JPH05235253A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH05235253A JPH05235253A JP3512592A JP3512592A JPH05235253A JP H05235253 A JPH05235253 A JP H05235253A JP 3512592 A JP3512592 A JP 3512592A JP 3512592 A JP3512592 A JP 3512592A JP H05235253 A JPH05235253 A JP H05235253A
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- JP
- Japan
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- temperature
- fet
- mos
- silicon chip
- drain
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 付加的な温度センサおよびその結合を必要と
せず、半導体素子を形成するシリコンチップの温度を直
接検出できる半導体素子を提供する。 【構成】 同一のシリコンチップ上に機能素子１と温度
検出用の素子２を形成しており、例えば前記機能素子お
よび温度検出用の素子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴ１１，
１２であって、相互のドレイン端子が接続されており、
温度検出用のＭＯＳ−ＦＥＴ１２のソース・ドレイン間
抵抗を測定し、前記シリコンチップの温度を検出でき
る。
せず、半導体素子を形成するシリコンチップの温度を直
接検出できる半導体素子を提供する。 【構成】 同一のシリコンチップ上に機能素子１と温度
検出用の素子２を形成しており、例えば前記機能素子お
よび温度検出用の素子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴ１１，
１２であって、相互のドレイン端子が接続されており、
温度検出用のＭＯＳ−ＦＥＴ１２のソース・ドレイン間
抵抗を測定し、前記シリコンチップの温度を検出でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンチップ上に形成
される半導体素子に関する。
される半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はこの種の半導体素子の従来例を示
す構成図である。増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１のゲート端
子４３には、半導体素子のコントロール機能を持ったド
ライバ回路２０が接続され、増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１
のドレイン端子４４には負荷２１が接続されている。一
方、増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１とは別に用意された、サ
ーミスタ２５を定電流源２２に接続することで、増幅用
ＭＯＳ−ＦＥＴ４１の熱によるサーミスタ２５の抵抗変
化を電圧に変換し、電圧計２３で測定している。これら
の増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１および、サーミスタ２５は
同一の放熱板に取り付けを行ない、熱的に結合をおこな
うことにより、結果的に増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１の表
面温度をサーミスタ２５により検出している。
す構成図である。増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１のゲート端
子４３には、半導体素子のコントロール機能を持ったド
ライバ回路２０が接続され、増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１
のドレイン端子４４には負荷２１が接続されている。一
方、増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１とは別に用意された、サ
ーミスタ２５を定電流源２２に接続することで、増幅用
ＭＯＳ−ＦＥＴ４１の熱によるサーミスタ２５の抵抗変
化を電圧に変換し、電圧計２３で測定している。これら
の増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１および、サーミスタ２５は
同一の放熱板に取り付けを行ない、熱的に結合をおこな
うことにより、結果的に増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ４１の表
面温度をサーミスタ２５により検出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
素子は、温度検出のための手段を内蔵していないために
下記のような問題点がある。 （１）半導体素子の他に、温度センサを設けなくてはな
らない。 （２）半導体素子と、温度センサの熱的結合を強くする
ための実装が難しい。 （３）半導体素子のシリコンチップの温度を直接検出す
ることは不可能である。 本発明は上記問題点に鑑み、付加的な温度センサおよび
その結合を必要とせず、半導体素子を形成するシリコン
チップの温度を直接検出できる半導体素子を提供するこ
とを目的とする。
素子は、温度検出のための手段を内蔵していないために
下記のような問題点がある。 （１）半導体素子の他に、温度センサを設けなくてはな
らない。 （２）半導体素子と、温度センサの熱的結合を強くする
ための実装が難しい。 （３）半導体素子のシリコンチップの温度を直接検出す
ることは不可能である。 本発明は上記問題点に鑑み、付加的な温度センサおよび
その結合を必要とせず、半導体素子を形成するシリコン
チップの温度を直接検出できる半導体素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子は、
シリコンチップ上に機能素子が形成されている半導体素
子であって、前記シリコンチップ上に温度検出用の素子
を形成している。
シリコンチップ上に機能素子が形成されている半導体素
子であって、前記シリコンチップ上に温度検出用の素子
