

제 3 도는 발광소자를 나타낸 상면도.

제 4 도는 및 제 5 도는 각각 종래의 발광출력측정장치을 나타낸 것으로, 제 4 도는 구성도, 제 5 도는 일부를 자른 구성도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11 : 발광소자 12, 13 : 오믹전극(ohmic 電極)

14 : 전극판 15 : 수광소자

15a : 외위기 16 : 그물코모양의 전극

19 : 출력측정회로

[산업상의 이용분야]

본 발명은 예컨대 발광다이오드 등의 반도체발광소자의 발광출력측정장치에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 그 문제점]

일반적으로, 발광다이오드 등의 반도체발광소자는 제조후에 발광출력이 측정되고, 이 측정결과에 따라 양품, 불량품을 선별하거나, 발광출력에 따라 분류하고 있다.

제 4 도는 종래의 발광출력측정장치의 일례를 나타낸 것이다.

발광다이오드 등의 발광소자(1)의 한쪽의 오믹전극(2)은 평면모양의 전극판(3)에 접촉되고, 이 발광소자(1)의 다른쪽 오믹전극(4)에는 바늘모양의 전극(針狀電極 ; 5)이 접촉되어 있다. 이들 전극(3, 5)상호간에는 전류공급원(6)이 설치되고, 전류공급원(6)으로부터 발광소자(1)로 일정한 전류가 공급된다.

상기 발광소자(1)의 상방에는 직경이 10∼20mm인 포토다이오드 등으로 이루어진 수광소자(7)가 설치되고, 이 수광소자(7)에 의해 발광소자(1)로부터 출력되는 광이 수광되어 광전변환된다. 이 수광소자(7)의 출력은 출력측정회로(8)를 구성하는 전압계(8a)에 의해 측정된다.

제 5 도는 종래의 발광출력측정장치의 다른 예를 나타낸 것으로, 제 4 도와 동일부분에 대해서는 동일부호로 붙이고, 다른 부분에 대해서만 설명한다.

이 측정장치에 있어서는, 바늘모양의 전극(5) 대신에 수광소자(7)의 외위기(外圍器;7a)의 표면에 산화주석 등의 투명도전성 전극층(9)을 설치하고, 이 투명도전성 전극층(9)을 발광소자(1)의 다른쪽의 오믹전극(4)에 접촉시켜 전류를 공급하며, 수광소자(7)에 의해 발광소자(1)의 발광출력을 측정하고 있다.

그런데, 상기 제 4 도에 나타낸 장치에 있어서, 발광소자(1)와 수광소자(7)의 상호간격은, 발광소자(1)의 한변길이(ℓ)가 0.3mm정도인데 반해, 바늘모양의 전극(5)을 설치할 공간을 확보하기 위해 통상 수십 mm이상으로 할 필요가 있다. 이 때문에, 수광면적이 유한한 수광소자(7)에서는 발광소자(1)로부터 출력되는 광의 극히 일부밖에 검출할 수 없는 것이다. 따라서, 이 측정장치에서는 발광소자(1)의 발광출력을 정확하게 측정하는 것이 곤란하였다.

또, 상기 제 5 도에 나타낸 장치에 있어서는, 수광소자(7)를 발광소자(1)의 표면에 접근시키는 것이 가능하므로, 발광출력의 측정정밀도는 개선할 수 있다. 그러나, 투명도전성 전극층(9)의 전기전도도는 예컨대 ps=100Ω/㎟으로 금속과 비교하여 낮기 때문에, 인가전류에 의해 발열되어 발광소자(1)의 발광출력에 악영향을 미치는 결점을 갖고 있다.

게다가, 투명도전성 전극층(9)의 전기전도도가 낮기 때문에, 발광소자(1)의 순방향 전압특성을 이 측정장치에 의해 측정한 경우, 투명도전성 전극층(9)의 전압강하를 포함하여 측정하는 것으로 되어 정확한 측정이 곤란하였다.

[발명의 목적]

본 발명은 상기 점을 감안해서 이루어진 것으로, 반도체발광소자의 발광출력을 정확하게 측정할 수 있는 반도체발광소자의 발광출력측정장치를 제공함에 그 목적이 있다.

[발명의 구성]

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 반도체발광소자의 제1, 제2전극에 각각 접촉되어 반도체발광소장에 동작전류를 공급하는 제3, 제4전극과, 이 제4전극이 수광면에 설치되며 상기 반도체발광소자로부터 출력되는 광을 수광하는 수광소자를 설치하고, 제4전극을 그물코모양의 금속에 의해 구성하고 있다.

[작용]

상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 수광소자의 수광면에 그물코모양의 금속에 의해 구성된 제4전극을 설치하고, 이 제4전극을 매개로 발광소장에 동작전류를 공급함과 더불어 발광소자로부터 발생된 광을 수광소자로 도입함으로써, 수광소자를 발광소자에 근접시킬 수 있게 됨과 더불어 발광소자의 발열을 방지하여 발광소장의 발광출력을 정확하게 측정할 수 있게 된다.

[실시예]

아하, 본 발명의 1실시예에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

제 1 도에 있어서, 발광다이오드 등의 발광소자(11)에 오믹전극(12,13)이 설치되어 있다. 이들 오믹전극(12,13)중 한쪽이 오믹전극(12)은 평면모양의 전극판(14)에 접촉되어 있다. 이 전극판(14)은 금속재료의 표면에 금도금이 실시되어 있다.

