JP2003098010A - 電子回路の温度を測定する装置 - Google Patents
電子回路の温度を測定する装置Info
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の瞬間温度の測定を簡単かつ迅速
に正確に可能とする。 【解決手段】 本発明の装置は、測定素子と評価回路と
を備える。測定素子は、電子回路と熱的に密につながっ
ていて、少なくとも２つの電流経路の各々に温度依存構
成要素を含み、温度依存構成要素の電流−電圧特性は、
電流経路の中の少なくとも２つにおける異なる所定の関
数に従って温度に依存し、温度依存構成要素にはそれぞ
れの温度に依存する電圧を発生するために所定の電流が
注入される。評価回路は、複数の前記温度依存構成要素
の電圧の差から電子回路の温度を表す出力電圧を形成す
る。
に正確に可能とする。 【解決手段】 本発明の装置は、測定素子と評価回路と
を備える。測定素子は、電子回路と熱的に密につながっ
ていて、少なくとも２つの電流経路の各々に温度依存構
成要素を含み、温度依存構成要素の電流−電圧特性は、
電流経路の中の少なくとも２つにおける異なる所定の関
数に従って温度に依存し、温度依存構成要素にはそれぞ
れの温度に依存する電圧を発生するために所定の電流が
注入される。評価回路は、複数の前記温度依存構成要素
の電圧の差から電子回路の温度を表す出力電圧を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路の温度を
測定する装置に関するものである。
測定する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路、特にモノリシック集積半導
体回路の製造では、事前測定として示される試験は、通
常、欠陥回路がハウジングの中に組み込まれる前に欠陥
回路を不良品扱いとするように、半導体基板上に導体構
造を仕上げた後及びハウジングに半導体基板を組み込む
前に実行される。さらに、動作データに基づいた半導体
回路の分類あるいは仕様は、この事前測定で実行され
る。正しい事前測定のための条件は、多くの測定値が温
度依存性であるために、半導体基板の瞬間温度の情報で
ある。
体回路の製造では、事前測定として示される試験は、通
常、欠陥回路がハウジングの中に組み込まれる前に欠陥
回路を不良品扱いとするように、半導体基板上に導体構
造を仕上げた後及びハウジングに半導体基板を組み込む
前に実行される。さらに、動作データに基づいた半導体
回路の分類あるいは仕様は、この事前測定で実行され
る。正しい事前測定のための条件は、多くの測定値が温
度依存性であるために、半導体基板の瞬間温度の情報で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体基板の瞬間温度の測定を簡単かつ迅速に正確に実施し
得る、電子回路の温度を測定する装置を提供することに
ある。
体基板の瞬間温度の測定を簡単かつ迅速に正確に実施し
得る、電子回路の温度を測定する装置を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、測定素子と評価回路とを備え、測定素子は、電子
回路と熱的に密につながっていて、少なくとも２つの電
流経路の各々に温度依存構成要素を含み、温度依存構成
要素の電流−電圧特性は、電流経路の中の少なくとも２
つにおける異なる所定の関数に従って温度に依存し、温
度依存構成要素にはそれぞれの温度に依存する電圧を発
生するために所定の電流が注入され、評価回路は、複数
の温度依存構成要素の電圧の差から電子回路の温度を表
す出力電圧を形成する、ことを特徴とする電子回路の温
度を測定する装置によって達成される。
的は、測定素子と評価回路とを備え、測定素子は、電子
回路と熱的に密につながっていて、少なくとも２つの電
流経路の各々に温度依存構成要素を含み、温度依存構成
要素の電流−電圧特性は、電流経路の中の少なくとも２
つにおける異なる所定の関数に従って温度に依存し、温
度依存構成要素にはそれぞれの温度に依存する電圧を発
生するために所定の電流が注入され、評価回路は、複数
の温度依存構成要素の電圧の差から電子回路の温度を表
す出力電圧を形成する、ことを特徴とする電子回路の温
度を測定する装置によって達成される。
【０００５】本発明による装置の出力電圧を測定するこ
とによって、半導体基板の瞬間温度を簡単に、速く、そ
して正確に測定することが可能である。温度の測定値
は、例えば、事前測定を実行する装置において電子信号
処理演算手段によって直接評価することができる。
とによって、半導体基板の瞬間温度を簡単に、速く、そ
して正確に測定することが可能である。温度の測定値
は、例えば、事前測定を実行する装置において電子信号
処理演算手段によって直接評価することができる。
【０００６】さらに、本発明による装置は、連続温度観
測のための電子回路の特に規定された動作のもとで使用
することもできる。したがって、この装置は電子回路を
例えば過熱から保護するために非常に簡単な方法で用い
ることができる。
測のための電子回路の特に規定された動作のもとで使用
することもできる。したがって、この装置は電子回路を
例えば過熱から保護するために非常に簡単な方法で用い
ることができる。
【０００７】温度依存構成要素は、好ましくは半導体ダ
イオードで形成される。これらの半導体ダイオードは、
簡単な構造を有し、少しの付加的な製造工程なしに電子
回路に適用することができる。その温度依存性は十分再
現可能である。
イオードで形成される。これらの半導体ダイオードは、
簡単な構造を有し、少しの付加的な製造工程なしに電子
回路に適用することができる。その温度依存性は十分再
現可能である。
【０００８】特に、異なる電流経路に配置される半導体
ダイオードは、その半導体接合の異なる面に形成され
る。これは、例えば、電子回路の半導体基板の導体構造
の拡散で製造パラメータを変えないで温度依存構成要素
の異なる所定の機能に従って半導体ダイオードを製造す
る容易な可能性を提供する。
ダイオードは、その半導体接合の異なる面に形成され
る。これは、例えば、電子回路の半導体基板の導体構造
の拡散で製造パラメータを変えないで温度依存構成要素
の異なる所定の機能に従って半導体ダイオードを製造す
る容易な可能性を提供する。
【０００９】本発明による装置の他の実施形態によれ
ば、温度依存構成要素は、それぞれ複数の端子の中の第
