JPS63248141A - 光半導体特性測定装置 - Google Patents

光半導体特性測定装置

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JPS63248141A
JPS63248141A JP62083171A JP8317187A JPS63248141A JP S63248141 A JPS63248141 A JP S63248141A JP 62083171 A JP62083171 A JP 62083171A JP 8317187 A JP8317187 A JP 8317187A JP S63248141 A JPS63248141 A JP S63248141A
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JP
Japan
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optical
light
fiber
electrode
optical fiber
Prior art date
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Pending
Application number
JP62083171A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutomi Yoshida
吉田 一臣
Hideyo Higuchi
樋口 英世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63248141A publication Critical patent/JPS63248141A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、光半導体の特性測定装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
第3図は従来のL E D (Light Emitt
ing Diode)のウェハ測定装置の主要部分の構
成図を示しており、図において、1は電極デープル、2
は前記電極テーブル1上に載置されたLEDウェハ、3
は前記LEDウェハ2の各チップにそれぞれ接触せしめ
られるプローブ電極、4は前記各チップに流れる電流を
検出する電流計、5は直流可変電源、6はその電圧計、
14は前記各チップより出射される光、15aは前記各
チップからの光14を受光するホトダイオード、9は先
出力計(パワーメータ)である。
また、第4図はLEDウェハ2のチップがパッケージに
組み立てられた後の外観斜視図の一例を示す図であり、
11はLEDチップ、12は表面電極、13は前記LE
Dチップ11の光出射窓で、14が出射される。15b
は前記光出射窓13に樹脂等によって装着された球レン
ズ、16は前記LEDチップ11とパッケージ18を結
ぶワイヤ、17はパッケージ本体である。
次に動作について説明する。第3図において、電極デー
プル1上に真空吸着などの方法により、LEDウェハ2
を固定する。次に、電極テーブル1の機械的移動により
、プローブ電極3の先端とLEDチップ11の表面電極
12とを接触させる。プローブ電極3の表面電極12へ
の接触により電極テーブル1を介してLEDチップ11
に定電流(例えば100mA)が供給される。この時の
電流、電圧値は電流計4.電圧計6により検出される。
また、この時、光出射窓より光14が出射されるが、こ
の先14はホトダイオード15aによって光電流に変換
され、パワーメータ9により光出力値として読み取るこ
とができる。
1つのLEDチップ11の電流電圧特性および光出力値
の測定が終ると、電極テーブル1の機械的υ動により、
隣のLEDチップ11の表面電極12とプローブ電極3
の先端を接触させ同じ測定を繰り返す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のLEDウェハ2の状態での特性測定装置は、以上
のように構成されており、LEDチップ11の電気的特
性および光出力値の測定が可能である。
しかし、LEDチップ11より出射される光14は一般
的に非常に指向性が悪いため、光通信等で光フアイバ用
と結合して用いる場合には、第4図に示したように組立
の工程において、光出射窓13に球レンズ15’bを装
着し、光14の集光を図っている。また、組立後の検査
においては、光ファイバとの結合光出力1発振波長(光
スペクトラム)などの光学的特性が重要となってくる。
これらの特性がウェハ状態で測定できれば、不良チップ
の面落としが可能となり、組立後の検査の歩留向上が期
待できるが、従来のウェハ状態での特性測定装置では、
光を集光することができず、光ファイバとの結合が不可
能であるため、上記ファイバ結合光出力特性および光ス
ペクトラム特性の測定はできなかった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、光ファイバとの結合光出力特性および中心
波長、波長半値幅等のスペクトラム特性の測定をウェハ
状態で可能とした半導体特性測定装置を得ることを目的
とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体特性測定装置は、面発光素子から
の光を集光する球レンズ付光ファイバと、この球レンズ
付光ファイバとの光軸を合わせる自動光軸合せ装置と、
面発光素子の光出力値を測定する光パワーメータと、面
発光素子からの光出力を解析する光スペクトラムアナラ
イザとを備えたものである。
〔作用〕
この発明においては、自動光軸合せ装置により、球レン
ズ付光ファイバとチップの光出射窓との光結合が行われ
ることから、光フイアバの結合先出力特性および光スペ