한편, 수광소자(15)의 수광면에는 그물코모양의 전극(16)이 설치되어 있다. 이 그물코모양의 전극(16)은, 예컨대 유리 등으로 이루어진 투명절연물에 의해 구성된 수광소자(15)의 외위기(15a)의 표면에 금을 중착하여 형성되어 있다. 이 그물코양의 전극(16)은, 측정시에 상기 발광소자(11)의 다른쪽 오믹전극(13)에 접촉된다. 이 그물코모양의 전극(16)과 상기 전극판(14)의 상호간에는 전류공급원(17)이 설치되어 있고, 이 전류공급원(17)의 동작전류가 공급된다.

발광소자(11)로부터 출력되는 광은, 전극(16)의 그물코를 매개로 수광소자(15)에 공급되고, 이 수광소자(15)에 의해 광전변환된다. 이 수광소자(15)에는 전원(18)을 매개로 출력측정회로(19)가 접속되어 있고, 이 출력측정회로(19)를 구성하는 전압계(20)에 수광소자(15)의 광전변환출력이 공급되어 발광소자(11)의 출력광이 측정된다.

제 2 도는 상기 그물코모양의 전극(16)을 나타낸 것이다. 동 도면에 나타낸 바와 같이, 전극(16)의 폭(a)은 900㎛, 전극(16)의 상호간격(b)은 10㎛로 되어 있다.

또, 상기 발광소자(11)의 다른쪽 오믹전극(13)의 직경(c)은, 제 3 도에 나타낸 바와 같이 100㎛로 설정되어 있다. 따라서, 그물코모양의 전극(16)은 발광소자(11)의 오믹전극(13)이 어떠한 위치관계에 있더라도 이 오믹전극(13)에 접촉할 수 있다.

상기 실시예에 의하면, 수광소자(15)의 수광면에 그물코모양의 전극(16)을 설치하고, 이 그물코모양의 전극(16)을 매개로 수광소자(15)를 발광소자(11)에 대향시키고 있다. 따라서, 발광소자(11)와 수광소자(15)의 상호간의 거리를 수 mm정도로 설정할 수 있고, 게다가 그물코모양의 전극(16)에 의한 발광소자(11)로부터의 광의 차단은 수광면 중에서도 그물코모양의 전극(16)의 면적비에 기초하면, 이 실시예에서는 약 20%에 지나지 않기 때문에, 발광소자(11)로부터 출력되는 광의 대부분을 수광소자(15)로 입사시킬 수 있어서 발광소자(11)의 출력광을 정확히 측정할 수 있게 된다.

또, 그물코모양의 전극(16)은 금에 의해 구성되어 있기 때문에, 전기전도성이 종래의 투명도전성 전극층(9)에 비해 매우 높다. 따라서, 그물코모양의 전극(16)으로 부터의 발열은 거의 무시할 수 있고, 발열에 의해 발광소자(11)의 출력광이 변화하는 것을 방지할 수 있는 것이다.

더욱이, 그물코모양의 전극(16)의 전기전도도가 높기 때문에, 그물코모양의 전극(16)의 전압강하를 무시 할 수 있다. 따라서, 발광소자의 순방향 전압특성을 정확하게 측정할 수 있고, 범용성이 높은 측정장치로 할 수 있는 것이다.

또, 그물코모양의 전극(16)의 전극상호간격은 발광소자(11)의 오믹전극(13)의 직경보다 좁게 설정되어 있다. 따라서, 그물코모양의 전극(16)을 확실하게 오믹전극(13)에 접촉시킬 수 있다.

게다가, 그물코모양의 전극(16)의 전기전도도가 높기 때문에, 그물코모양의 전극(16)의 어느부분이 전극(13)에 접촉한 경우에 잇어서도, 저항값이 변화하지 않아 정확하게 측정을 할 수 있게 된다.

또한, 본 발명은 발광다이오드의 발광출력의 측정에 한정되지 않고, 예컨대 전면발광형의 반도체레이저의 발광출력의 측정에 적용할 수도 있다.

또, 상기 실시예에 있어서는 그물코모양의 전극(16)을 수광소자(15)의 외위기(15a)에 증착했지만, 이에 한정되지 않고 미리 제작된 그물코모양의 금속 전극을 외우기(15a)에 설치하는 구성으로 해도 같은 효과를 얻을 수 있다.

그밖에 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 각종 변형실시가 가능함은 물론이다.

한편, 본원 발명은 특허청구의 범위가 각 구성요건에 병기한 도면의 참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로서, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 나타낸 실시예에 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.

[발명의 효과]

상술한 바와같이 본 발명에 의하면, 수광소자의 수광면에 그물코모양의 금속에 의해 구성된 제4전극을 실시하고, 이 제4전극을 매개로 발광소자에 동작전류를 공급함과 더불어 발광소자로부터 발생된 광을 수광소자에 도입함으써, 수광소자를 발광소자에 근접시킬 수 있게 됨과 더불어 발광소자의 발열을 방지하여 발광소자의 발광출력을 정확하게 측정할 수 있는 반도체발광소자의 발광출력측정장치를 제공할 수 있게 된다.

Claims

제1전극(12), 제2전극(13)을 갖춘 반도체발광소자(11)의 상기 제1전극(12)에 접촉되는 제3전극(14)과, 상기 반도체발광소자(11)의 출력광을 수광하는 수광소자(15) 및, 이 수광소자(15) 및, 이 수광소자(15)의 수광면에 설치되고, 상기 반도체발광소자(11)의 제2전극(13)에 접촉되며, 상기 제3전극(14)과 더불어 반도체발광소자에 동작전류를 공급하는 그물코모양의 금속에 의해 구성된 제4전극(16)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 발광출력측정장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제4전극(16)의 그물코의 사이즈는 반도체발광소장의 제2전극(13)의 직경보다 약간 작게 되는 것을 특징으로 하는 반도체발광소자의 발광출력측정장치.