JP5213147B2 - 半導体発光素子検査装置 - Google Patents
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Description
また、特許文献3には、配光強度分布を測定するために、複数個所を同時に測定する技術が開示されている。
以下、本発明の第1の実施形態を、図1を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態におけるLED101の発光状況の説明図である。
また、φを固定した場合における、発光中心軸となす角度をθと定義する。
LED101の発光面101aから放射される光の強度は、発光中心軸からの角度θ等によって異なる(図2も参照のこと)。
LED101は、θが同じ場合には同じ光の強度を示すことが通常であるという前提で検査工程が構築されている。
しかし、LED101によっては、θが同じでも、φが異なれば異なる光の強度となる場合もある。
そのような、光の強度を視覚的に表わすために、図1(b)のような図が用いられる。
この図1(b)において、X軸とY軸との交点部分がθ=0°を表わしている。
そして、円上の各点がθ=90°の各φの位置をそれぞれ表わしている。
このような図において、光の強度に応じて濃淡をつけることによって、光の強度を表わしている。そして、この濃淡に基づいて、光の強度を視覚的に知ることが可能となる(図3及び図4参照のこと)。
なお、図1(c)は、φの値が一定の位置における断面図である。
このような、図1において、LED101からの同一の距離における光の強度を配光強度と定義する。
製造されたLED101のこの配光強度を測定することによって、そのLED101の特性を判断することが可能である。
この特性の判断とは、例えば、全体としての配光強度が一定程度を満たさない、一定のθの位置における配光強度が一定程度を満たさない等の判断がなされる。
さらに、全体としての配光強度が一定程度を満し、かつ、一定のθの位置における配光強度が一定程度を満たしていても、その程度等に応じて、ランク分け等の判断がなされる。
なお、この判断によって、良品不良品の分別、良品の中でのランク分け等がなされる。
以後の説明も、特に記載のない限り、LED101がほぼ点であると仮定して記載している。なぜなら、LED101は通常CCD105等(図5参照)と比較すると極めて小さいことから、このように仮定することができるからである。
そして、この配光強度を各θの角度について測定して、これをグラフしたものが配光強度分布である。さらに、各θの角度及び各φの角度において測定し、球座標で表したものも配光強度分布という(以下、このような球座標における配光強度分布を球面配光強度分布という)。
この球面配光強度分布を求めることができれば、LED101の特性を精密に把握し分別等することが可能となる。
しかし、球面配光強度分布は球座標で表されているため、これを直接計測することは困難である。
さらに、本実施形態で求めているのは、球面配光強度分布の測定ではなく、LED101が一定の性能を満たしているか、満たしている場合にその程度等によって分別を可能とするような検査を行うことである。
したがって、精密な球面配光配光強度分布を求める必要はない。
その代り、一定の性能を満たしているLED101が出射する光を受光したCCD105(Charge Coupled Device)が出力する受光情報(画像情報)を予め計測又は計算によって保持(この保持されている情報を基準情報という)しておき、この基準情報と検査対象のLED101が出射した光を受光したCCD105から現実に出力された受光情報(画像情報)を比較する。
そして、比較の結果、基準情報との差異が一定の範囲内であるLED101について、同じく一定の性能を満たしているとして分別を行う。
なお、基準情報は一定の性能を満たしたLED101の情報だけではなく、一定の性能を満たしたうえでの分別を可能とするように、分別対象ごとに保持されている。
ここで、LED101の光を受光するCCD105を単に配置して、受光情報(画像情報)の出力を受けるのが通常であるが、単純にこのようにしてしまうと、CCD105に直接入射する光の範囲の受光情報(画像情報)をより広範囲における情報を取得することができない。