を形成している。
【０００５】また、前記機能素子および温度検出用の素
子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、相互のドレイン
端子が接続されているか、相互のドレイン端子およびゲ
ート端子が接続されており、温度検出用のＭＯＳ−ＦＥ
Ｔのソース・ドレイン間抵抗を測定し、前記シリコンチ
ップの温度を検出できるのが好ましい。
子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、相互のドレイン
端子が接続されているか、相互のドレイン端子およびゲ
ート端子が接続されており、温度検出用のＭＯＳ−ＦＥ
Ｔのソース・ドレイン間抵抗を測定し、前記シリコンチ
ップの温度を検出できるのが好ましい。
【０００６】また、前記機能素子および温度検出用の素
子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、温度検出用のＭ
ＯＳ−ＦＥＴのドレイン端子およびゲート端子を機能素
子のＭＯＳ−ＦＥＴのソース端子と接続して温度検出用
のＭＯＳ−ＦＥＴのサブストレートとドレインとの間に
構成されるＰＮジャンクションに発生する電圧降下を測
定し、前記シリコンチップの温度を検出できるのが好ま
しい。さらに、前記温度検出用の素子が抵抗素子であっ
て、抵抗素子の抵抗を測定し、前記シリコンチップの温
度を検出できるのも好ましい。
子はそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、温度検出用のＭ
ＯＳ−ＦＥＴのドレイン端子およびゲート端子を機能素
子のＭＯＳ−ＦＥＴのソース端子と接続して温度検出用
のＭＯＳ−ＦＥＴのサブストレートとドレインとの間に
構成されるＰＮジャンクションに発生する電圧降下を測
定し、前記シリコンチップの温度を検出できるのが好ま
しい。さらに、前記温度検出用の素子が抵抗素子であっ
て、抵抗素子の抵抗を測定し、前記シリコンチップの温
度を検出できるのも好ましい。
【０００７】
【作用】機能素子が作動すると、その電力消費率によ
り、機能素子が形成されているシリコンチップは温度上
昇する。シリコンチップが温度上昇すると、そのシリコ
ンチップ上に形成されている温度検出用の素子の電気特
性が変化するのでこの変化を外部より検出すれば、シリ
コンチップの温度が直接検出できる。
り、機能素子が形成されているシリコンチップは温度上
昇する。シリコンチップが温度上昇すると、そのシリコ
ンチップ上に形成されている温度検出用の素子の電気特
性が変化するのでこの変化を外部より検出すれば、シリ
コンチップの温度が直接検出できる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の半導体素子の実施態様を示
す構成図、図２は本発明の第１の実施例を示す構成図、
図３、図４、図５はそれぞれ本発明の第２、第３、第４
の実施例を示す構成図である。
て説明する。図１は本発明の半導体素子の実施態様を示
す構成図、図２は本発明の第１の実施例を示す構成図、
図３、図４、図５はそれぞれ本発明の第２、第３、第４
の実施例を示す構成図である。
【０００９】図１に示すように半導体素子７は、ゲート
端子３、ドレイン端子４、ソース端子５を有する機能素
子１（例えば増幅用のＭＯＳ−ＦＥＴ）と、出力端子
６、制御端子９を有する温度センサ部２とが同一のシリ
コンチップ上に形成されている。
端子３、ドレイン端子４、ソース端子５を有する機能素
子１（例えば増幅用のＭＯＳ−ＦＥＴ）と、出力端子
６、制御端子９を有する温度センサ部２とが同一のシリ
コンチップ上に形成されている。
【００１０】次に本発明の第１の実施例について図２を
参照して説明する。半導体素子７は、増幅用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１１と、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２からなる温
度検出部より構成されている。また、温度検出用ＭＯＳ
−ＦＥＴ１２のドレイン端子は温度センサ部出力端子１
６に、ゲート端子は温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ制御素子
１９に、ソース端子は増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソー
ス端子１５にそれぞれ接続されている。
参照して説明する。半導体素子７は、増幅用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１１と、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２からなる温
度検出部より構成されている。また、温度検出用ＭＯＳ
−ＦＥＴ１２のドレイン端子は温度センサ部出力端子１
６に、ゲート端子は温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ制御素子
１９に、ソース端子は増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソー
ス端子１５にそれぞれ接続されている。
【００１１】次に、本実施例の動作について説明する。
動作をさせるために、ゲート端子３にドライバ回路２０
から入力信号を印加する。ドレイン端子１４には負荷２
１を介して電源＋Ｖを接続し、ソース端子１５はアース
に接続する。端子１９には電源＋Ｖを、端子１６には定
電流源２２および電圧計Ｖをそれぞれ接続する。したが
って、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２は飽和状態となっ
ている。ドライバ回路２０からの入力信号で増幅用ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ１１をドライブすると、増幅用ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ１１は、負荷２１への電流供給および、スイッチング
動作を行なうことで自己発熱を起し、その熱は同一シリ
コンチップ上に形成された温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１
２に伝わり、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の電気的特