１の端子によって相互接続され、それぞれの第２の端子
は、少なくともほぼ同じ電流を注入する装置に接続され
る。温度依存構成要素の電流電圧特性の異なる温度依存
性により、複数の温度依存構成要素には異なる温度依存
電圧が発生する。その電圧差は測定可能であり、容易
に、かつ正確に評価することができる。
ば、温度依存構成要素は、それぞれ複数の端子の中の第
１の端子によって相互接続され、それぞれの第２の端子
は、少なくともほぼ同じ電流を注入する装置に接続され
る。温度依存構成要素の電流電圧特性の異なる温度依存
性により、複数の温度依存構成要素には異なる温度依存
電圧が発生する。その電圧差は測定可能であり、容易
に、かつ正確に評価することができる。
【００１０】好ましくは、少なくともほぼ同じ電流を注
入する装置は、対応する電流を発生し、容易に、かつ正
確に供給できるカレントミラー装置を含む。
入する装置は、対応する電流を発生し、容易に、かつ正
確に供給できるカレントミラー装置を含む。
【００１１】好ましくは、温度依存構成要素の相互接続
された第１の端子は、基準電圧を供給する装置に接続さ
れる。個別の温度依存構成要素の温度依存電圧の測定
は、この基準電圧に対して実行される。特に、基準電圧
は、例えば、電子回路のアース導体で電子回路によって
供給されたアース電位に一致していなくてもよく、基準
電圧は、むしろ好ましい別個の温度の安定した回路手段
で発生される。本発明の好ましい他の実施形態によれ
ば、これは、基準電圧を供給する装置が基準電圧が得ら
れるバンドギャップ基準で形成されることによって行わ
れる。アース電位の代わりに別個の温度安定回路手段で
発生する基準電圧を使用することによって、電子回路の
アース導体系の局部変動により生じ得るような温度測定
の不正確さが除去される。
された第１の端子は、基準電圧を供給する装置に接続さ
れる。個別の温度依存構成要素の温度依存電圧の測定
は、この基準電圧に対して実行される。特に、基準電圧
は、例えば、電子回路のアース導体で電子回路によって
供給されたアース電位に一致していなくてもよく、基準
電圧は、むしろ好ましい別個の温度の安定した回路手段
で発生される。本発明の好ましい他の実施形態によれ
ば、これは、基準電圧を供給する装置が基準電圧が得ら
れるバンドギャップ基準で形成されることによって行わ
れる。アース電位の代わりに別個の温度安定回路手段で
発生する基準電圧を使用することによって、電子回路の
アース導体系の局部変動により生じ得るような温度測定
の不正確さが除去される。
【００１２】本発明の他の実施形態では、評価回路は、
温度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧の少
なくとも１つを反転する少なくとも１つの反転段と、温
度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧の少な
くとも１つ及び温度依存構成要素の少なくとも他の１つ
の反転温度依存電圧の少なくとも１つの算術平均値に相
当する電圧値を形成する少なくとも１つの電圧結合段
と、電子回路の温度を表す出力電圧として電圧結合段に
よって形成された電圧値を増幅し、かつ供給する出力増
幅器段とを含むことを特徴とする。
温度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧の少
なくとも１つを反転する少なくとも１つの反転段と、温
度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧の少な
くとも１つ及び温度依存構成要素の少なくとも他の１つ
の反転温度依存電圧の少なくとも１つの算術平均値に相
当する電圧値を形成する少なくとも１つの電圧結合段
と、電子回路の温度を表す出力電圧として電圧結合段に
よって形成された電圧値を増幅し、かつ供給する出力増
幅器段とを含むことを特徴とする。
【００１３】評価段のこの実施形態は、基準電圧のよう
な間接値と別個の電子回路の温度の測定値を示す出力電
圧を決定する可能性を提供し、しかも本発明による装置
の数値設計によってのみ提供する。
な間接値と別個の電子回路の温度の測定値を示す出力電
圧を決定する可能性を提供し、しかも本発明による装置
の数値設計によってのみ提供する。
【００１４】温度依存構成要素の相互接続された第１の
端子が基準電圧を供給する装置に結合される前述の本発
明による装置の他の実施形態では、評価回路は、動作点
を固定するための温度依存構成要素の相互接続された第
１の端子と同じ基準電圧を受け取ることを特徴とする。
この構成は、温度測定の精度をさらに高める。さらに、
内部発生された基準電圧の使用は、本発明による装置に
よって構成される構成要素が最適動作点で動作すること
ができるという結果をもたらす。結果として、本発明に
よる装置は、大きな温度範囲にわたる非常に線形範囲の
広い領域で動作する。
端子が基準電圧を供給する装置に結合される前述の本発
明による装置の他の実施形態では、評価回路は、動作点
を固定するための温度依存構成要素の相互接続された第
１の端子と同じ基準電圧を受け取ることを特徴とする。
この構成は、温度測定の精度をさらに高める。さらに、
内部発生された基準電圧の使用は、本発明による装置に
よって構成される構成要素が最適動作点で動作すること
ができるという結果をもたらす。結果として、本発明に
よる装置は、大きな温度範囲にわたる非常に線形範囲の
広い領域で動作する。
【００１５】本発明による装置のさらに他の実施形態で
は、温度が測定されるべき電子回路はモノリシック集積
半導体回路として構成され、測定素子及び評価回路は、
半導体基板上のモノリシック集積半導体回路として構成
された電子回路と結合され、モノリシック集積半導体回
路として構成された電子回路は、電圧及び電流の少なく
とも一方を、電源エネルギー及び信号の少なくとも一方
を供給しかつ排出する電子回路へ供給したり電子回路か
ら取り出したりする複数のコンタクトを含み、コンタク
トのうちの少なくとも第１のコンタクトは、電子回路の
温度を表す評価回路の出力電圧を供給するように構成さ
れ、少なくとも第２のコンタクトは、相互接続された第
１の端子の温度依存構成要素及びその動作点を固定する
評価回路に印加された基準電圧を供給することを特徴と
する。
は、温度が測定されるべき電子回路はモノリシック集積
半導体回路として構成され、測定素子及び評価回路は、
