CN112858864B - 一种对led芯片进行非接触式光电检测的装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法。装置包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源。其中，示波器并联在电阻两端，电阻、第一电流源和感应线圈串联成第一闭合回路，短接装置用于放置待测LED芯片且使得待测LED芯片的两个电极短接成第二闭合回路，参考LED芯片与第二电流源串联形成第三闭合回路，第二闭合回路和第三闭合回路与感应线圈的磁场方向同轴。光学测量装置位于短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片。装置分别记录两个互感效应过程中电路的参数变化，计算得待测LED芯片的电压数据和电流数据，再获取待测LED芯片的光学参数，实现对LED芯片进行非接触式光电检测。

Description

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法

技术领域

本发明涉及电机控制技术领域，特别涉及一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)是一种半导体发光元件，能将电能转变为光能，其具有发光效率高、体积小、寿命长、响应快、单色性好、省电环保等特点，已成为继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代光源，被广泛应用于指示信号灯、景观照明、显示技术等领域，近年来已成为照明、显示领域的研究热点，受到各国政府、研究机构和企业的重视。

当前对于LED芯片的检测技术主要分为接触式和非接触式两大方向。接触式这种方法的基本核心内容，即电源通过探针与LED芯片电极接触通电，从而在LED芯片上进行相应的光电检测。而非接触式的方法，则是不需要将电源与检测仪器的探针直接作用于LED芯片之上，便能使其光致发光或电致发光，然后进行相应的光电检测。

如今面临LED芯片做得越来越小的状况，可能出现探针检测不便或是探针损坏芯片的情况，因而当今行业内大力研究非接触的方式。现有技术中常用光激发的方式来进行非接触式的LED芯片的光电检测。例如根据p-n结的光生伏特效应，采用交变光源照射待测LED芯片，令LED芯片短路使得激励出光生短路电流，再通过互感效应转化成感应输出信号进行相应的检测[一种LED芯片的检测方法，发明专利，公布号：CN101074980A]。又例如通过使用紧靠LED阵列放置的电极和绝缘体组成的场板，经由位移电流耦合装置注入电流进LED晶圆阵列，由照相机记录下LED此刻的状况，从而对LED进行相应的功能测试[Light-Emitting Diode(LED)Test Apparatus And Method of Manufacture，发明专利，公布号：WO2018112267A1]。

但是，由于LED在实际应用中都是用电驱动，使用光激发的方式容易激发出非复合层载流子，与电驱动模式差异大，误检率高。并且，通过光致发光的方式测LED的光谱，由于受到激发光的影响，光谱仪需要加滤光片，因而测试过程比较繁琐，测试结果不太准确。而通过场板注入位移电流对LED芯片进行电激发的方法，一次性驱动所有晶圆陈列，电流密度不均匀，无法体现个体差异。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法，无需直接将电源和检测仪器接触于LED芯片上，便能够以非接触的方式去驱动点亮LED芯片，从而对LED芯片进行非接触式光电检测。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源；

所述示波器并联在所述电阻的两端，所述电阻、所述第一电流源和所述感应线圈串联成第一闭合回路，所述短接装置用于放置待测LED芯片且使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路，所述参考LED芯片与所述第二电流源串联形成第三闭合回路，所述第二闭合回路和所述第三闭合回路与所述感应线圈的磁场方向同轴；

所述光学测量装置位于所述短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，应用于上述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括步骤：

S1、断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路，通过所述第一电流源对所述第一闭合回路施加第一电流，记录所述第一闭合回路中的第一电流数据和所述电阻两端的第一电压数据；

S2、接通所述第三闭合回路，通过所述第二电流源对所述第二闭合回路施加第二电流，记录第二电流值和此时所述电阻两端的第二电压数据；

S3、断开所述第三闭合回路，通过所述第一电流源对所述第一闭合回路施加第三电流，记录所述第一闭合回路中的第三电流数据和所述电阻两端的第三电压数据；

S4、接通所述第二闭合回路，记录此时所述电阻两端的第四电压数据；

S5、根据所述第二电流数据、所述第三电流数据、所述第一电压数据、所述第二电压数据、所述第三电压数据和所述第四电压数据，得到此时待测LED芯片两端的电流数据和电压数据，并通过所述光学测量装置获取此时待测LED芯片的光学参数。

