CN1395305A - 发光二极管外延片电致发光无损检测方法 - Google Patents

发光二极管外延片电致发光无损检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1395305A
CN1395305A CN 02123646 CN02123646A CN1395305A CN 1395305 A CN1395305 A CN 1395305A CN 02123646 CN02123646 CN 02123646 CN 02123646 A CN02123646 A CN 02123646A CN 1395305 A CN1395305 A CN 1395305A
Authority
CN
China
Prior art keywords
epitaxial wafer
led
led epitaxial
type layer
detection method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 02123646
Other languages
English (en)
Other versions
CN100418203C (zh
Inventor
韩立
董占民
苏哲
陈皓明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CNB021236461A priority Critical patent/CN100418203C/zh
Publication of CN1395305A publication Critical patent/CN1395305A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100418203C publication Critical patent/CN100418203C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

一种发光二极管外延片的检测方法，属检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极，将一个高压恒流源接在正负两极，使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的反向二极管被击穿。使整个电路导通，引发发光二极管外延片的发光层发光，从而达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷，相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。

Description

发光二极管外延片电致发光无损检测方法
技术领域
本发明涉及发光二极管(LED)外延片的检测方法，属检测仪器领域。
背景技术
在白炽灯发明了100多年之后，利用红、绿、蓝三色的LED制成廉价的、高效的白光源早晚有一天会替代这种由爱迪生发明的光源。由于LED具有非常高的经济效益，其发展前景非常广阔，具有极大的市场容量。由于照明消耗占整个电力消耗的20％，因此大力发展LED技术将是节省能源的一个有效途径。LED必将是未来的照明设备。
当前LED的主要工作是降低生产成本，提高效率和扩展有用颜色范围。从生产而言，由于LED的市场竞争十分激烈，其生产过程必须十分重视成品率和质量，所以在生产过程中LED半导体外延片的在线检测和质量控制十分重要。目前我国各企业缺乏必要的检测设备，尤其是生产过程中的高速、无损在线检测。
目前LED外延片的发光检测有光致荧光和电致发光两种方法。光致荧光检测方法是用一个短波长的激光照射LED外延片检测其发光效果。但是这是一种间接的检测方法，不能直接反映LED外延片的电致发光效果，同时由于短波长激光器价格昂贵，蓝绿LED外延片检测成本很高。电致发光检测是在LED外延片的p、n结上施加正向偏压，使其发光来检测发光效果，常用的方法是在外延片表面打孔，将一个电极接在p型层上。所以这种检测方法是破坏性的而且也不是连续的。
发明内容
本发明的目的是提供一种非破坏性的LED外延片电致发光检测方法。LED外延片的结构(见图1)是其表面层为均匀覆盖的p型层，其下为LED发光层，再下面为高导电的N型层，最后为不导电的衬底。为了进行电致发光检测，需要在外延片表面安置两个电极，其一为固定的负电极(接电源负极)；其二为正电极，将一高压恒流源加在两个电极之间。由于LED外延片表面p型层很薄，电阻很大，因此电流将大部分从p-n结组成的二极管上流过。按照二极管的特性，正向二极管相当于导通，高压将主要加在反向连接的二极管上，使其被高压击穿而导通。由于使用了高压恒流源可以控制流经二极管的电流大小保证了反向击穿的二极管在被击穿的条件下不被破坏。为了完成整个外延片发光质量的检测，将正电极在表面上移动就可以得到外延片整片的电致发光质量。
因此本发明的内容可表达如下：
在LED外延片的表面安置正、负两个电极。将一高压恒流源接在正、负两极，使LED外延片中p型层、n型层组成的二极管击穿导通从而使整个电路接通引发LED发光层发光，达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷，相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。
附图说明
图1为LED外延片结构及检测状态示意图。
具体实施方式
图1中1为p型层，2为n型层，3为发光层，4为基底。检测时在LED外延片表面放置正、负两个电极并加上高压恒流源。由于反向二极管击穿，即可测得被测点的发光状况。测完一点后移动正电极，同上法可继续检测，不断移动正电极即可测得整个LED外延片的发光状况。

Claims (1)

1.一种发光二极管外延片的检测方法，其特征是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极，将一个高压恒流源接在正负两极，使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通，使整个电路导通，引发发光二极管外延片的发光层发光，从而达到检测的目的。
CNB021236461A 2002-07-05 2002-07-05 发光二极管外延片电致发光无损检测方法 Expired - Fee Related CN100418203C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB021236461A CN100418203C (zh) 2002-07-05 2002-07-05 发光二极管外延片电致发光无损检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB021236461A CN100418203C (zh) 2002-07-05 2002-07-05 发光二极管外延片电致发光无损检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1395305A true CN1395305A (zh) 2003-02-05
CN100418203C CN100418203C (zh) 2008-09-10