半導体基板上のモノリシック集積半導体回路として構成
された電子回路と結合され、モノリシック集積半導体回
路として構成された電子回路は、電圧及び電流の少なく
とも一方を、電源エネルギー及び信号の少なくとも一方
を供給しかつ排出する電子回路へ供給したり電子回路か
ら取り出したりする複数のコンタクトを含み、コンタク
トのうちの少なくとも第１のコンタクトは、電子回路の
温度を表す評価回路の出力電圧を供給するように構成さ
れ、少なくとも第２のコンタクトは、相互接続された第
１の端子の温度依存構成要素及びその動作点を固定する
評価回路に印加された基準電圧を供給することを特徴と
する。
【００１６】本実施形態による装置は、電子回路の温度
を決定し、例えば、製造工程におけるこの回路の試験
中、電子回路の外部の温度測定値を評価するのも容易で
直接役立たせることができる。
を決定し、例えば、製造工程におけるこの回路の試験
中、電子回路の外部の温度測定値を評価するのも容易で
直接役立たせることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１では、符号ＩＣは、両側面
に、垂直方向に整列する突起状ブロックによって示され
たコンタクト群を有する四角形のモノリシック集積電子
回路を示している。これらのコンタクトは、電子回路Ｉ
Ｃと外部回路装置との間で電源エネルギーや信号の授受
を行うために用いられる。例えば、図２及びそれに関連
して説明される装置は、例えば、電子回路ＩＣの右側に
示されたコンタクト群の上から２番目のコンタクトとし
て図１で選択されている第１のコンタクトには、電子回
路ＩＣの温度の測定値を示す出力電圧Ｖｔｅｍｐが出力
される。この装置は、例えば、電子回路ＩＣの右側に示
されたコンタクト群の上から５番目のコンタクトとして
図１で選択されている第２のコンタクトに、この装置で
発生する温度一定基準電圧Ｖｒｅｆをも出力する。簡単
な電圧測定によって、電子回路ＩＣの温度の測定値を示
す出力電圧Ｖｔｅｍｐと基準電圧Ｖｒｅｆとの差が決定
される。
に、垂直方向に整列する突起状ブロックによって示され
たコンタクト群を有する四角形のモノリシック集積電子
回路を示している。これらのコンタクトは、電子回路Ｉ
Ｃと外部回路装置との間で電源エネルギーや信号の授受
を行うために用いられる。例えば、図２及びそれに関連
して説明される装置は、例えば、電子回路ＩＣの右側に
示されたコンタクト群の上から２番目のコンタクトとし
て図１で選択されている第１のコンタクトには、電子回
路ＩＣの温度の測定値を示す出力電圧Ｖｔｅｍｐが出力
される。この装置は、例えば、電子回路ＩＣの右側に示
されたコンタクト群の上から５番目のコンタクトとして
図１で選択されている第２のコンタクトに、この装置で
発生する温度一定基準電圧Ｖｒｅｆをも出力する。簡単
な電圧測定によって、電子回路ＩＣの温度の測定値を示
す出力電圧Ｖｔｅｍｐと基準電圧Ｖｒｅｆとの差が決定
される。
【００１８】電子回路ＩＣの温度は次式によって規定さ
れる。すなわち、
れる。すなわち、
【数１】
ここで、Ｔは電子回路ＩＣの絶対温度、ａは定数であ
る。
る。
【００１９】定数ａを決定するために、以下、図２を参
照して下記の考察が行われる。
照して下記の考察が行われる。
【００２０】電圧計手段による出力電圧Ｖｔｅｍｐと基
準電圧Ｖｒｅｆとの差（電圧差）の測定は、一次式
（１）を解くことによって、電子回路ＩＣの瞬間温度Ｔ
を迅速かつ容易に決定することを可能にする。
準電圧Ｖｒｅｆとの差（電圧差）の測定は、一次式
（１）を解くことによって、電子回路ＩＣの瞬間温度Ｔ
を迅速かつ容易に決定することを可能にする。
【００２１】図２は、前述の出力電圧Ｖｔｅｍｐ及び基
準電圧Ｖｒｅｆを発生する装置の例を示すものである。
これに関連して使用される測定方法の原理を、図２に示
された装置の構成要素を説明する前に以下に簡単に説明
する。
準電圧Ｖｒｅｆを発生する装置の例を示すものである。
これに関連して使用される測定方法の原理を、図２に示
された装置の構成要素を説明する前に以下に簡単に説明
する。
【００２２】温度Ｔの測定を可能にするために、電気特
性が温度Ｔとともに変化する電子構成要素が必要とされ
る。この特性を有する電子構成要素がダイオードであ
る。逆飽和電流に対して大きい電流に対する順方向範囲
のダイオードの動作挙動は次の式によって規定すること
ができる。すなわち、
性が温度Ｔとともに変化する電子構成要素が必要とされ
る。この特性を有する電子構成要素がダイオードであ
る。逆飽和電流に対して大きい電流に対する順方向範囲
のダイオードの動作挙動は次の式によって規定すること
ができる。すなわち、
【数２】
この式において、Ｉは、ダイオードを流れる電流の電流
密度、ＩＳは、ダイオードの逆飽和電流、ＶＤは、ダイ
オードの順方向で測定されたダイオード電圧、ＶＴは温
度電圧、ｋ＝１．３８＊１０−２３Ｊ／Ｋはボルツマン
定数、さらに、ｑ＝１．６＊１０−１９Ｃは基本電荷で
ある。
密度、ＩＳは、ダイオードの逆飽和電流、ＶＤは、ダイ
オードの順方向で測定されたダイオード電圧、ＶＴは温
度電圧、ｋ＝１．３８＊１０−２３Ｊ／Ｋはボルツマン
定数、さらに、ｑ＝１．６＊１０−１９Ｃは基本電荷で
ある。
【００２３】前述のダイオード式（２）をダイオード電
圧ＶＤに変換することにより、次の式が得られる。すな
わち、
圧ＶＤに変換することにより、次の式が得られる。すな
わち、
【数３】
半導体ダイオードの逆飽和電流ＩＳはその（Ｐ−Ｎ）接
合の面に比例するので、異なる面を有する２つのダイオ
ードＤ１及びＤ２に対する式［３］から式
合の面に比例するので、異なる面を有する２つのダイオ
ードＤ１及びＤ２に対する式［３］から式
【数４】
が、得られる。
【００２４】この式において、ＩＳ１は、ダイオードＤ
１の逆飽和電流、ＩＳ２は、ダイオードＤ２の逆飽和電
流、ＶＤ１は、順方向で測定されたダイオードＤ１のダ
イオード電圧、ＶＤ２は、順方向で測定されたダイオー
ドＤ２のダイオード電圧である。
１の逆飽和電流、ＩＳ２は、ダイオードＤ２の逆飽和電
流、ＶＤ１は、順方向で測定されたダイオードＤ１のダ
イオード電圧、ＶＤ２は、順方向で測定されたダイオー
ドＤ２のダイオード電圧である。
【００２５】モノリシック集積回路の実際の実施形態で
は、異なるダイオード面は、しばしば、所望の面係数、
すなわちダイオード面の相互比に従って対応する多数の
同じダイオードの並列配置によって得られる。
は、異なるダイオード面は、しばしば、所望の面係数、