综上所述，本发明的有益效果在于：提供一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法，分别利用第一闭合回路的感应线圈和由待测LED芯片的电极短接形成的第二闭合回路之间的互感效应以及由参考LED芯片和第二电流源形成的第三闭合回路和感应线圈之间的互感效应这两个过程，分别记录两个互感效应过程中的第一闭合回路的电路参数发生变化的相关数据，得到待测LED芯片的电压数据和电流数据，再获取发光的待测LED芯片的光学参数，从而实现以无需将检测仪器施加于LED芯片的方式对LED芯片进行非接触式光电检测。且相较于光激发的方式，本发明更能反映芯片的真实工作状态，也利于避免激发光源对LED芯片发光的干扰，能够对LED芯片进行直接准确的相关光电性能的检测。

附图说明

图1为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置的结构示意图；

图2为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置的待测LED芯片的摆放结构示意图；

图3为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法的步骤示意图；

图4为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置的电流源的输出信号波形图；

图5为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置的电阻两端在不同情况下的电压数据的波形图；

图6为本发明实施例的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置的待测LED芯片的光谱图；

标号说明：

1、参考LED芯片；2、示波器；3、感应线圈；4、光学测量装置；5、电阻；6、第一电流源；7、第二电流源；8、待测LED芯片；9、透镜；10、光谱仪；11、金属基板。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1至图2，一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括参考LED芯片1、短接装置、示波器2、感应线圈3、光学测量装置4、电阻5、第一电流源6和第二电流源7；

所述示波器2并联在所述电阻5的两端，所述电阻5、所述第一电流源6和所述感应线圈3串联成第一闭合回路，所述短接装置用于放置待测LED芯片8且使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路，所述参考LED芯片1与所述第二电流源7串联形成第三闭合回路，所述第二闭合回路和所述第三闭合回路与所述感应线圈3的磁场方向同轴；

所述光学测量装置4位于所述短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片。

从上述描述可知，本发明提供了一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，通过第一闭合回路的感应线圈3和由待测LED芯片8的电极短接形成的第二闭合回路之间的互感效应以及由参考LED芯片1和第二电流源7形成的第三闭合回路和感应线圈3之间的互感效应这两个过程，得到待测LED芯片8发光时在第二闭合回路中的电压数据和电流数据，结合光学测量装置4采集到的待测LED芯片8的光学参数，实现无需将检测仪器作用于待测LED芯片8，对LED芯片进行非接触式光电检测。

进一步地，所述光学测量装置4包括透镜9和光谱仪10；

所述光谱仪10位于所述短接装置的一侧且采光方向对准所述待测LED芯片，所述透镜9设置于所述光谱仪10与所述待测LED芯片之间。

从上述描述可知，对待测LED芯片8进行光学参数采集的装置为光谱仪10和透镜9。透镜9有利于对待测LED芯片8发出的光进行聚焦，以保证光谱仪10采集工作顺利进行。

进一步地，所述短接装置包括金属基板11；

所述金属基板11用于与待测LED芯片8的两个电极同时接触使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路。

从上述描述可知，金属基板不仅用于放置待测LED芯片8，还将待测LED芯片8的两个电极短接以形成第二闭合回路。

进一步地，所述短接装置包括位于不同侧且相互电连接的金属基板11；

不同侧的所述金属基板11分别用于与待测LED芯片8上不同侧的对应电极接触使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路。