そこで、本実施形態では、反射部123を用いることで、θが広範囲の受光情報(画像情報)を取得している。なお、基準情報は、反射部123が存在する状態で計測又は計算されている。
しかし、検査対象のLED101には様々な特性のLED101が存在することが想定される。
そこで、このさまざまなLED101の例として、図2(b)のcos型のLED101及び図2(c)のドーナツ型のLED101を用いて、本実施形態は説明していく。
cos型及びドーナツ型のLED101は、あくまで例であり、この2つの特性を有するLED101を測定の対象に限定する趣旨ではない。もっとも、通常のLED101は、光のピークがcos型のLED101とθ=30°に光の強度のピークをもつドーナツ型のLED101の間の特性を持つことが多い。つまり、検査対象の通常のLED101は、θが0°〜30°の範囲に光の強度のピークがあることが多い。そこで、両極端の例として図2(b)に示されるcos型のLED101とθ=30°のドーナツ型のLED101を例に以下説明をするものである。
LED101の本来の特性を示す、球面配光強度分布は球座標で示されているため、図示することが困難である。
そこで、後述する図3(b)及び図4(b)のような、平面にて表したもの(これを平面配光強度分布と以下いう。)を用いて視覚化して、人間の感覚においてとらえることを可能にしている。なお、この平面配光強度分布は、あくまでLED101の特性を説明するために便宜的に用いているものであり、本実施形態において、これを算出(検出、測定)することは行っていない。
なお、図8(a)、図10(c)及び図11(c)においてもこの平面配光強度分布と類似する図が用いられているが、この図8(a)、図10(c)及び図11(c)と平面配光強度分布とは異なる図である。
この図8(a)、図10(c)及び図11(c)が、本実施形態において、CCD105が現実に受光、出力する受光情報(画像情報)の図である。
この図8(a)、図10(c)及び図11(c)を得るために、図5〜図7の半導体発光素子検査装置3(光素子用受光モジュール1)が用いられる。
そして、この半導体発光素子検査装置3(光素子用受光モジュール1)によって、LED101が検査され、分別されることになる。
図2(b)は、θが0°の場合に配光強度が最も強いLED101(cos型)の例であり、図2(c)は、θが30°近傍の場合に配光強度が最も強いLED101(ドーナツ型)の例である。
なお、通常は、θ=90°で配光強度はゼロになる。
また、この図2では、θの角度の最大値はθ=90°であるが、θの角度を90°以上として配光強度を測定しても良い。例えば、θの角度を0°〜135°までの範囲で測定してもよい。なお、θの角度の測定範囲の最大値は当然ながら180°である。
たとえ、一定のφの角度において、図2(b)の様なcos型の配光強度分布を有していたとしても、他のφの角度において、図2(c)の様なドーナツ型の配光強度分布となっている可能性もある。
さらに、より複雑(不均一)な配光強度分布を有するLED101も存在しえるため、このような配光強度分布を有するLED101を高速で検査する必要が生じる。
図3(b)のように、図3(a)のようなcos型の配光強度分布を有するLED101は、θの角度が0°の場合に配光強度が最も高く(濃度が薄く表現されている)、θの角度が大になるに従い、配光強度が低くなる(濃度が濃く表現されている)。
図4(b)のように、図3(a)のようなcos型の配光強度分布を有するLED101は、θの角度が0°の場合における配光強度よりも、θの角度が30°付近で最も配光強度が高く(濃度が薄く表現されている)なっている。
そして、このθの角度30°付近からさらにθの角度が大になるに従い、配光強度が低くなる(濃度が濃く表現されている)。
以下、図5の発光素子用受光モジュール1の構成を説明する。
図5(a)のように、発光素子用受光モジュール1は、本実施形態では、ワーク102(試料設置台)、CCD105、ホルダ107、信号線111、画像処理部113、通信線115、スペーサ117、プローブ針109及び反射部123を有している。もっとも、この全てが発光素子用受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、CCD105を有していれば足りる。
このワーク102と対向する位置に、ホルダ107が、空間を隔てて配置されている。
ホルダ107の内部には、CCD105が配置されている。