すなわちダイオード面の相互比に従って対応する多数の
同じダイオードの並列配置によって得られる。
【００２６】考察されるケースの場合、ダイオードＤ１
及びＤ２の逆飽和電流は、次の式によって決定すること
ができる。すなわち、
及びＤ２の逆飽和電流は、次の式によって決定すること
ができる。すなわち、
【数５】
ここで、ｘは面係数、すなわちダイオードＤ１及びＤ２
の相互面比である。
の相互面比である。
【００２７】所定の面を有する（第１の）ダイオードと
比較される（第２の）ダイオードが、例えば、（第２
の）ダイオードが所定の面を有するｘ個の並列配置（第
１の）ダイオードのダイオードフィールドからなるとき
に得られる面係数ｘを有する場合、面係数ｘを有するこ
の（第２の）ダイオードに不変の電流Ｉが注入される
と、ダイオード電圧ＶＴは、所定の面を有する（第１
の）ダイオードの電圧に応じて変化する。これらの同じ
電流がダイオードＤ１及びＤ２の前述の数値設計で供給
される場合、ダイオード電圧の次の差電圧ＤＶが得られ
る。すなわち、
比較される（第２の）ダイオードが、例えば、（第２
の）ダイオードが所定の面を有するｘ個の並列配置（第
１の）ダイオードのダイオードフィールドからなるとき
に得られる面係数ｘを有する場合、面係数ｘを有するこ
の（第２の）ダイオードに不変の電流Ｉが注入される
と、ダイオード電圧ＶＴは、所定の面を有する（第１
の）ダイオードの電圧に応じて変化する。これらの同じ
電流がダイオードＤ１及びＤ２の前述の数値設計で供給
される場合、ダイオード電圧の次の差電圧ＤＶが得られ
る。すなわち、
【数６】
図２にダイオードＤ１及びＤ２で示されるように、２つ
のこのように設定されたダイオードは、両カソードが共
通接続される場合、ダイオード電圧の差ＤＶは、両ダイ
オードのアノードからの電圧差として直接取り出すこと
ができる。
のこのように設定されたダイオードは、両カソードが共
通接続される場合、ダイオード電圧の差ＤＶは、両ダイ
オードのアノードからの電圧差として直接取り出すこと
ができる。
【００２８】前述のダイオードＤ１及びＤ２（例えば、
図２のダイオードＤ１及びＤ２）間の電圧差ＤＶは、面
係数ｘ及び式（２）から明らかなように絶対温度Ｔに正
比例する温度電圧ＶＴによって決まる。したがって、こ
の電圧差ＤＶは、絶対温度Ｔにも正比例する。
図２のダイオードＤ１及びＤ２）間の電圧差ＤＶは、面
係数ｘ及び式（２）から明らかなように絶対温度Ｔに正
比例する温度電圧ＶＴによって決まる。したがって、こ
の電圧差ＤＶは、絶対温度Ｔにも正比例する。
【００２９】図２に示された装置は、この温度依存性を
利用し、外部電圧測定を介して電子回路ＩＣの絶対温度
を簡単に、正確な方法で決定する可能性をもたらす。
利用し、外部電圧測定を介して電子回路ＩＣの絶対温度
を簡単に、正確な方法で決定する可能性をもたらす。
【００３０】図２に示された装置では、参照記号Ｄ１及
びＤ２は、前述の実施に従って設定された第１及び第２
の半導体ダイオードを示している。これらのダイオード
Ｄ１，Ｄ２のカソードは共通接続され、第１の演算増幅
器ＯＰＶ１の反転入力端（−）に接続されている。両ダ
イオードＤ１，Ｄ２は、測定素子の温度依存構成要素を
構成し、それぞれ電流源に接続される。この電流源は、
好ましくはカレントミラー装置によって構成される。ダ
イオードＤ１，Ｄ２には、温度依存構成要素として、そ
れぞれの電流源から予め決定される電流Ｉが注入され
る。したがって、ダイオードＤ１及びＤ２のアノードに
温度依存電圧が発生する。この測定素子で電子回路ＩＣ
（図２には示されていない）の温度を検出するために、
この測定素子は、熱的に電子回路ＩＣと密接につながっ
ている。図２に示された装置は、好ましくは共通の半導
体基板上に電子回路ＩＣとモノリシックに集積される。
さらに、他の熱的接続は、例えば、複数の半導体基板が
コンパクトアセンブリに結合される形式のものでもよ
い、接着接合部あるいは半田付けされた接合である。
びＤ２は、前述の実施に従って設定された第１及び第２
の半導体ダイオードを示している。これらのダイオード
Ｄ１，Ｄ２のカソードは共通接続され、第１の演算増幅
器ＯＰＶ１の反転入力端（−）に接続されている。両ダ
イオードＤ１，Ｄ２は、測定素子の温度依存構成要素を
構成し、それぞれ電流源に接続される。この電流源は、
好ましくはカレントミラー装置によって構成される。ダ
イオードＤ１，Ｄ２には、温度依存構成要素として、そ
れぞれの電流源から予め決定される電流Ｉが注入され
る。したがって、ダイオードＤ１及びＤ２のアノードに
温度依存電圧が発生する。この測定素子で電子回路ＩＣ
（図２には示されていない）の温度を検出するために、
この測定素子は、熱的に電子回路ＩＣと密接につながっ
ている。図２に示された装置は、好ましくは共通の半導
体基板上に電子回路ＩＣとモノリシックに集積される。
さらに、他の熱的接続は、例えば、複数の半導体基板が
コンパクトアセンブリに結合される形式のものでもよ
い、接着接合部あるいは半田付けされた接合である。
【００３１】図２の装置のダイオードＤ１及びＤ２から
形成される電流路及びその直列配置電流源は、電源端子
ＶＤＤとダイオードＤ１，Ｄ２のカソード共通接続点と
の間に並列に配置される。第２のダイオードＤ２のアノ
ードは、第２の演算増幅器ＯＰＶ２の非反転入力端
（＋）に接続される。第２の演算増幅器ＯＰＶ２の出力
端及び反転入力端（−）は、第１の抵抗Ｒ１を介して第
３の演算増幅器ＯＰＶ３の反転入力端（＋）に接続され
る。このようにして、第２の演算増幅器ＯＰＶ２は、第
２のダイオードＤ２のアノードの電位ＶＤ２が第１の抵
抗Ｒ１の入力端に供給される低抵抗である電圧フォロワ
ーを構成する。
形成される電流路及びその直列配置電流源は、電源端子
ＶＤＤとダイオードＤ１，Ｄ２のカソード共通接続点と
の間に並列に配置される。第２のダイオードＤ２のアノ
ードは、第２の演算増幅器ＯＰＶ２の非反転入力端
（＋）に接続される。第２の演算増幅器ＯＰＶ２の出力
端及び反転入力端（−）は、第１の抵抗Ｒ１を介して第
３の演算増幅器ＯＰＶ３の反転入力端（＋）に接続され
る。このようにして、第２の演算増幅器ＯＰＶ２は、第
２のダイオードＤ２のアノードの電位ＶＤ２が第１の抵
抗Ｒ１の入力端に供給される低抵抗である電圧フォロワ
ーを構成する。
【００３２】同様にして、第１のダイオードＤ１のアノ
ードは、第４の演算増幅器ＯＰＶ４の非反転入力端
