JPH02246283A - ホトダイオード用パッケージ - Google Patents
ホトダイオード用パッケージInfo
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- JPH02246283A JPH02246283A JP1068095A JP6809589A JPH02246283A JP H02246283 A JPH02246283 A JP H02246283A JP 1068095 A JP1068095 A JP 1068095A JP 6809589 A JP6809589 A JP 6809589A JP H02246283 A JPH02246283 A JP H02246283A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- external terminal
- package
- resistor
- voltage
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信や光計測等を始めとするあらゆ
る分野に用いられるホトダイオード用のバラ勢−ジに関
するものである。
る分野に用いられるホトダイオード用のバラ勢−ジに関
するものである。
従来、この種のホトダイオード用のパッケージとしては
、例えば、第一５図に示されるパッケージングが完成さ
れる前の工程における状態のものがある。
、例えば、第一５図に示されるパッケージングが完成さ
れる前の工程における状態のものがある。
チップ基体上に配置されたホトダイオード１のアノード
は外部端子２に接続され、カソードは外部端子３に接続
されており、側面にある外部端子２．３が露出されてホ
トダイオード１はパッケージジグされる。このようにパ
ッケージジグされたホトダイオード１は、例えば、第６
図に示される光受信回路に用いられる。
は外部端子２に接続され、カソードは外部端子３に接続
されており、側面にある外部端子２．３が露出されてホ
トダイオード１はパッケージジグされる。このようにパ
ッケージジグされたホトダイオード１は、例えば、第６
図に示される光受信回路に用いられる。
光受信回路はパッケージングされたホトダイオード１に
増幅器４および帰還抵抗１１が接続されることにより構
成される。ホトダイオード１のカソードに接続された外
部端子３には正の電源電圧が印加され、ホトダイード１
に光が照射されるとこのホトダイオード１には光出力電
流が発生する。
増幅器４および帰還抵抗１１が接続されることにより構
成される。ホトダイオード１のカソードに接続された外
部端子３には正の電源電圧が印加され、ホトダイード１
に光が照射されるとこのホトダイオード１には光出力電
流が発生する。
発生した電流は外部端子２を介して増幅器４に入力され
、電圧に変換されて出力端子５に出力される。
、電圧に変換されて出力端子５に出力される。
このような光受信回路の光受信特性の重要な指標の１つ
にトランスインピーダンスがある。このトランスインピ
ーダンスは増幅器４に入力される電流と端子５に出力さ
れる電圧との比により表されるが、上記従来の構成をし
たホトダイオード用のパッケージにあっては、増幅器４
に入力される電流、つまり、ホトダイオード１に生じる
電流はパッケージを増幅器４に接続したままの状態では
測定することは出来ない。接続したままの状態で測定す
ることの可能なものは、照射される光の入力量と端子５
から出力される電圧だけである。このため、ホトダイオ
ード１を増幅器４に接続する前に、ホトダイオード１単
体でこの受光感度特性を測定する必要があり、このため
には特別の治具が必要とされ、パッケージに内蔵された
ホトダイオード１に生じる電流を測定するためには手間
がかかるという課題が有った。
にトランスインピーダンスがある。このトランスインピ
ーダンスは増幅器４に入力される電流と端子５に出力さ
れる電圧との比により表されるが、上記従来の構成をし
たホトダイオード用のパッケージにあっては、増幅器４
に入力される電流、つまり、ホトダイオード１に生じる
電流はパッケージを増幅器４に接続したままの状態では
測定することは出来ない。接続したままの状態で測定す
ることの可能なものは、照射される光の入力量と端子５
から出力される電圧だけである。このため、ホトダイオ
ード１を増幅器４に接続する前に、ホトダイオード１単
体でこの受光感度特性を測定する必要があり、このため
には特別の治具が必要とされ、パッケージに内蔵された
ホトダイオード１に生じる電流を測定するためには手間
がかかるという課題が有った。
′〔課題を解決するための手段〕
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、内蔵されたホトダイオードのアノードまたはカソー