LED101、ワーク102及びCCD105は互いに平行となる様に配置されている。
プローブ針109は、受光状況の測定及び電気特性測定時にはLED101の電極に接触して、電圧をLED101に印加する。
ワーク102及びLED101が固定されている状態でプローブ針109が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。逆に、プローブ針109が固定されている状態でワーク102及びLED101が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。
また、プローブ針109は、電気特性計測部119と接続されている。
プローブ針109は、LED101の発光面101aとほぼ平行に、LED101の法線と直角方向に放射状に延在している。
側面部107bは円筒形状を有し、θ=0°の方向に延在した形状を有している。
遮蔽部107a及び側面部107bの中心はθ=0°の方向を有しており、LED101の発光面101aの発光中心軸と同一である。
側面部107bの内周面が形成する中空空間に、CCD105が配置されている。
遮蔽部107aの中心部には、上下逆の円錐台形の中空部を形成する円形開口部107cが形成されている。この円形開口部107cがあることによって、LED101から放射された光をCCD105が受光可能となっている。
遮蔽部107aの内周面によって形成される中空空間は、傾斜面107dから形成されている。
傾斜面107dによって形成される中空空間は、上下逆の略円錐台形状を有している。LED101側からCCD105側に行くに従い直径が大になる形状を有している。
なお、上下逆の略円錐台形状としたのは、中空空間には放物線形状の反射部123が挿入されるため、厳密には放物線の形状で曲率を有しているからである。
この放物線は、LED101が焦点位置(又は焦点位置の近傍)にくるように形成されている。つまり、LED101側から、CCD105側に行くに従い直径が大になるような形状を有している。
このように、反射部123が放物線形状であり、かつ、LED101が放物線の焦点位置(又は焦点位置の近傍)に配置されていることから、反射部123によって反射された光は全て発光中心軸に平行に直進する。
ワーク102は、円錐台形状を有しており、この円錐台の上面にLED101は配置されている。
図5(b)のように、反射部123は、LED101のCCD105側とは反対側位置にまで伸びて形成されている。
このように、反射部123がLED101のCCD105側とは反対側位置にまで伸びて形成されていることによって、θの角度が90°以上の範囲へ出射される光も、反射部123の反射面123aによって反射させることが可能になる。
そして、θの角度が90°以上の方向に出射されLED101のCCD105側とは反対側位置の反射面123aによって反射された光は、θの角度が90°以下の方向に出射され反射面123aによって反射した光と同様に、発光中心軸に対して平行に進む。
このスリット部123b及びプローブ針109は、比較的小さく形成されているため、ワーク102上に配置されているLED101からの光を僅かしか阻害しない。
なお、発光素子用受光モジュール1は、本実施形態では、ワーク102(試料設置台)、CCD105、ホルダ107、信号線111、画像処理部113、通信線115、スペーサ117、を有している。
もっとも、この全てが発光素子用受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、CCD105を有していれば足りる。
電気特性計測部119は、HVユニット153、ESDユニット155、切替えユニット157及び位置決めユニット159を有している。
そして、その受光素子は受光した光の強度(情報)の電気信号をアナログ信号として、画像処理部113に出力する。
このCCD105が出力する光の情報は、X方向(横方向)及びY方向(縦方向)の位置が特定された情報であることから、面としての受光情報ということができる。
つまり、CCD105が出力する情報は面としての受光情報であるから画像情報ということもできる。そのため、CCD105は受光手段であるということができ、さらに特定的に表現すれば撮像手段であるということができる。