（＋）に接続される。第４の演算増幅器ＯＰＶ４の出力
端及び反転入力端（−）は共通接続される。このよう
に、第４の演算増幅器ＯＰＶ４も、電位ＶＤ１が第１の
ダイオードＤ１のアノードによって供給される、低抵抗
である電圧フォロワーを構成する。
ードは、第４の演算増幅器ＯＰＶ４の非反転入力端
（＋）に接続される。第４の演算増幅器ＯＰＶ４の出力
端及び反転入力端（−）は共通接続される。このよう
に、第４の演算増幅器ＯＰＶ４も、電位ＶＤ１が第１の
ダイオードＤ１のアノードによって供給される、低抵抗
である電圧フォロワーを構成する。
【００３３】第１の演算増幅器ＯＰＶ１もまた電圧フォ
ロワーとして構成される。第１の演算増幅器ＯＰＶ１の
非反転入力端（＋）には、好ましくはバンドギャップ基
準から得られる基準電圧Ｖｒｅｆが入力されるので、温
度的に極めて安定している。この基準電圧Ｖｒｅｆは、
ダイオードＤ１，Ｄ２のカソード接合部の低抵抗ととも
に利用される。この基準電圧Ｖｒｅｆは、電子回路ＩＣ
のコンタクト（図１参照）にも印加される。
ロワーとして構成される。第１の演算増幅器ＯＰＶ１の
非反転入力端（＋）には、好ましくはバンドギャップ基
準から得られる基準電圧Ｖｒｅｆが入力されるので、温
度的に極めて安定している。この基準電圧Ｖｒｅｆは、
ダイオードＤ１，Ｄ２のカソード接合部の低抵抗ととも
に利用される。この基準電圧Ｖｒｅｆは、電子回路ＩＣ
のコンタクト（図１参照）にも印加される。
【００３４】他の処理のために、両ダイオードＤ１，Ｄ
２の各アノードの電位及び基準電圧Ｖｒｅｆが、図２を
参照して説明される装置で低抵抗とともに利用される。
２の各アノードの電位及び基準電圧Ｖｒｅｆが、図２を
参照して説明される装置で低抵抗とともに利用される。
【００３５】第３の演算増幅器ＯＰＶ３では反転入力端
と出力端との間に第２の抵抗Ｒ２が接続される。第３の
演算増幅器ＯＰＶ３の非反転入力端（＋）は、第１の演
算増幅器ＯＰＶ１の出力端に接続される。第３の演算増
幅器ＯＰＶ３は反転電圧増幅器として動作し、その電圧
増幅率は第１及び第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗比によっ
て決定される。基準電圧Ｖｒｅｆは、この電圧増幅器の
ための基準電位として使用される。
と出力端との間に第２の抵抗Ｒ２が接続される。第３の
演算増幅器ＯＰＶ３の非反転入力端（＋）は、第１の演
算増幅器ＯＰＶ１の出力端に接続される。第３の演算増
幅器ＯＰＶ３は反転電圧増幅器として動作し、その電圧
増幅率は第１及び第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗比によっ
て決定される。基準電圧Ｖｒｅｆは、この電圧増幅器の
ための基準電位として使用される。
【００３６】第３の演算増幅器ＯＰＶ３の出力端は第３
の抵抗Ｒ３を介して、また第４の演算増幅器ＯＰＶ４の
出力端は第４の抵抗Ｒ４を介して、それぞれ第５の演算
増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端（＋）に接続される。
の抵抗Ｒ３を介して、また第４の演算増幅器ＯＰＶ４の
出力端は第４の抵抗Ｒ４を介して、それぞれ第５の演算
増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端（＋）に接続される。
【００３７】第３及び第４の抵抗Ｒ３及びＲ４を介し
て、第３及び第４の演算増幅器ＯＰＶ３及びＯＰＶ４の
出力端からの電圧が結合される。この第３及び第４の抵
抗Ｒ３，Ｒ４は、したがって、第１の温度依存構成要素
すなわち第１のダイオードＤ１の温度依存電圧ＶＤ１、
及び第２の温度依存構成要素すなわち第２のダイオード
Ｄ２の第３の演算増幅器ＯＰＶ３の電圧増幅によって反
転される温度依存電圧Ｖ Ｄ２の、第３及び第４の抵抗Ｒ
３，Ｒ４によって重み付けされた演算平均値に相当する
電圧値を形成する電圧結合段を構成する。
て、第３及び第４の演算増幅器ＯＰＶ３及びＯＰＶ４の
出力端からの電圧が結合される。この第３及び第４の抵
抗Ｒ３，Ｒ４は、したがって、第１の温度依存構成要素
すなわち第１のダイオードＤ１の温度依存電圧ＶＤ１、
及び第２の温度依存構成要素すなわち第２のダイオード
Ｄ２の第３の演算増幅器ＯＰＶ３の電圧増幅によって反
転される温度依存電圧Ｖ Ｄ２の、第３及び第４の抵抗Ｒ
３，Ｒ４によって重み付けされた演算平均値に相当する
電圧値を形成する電圧結合段を構成する。
【００３８】第５の演算増幅器ＯＰＶ５は、基準電圧Ｖ
ｒｅｆで非反転増幅器として動作する。この目的のため
に、第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端は、第５
の抵抗Ｒ５を介して自身の出力端に接続され、第６の抵
抗Ｒ６を介して第１の演算増幅器ＯＰＶ１の出力端に接
続される。かくして第５の演算増幅器ＯＰＶ５は第１の
演算増幅器ＯＰＶ１から基準電圧Ｖｒｅｆを受け取る。
第５の演算増幅器ＯＰＶ５の増幅率は、第５及び第６の
抵抗Ｒ５及びＲ６の抵抗値によって決定される。第５の
演算増幅器ＯＰＶ５の出力端には、電子回路ＩＣの温度
Ｔの測定値を示す出力電圧Ｖｔｅｍｐが発生する。
ｒｅｆで非反転増幅器として動作する。この目的のため
に、第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端は、第５
の抵抗Ｒ５を介して自身の出力端に接続され、第６の抵
抗Ｒ６を介して第１の演算増幅器ＯＰＶ１の出力端に接
続される。かくして第５の演算増幅器ＯＰＶ５は第１の
演算増幅器ＯＰＶ１から基準電圧Ｖｒｅｆを受け取る。
第５の演算増幅器ＯＰＶ５の増幅率は、第５及び第６の
抵抗Ｒ５及びＲ６の抵抗値によって決定される。第５の
演算増幅器ＯＰＶ５の出力端には、電子回路ＩＣの温度
Ｔの測定値を示す出力電圧Ｖｔｅｍｐが発生する。
【００３９】測定素子を構成するダイオードＤ１及びＤ
２にも適用する前述の式（１）〜（６）と組み合わせ
て、式（１）に示された係数は、図２に示された装置に
対して計算することができる。さらに、それは、電圧フ
ォロワーＯＰＶ２及びＯＰＶ４の出力端の電圧がそれぞ
れの（非反転（＋））入力端の電圧に相当するという十
分な近似で仮定することができる。第３の演算増幅器Ｏ
ＰＶ３の回路を考察する限りは、式
２にも適用する前述の式（１）〜（６）と組み合わせ
て、式（１）に示された係数は、図２に示された装置に