Family

ID=4745180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021236461A Expired - Fee Related CN100418203C (zh) 2002-07-05 2002-07-05 发光二极管外延片电致发光无损检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100418203C (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1330970C (zh) * 2003-11-14 2007-08-08 佛山市国星光电科技有限公司 测试功率型led热阻的方法及其专用芯片
CN100423045C (zh) * 2003-04-03 2008-10-01 索尼株式会社 发光二极管的图像显示、驱动电路装置及故障检测方法
CN100573173C (zh) * 2007-06-27 2009-12-23 重庆大学 一种led芯片的检测方法
CN102520221A (zh) * 2011-12-21 2012-06-27 中微光电子(潍坊)有限公司 一种电致发光测试电极的制作方法
CN102841281A (zh) * 2012-09-18 2012-12-26 苏州纳方科技发展有限公司 一种led外延片检测方法及装置
CN102866143A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 外延材料层的特性测试装置
CN102955116A (zh) * 2011-08-21 2013-03-06 布鲁克纳米公司 由电致发光半导体晶片测试预测led参数的方法和设备
CN105203305A (zh) * 2015-11-03 2015-12-30 山东华光光电子有限公司 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法
CN109119524A (zh) * 2018-08-13 2019-01-01 广东晶科电子股份有限公司 一种led灯珠打标装置及打标方法
CN109444701A (zh) * 2017-08-31 2019-03-08 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led外延片的无损测试装置及测试方法
WO2021185329A1 (zh) * 2020-03-19 2021-09-23 京东方科技集团股份有限公司 μLED芯片、μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置
WO2021212560A1 (zh) * 2020-04-22 2021-10-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 检测装置以及检测方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2975815B2 (ja) * 1993-08-06 1999-11-10 株式会社東芝 半導体発光素子の評価装置及び評価方法
JPH09330849A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Toshiba Corp 有極コンデンサ極性判定装置
CN2452031Y (zh) * 2000-11-02 2001-10-03 顺德市顺达电脑厂有限公司 触摸式检测发光二极管装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100423045C (zh) * 2003-04-03 2008-10-01 索尼株式会社 发光二极管的图像显示、驱动电路装置及故障检测方法
CN1330970C (zh) * 2003-11-14 2007-08-08 佛山市国星光电科技有限公司 测试功率型led热阻的方法及其专用芯片
CN100573173C (zh) * 2007-06-27 2009-12-23 重庆大学 一种led芯片的检测方法
CN102866143A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 外延材料层的特性测试装置
CN102955116A (zh) * 2011-08-21 2013-03-06 布鲁克纳米公司 由电致发光半导体晶片测试预测led参数的方法和设备
CN102520221A (zh) * 2011-12-21 2012-06-27 中微光电子(潍坊)有限公司 一种电致发光测试电极的制作方法
CN102520221B (zh) * 2011-12-21 2014-02-19 中微光电子(潍坊)有限公司 一种电致发光测试电极的制作方法
CN102841281A (zh) * 2012-09-18 2012-12-26 苏州纳方科技发展有限公司 一种led外延片检测方法及装置
CN105203305A (zh) * 2015-11-03 2015-12-30 山东华光光电子有限公司 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法
CN109444701A (zh) * 2017-08-31 2019-03-08 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led外延片的无损测试装置及测试方法
CN109119524A (zh) * 2018-08-13 2019-01-01 广东晶科电子股份有限公司 一种led灯珠打标装置及打标方法
CN109119524B (zh) * 2018-08-13 2019-09-13 广东晶科电子股份有限公司 一种led灯珠打标装置及打标方法
WO2021185329A1 (zh) * 2020-03-19 2021-09-23 京东方科技集团股份有限公司 μLED芯片、μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置
WO2021212560A1 (zh) * 2020-04-22 2021-10-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 检测装置以及检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100418203C (zh) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100418203C (zh) 发光二极管外延片电致发光无损检测方法
CN103217229B (zh) 一种发光二极管的结温测量方法及应用
CN105792430A (zh) 通过交流驱动来延长oled发光器件寿命的方法
CN101619814B (zh) 直嵌式大功率led照明模块
CN101586791A (zh) 一种简约节能半导体灯
CN209045600U (zh) 一种微发光二极管
CN202056656U (zh) 一种高散热led路灯
CN103687215A (zh) 声光双控延时led照明灯
CN201927603U (zh) 一种图形化led器件
CN204403826U (zh) 使用寿命长的无极灯
CN201936915U (zh) 一种led封装结构及其led模组
CN105352620B (zh) 一种发光二极管的结温测量方法及应用
CN204042621U (zh) 一种新型led隧道灯
CN1434522A (zh) 一种高功率的发光二极管封装方法
CN205016529U (zh) 一种用于led光源的芯片及用其制备的led光源
CN208336271U (zh) 一种侧背光式三色rgb led封装结构
CN105430811A (zh) 一种延长oled寿命的驱动方法
CN207967044U (zh) 一种五脚全彩led封装结构
CN207378508U (zh) 一种新型led工矿灯模组
CN210042304U (zh) 一种led驱动电源
CN202056655U (zh) 一种led路灯
CN208336262U (zh) 一种rgb全彩led封装结构
CN202884621U (zh) 适用于高压交流工作条件的环状led光源
CN103687223A (zh) Led变色灯泡
CN202102068U (zh) 一种smd led批量检测装置

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080910

Termination date: 20120705