画像処理部113は、この受光情報(画像情報)をアナログ信号から、デジタル信号に変換する。さらに、画像処理部113は、テスタ151の比較部165が比較するのに適切な情報に変換(画像処理)する。
具体的には、受光情報(画像情報)を閾値に対して光の強度の高低に応じて白と黒の2値化してもよい。また、他の基準によって2値化しても良い。
さらに、画像処理部113は、受光情報(画像情報)を256階調化しても良い。
他方、256階調化した場合には、LED101の発光状況をより高い分解能で把握することができることから、より、細かい比較が比較部165で可能となるという利点がある。さらに細分化された階調によって、階調化してもよい。
なお、この変換方法はあくまで一例であり、他の方法によって画像処理を行ってよい。
この画像処理部113でデジタル信号化、テスタ151の比較部165が比較するのに適切な情報に変換(画像処理)された画像情報は通信線115を介してテスタ151に出力される。
また、プローブ針109は位置決めユニット159によって位置決め固定されている。
この位置決めユニット159は、ワーク102が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置を一定の位置に保持する機能を有する。逆に、この位置決めユニット159は、プローブ針109が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置をLED101が載置されるワーク102上の所定の位置に移動させ、その後その位置に保持する機能を有する。
通常、このHVユニット153からの電圧の印加状態で、LED101が発光する光をCCD105が測定を行う。
HVユニット153が検出した各種特性情報はテスタ151に出力される。
ESDユニット155が検出した静電破壊情報はテスタ151に出力される。
つまり、この切替えユニット157によって、プローブ針109を介してLED101に印加される電圧が変更される。そして、この変更によって、LED101の検査項目が、定格電圧での各種特性を検出、又は、静電破壊の有無を検出にそれぞれ変更される。
この基準情報は、CCD105が得た受光情報(画像情報)との比較に用いられる。
なお、この基準情報は、前もって記憶しておくことも可能であるし、必要に応じて作成して記憶しておくことも可能である。
具体的には、例えば、cos型の受光情報(画像情報)、θが5°の位置にピークが形成されるドーナツ型のLED101の受光情報(画像情報)、θが10°の位置にピークが形成される受光情報(画像情報)、θが15°の位置にピークが形成される受光情報(画像情報)、θが20°の位置にピークが形成される受光情報(画像情報)、θが25°の位置にピークが形成される受光情報(画像情報)、θが30°の位置にピークが形成される受光情報(画像情報)等の複数の基準情報(基準画像情報)を予め計算又は測定して記憶部161で記憶しておく。
なお、異なる実施形態では、この表示部163によって表示された情報に基づいて検査者がLED101の良否、クラス分け等を判断することもできる。
そして、テスタ151は、これらの入力からLED101の特性を分析・分別を行う。
特に、本実施形態において、テスタ151は、画像処理部113が変換(画像処理)した画像情報の入力を受ける。
そして、記憶部161が記憶している基準情報(基準画像情報)とこの画像情報とをテスタ151内の比較部165において比較する。
その比較は、様々な方法をもちいて良いが、例えば、パターンマッチング等により比較することによって検査される。
なお、光の強度による検査である必要はなく、光学フィルタ等を利用した光の波長での検査等であっても良い。つまり、検査は何らかの基準情報(基準画像情報)との差異から、その一致不一致を検査して、それに基づいて良品不良品の分別、光の波長による分別等ができるものであれば、どのようなものであっても良い。
具体的には、例えば、テスタ151は、一定の性能を有しないLED101は破棄するべき旨の判断する分別を行う。さらに、光の光量毎に分別を行う。
なお、テスタ151は、HVユニット153が検出した各種電気特性情報、ESDユニット155が検出した静電破壊情報からも同様な分別を行う。
なお、物理的な分別は、半導体発光素子検査装置3による検査の後の工程で行われる。
ここで、A地点への直接光がDLAとして表され、A地点への反射光がRLAとして表わされる。なお、A地点へのRLAは、θが90°以内の方向へ放射された光が反射したものである。