対して計算することができる。さらに、それは、電圧フ
ォロワーＯＰＶ２及びＯＰＶ４の出力端の電圧がそれぞ
れの（非反転（＋））入力端の電圧に相当するという十
分な近似で仮定することができる。第３の演算増幅器Ｏ
ＰＶ３の回路を考察する限りは、式
【数７】
が得られる。ここで、Ｒ１は、第１の抵抗Ｒ１の抵抗
値、Ｒ２は、第２の抵抗Ｒ２の抵抗値、及びＶＤ２は、
第３の演算増幅器ＯＰＶ３の出力端の電位である。
値、Ｒ２は、第２の抵抗Ｒ２の抵抗値、及びＶＤ２は、
第３の演算増幅器ＯＰＶ３の出力端の電位である。
【００４０】電圧ＶＤ１及びＶＤ２は、第３及び第４の
抵抗Ｒ３及びＲ４を介して結合され、これらの抵抗の共
通接続点、つまり第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入
力端（＋）で、両抵抗Ｒ３及びＲ４の抵抗比に対応する
下記の電圧ＶＸ、すなわち、
抵抗Ｒ３及びＲ４を介して結合され、これらの抵抗の共
通接続点、つまり第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入
力端（＋）で、両抵抗Ｒ３及びＲ４の抵抗比に対応する
下記の電圧ＶＸ、すなわち、
【数８】
が得られる。ここで、Ｒ３は、第３の抵抗Ｒ３の抵抗
値、Ｒ４は、第４の抵抗Ｒ４の抵抗値である。
値、Ｒ４は、第４の抵抗Ｒ４の抵抗値である。
【００４１】第５の演算増幅器ＯＰＶ５は、基準電圧Ｖ
ｒｅｆで非反転増幅器として動作する。この場合の増幅
率は抵抗Ｒ５及びＲ６によって決定される。第５の演算
増幅器ＯＰＶ５は次式で計算される電子回路ＩＣの温度
Ｔを表す出力電圧Ｖｔｅｍｐを出力端に発生する。すな
わち、
ｒｅｆで非反転増幅器として動作する。この場合の増幅
率は抵抗Ｒ５及びＲ６によって決定される。第５の演算
増幅器ＯＰＶ５は次式で計算される電子回路ＩＣの温度
Ｔを表す出力電圧Ｖｔｅｍｐを出力端に発生する。すな
わち、
【数９】
ここで、Ｒ５は、第５の抵抗Ｒ５の抵抗値、Ｒ６は、第
６の抵抗Ｒ６の抵抗値である。
６の抵抗Ｒ６の抵抗値である。
【００４２】式（７）及び（８）が式（９）で使用され
る場合、次の関係が、電子回路ＩＣの温度Ｔを示す出力
電圧Ｖｔｅｍｐに対して得られる。すなわち、
る場合、次の関係が、電子回路ＩＣの温度Ｔを示す出力
電圧Ｖｔｅｍｐに対して得られる。すなわち、
【数１０】
【００４３】本発明による装置の前述の実施形態の有効
な設定のために、第１及び第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗
値は等しい値に選択される。第３の演算増幅器ＯＰＶ３
が反転電圧増幅器として構成されることにより、 ＡＶ＝−１ の電圧増幅率が得られる。
な設定のために、第１及び第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗
値は等しい値に選択される。第３の演算増幅器ＯＰＶ３
が反転電圧増幅器として構成されることにより、 ＡＶ＝−１ の電圧増幅率が得られる。
【００４４】第３及び第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の共通接続
点すなわち第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端
（＋）の電圧ＶＸを決定する。かくして、第５の演算増
幅器ＯＰＶ５の非反転入力端（＋）には、電圧ＶＤ１及
びＶＤ２の算術平均値に相当する電圧ＶＸが入力され
る。したがって、第３及び第４の抵抗Ｒ３及びＲ４の抵
抗値は等しい値に選択される。したがってまた、 Ｒ１＝Ｒ２ かつ、Ｒ３＝Ｒ４ の場合、式（１０）は、
点すなわち第５の演算増幅器ＯＰＶ５の非反転入力端
（＋）の電圧ＶＸを決定する。かくして、第５の演算増
幅器ＯＰＶ５の非反転入力端（＋）には、電圧ＶＤ１及
びＶＤ２の算術平均値に相当する電圧ＶＸが入力され
る。したがって、第３及び第４の抵抗Ｒ３及びＲ４の抵
抗値は等しい値に選択される。したがってまた、 Ｒ１＝Ｒ２ かつ、Ｒ３＝Ｒ４ の場合、式（１０）は、
【数１１】
のように簡単化される。
【００４５】最後に、ダイオードＤ１及びＤ２のアノー
ド電圧間の差は式（６）と置換され、電子回路ＩＣの温
度Ｔを示す出力電圧Ｖｔｅｍｐに対して、
ド電圧間の差は式（６）と置換され、電子回路ＩＣの温
度Ｔを示す出力電圧Ｖｔｅｍｐに対して、
【数１２】
が得られる。
【００４６】式（１２）中のａでまとめられた係数部分
は温度Ｔに関わりなく一定であり、この回路の設計のみ
によって決定される。式（１）からも明らかなように、
係数ａは温度曲線の傾斜を決定する。抵抗Ｒ５，Ｒ６
は、適切な増幅率が得られるような値に設定される。し
たがって、電子回路ＩＣの温度Ｔを示す出力電圧Ｖｔｅ
ｍｐは、絶対温度Ｔとともに直線的に増加する。出力電
圧Ｖｔｅｍｐは、温度依存部及び本発明による装置ある
いは電子回路ＩＣ内、例えばバンドギャップ基準のバン
ドギャップ電圧から得られる基準電圧Ｖｒｅｆの付加部
からなる。この基準電圧Ｖｒｅｆが、図１に示されるよ
うに電子回路ＩＣの外部コンタクトで利用可能である場
合、出力電圧Ｖｔｅｍｐの（電位の）温度依存部は、出
力電圧（の電位）と基準電圧Ｖｒｅｆ（の電位）Ｖ
ｔｅｍｐとの間の電位差を測定することによって直接測
定することができる。出力電圧Ｖｔｅｍｐの傾斜が既知
である場合、電子回路ＩＣの絶対温度Ｔは、したがって
簡単かつ正確に決定することができる。
は温度Ｔに関わりなく一定であり、この回路の設計のみ
によって決定される。式（１）からも明らかなように、
係数ａは温度曲線の傾斜を決定する。抵抗Ｒ５，Ｒ６
は、適切な増幅率が得られるような値に設定される。し
たがって、電子回路ＩＣの温度Ｔを示す出力電圧Ｖｔｅ
ｍｐは、絶対温度Ｔとともに直線的に増加する。出力電
圧Ｖｔｅｍｐは、温度依存部及び本発明による装置ある
いは電子回路ＩＣ内、例えばバンドギャップ基準のバン
ドギャップ電圧から得られる基準電圧Ｖｒｅｆの付加部
からなる。この基準電圧Ｖｒｅｆが、図１に示されるよ
うに電子回路ＩＣの外部コンタクトで利用可能である場
合、出力電圧Ｖｔｅｍｐの（電位の）温度依存部は、出
力電圧（の電位）と基準電圧Ｖｒｅｆ（の電位）Ｖ
ｔｅｍｐとの間の電位差を測定することによって直接測
定することができる。出力電圧Ｖｔｅｍｐの傾斜が既知
である場合、電子回路ＩＣの絶対温度Ｔは、したがって
簡単かつ正確に決定することができる。