ドに接続された第１の外部端子と、ホトダイオードと共
に内蔵された抵抗の一端とホトダイオードの他端との接
続点に接続された第２の外部端子と、抵抗の他端に接続
された第３の外部端子とを備えたものである。
で、内蔵されたホトダイオードのアノードまたはカソー
ドに接続された第１の外部端子と、ホトダイオードと共
に内蔵された抵抗の一端とホトダイオードの他端との接
続点に接続された第２の外部端子と、抵抗の他端に接続
された第３の外部端子とを備えたものである。
第１の外部端子と第３の外部端子との間に所定の電圧が
印加され、ホトダイオードに光が照射されて抵抗に光出
力電流が流れることにより、第２の外部端子と第３の外
部端子との間には光出力電流に応じた電圧が現れる。
印加され、ホトダイオードに光が照射されて抵抗に光出
力電流が流れることにより、第２の外部端子と第３の外
部端子との間には光出力電流に応じた電圧が現れる。
第１図は本発明の一実施例によるパッケージのパッケー
ジングが完成される前の工程における状態の斜視図であ
る。
ジングが完成される前の工程における状態の斜視図であ
る。
アルミナ等から成るチップ基体１３には第１の外部端子
７．第２の外部端子９および第３の外部端子１０が金メ
ツキ等により形成され、相互に電気的に絶縁されている
。外部端子９にはパッケージに内蔵されるホトダイオー
ド６がダイボンディングされており、このアノードは外
部端子７にワイヤボンディングされている。また、外部
端子９と外部端子１０とに亘って抵抗８が接続され、ホ
トダイオード６と共にパッケージに内蔵される。
７．第２の外部端子９および第３の外部端子１０が金メ
ツキ等により形成され、相互に電気的に絶縁されている
。外部端子９にはパッケージに内蔵されるホトダイオー
ド６がダイボンディングされており、このアノードは外
部端子７にワイヤボンディングされている。また、外部
端子９と外部端子１０とに亘って抵抗８が接続され、ホ
トダイオード６と共にパッケージに内蔵される。
この抵抗８の一端とホトダイオード６のカソードとの接
続点は外部端子９に接続されている。この直方体形状の
チップ基体１３は、例えば断面が２關Ｘ２ｍ＋ｓ程度に
、長さが４ ＋ｎ程度に形成され、チップ基体１３上に
配置されたホトダイオード６および抵抗８は、側面にあ
る外部端子７，９．１０が露出されてパッケージングさ
れる。そして、チップキャリア型のパッケージになる。
続点は外部端子９に接続されている。この直方体形状の
チップ基体１３は、例えば断面が２關Ｘ２ｍ＋ｓ程度に
、長さが４ ＋ｎ程度に形成され、チップ基体１３上に
配置されたホトダイオード６および抵抗８は、側面にあ
る外部端子７，９．１０が露出されてパッケージングさ
れる。そして、チップキャリア型のパッケージになる。
第２図はこ、のようにパッケージされた各素子を用いて
構成された光受信回路であり、第１図と同一部分につい
ては同符号を州いる。
構成された光受信回路であり、第１図と同一部分につい
ては同符号を州いる。
ホトダイオード６のアノードが接続された外部端子、７
には増幅器１１の入力端子が接続されへこの増幅器１１
の出力は端子１２に接続されている。
には増幅器１１の入力端子が接続されへこの増幅器１１
の出力は端子１２に接続されている。
また、この増幅器１１の入出力端子間には帰還抵抗Ｒｆ
が接続されている。
が接続されている。
このように構成された光受信回路において、抵抗８の一
端に接続された外部端子１０には正の電源電圧子ｖＰＤ
が印加される。そして、ホトダイオード６に光が照射さ
れると、このホトダイオード６には光出力電流が生じて
増幅器１１に入力される。増幅器１１は入力された光出
力電流を電圧に変換して端子１２に出力する。
端に接続された外部端子１０には正の電源電圧子ｖＰＤ
が印加される。そして、ホトダイオード６に光が照射さ
れると、このホトダイオード６には光出力電流が生じて
増幅器１１に入力される。増幅器１１は入力された光出
力電流を電圧に変換して端子１２に出力する。
本実施例によれば以下のようにして容易にトランスイン
ピーダンスを知ることが出来る。
ピーダンスを知ることが出来る。
まず、電圧ｖＰＤを外部端子１０に印加しない状態で、
外部端子９，１０間に適当な電圧を印加し、この端子間
に流れる電流を測定する。この電圧値および電流値を基
にして抵抗８の抵抗値を計算し、例えば、この抵抗値が
１００［Ω］であったとする。そして、外部端子１０に
電圧ｖ １例えばＤ ＋５［Ｖ］を印加し、強度が０ ［ｄＢｍ］の直流光を
ホトダイオード６に照射する。この状態で外部端子９．
１０間における電圧降下を測定し、例えば、この電圧降
下が８０ ［ｍＶ］であったとすると、光出力電流は０
．８ ［ｍＡ］になり、また、ホトダイオード、６の受
光感度は０．８ ［Ａ／Ｗｌになる。従って、増幅器１
１に入力される電流値は０．８ ［ｍＡ］になり、端子