从上述描述可知，对于电极不在同一测的待测LED芯片8，可通过位于不同侧且相互电连接的金属基板11来完成待测LED芯片8的两个电极短接。

进一步地，所述短接装置包括位于上下两侧且相互电连接的金属基板11；

上下两侧的所述金属基板11分别用于与待测LED芯片8的上下两个电极接触使得待测LED芯片8的上下两个电极短接形成第二闭合回路；

靠近所述光学测量装置4一侧的金属基板11为透明电极。

从上述描述可知，对应待测LED芯片8位于上下两侧的电极，可通过位于上下侧的金属基板11实现连接。并且，为了避免金属基板11影响光学测量装置4的采光，靠近所述光学测量装置4一侧的金属基板11为透明电极。

请参照图3至图6，一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，应用于上述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括步骤：

S1、断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路，通过所述第一电流源6对所述第一闭合回路施加第一电流，记录所述第一闭合回路中的第一电流数据和所述电阻5两端的第一电压数据；

S2、接通所述第三闭合回路，通过所述第二电流源7对所述第二闭合回路施加第二电流，记录第二电流值和此时所述电阻5两端的第二电压数据；

S3、断开所述第三闭合回路，通过所述第一电流源6对所述第一闭合回路施加第三电流，记录所述第一闭合回路中的第三电流数据和所述电阻5两端的第三电压数据；

S4、接通所述第二闭合回路，记录此时所述电阻5两端的第四电压数据；

S5、根据所述第二电流数据、所述第三电流数据、所述第一电压数据、所述第二电压数据、所述第三电压数据和所述第四电压数据，得到此时待测LED芯片8两端的电流数据和电压数据，并通过所述光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数。

从上述描述可知，本发明提供了一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，利用第一闭合回路的感应线圈3和由待测LED芯片8的电极短接形成的第二闭合回路之间的互感效应以及由参考LED芯片1和第二电流源7形成的第三闭合回路和感应线圈3之间的互感效应这两个过程，分别记录两个独立的互感效应过程中的电路参数变化的相关数据，得到待测LED芯片8的电压数据和电流数据，再获取对应的待测LED芯片8的光学参数，从而实现以无需将检测仪器施加于LED芯片的方式对LED芯片进行非接触式光电检测。

进一步地，所述步骤S5具体为：将所述第一电压值减去所述第二电压值的差除以微分处理后的所述第二电流数据，得到参考系数值；

将所述第三电压值减去所述第四电压值的差进行积分并除以所述参考系数值，得到待测LED芯片8的电流数据；

将所述第三电流数据进行微分处理并乘以所述参考系数值，得到待测LED芯片8的电压数据；

通过所述光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数。

从上述描述可知，上述为具体的待测LED芯片8的电流数据和电压数据的推算方法，先利用参考LED芯片1所在的第三闭合回路在对第一闭合回路产生的互感效应，得到此时电阻5两端相比于只有第一闭合回路时的电阻5两端的电压数据的变化值，即第一电压值减去第二电压值的差，再除以微分处理后的第二电流数据，得到参考系数值。然后在断开第三闭合回路的情况下，单独研究第二闭合回路与第一闭合回路之间的互感效应，与上述类似，得到第三电压值减去第四电压值的差进行积分并除以参考系数值，得到待测LED芯片8的电流数据，第三电流数据进行微分处理并乘以参考系数值，得到待测LED芯片8的电压数据，最后结合此时发光的待测LED芯片8的光学参数，完成对其的光电检测。

进一步地，所述第一电流和所述第三电流均为周期性脉冲信号；

所述第一电压数据、所述第二电压数据、所述第三电压数据和所述第四电压数据均为多周期取平均后的波形数据。

从上述描述可知，第一电流源6和第二电流源7的输出均为周期信号。与之对应，采集的第一电压数据、第二电压数据等数据均为多周期取平均后的波形数据，以提高采集信号的数据的可靠性，提高光电检测的准确度。

进一步地，所述“并通过所述光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数”具体为：

通过透镜9对待测LED芯片8发出的光进行聚焦并射入光谱仪10；

采集待测LED芯片8的光学参数。

从上述描述可知，对于发光的待测LED芯片8，利用透镜9进行聚焦，再由光谱仪10完成采集过程。

进一步地，所述“断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路”具体对应为：从金属基板11上取下待测LED芯片8和关闭所述第二电流源7；