【００４７】以上のようにして、本発明は、その製造中
及びその動作が規定された使用中の両方で電子回路の温
度を簡単かつ正確に測定する。その精度に関する限り、
本発明による装置は、使用される部品のわずかな部分の
誤差によってのみ決定されるので、例えば、基準電圧、
あるいは電子回路の電源電圧あるいはアース接続に及ぼ
す憂慮すべき影響に関する製造誤差及び外乱に影響され
にくくなる。本発明による電子回路あるいは装置で生じ
るアース電位の代わりに内部基準電圧Ｖｒｅｆの意図的
使用により、局部変化によって引き起こされる不正確さ
を除去することができる。
及びその動作が規定された使用中の両方で電子回路の温
度を簡単かつ正確に測定する。その精度に関する限り、
本発明による装置は、使用される部品のわずかな部分の
誤差によってのみ決定されるので、例えば、基準電圧、
あるいは電子回路の電源電圧あるいはアース接続に及ぼ
す憂慮すべき影響に関する製造誤差及び外乱に影響され
にくくなる。本発明による電子回路あるいは装置で生じ
るアース電位の代わりに内部基準電圧Ｖｒｅｆの意図的
使用により、局部変化によって引き起こされる不正確さ
を除去することができる。
【００４８】本発明による装置は、好ましくは、温度が
測定されるべき電子回路と完全に集積化される。
測定されるべき電子回路と完全に集積化される。
【００４９】本装置の図示された実施形態において第３
の演算増幅器ＯＰＶ３によって形成されるインバータ段
は、特別の重要性を持っている。基準電圧Ｖｒｅｆに対
する第２のダイオードＤ２のアノード電圧ＶＤ２を反転
することによって、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ
２のアノードの２つの電位ＶＤ１及びＶＤ２の和は、第
３及び第４の抵抗Ｒ３及びＲ４の直列接続回路で生じ
る。それによって、第５の演算増幅器ＯＰＶ５の出力端
の基準電圧Ｖｒｅｆは式（１２）から明らかなように加
算値としてのみ利用されることがさらに行われる。この
基準電圧Ｖｒｅｆは、図１に示されるように電圧差の測
定によって減算することができる。
の演算増幅器ＯＰＶ３によって形成されるインバータ段
は、特別の重要性を持っている。基準電圧Ｖｒｅｆに対
する第２のダイオードＤ２のアノード電圧ＶＤ２を反転
することによって、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ
２のアノードの２つの電位ＶＤ１及びＶＤ２の和は、第
３及び第４の抵抗Ｒ３及びＲ４の直列接続回路で生じ
る。それによって、第５の演算増幅器ＯＰＶ５の出力端
の基準電圧Ｖｒｅｆは式（１２）から明らかなように加
算値としてのみ利用されることがさらに行われる。この
基準電圧Ｖｒｅｆは、図１に示されるように電圧差の測
定によって減算することができる。
【００５０】内部基準電圧の使用は、本発明による装置
で使用される構成要素が最適動作点で動作するという効
果をも有する。結果として、本発明による装置は、大き
な温度範囲にわたり極めて線形的な拡張適用性をもって
動作する。具体設計例では、−４０℃と＋１２５℃との
間の温度範囲のものを容易に達成することができる。こ
れは、測定されるべき電子回路の仕様にとって重要なこ
とである。
で使用される構成要素が最適動作点で動作するという効
果をも有する。結果として、本発明による装置は、大き
な温度範囲にわたり極めて線形的な拡張適用性をもって
動作する。具体設計例では、−４０℃と＋１２５℃との
間の温度範囲のものを容易に達成することができる。こ
れは、測定されるべき電子回路の仕様にとって重要なこ
とである。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板の瞬間温度
の測定を簡単かつ迅速に正確に実施し得る、電子回路の
温度を測定する装置を提供することができる。
の測定を簡単かつ迅速に正確に実施し得る、電子回路の
温度を測定する装置を提供することができる。
【図１】本発明による装置で形成されたモノリシック集
積電子回路の温度の測定を示す概念図である。
積電子回路の温度の測定を示す概念図である。
【図２】本発明による装置の一実施形態を示す結線図で
ある。
ある。
ＩＣ モノリシック集積電子回路
ＯＰＶ１〜ＯＰＶ５ 演算増幅器
Ｄ１，Ｄ２ ダイオード
Ｒ１〜Ｒ６ 抵抗
Ｖｒｅｆ 基準電圧
Ｖｔｅｍｐ 温度を表す出力電圧
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ミヒャエル、ビスピング
ドイツ連邦共和国ハンブルク、ヘルシャー
ウェーク、10
(72)発明者 ヘルマン、ヤプス
ドイツ連邦共和国ハンブルク、ノネンシュ
ティーク、30
(72)発明者 ユルゲン、マルシュナー
ドイツ連邦共和国ブレーメン、ライプツィ
ガーシュトラーセ、26
Ｆターム(参考） 2F056 JT01 JT08
Claims (12)
- 【請求項１】測定素子と評価回路とを備え、 前記測定素子は、電子回路と熱的に密につながってい
て、少なくとも２つの電流経路の各々に温度依存構成要
素を含み、前記温度依存構成要素の電流−電圧特性は、
前記電流経路の中の少なくとも２つにおける異なる所定
の関数に従って温度に依存し、前記温度依存構成要素に
はそれぞれの温度に依存する電圧を発生するために所定
の電流が注入され、 前記評価回路は、複数の前記温度依存構成要素の電圧の
差から前記電子回路の温度を表す出力電圧を形成する、 ことを特徴とする、電子回路の温度を測定する装置。 - 【請求項２】前記温度依存構成要素は半導体ダイオード
で形成されていることを特徴とする請求項１記載の装
置。 - 【請求項３】異なる電流経路に配置された前記半導体ダ
イオードは、半導体接合の異なる面で形成されることを
特徴とする請求項２記載の装置。 - 【請求項４】複数の温度依存構成要素は、複数の端子の
それぞれの第１の端子によって相互接続され、かつそれ
ぞれの第２の端子が、少なくともほぼ同じ電流を注入す
る装置に接続されていることを特徴とする請求項１、２
あるいは３に記載の装置。 - 【請求項５】前記少なくともほぼ同じ電流を注入する装
置は、カレントミラー装置からなっていることを特徴と
する請求項４記載の装置。 - 【請求項６】前記温度依存構成要素の相互接続される第
１の端子は基準電圧を供給する装置に接続されることを
特徴とする請求項４あるいは５記載の装置。 - 【請求項７】前記基準電圧を供給する装置は、基準電圧