１２に出力される電圧値を測定することにより、ホトダ
イオード６がパッケージングされた状態で容易にトラン
スインピーダンスを知ることが出来る。
外部端子９，１０間に適当な電圧を印加し、この端子間
に流れる電流を測定する。この電圧値および電流値を基
にして抵抗８の抵抗値を計算し、例えば、この抵抗値が
１００［Ω］であったとする。そして、外部端子１０に
電圧ｖ １例えばＤ ＋５［Ｖ］を印加し、強度が０ ［ｄＢｍ］の直流光を
ホトダイオード６に照射する。この状態で外部端子９．
１０間における電圧降下を測定し、例えば、この電圧降
下が８０ ［ｍＶ］であったとすると、光出力電流は０
．８ ［ｍＡ］になり、また、ホトダイオード、６の受
光感度は０．８ ［Ａ／Ｗｌになる。従って、増幅器１
１に入力される電流値は０．８ ［ｍＡ］になり、端子
１２に出力される電圧値を測定することにより、ホトダ
イオード６がパッケージングされた状態で容易にトラン
スインピーダンスを知ることが出来る。
なお、この場合において、抵抗８における電圧降下８０
［ｍＶ］によって５［ｖ］の電圧ｖＰＤが＋４．９２
［Ｖ］になってホトダイオード６に印加されても、ホト
ダイオード６の容量値や暗電流−等の電気的特性は変化
しないので実使用上なんら問題はない。
［ｍＶ］によって５［ｖ］の電圧ｖＰＤが＋４．９２
［Ｖ］になってホトダイオード６に印加されても、ホト
ダイオード６の容量値や暗電流−等の電気的特性は変化
しないので実使用上なんら問題はない。
また、受光感度を測定する必要のない時には、外部端子
１０を開放にしておいて外部端子９に電圧を印加するよ
うにしても良い。
１０を開放にしておいて外部端子９に電圧を印加するよ
うにしても良い。
第３図は本発明の他の一実施例によるパッケージのパッ
ケージングが完成される前の工程における状態の斜視図
であり、第１図と同一部分については同符号を用いる。
ケージングが完成される前の工程における状態の斜視図
であり、第１図と同一部分については同符号を用いる。
同図に示されたものは、第１図に示されたものに比較し
てホトダイオード６の向きが逆に接続された点が相違し
ている。すなわち、ホトダイオード６のカソードは外部
端子７に接続され、アノードは外部端子９および抵抗８
の一端に接続されている。これらも、側面にある外部端
子７，９．１０が露出されてパッケージングされ、チッ
プキャリア型のパッケージになる。
てホトダイオード６の向きが逆に接続された点が相違し
ている。すなわち、ホトダイオード６のカソードは外部
端子７に接続され、アノードは外部端子９および抵抗８
の一端に接続されている。これらも、側面にある外部端
子７，９．１０が露出されてパッケージングされ、チッ
プキャリア型のパッケージになる。
第４図はこのようにパッケージされた各素子を用いて構
成された光受信回路であり、第３図と同一部分について
は同符号を用いる。本実施例による光受信回路も、前述
した実施例による光受信回路と同様にパッケージの外部
端子７が増幅器１１に接続されることにより構成される
。
成された光受信回路であり、第３図と同一部分について
は同符号を用いる。本実施例による光受信回路も、前述
した実施例による光受信回路と同様にパッケージの外部
端子７が増幅器１１に接続されることにより構成される
。
このように構成された光受信回路においては、抵抗８の
一端に接続された外部端子１０には負の電源電圧−ｖＰ
Ｄが印加される。そして、ホトダイオード６に光が照射
されるとこのホトダイオード６には光出力電流が生じ、
前述した実施例と同様にして光出力電流は増幅され、増
幅された電圧が端子１２に出力される。
一端に接続された外部端子１０には負の電源電圧−ｖＰ
Ｄが印加される。そして、ホトダイオード６に光が照射
されるとこのホトダイオード６には光出力電流が生じ、
前述した実施例と同様にして光出力電流は増幅され、増
幅された電圧が端子１２に出力される。
本実施例においても容易に外部端子７，９゜１０により
ホトダイオード６の光出力電流および受光特性が測定さ
れ、端子１２における出力電圧を測定することにより、
ホトダイオード６がパッケージングされた状態で容易に
トランスインピーダンスを知ることが出来、前述した実
施例と同様な効果を奏する。
ホトダイオード６の光出力電流および受光特性が測定さ
れ、端子１２における出力電圧を測定することにより、
ホトダイオード６がパッケージングされた状態で容易に
トランスインピーダンスを知ることが出来、前述した実
施例と同様な効果を奏する。
なお、上記各実施例においては本発明のパッケージをチ
ップキャリア型のものとして説明したがこれに限定され
ることはなく、例えば、ＴＯ−１８等のキャンタイプの
パッケージを始めとしてその他のあらゆるパッケージに
適用することが出来、上記各実施例と同様な効果を奏す
る。