また、B地点への直接光がDLBとして表わされ、B地点への反射光がRLBとして表わされる。なお、B地点へのRLBは、θが90°以上の方向へ放射された光が反射したものである。
直接光は、θがθ1以内の範囲の光が直接光になり、反射光はθがθ1〜θ2の範囲の光が反射光となる。
ここで、θ1は、LED101の放射面からCCD105の最外周部へ引く直線のθの値である。
また、θ2は、円錐台形状のワーク102の側面の角度である。つまり、これ以上のθの角度では、ワーク102が光を遮蔽することから反射部123に光が入射せず、反射されないから、θ2以上の角度の光はCCD105が受光しない。その結果、θ2が測定可能最大範囲となる。
例えば、A地点へ入射する光は、θがθA1の直接光とθがθA2の反射光のみであり、他のθの角度の光はA地点に入射することはない。
この放物線と焦点との間の性質を用いて、本実施形態では、CCD105が受光した光の強度の情報から、各θの角度におけるCCD105が受光するであろう受光情報(画像情報)を算出することが可能である。
なお、図8(a)において、濃度の濃い部分が光の強度が低く、濃度の薄い部分が光の強度が高いことを表わしている。なお、この図8(a)の図は、測定するLED101がcos型のLED101である場合を想定している。
この図8(a)のC地点からD地点までの光の強度を現したのが図9(a)である。
図9(a)から分かるように、C地点から外部に進むに従い光の強度は低下する。しかし、E地点で不連続に光の強度が急激に上昇する。そして、E地点からF地点へ進むに従い急激に再度光の強度が低下する。その後、F値地点からD地点までは、徐々に光の強度が低下等している。
なお、F地点における反射光分の強度がゼロなのは、θ=90°の方向にはLED101は光を出射していないからである。
また、CCD105が受光する地点A、F、Eにおける光が、反射部123によって反射されている位置がそれぞれA´、F´、E´に該当する。
また、E´は、反射部123のワーク102側と接する部分の位置である。
まず、θが0°(C地点に該当)〜θ1(D地点に該当)まで増加すると、それに従い、CCD105に直接光としてそれぞれの角度で受光される。さらに、θがθ1(D地点に)〜θ2(E地点に該当)まで増加すると、CCD105に反射光としてそれぞれの角度で受光される。
つまり、θ=0°〜θ1の範囲では、θの角度が増加するに従い、それぞれの角度の光の軌跡は、C地点からE1地点を経由してD1地点へ移動する。
次に、θ=θ1〜θ2の範囲では、さらにθの角度が増加すると、それぞれの角度の光の軌跡は、D(D1、D2)地点で折り返して、D2地点からE2地点まで移動する。
したがって、E(E1、E2)地点までは直接光のみの光が受光されており、E(E1、E2)地点からは直接光と反射光の両方が受光されている。
なお、F地点では、θ=90°の反射光が入射するはずであるが、LED101は、θ=90°方向には光を出射しないため、反射光の量は0となっている。
その結果、例えば、A地点では、θ=θA1での直接光の強度Padと、θ=θA2での反射光の光の強度Parとの合算した光の強度が検出されることになる。
このため、この受光情報(画像情報)を基準情報(基準画像情報)と比較することによって、その測定されているLED101の検査が可能となる。
以下、どのような受光情報となるのかを具体例を示して説明する。
図11は、ドーナツ型のLED101の光をCCD105が受光した場合に得られる受光情報(画像情報)の説明図である。
なお、この図10(c)は、光の強度が図9(a)となる場合における受光情報(画像情報)である。図10(b)は、図9(a)と同じ図である。
図10(a)は、cos型のLED101の配光強度である。もっとも、θが90°以上の範囲(θが90°〜θ2の範囲)についても測定可能であることから、θが90°からθ2までの範囲についても記載している。
図11(b)は、ドーナツ型のLED101における、CCD105が受光する光の強度を現した図である。この図11(b)は、図10(b)と同じ方法で記載したものである。
図11(a)は、ドーナツ型のLED101の配光強度である。もっとも、θが90°以上の範囲(θが90°〜θ2の範囲)についても測定可能であることから、θが90°からθ2までの範囲についても記載している。