所述“接通所述第三闭合回路”具体为：

打开所述第二电流源7；

所述“接通所述第二闭合回路”具体为：

将待测LED芯片8放置在所述金属基板11上。

从上述描述可知，上述为第二闭合回路和第三闭合回路的断开与接通的具体操作方式。

请参照图1，本发明的实施例一为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，如图1所示，包括参考LED芯片1、短接装置、示波器2、感应线圈3、光学测量装置4、电阻5、第一电流源6和第二电流源7。其中，示波器2并联在电阻5的两端，电阻5、第一电流源6和感应线圈3串联成第一闭合回路，短接装置用于放置待测LED芯片8且使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路，参考LED芯片1与第二电流源7串联形成第三闭合回路，第二闭合回路和第三闭合回路与感应线圈3的磁场方向同轴。光学测量装置4位于所述短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片。在本实施例中，感应线圈3分别和参考LED芯片1所在的第三闭合回路以及待测LED芯片8所在的第二闭合回路发生互感效应，从而使得自身回路中，电阻5两端的电学参数发生对应变化，并由示波器2来捕捉其波形数据。

在本实施例中，光学测量装置4包括透镜9和光谱仪10。其中，光谱仪10位于短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片，透镜9设置于光谱仪10与待测LED芯片之间。透镜9有利于对待测LED芯片8发出的光进行聚焦，以保证光谱仪10采集工作顺利进行。

请参照图1和图2，本发明的实施例二为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，在上述实施例一的基础上，如图1所示，短接装置包括金属基板11，其中，金属基板11用于与待测LED芯片8的两个电极同时接触使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路。

在本实施例中，如图2所示，短接装置包括位于不同侧且相互电连接的金属基板11。具体地，不同侧的金属基板11分别用于与待测LED芯片8上不同侧的对应电极接触使得待测LED芯片8的两个电极短接形成第二闭合回路。图2中所示的结构设计正是考虑到不同的待测LED芯片8可能出现电极分布并不在同一侧的情况。因此，相应的用于连接的金属基板11也位于不同侧上。特别地，当待测LED芯片8的电极分布在上下两侧时，如图2所示，对应上下两侧的金属基板11与待测LED芯片8的上下两个电极接触使得待测LED芯片8的上下两个电极短接形成第二闭合回路。而且，靠近光学测量装置4一侧的金属基板11为透明电极。这是为了避免上侧的金属基板11影响光学测量装置4的采光。

请参照图3，本发明的实施例三为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，应用于实施例一或实施例二的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括步骤：

S1、断开第二闭合回路和第三闭合回路，通过第一电流源6对第一闭合回路施加第一电流，记录第一闭合回路中的第一电流数据和电阻5两端的第一电压数据；

S2、接通第三闭合回路，通过第二电流源7对第二闭合回路施加第二电流，记录第二电流值和此时电阻5两端的第二电压数据；

S3、断开第三闭合回路，通过第一电流源6对第一闭合回路施加第三电流，记录第一闭合回路中的第三电流数据和电阻5两端的第三电压数据；

S4、接通第二闭合回路，记录此时电阻5两端的第四电压数据；

S5、根据第二电流数据、第三电流数据、第一电压数据、第二电压数据、第三电压数据和第四电压数据，得到此时待测LED芯片8两端的电流数据和电压数据，并通过光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数。在本实施例中，利用感应线圈3和第二闭合回路之间的互感效应以及第三闭合回路和感应线圈3之间的互感效应，分别记录两个独立的互感效应过程中的电路参数变化的相关数据，得到待测LED芯片8的电压数据和电流数据，再获取对应的待测LED芯片8的光学参数，从而实现以无需将检测仪器施加于LED芯片的方式对LED芯片进行非接触式光电检测。

