JPS6248085A - 半導体発光素子の発光出力測定装置 - Google Patents
半導体発光素子の発光出力測定装置Info
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- JPS6248085A JPS6248085A JP60189234A JP18923485A JPS6248085A JP S6248085 A JPS6248085 A JP S6248085A JP 60189234 A JP60189234 A JP 60189234A JP 18923485 A JP18923485 A JP 18923485A JP S6248085 A JPS6248085 A JP S6248085A
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- Japan
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- light
- light emitting
- emitting
- emitting element
- semiconductor light
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は半導体発光素子の発光出力測定装置に関する
。
。
[発明の技術的背景]
発光ダイオード等の半導体発光素子は、製造後に発光出
力が測定され、このal11定結果に応じて良品、不良
品に選別されたり、発光レベル毎に分類される。このよ
うなiu++定に使用される従来の発光出力測定装置の
概略的な回路構成を第2図に示す。
力が測定され、このal11定結果に応じて良品、不良
品に選別されたり、発光レベル毎に分類される。このよ
うなiu++定に使用される従来の発光出力測定装置の
概略的な回路構成を第2図に示す。
この従来装置を使用した測定方法は、平面状の電極21
上に発光素子22の一方のオーミック電極23を接触さ
せ、さらに針状の電極24を発光索子22の他方のオー
ミック電極25に圧接させ、平面状の電極21と針状の
電極24との間に電流供給回路26を挿入して発光素子
22に一定電流を印加し、また、大面積のフォトダイオ
ード等からなる受光素子27を前記針状の電極24の上
方に配置し、ここで発光索子22の発光を受けて光電変
換し、出力測定回路28の電圧計等で表示させるという
ものである。
上に発光素子22の一方のオーミック電極23を接触さ
せ、さらに針状の電極24を発光索子22の他方のオー
ミック電極25に圧接させ、平面状の電極21と針状の
電極24との間に電流供給回路26を挿入して発光素子
22に一定電流を印加し、また、大面積のフォトダイオ
ード等からなる受光素子27を前記針状の電極24の上
方に配置し、ここで発光索子22の発光を受けて光電変
換し、出力測定回路28の電圧計等で表示させるという
ものである。
[背景技術の問題点]
従来の装置において、発光索子22と受光索子27との
間の距離は、針状の電極24を配置するスペースを確保
するため、通常では数十ミリ以上とる必要かある。この
ため、受光面積が有限な受光索子27では発光索子22
のごく一部の発光出力のみを検出することになる。また
従来、針状の電極24は光を透過しない材料で++X1
成されているため、この電極24は発光素子22の発光
を一部遮断することになる。このため、従来の測定装置
では発光素子22の発光出力を正確に測定することが困
難となる欠点がある。
間の距離は、針状の電極24を配置するスペースを確保
するため、通常では数十ミリ以上とる必要かある。この
ため、受光面積が有限な受光索子27では発光索子22
のごく一部の発光出力のみを検出することになる。また
従来、針状の電極24は光を透過しない材料で++X1
成されているため、この電極24は発光素子22の発光
を一部遮断することになる。このため、従来の測定装置
では発光素子22の発光出力を正確に測定することが困
難となる欠点がある。
[発明の目的]
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
ありその目的は、半導体発光素子の発光出力をできるた
け正確にΔI11定することができる半導体発光素子の
発光出力測定装置を提供することにある。
ありその目的は、半導体発光素子の発光出力をできるた
け正確にΔI11定することができる半導体発光素子の
発光出力測定装置を提供することにある。
[発明のLE要]
上記目的を達成するためこの発明にあっては、半導体発
光素子に動作電流を供給するための二つ以上の外部電極
のうち、受光素子側のものを発光素子の発光波長に対し
て透明な材料で構成し、受光素子と発光素子との間の遮
光物を除去するとともに、両者の間隙をできる限り小さ
くすることによって発光出力の大部分を受光素子に入射
させることを可能とし、これにより測定の精度の向上を
達成するようにしている。
光素子に動作電流を供給するための二つ以上の外部電極
のうち、受光素子側のものを発光素子の発光波長に対し
て透明な材料で構成し、受光素子と発光素子との間の遮
光物を除去するとともに、両者の間隙をできる限り小さ
くすることによって発光出力の大部分を受光素子に入射
させることを可能とし、これにより測定の精度の向上を
達成するようにしている。
[発明の実施例コ
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図はこの発明の一実施例装置の概略的な構成を示す
回路図である。図において11は平面状の電極である。
回路図である。図において11は平面状の電極である。
この電極IIは金属材料の表面を金メッキ1て構成され
ている。この電極ll上には発光索子12の一方のオー