クトラム特性の測定が可能となる。
〔実施例) 以下この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体特性測定装置
の概略構成図であり、第2図は、第1図のLEDウェハ
2の1チツプの光結合状態を示す斜視図である。第1図
、第2図において、第3図、第4図と同一符号は同じも
のを示し、7は球レンズ付光フィアバ、8は自動光軸合
せ製画、10は光スペクトラムアナライザである。
次に動作について説明する。
プローブ電極3の先端が表面電極12に接触すると、電
極テーブル1を介してLEDチップ11に電流が供給さ
れ、光出射窓13より光14を出射する。出射された光
14は球レンズ付光フィアバ7に導かれ、自動光軸合せ
装置8によって最大の結合効率が得らえる位置へ球レン
ズ付光フィアバ7を6勤させる。その後、球レンズ付光
フィアバ7に入射した光14は、光パワーメータ9によ
ってその光出力値が測定され、次に光スペクトラムアナ
ライザ10によって、中心波長、波長半値幅等の測定が
行われる。
なお、上記実施例では、面発光LEDをウェハ状態で測
定する装置について説明したが、面発光L D (L、
aser Diode)でもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明は、面発光素子からの光を集光す
る球レンズ付光ファイバと、この球レンズ付光ファイバ
を光の最大結合効率が得られる位置へ光軸を合わせる自
動光軸合せ装置と、面発光素子の光出力値を測定する光
パワーメータと、面発光素子からの光出力を解析する光
スペクトラムアナライザとを備えたので、ファイバ結合
光出力特性および、光スペクトラム特性の測定がウェハ
状7態でできるようになり、不良チップの面落しが1可
能となり、組立後の検査の歩留が向上する等の効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体特性測定装置
の基本構成を示す概略図、第2図はこの発明の1チツプ
の球レンズ付光ファイバとLEDチップの光結合を示す
斜視図、第3図は従来の半導体特性測定装置を示す基本
構成図、第4図はLEDチップの組立後の外形斜視図を
示す。 図において、1は電極テーブル、2はLEDウェハ、3
はプローブ電極、4は電流計、5は直流可変電源、6は
電圧計、7は球レンズ付光ファイバ、8は自動光軸合せ
装置、9は光パワーメータ、10は光スペクトラムアナ
ライザである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第1図 第2図 L−−−一一一一−−−−−−−−−−−−−レ′第3
図 第4図 手続補正書(自発) 昭和 6奔 3月20日 1、事件の表示   特願昭82−83171号2°(
斉a月(7) 名+i    光半導体特性1111定
装置3 補正をする者 代表者 志 岐 守 哉 4、代理人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄1発明の詳細な説明の欄お
よび図面 6、補正の内容 (1)  明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 (2)明細書第2頁1行、19行の「電極デープル」を
、それぞれ「電極テーブル」と補正する。 (3)  同じく第2頁7行の「15a」を、「15」
と補正する。 (4)同じく第2頁13〜IS行の「13は前記・・・
・・・球レンズ、」を、下記のように補正する。 「13は前記LEDチップ11の光出射窓、19は前記
光出射窓13に樹脂等によって装着された球レンズ、1
4は前記球レンズ19を通って外部に出射した光、」 (5)同じく第2頁16行の「パッケージ18」を、「
リード端子18」と補正する。 (6)同じく第3頁7行の「光出射窓」を、「光出射窓
13」と補正する。 (7)同じく第3頁8行の「ホトダイオード15a」を
、「ホトダイオード15」と補正する。 (8)同じく第3頁9行の「パワーメータ9」を、「光
パワーメータ9」と補正する。 (9)同じく第4頁5行の「球レンズ15b」を、1球
レンズ19」と補正する。     ゛(10)同じく
第4頁11行、第7頁11行の「歩留」を、それぞれ「
歩留りjと補正する。 (11)同じく第5頁6〜7行、第7頁7行の「光出力
」を、それぞれ「光スペクトラム」と補正する。 (12)図面中、第3図、第4図を別紙のように補正す
る。 以上 2、特許請求の範囲 面発光素子の特性測定をワエハ状態で行う特性測定装置
において、前記面発光素子からの光を集光する球レンズ
付光ファイバと、この球レンズ付光ファイバを前記光の
最大結合効率が得られる位置へ光軸を合わせる自動光軸
合せ装置と、前記面発光素子の光出力値を測定する光パ
ワーメータと、前記面発光素子からの光スペクトラムを
解析する光スペクトラムアナライザとをイ蒋久たことを
特徴とする光半導体特性測定装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 面発光素子の特性測定をウエハ状態で行う特性測定装置
    において、前記面発光素子からの光を集光する球レンズ
    付光ファイバと、この球レンズ付光ファイバを前記光の
    最大結合効率が得られる位置へ光軸を合わせる自動光軸
    合せ装置と、前記面発光素子の光出力値を測定する光パ
    ワーメータと、前記面発光素子からの光出力を解析する
    光スペクトラムアナライザとを備えたことを特徴とする
    光半導体特性測定装置。
JP62083171A 1987-04-03 1987-04-03 光半導体特性測定装置 Pending JPS63248141A (ja)

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