なお、以上の例では極端な例としてcos型のLED101とドーナツ型のLED101途を比較したが、通常のLED101はこの間にあり、それらもそれぞれに異なった受光情報(画像情報)を得ることができる。
そして、予め得ていた複数の基準情報(基準画像情報)と比較して分別する。
したがって、基準情報と比較することによって、LED101の不良品、ランク分け等が可能となる。
図12は、第2の実施形態を説明する説明図である。
したがって、複数のLED101を連続的に処理することに適している。
そこで、図12のようにウエハ102c上に複数のLED101が配置されており、これを連続的に測定する。
なお、この第2の実施形態では、反射部123は、θが60°が反射するように形成されている。
そして、この第2の実施形態では、LED101が検査される際に、LED101が放物線形状の焦点付近に配置されるように移動ステージ102bを移動する制御手段を有している。
以上の実施形態では、反射部123は放物線形状の回転体であったが、例えば、CCD105側に行くに従い直径が大となる円錐台形状等であっても良い。つまり、反射部123の放物線形状の回転体に限定する必要はない。
この場合であっても、基準情報だけあれば比較し、検査することが可能であるからである。
したがって、反射部123の形状は放物線を回転させた回転体形状である必要はない。
また、必ずしも放物線の焦点位置にLED101を配置する必要もない。同じく、基準情報だけあれば比較し、検査することが可能であるからである。
本実施形態の半導体発光素子検査装置3は、LED101が放射する光を受光して発光状況の検査を行う半導体発光素子検査装置3であって、LED101の発光中心軸上で、かつ、LED101に対向して配置され、LED101から放射される光を受光し、受光した受光状況を複数地点毎に測定可能なCCD105と、を有する。
また、半導体発光素子検査装置3は、LED101から放射される光を反射してCCD105へ導光する反射部123を有する。
さらに、半導体発光素子検査装置3は、CCD105が得た複数地点毎の受光状況に関する受光情報と比較するために、その比較の基準となる基準情報を記憶する記憶部161と、基準情報と前記受光情報とを比較検査を行うテスタ151と、を有する。
このような構成を有することから、半導体発光素子検査装置3は高速で半導体発光素子の発光状況を測定し、この測定結果に基づいてその半導体発光素子を検査することが可能となる。
このような構成を有することから、画像として受光情報を処理することが可能となり、より高速で半導体発光素子を検査することが可能となる。
このような構成を有することから、テスタ151の比較部165が処理する値が2値しかないためより高速で半導体発光素子を検査することが可能となる。
このような構成を有することから、テスタ151の比較部165での処理を高速化しつつ、高精度で半導体発光素子を検査することが可能となる。
このような構成を有することから、検査者が必要に応じて目視でのチェックをさらに加えることが可能となる。
このように構成されたことから、連続的にLED101を検査することが可能となる。
このような構成を有することで、基準情報をより容易に得ることが可能となる。
このように構成されたことから、連続的にLED101を検査することが可能となる。
さらにまた、本実施形態では、光の波長の測定は行っていなかったが、光学フィルタ等を用いて波長を測定し、その波長毎に分別等することも当然に行ってよい。
加えて、各波長における光の強度を測定することによって分別等してもよい。
本発明において受光状況とは、受光した光の強度、光学フィルタ等を用いた光の波長等の光に含まれる全ての情報をいう。
本発明において発光情報とは、半導体発光素子が発生する光の状況の情報をいう。具体的には、各θの角度、φの角度等における半導体発光素子が出射する光の状況の情報である。
本発明において、受光情報とは、受光手段が受光した受光状況の情報をいう。
また、実施形態のCCD105は、本発明における受光手段の一例である。つまり、本発明における受光手段は、複数の受光素子を有して、光の強度を測定可能なものであればどのようなものであっても良い。また、実施形態のCCD105は、本発明における撮像手段の一例である。つまり、撮像手段とは面としての受光情報を取得可能なものであればどのようなものであっても良い。