在本实施例中，“并通过光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数”具体为：先通过透镜9对待测LED芯片8发出的光进行聚焦并射入光谱仪10，再采集待测LED芯片8的光学参数。

此外，在本实施例中，“断开第二闭合回路和第三闭合回路”具体对应为：从金属基板11上取下待测LED芯片8和关闭第二电流源7；

其中，“接通第三闭合回路”具体为：打开第二电流源7；“接通第二闭合回路”具体为：将待测LED芯片8放置在金属基板11上。

请参照图4至图6，本发明的实施例四为：

一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，在上述实施例三的基础上，步骤S5具体为：将第一电压值减去第二电压值的差除以微分处理后的第二电流数据，得到参考系数值；

将第三电压值减去第四电压值的差进行积分并除以参考系数值，得到待测LED芯片8的电流数据；

将第三电流数据进行微分处理并乘以参考系数值，得到待测LED芯片8的电压数据；

通过光学测量装置4获取此时待测LED芯片8的光学参数。

结合图4至图6，上述内容的具体操作和计算过程分为标定和测试两个流程，标定流程如下所示：

首先，将上述一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置按照图2所示将各部分进行连接。此时，第三闭合回路和第二闭合回路均断开。

然后，打开第一电流源6给第一闭合回路施加周期性脉冲电流，即第一电流。示波器2持续保存下电阻5两端的第一电压数据，此波形数据为多周期平均之后的波形。

接着，打开第二电流源7给参考LED芯片1所在的第二闭合回路施加第二电流，并记录第二电流的数据。同时，在保持第一闭合回路通有第一电流的情况下，示波器2持续保存电阻5两端的第二电压数据。

最后，将第一电压值减去第二电压值的差除以微分处理后的第二电流数据，得到参考系数值，其表达式如下：

E₃＝E₁-E₂

其中，E₁表示第一电压数据；E₂表示第二电压数据；E₃表示第一电压数据和第二电压数据的差；I₂表示第二电流数据；K表示参考系数值。

测试流程如下所示：

首先，关闭第二电流源7，打开第一电流源6给第一闭合回路施加周期性脉冲电流第三电流。此时，示波器2持续保存下电阻5两端的第三电压数据，此波形数据为多周期平均之后的波形，如图5所示，对应其中“一”所表示的波形。

然后，将待测LED芯片8放置于金属基板11之上，形成第二闭合回路。在感应线圈3和第二闭合回路的互感效应下，第二闭合回路内产生电流，待测LED芯片发光。此时，示波器2持续保存下电阻5两端的第四电压数据，此波形数据同样为多周期平均之后的波形，如图5所示，对应其中“+”所表示的波形。

接着，将第三电压值减去第四电压值，如图5所示，对应其中“----”所表示的波形。第三电压值减去第四电压值的差进行积分并除以参考系数值，得到待测LED芯片8的电流数据，其对应的表达式如下：

E₆＝E₄-E₅

其中，E₄表示第三电压数据；E₅表示第四电压数据；E₆表示第三电压数据和第四电压数据的差；I_d表示待测LED芯片8的电流数据。

将第三电流数据进行微分处理并乘以参考系数值，得到待测LED芯片8的电压数据。其对应的表达式如下：

其中，E_d表示待测LED芯片8的电压数据；I₃表示第三电流数据。

最后，通过透镜9对待测LED芯片8发出的光进行聚焦并射入光谱仪10，采集待测LED芯片8的光学参数，其对应的光谱仪10如图6所示。

在本实施例中，第一电流和第三电流均为周期性脉冲信号。相应的，第一电压数据、第二电压数据、第三电压数据和第四电压数据均为多周期取平均后的波形数据。

综上所述，本发明提供了提供一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法，分别利用由感应线圈、第一电流源和电阻组成的第一闭合回路和由待测LED芯片的电极通过灵活设置的金属基板短接形成的第二闭合回路之间的互感效应以及由参考LED芯片和第二电流源形成的第三闭合回路和第一闭合回路之间的互感效应，分别记录两个互感效应过程中的电路参数变化的相关数据，得到待测LED芯片的电压数据和电流数据，再通过光谱仪和透镜获取发光的待测LED芯片的光学参数，从而实现以无需将检测仪器施加于LED芯片的方式对LED芯片进行非接触式光电检测。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围。