ップキャリア型のものとして説明したがこれに限定され
ることはなく、例えば、ＴＯ−１８等のキャンタイプの
パッケージを始めとしてその他のあらゆるパッケージに
適用することが出来、上記各実施例と同様な効果を奏す
る。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、第１の外部端子と
第３の外部端子との間に所定の電圧が印加され、ホトダ
イオードに光が照射されて抵抗に光出力電流が流れるこ
とにより、第２の外部端子と第３の外部端子との間には
光出力電流に応じた電圧が現れる。
第３の外部端子との間に所定の電圧が印加され、ホトダ
イオードに光が照射されて抵抗に光出力電流が流れるこ
とにより、第２の外部端子と第３の外部端子との間には
光出力電流に応じた電圧が現れる。
このため、パッケージングされたホトダイオードに生じ
る光出力電流を容易に測定することが出来るという効果
を有し、しかも、光受信特性の重要な指標の１つである
トランスインピーダンスをパッケージが接続されたまま
の状態で容易に知ることが出来るという効果も有する。
る光出力電流を容易に測定することが出来るという効果
を有し、しかも、光受信特性の重要な指標の１つである
トランスインピーダンスをパッケージが接続されたまま
の状態で容易に知ることが出来るという効果も有する。
第１図は本発明の一実施例に係わるパッケージのパッケ
ージングの完成前の状態における斜視図、第２図は第１
図に示されるパッケージを用いて構成された光受信回路
図、第３図は本発明の他の一実施例に係わるパッケージ
のパッケージングの完成前の状態における斜視図、第４
図は第３図に示されるパッケージを用いて構成された光
受信回路図、第５図は従来のパッケージのパッケージン
グの完成前の状態における斜視図、第６図は第５図に示
されるパッケージを用いて構成された従来の光受信回路
図である。 ６・・・ホトダイオード、 ７゜ ９゜ ０・・・外部端子、 ８・・・抵抗、 １・・・増幅器、 ２・・・端子、 １３・・・チ ツブ基体、 Ｒｆ・・・帰還抵抗。
ージングの完成前の状態における斜視図、第２図は第１
図に示されるパッケージを用いて構成された光受信回路
図、第３図は本発明の他の一実施例に係わるパッケージ
のパッケージングの完成前の状態における斜視図、第４
図は第３図に示されるパッケージを用いて構成された光
受信回路図、第５図は従来のパッケージのパッケージン
グの完成前の状態における斜視図、第６図は第５図に示
されるパッケージを用いて構成された従来の光受信回路
図である。 ６・・・ホトダイオード、 ７゜ ９゜ ０・・・外部端子、 ８・・・抵抗、 １・・・増幅器、 ２・・・端子、 １３・・・チ ツブ基体、 Ｒｆ・・・帰還抵抗。
Claims (1)
- 内蔵されたホトダイオードのアノードまたはカソードに
接続された第１の外部端子と、このホトダイオードと共
に内蔵された抵抗の一端と前記ホトダイオードの他端と
の接続点に接続された第２の外部端子と、前記抵抗の他
端に接続された第３の外部端子とを備えたことを特徴と
するホトダイオード用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068095A JPH02246283A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ホトダイオード用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068095A JPH02246283A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ホトダイオード用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246283A true JPH02246283A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13363833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068095A Pending JPH02246283A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ホトダイオード用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246283A (ja) |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068095A patent/JPH02246283A/ja active Pending
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