また、LED101は、本発明における半導体発光素子の一例である。つまり、半導体発光素子とは、光を発光する素子であればどのようなものであっても良い。ここで、光は可視光に限定されるものではなく、例えば、赤外線、紫外線等であってよい。
さらに、反射部123は、本発明の反射部の一例である。つまり、反射部123は、光を反射可能であればどのようなものであってよく、構成部材自体が反射可能な材料であればそれ自体であってもよいし、反射部が蒸着等でコーティングによって形成されたものであっても良い。
本発明において発光中心軸は、半導体発光素子が光を発する際に光の中心となる軸をいう。
本発明において記憶手段とは、記憶可能なものであればどのようなものであっても良い。例えば、ROM、RAM等であってよい。
本発明において検査手段の一例が、実施形態のテスタ151である。より特定すると、本発明において検査手段の一例が、実施形態の比較部165である。
101 LED(半導体発光素子)
102c ウエハ
105 CCD(受光手段、撮像手段)
109 プローブ針
113 画像処理部
123 反射部
151 テスタ(検査手段)
161 記憶部
163 表示部
165 比較部(検査手段)
Claims (6)
- 半導体発光素子が放射する光を受光して発光状況の検査を行う半導体発光素子検査装置であって、
前記発光状況の検査とは、検査対象の前記半導体発光素子の配光強度を示す発光中心軸からの角度による光強度を測定することによって当該半導体発光素子の特性を判断する検査であり、
前記半導体発光素子検査装置は、
前記半導体発光素子の発光中心軸上で、かつ、前記半導体発光素子に対向して配置され、前記半導体発光素子から放射される光を受光し、面としての受光情報である画像情報を取得可能な撮像手段からなる受光手段と、
前記半導体発光素子から放射される光であって、当該半導体発光素子の発光中心軸からの角度に応じた光を反射して前記受光手段へ導光する反射部と、
前記受光手段が得た前記画像情報と比較するために、その比較の基準となる半導体発光素子の光強度を示す発光中心軸からの角度による光強度である基準画像情報を記憶する記憶手段と、
前記基準画像情報と前記画像情報とを比較することにより前記配光強度を示す特性に関する検査を行う検査手段と、
を有し、
前記反射部は、
前記半導体発光素子と前記受光手段との間に配置され、
その内面が、前記半導体発光素子の前記発光中心軸を中心に放物線を回転させた回転放物面の形状に形成され、
前記検査対象の半導体発光素子は、前記放物線の焦点近傍に配置され、
前記半導体発光素子検査装置は、前記半導体発光素子から放射される光を集光させることなく前記受光手段に受光させ、
前記受光手段は、前記半導体発光素子が発した光のうち前記反射部が反射した反射光と、前記反射部が反射を行わず直接に入射する直接光とを受光する
半導体発光素子検査装置。 - 前記反射部は、前記受光手段まで連続的に形成されている
請求項1に記載の半導体発光素子検査装置。 - 前記撮像手段が撮像した画像情報を2値化して検査手段に提供する画像処理部を有する
請求項1に記載の半導体発光素子検査装置。 - 前記撮像手段が撮像した画像情報を256階調化して検査手段に提供する画像処理部を有する
請求項1に記載の半導体発光素子検査装置。 - 前記撮像手段によって取得された前記画像情報を表示部に表示する
請求項1〜4いずれか1項に記載の半導体発光素子検査装置。 - 前記反射部は、
その内面が前記発光中心軸を中心とした回転体であり、
前記発光中心軸上で切断した断面形状が放物線形状に形成されており、
前記反射部は、前記半導体発光素子側の端部が前記発光中心軸を法線とした平面で切断された形状を有し、
前記端部と前記半導体発光素子との間に、前記半導体発光素子の電極に電圧を印加するためのプローブ針が配置されており、
前記半導体発光素子は、ウエハ上に配置されており、
前記ウエハは移動ステージに保持されており、
前記半導体発光素子が検査される際に、前記移動ステージを移動する制御手段を有し、
前記半導体発光素子が検査される際に、当該半導体発光素子が前記放物線形状の焦点付近に配置されるように前記移動ステージを移動する制御手段を有する
請求項1に記載の半導体発光素子検査装置。
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