を得るためのバンドギャップ基準で形成されることを特
徴とする請求項６記載の装置。 - 【請求項８】前記評価回路は、 前記温度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧
の少なくとも１つを反転する少なくとも１つの反転段
と、 前記温度依存構成要素の少なくとも１つの温度依存電圧
の少なくとも１つ及び前記温度依存構成要素の少なくと
も他の１つの反転温度依存電圧の少なくとも１つの算術
平均値に相当する電圧値を形成する少なくとも１つの電
圧結合段と、 電子回路の温度を表す出力電圧として前記電圧結合段に
よって形成された電圧値を増幅し、かつ供給する出力増
幅器段とを含むことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項９】前記温度依存構成要素の相互接続された第
１の端子は基準電圧を供給する装置に接続され、前記評
価回路は動作点を固定する前記温度依存構成要素の相互
接続された第１の端子と同じ基準電圧を受け取ることを
特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】温度が測定されるべき前記電子回路はモ
ノリシック集積半導体回路として構成され、 前記測定素子及び前記評価回路は、半導体基板上のモノ
リシック集積半導体回路として構成された前記電子回路
と結合され、 モノリシック集積半導体回路として構成された前記電子
回路は、電圧及び電流の少なくとも一方を、電源エネル
ギー及び信号の少なくとも一方を供給しかつ排出する前
記電子回路へ供給したり前記電子回路から取り出したり
する複数のコンタクトを含み、 前記コンタクトのうちの少なくとも第１のコンタクト
は、前記電子回路の温度を表す前記評価回路の出力電圧
を供給するように構成され、 少なくとも第２のコンタクトは、相互接続された第１の
端子の温度依存構成要素及びその動作点を固定する前記
評価回路に印加された前記基準電圧を供給することを特
徴とする請求項９記載の装置。 - 【請求項１１】製造時の前記電子回路の試験中、前記電
子回路の温度を表す前記評価回路の出力電圧を供給する
ように構成されていることを特徴とする請求項１０記載
の装置。 - 【請求項１２】請求項１ないし１１のいずれか１項に記
載の装置を含む半導体製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10133736.1 | 2001-07-11 | ||
| DE10133736A DE10133736A1 (de) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | Anordnung zum Messen der Temperatur einer elektronischen Schaltung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003098010A true JP2003098010A (ja) | 2003-04-03 |
Family
ID=7691423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002202417A Withdrawn JP2003098010A (ja) | 2001-07-11 | 2002-07-11 | 電子回路の温度を測定する装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6726361B2 (ja) |
| EP (1) | EP1275946A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003098010A (ja) |
| DE (1) | DE10133736A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008257162A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7828479B1 (en) * | 2003-04-08 | 2010-11-09 | National Semiconductor Corporation | Three-terminal dual-diode system for fully differential remote temperature sensors |
| US7118273B1 (en) | 2003-04-10 | 2006-10-10 | Transmeta Corporation | System for on-chip temperature measurement in integrated circuits |
| US7524108B2 (en) * | 2003-05-20 | 2009-04-28 | Toshiba American Electronic Components, Inc. | Thermal sensing circuits using bandgap voltage reference generators without trimming circuitry |
| US20040252749A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-16 | Randazzo Christoph Stefan | Apparatus for performing a temperature measurement function and devices based thereon |
| US20060203883A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Intel Corporation | Temperature sensing |
| DE102005045635B4 (de) * | 2005-09-23 | 2007-06-14 | Austriamicrosystems Ag | Anordnung und Verfahren zur Bereitstellung eines temperaturabhängigen Signals |
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