Claims (9)

1.一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源；

所述示波器并联在所述电阻的两端，所述电阻、所述第一电流源和所述感应线圈串联成第一闭合回路；

所述短接装置包括金属基板；

所述金属基板用于与待测LED芯片的两个电极同时接触使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路；

所述参考LED芯片与所述第二电流源串联形成第三闭合回路，所述第二闭合回路和所述第三闭合回路与所述感应线圈的磁场方向同轴；

所述光学测量装置位于所述短接装置一侧且采光方向对准待测LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述光学测量装置包括透镜和光谱仪；

所述光谱仪位于所述短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片，所述透镜设置于所述光谱仪与待测LED芯片之间。

3.根据权利要求1所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述短接装置包括位于不同侧且相互电连接的金属基板；

不同侧的所述金属基板分别用于与待测LED芯片上不同侧的对应电极接触使得待测LED芯片的两个电极短接形成第二闭合回路。

4.根据权利要求3所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，其特征在于，所述短接装置包括位于上下两侧且相互电连接的金属基板；

上下两侧的所述金属基板分别用于与待测LED芯片的上下两个电极接触使得待测LED芯片的上下两个电极短接形成第二闭合回路；

靠近所述光学测量装置一侧的金属基板为透明电极。

5.一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，应用于权利要求1至4任一所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置，包括步骤：

S1、断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路，通过所述第一电流源对所述第一闭合回路施加第一电流，记录所述第一闭合回路中的第一电流数据和所述电阻两端的第一电压数据；

S2、接通所述第三闭合回路，通过所述第二电流源对所述第二闭合回路施加第二电流，记录第二电流值和此时所述电阻两端的第二电压数据；

S3、断开所述第三闭合回路，通过所述第一电流源对所述第一闭合回路施加第三电流，记录所述第一闭合回路中的第三电流数据和所述电阻两端的第三电压数据；

S4、接通所述第二闭合回路，记录此时所述电阻两端的第四电压数据；

S5、根据所述第二电流数据、所述第三电流数据、所述第一电压数据、所述第二电压数据、所述第三电压数据和所述第四电压数据，得到此时待测LED芯片两端的电流数据和电压数据，并通过所述光学测量装置获取此时待测LED芯片的光学参数。

6.根据权利要求5所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，所述步骤S5具体为：将所述第一电压值减去所述第二电压值的差除以微分处理后的所述第二电流数据，得到参考系数值；

将所述第三电压值减去所述第四电压值的差进行积分并除以所述参考系数值，得到待测LED芯片的电流数据；

将所述第三电流数据进行微分处理并乘以所述参考系数值，得到待测LED芯片的电压数据；

通过所述光学测量装置获取此时待测LED芯片的光学参数。

7.根据权利要求5所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，所述第一电流和所述第三电流均为周期性脉冲信号；

所述第一电压数据、所述第二电压数据、所述第三电压数据和所述第四电压数据均为多周期取平均后的波形数据。

8.根据权利要求5所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，所述“并通过所述光学测量装置获取此时待测LED芯片的光学参数”具体为：

通过透镜对待测LED芯片发出的光进行聚焦并射入光谱仪；

采集待测LED芯片的光学参数。

9.根据权利要求5所述的一种对LED芯片进行非接触式光电检测的方法，其特征在于，所述“断开所述第二闭合回路和所述第三闭合回路”具体对应为：从金属基板上取下待测LED芯片和关闭所述第二电流源；

所述“接通所述第三闭合回路”具体为：

打开所述第二电流源；

所述“接通所述第二闭合回路”具体为：

将待测LED芯片放置在所述金属基板上。

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