性を変化させる。電気的特性の中で、飽和状態における
Ｒｄｓ（ドレイン−ソース間抵抗）は正の温度特性を持
っているため、シリコンチップの温度が上昇すると、温
度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴの飽和状態におけるＲｄｓが大
きくなる。従って、Ｒｄｓの変化を温度センサ部出力端
子１６の電圧変化として電圧計２３にて電圧測定するこ
とにより、シリコンチップの温度を検出できる。本実施
例では、外部に、定電流源２２、電圧計２３を設け温度
を検出したが、この例に限らず、温度検出用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１２のＲｄｓの変化を検出できる装置であれば、シ
リコンチップの温度を検出することは可能である。
動作をさせるために、ゲート端子３にドライバ回路２０
から入力信号を印加する。ドレイン端子１４には負荷２
１を介して電源＋Ｖを接続し、ソース端子１５はアース
に接続する。端子１９には電源＋Ｖを、端子１６には定
電流源２２および電圧計Ｖをそれぞれ接続する。したが
って、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２は飽和状態となっ
ている。ドライバ回路２０からの入力信号で増幅用ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ１１をドライブすると、増幅用ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ１１は、負荷２１への電流供給および、スイッチング
動作を行なうことで自己発熱を起し、その熱は同一シリ
コンチップ上に形成された温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１
２に伝わり、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の電気的特
性を変化させる。電気的特性の中で、飽和状態における
Ｒｄｓ（ドレイン−ソース間抵抗）は正の温度特性を持
っているため、シリコンチップの温度が上昇すると、温
度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴの飽和状態におけるＲｄｓが大
きくなる。従って、Ｒｄｓの変化を温度センサ部出力端
子１６の電圧変化として電圧計２３にて電圧測定するこ
とにより、シリコンチップの温度を検出できる。本実施
例では、外部に、定電流源２２、電圧計２３を設け温度
を検出したが、この例に限らず、温度検出用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１２のＲｄｓの変化を検出できる装置であれば、シ
リコンチップの温度を検出することは可能である。
【００１２】次に、本実施例の半導体素子の構造につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】現在のＭＯＳ−ＦＥＴの場合、Ｒｄｓを小
さくするため、１つのシリコンチップ内に小さなＭＯＳ
−ＦＥＴを数多く形成し、それらを並列接続することで
全体のＲｄｓを小さくするような構造をとっている。本
発明の半導体素子の場合、基本的には従来と同様に、数
多くのＭＯＳＷ−ＦＥＴを形成するが、全ての素子を並
列接続するのではなく、１つもしくは数個の素子を温度
検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２として利用し、残りの素子を
増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１として利用するような構造で
作ることが可能である。この場合、全ての素子のソース
端子、サブストレートは共通でよい。従って、従来のＭ
ＯＳ−ＦＥＴと比較すると、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ
１２のゲート端子、ドレイン端子の分離、外部端子の増
加などの変更ですみ、基本的には、同じ製造プロセスで
作ることが可能である利点がある。
さくするため、１つのシリコンチップ内に小さなＭＯＳ
−ＦＥＴを数多く形成し、それらを並列接続することで
全体のＲｄｓを小さくするような構造をとっている。本
発明の半導体素子の場合、基本的には従来と同様に、数
多くのＭＯＳＷ−ＦＥＴを形成するが、全ての素子を並
列接続するのではなく、１つもしくは数個の素子を温度
検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２として利用し、残りの素子を
増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１として利用するような構造で
作ることが可能である。この場合、全ての素子のソース
端子、サブストレートは共通でよい。従って、従来のＭ
ＯＳ−ＦＥＴと比較すると、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ
１２のゲート端子、ドレイン端子の分離、外部端子の増
加などの変更ですみ、基本的には、同じ製造プロセスで
作ることが可能である利点がある。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について図３を
参照して説明する。本実施例は、温度検出用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１２のゲート端子が増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲ
ート端子に接続され、端子１９が不要となっている。そ
の他については図２の実施例に同じである。
参照して説明する。本実施例は、温度検出用ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ１２のゲート端子が増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲ
ート端子に接続され、端子１９が不要となっている。そ
の他については図２の実施例に同じである。
【００１５】したがって、ドライバ回路２０からの入力
信号で増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１をドライブすると、増
幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１は負荷２１への電流供給およ
び、スイッチング動作を行なうことで自己発熱をし、そ
の熱は同一シリコンチップ上に形成された温度検出用Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ１２に伝わり、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ
１２の電気的特性を変化させる。そこでドライバ回路２
０からの入力信号により温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２
を飽和状態にさせる。図２の実施例同様に電圧計２３に
よりＲｄｓの変化を検出し、シリコンチップの温度を知
ることができる。また、本発明の第３の実施例について
図４を参照して説明する。本実施例においては、温度検
出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２のゲート端子が増幅用ＭＯＳ−
ＦＥＴ１１のソース端子に接続され、温度センサ部出力
端子１６には電源−Ｖが接続され、端子１９が不要とな
っている。その他については図２の実施例に同じであ
る。電源−Ｖからは、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の
サブストレート／ドレイン間に存在するＰＮ接合（以
下、ソース／ドレイン間寄生ダイオードと記載する）を
通じて電流が流れる。
信号で増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１をドライブすると、増
幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１１は負荷２１への電流供給およ
び、スイッチング動作を行なうことで自己発熱をし、そ
の熱は同一シリコンチップ上に形成された温度検出用Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ１２に伝わり、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ
１２の電気的特性を変化させる。そこでドライバ回路２
０からの入力信号により温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２
を飽和状態にさせる。図２の実施例同様に電圧計２３に
よりＲｄｓの変化を検出し、シリコンチップの温度を知
ることができる。また、本発明の第３の実施例について
図４を参照して説明する。本実施例においては、温度検
出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２のゲート端子が増幅用ＭＯＳ−
ＦＥＴ１１のソース端子に接続され、温度センサ部出力
端子１６には電源−Ｖが接続され、端子１９が不要とな
っている。その他については図２の実施例に同じであ
る。電源−Ｖからは、温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の
サブストレート／ドレイン間に存在するＰＮ接合（以
下、ソース／ドレイン間寄生ダイオードと記載する）を
通じて電流が流れる。
【００１６】半導体素子７が発熱した場合、温度検出用
ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の電気的特性のうちソース／ドレイ
ン間寄生ダイオードにおける順方向電圧降下（Ｖｆ）
が、シリコンチップの温度に対して正の温度特性を持っ
ているので、一定電流を寄生ダイオードに流しておき、
そのとき発生する順方向電圧降下を電圧計２３で検出す
ることにより、シリコンチップの温度を検出することが
できる。
ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の電気的特性のうちソース／ドレイ
ン間寄生ダイオードにおける順方向電圧降下（Ｖｆ）
が、シリコンチップの温度に対して正の温度特性を持っ
ているので、一定電流を寄生ダイオードに流しておき、
そのとき発生する順方向電圧降下を電圧計２３で検出す
ることにより、シリコンチップの温度を検出することが
できる。
【００１７】さらに、本発明の第４の実施例について図
５を参照して説明する。本実施例は、図２の実施例の温
度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の代わりに、温度検出用の
抵抗素子３２を形成し、形成した抵抗素子３２を増幅用
ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソース端子と温度センサ部出力端
子１６との間に接続している。
５を参照して説明する。本実施例は、図２の実施例の温
度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ１２の代わりに、温度検出用の
抵抗素子３２を形成し、形成した抵抗素子３２を増幅用
ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソース端子と温度センサ部出力端
子１６との間に接続している。
【００１８】半導体素子７が発熱した場合、抵抗素子３
２の電気抵抗率がシリコンチップの温度に対して正の温
度特性を持っているので、そのとき発生する電圧降下を
電圧計２３で検出することで、シリコンチップの温度を
検出することができる。
２の電気抵抗率がシリコンチップの温度に対して正の温
度特性を持っているので、そのとき発生する電圧降下を
電圧計２３で検出することで、シリコンチップの温度を
検出することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子が形成されるシリコンチップ上に温度検出用素子も一
緒に形成することにより、以下の効果がある。 （１）半導体素子の他に、温度センサを設ける必要がな
い。 （２）半導体素子内部に、温度検出機能を有する素子を
持っているため、被温度検出部分と熱的結合が良い。 （３）半導体素子が形成されているシリコンチップの温
度を直接測定することが可能。
子が形成されるシリコンチップ上に温度検出用素子も一
緒に形成することにより、以下の効果がある。 （１）半導体素子の他に、温度センサを設ける必要がな
い。 （２）半導体素子内部に、温度検出機能を有する素子を
持っているため、被温度検出部分と熱的結合が良い。 （３）半導体素子が形成されているシリコンチップの温
度を直接測定することが可能。
【図１】本発明の半導体素子の実施態様を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体素子の第１の実施例を示す構成
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す構成図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す構成図である。
【図５】本発明の第４の実施例を示す構成図である。
【図６】従来例を示す構成図である。
１、１１ 増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ ２ 温度検出部 ３、１３ 増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート端子 ４、１４ 増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン端子 ５、１５ 増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴのソース端子 ６、１６ 温度センサ部出力端子 ７、１７ 半導体素子 １２ 温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴ １９ 温度検出用ＭＯＳ−ＦＥＴの制御端子 ２０ 増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴのドライバ回路 ２１ 負荷 ２２ 定電流源 ２３ 電圧計 ３２ 温度検出用の抵抗素子
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコンチップ上に機能素子が形成され
ている半導体素子において、 前記シリコンチップ上に温度検出用の素子を形成したこ
とを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】 前記機能素子および温度検出用の素子は
それぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、 相互のドレイン端子が接続されており、温度検出用のＭ
ＯＳ−ＦＥＴのソース・ドレイン間抵抗を測定し、前記
シリコンチップの温度を検出できる請求項１記載の半導
体素子。 - 【請求項３】 前記機能素子および温度検出用の素子は
それぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、 相互のドレイン端子およびゲート端子が接続されてお
り、温度検出用のＭＯＳ−ＦＥＴのソース・ドレイン間
抵抗を測定し、前記シリコンチップの温度を検出できる
請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項４】 前記機能素子および温度検出用の素子は
それぞれＭＯＳ−ＦＥＴであって、 温度検出用のＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン端子およびゲー
ト端子を機能素子のＭＯＳ−ＦＥＴのソース端子と接続
して温度検出用のＭＯＳ−ＦＥＴのサブストレートとド
レインとの間に構成されるＰＮジャンクションに発生す
る電圧降下を測定し、前記シリコンチップの温度を検出
できる請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項５】 前記温度検出用の素子が抵抗素子であっ
て、抵抗素子の抵抗を測定し、前記シリコンチップの温
度を検出できる請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3512592A JPH05235253A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3512592A JPH05235253A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235253A true JPH05235253A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12433218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3512592A Pending JPH05235253A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726361B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-04-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Arrangement for measuring the temperature of an electronic circuit |
| WO2021229995A1 (ja) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、温度補正システム、及び、アラームシステム |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP3512592A patent/JPH05235253A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6726361B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-04-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Arrangement for measuring the temperature of an electronic circuit |
| WO2021229995A1 (ja) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、温度補正システム、及び、アラームシステム |
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