ミック電極13が接続される。
ている。この電極ll上には発光索子12の一方のオー
ミック電極13が接続される。
この発光素子12の他方のオーミック電極14には透明
電極15が圧接される。この透明電極15は発光素子1
2の発光波長を透過する、すなわち発光素子12の発光
波長に対して透明な材料、例えば酸化インジューム、酸
化スズ、酸化チタンのいずれか、もしくはこれらを含む
材料で構成されており、かつシリコンフォトダイオード
等からなる受光素子16の受光面に貼り付けられ、受光
素子16と一体的に形成されている。すなわち、例えば
この受光素子1Gは受光面が透明絶縁物で被覆されてお
り、ここに透明ガラスの表面に酸化チタン層を被覆形成
したものが貼り付けられて構成されている。そして上記
電極11と透明電極15との間には定電流源および電流
計等からなる電流供給回路17が挿入されている。さら
に上記受光素子16の一対の電極間には電源、光電流−
電圧変換用の抵抗および電圧計からなる出力alll回
定18が挿入されている。
電極15が圧接される。この透明電極15は発光素子1
2の発光波長を透過する、すなわち発光素子12の発光
波長に対して透明な材料、例えば酸化インジューム、酸
化スズ、酸化チタンのいずれか、もしくはこれらを含む
材料で構成されており、かつシリコンフォトダイオード
等からなる受光素子16の受光面に貼り付けられ、受光
素子16と一体的に形成されている。すなわち、例えば
この受光素子1Gは受光面が透明絶縁物で被覆されてお
り、ここに透明ガラスの表面に酸化チタン層を被覆形成
したものが貼り付けられて構成されている。そして上記
電極11と透明電極15との間には定電流源および電流
計等からなる電流供給回路17が挿入されている。さら
に上記受光素子16の一対の電極間には電源、光電流−
電圧変換用の抵抗および電圧計からなる出力alll回
定18が挿入されている。
また、上記透明電極15が一体形成された受光素子16
は図示しない移動機構により図中の」−下方向に移動が
可能にされており、この移動機構により受光素子16か
下降することによって、上記透明電極15が発光素子1
2の他方のオーミック電極14に圧接されるようになっ
ている。
は図示しない移動機構により図中の」−下方向に移動が
可能にされており、この移動機構により受光素子16か
下降することによって、上記透明電極15が発光素子1
2の他方のオーミック電極14に圧接されるようになっ
ている。
このような構成によれば、発光素子12の発光出力の測
定を行なう際、受光素子16は透明電極15を介して発
光素子12と接触するので、受光素子16と発光索子1
2との間の間隙は数ミリ、例えば3ミリ程度にてきる。
定を行なう際、受光素子16は透明電極15を介して発
光素子12と接触するので、受光素子16と発光索子1
2との間の間隙は数ミリ、例えば3ミリ程度にてきる。
また、受光素子16と発光素子12との間には従来のよ
うな光遮蔽物が存在しないので、発光索子12の発光出
力の大部分を受光素子16に入射させることができる。
うな光遮蔽物が存在しないので、発光索子12の発光出
力の大部分を受光素子16に入射させることができる。
このため、従来装置において受光素子の入射率が約5%
ないし1096であったのに比べ、上記実施例装置では
約50%ないし70%に向上した。この結果、発光索子
12の発光出力を正確に測定することができ、i’1l
11定精度の大幅な向上を達成することかできる。
ないし1096であったのに比べ、上記実施例装置では
約50%ないし70%に向上した。この結果、発光索子
12の発光出力を正確に測定することができ、i’1l
11定精度の大幅な向上を達成することかできる。
なお、透明電極15の光透過率が低いような場合には、
予め出力測定回路18で補正係数を設定しておけばよい
。さらに透明電極15の構成材料、形成方法、各部の位
置関係等は上記実施例に限定されるものではなく、種々
の変形が可能であることはいうまでもない。
予め出力測定回路18で補正係数を設定しておけばよい
。さらに透明電極15の構成材料、形成方法、各部の位
置関係等は上記実施例に限定されるものではなく、種々
の変形が可能であることはいうまでもない。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、半導体発光素子
の発光出力を正確に測定することかできる半導体発光素
子の発光出カフl1ll定装置を提供することかできる
。
の発光出力を正確に測定することかできる半導体発光素
子の発光出カフl1ll定装置を提供することかできる
。
第1図はこの発明に係る測定装置の概略的な構成を示す
回路図、第2図は従来装置の回路図である。 11・・平面状の電極、12・・・半導体発光素子、1
3゜14・・・オーミック電極、15・・・透明電極、
16・・・受光素子、17・・・電流供給回路、18・
・・出力Al11定回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 1 閣 第20
回路図、第2図は従来装置の回路図である。 11・・平面状の電極、12・・・半導体発光素子、1
3゜14・・・オーミック電極、15・・・透明電極、
16・・・受光素子、17・・・電流供給回路、18・
・・出力Al11定回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 1 閣 第20
Claims (2)
- (1)半導体発光素子の電極と接触するように配置され
半導体発光素子に動作電流を供給するための二つ以上の
外部電極と、上記半導体発光素子の発光出力を検出する
受光素子とを備え、少なくとも一つの外部電極を上記半
導体発光素子の発光波長を透過する材料で構成したこと
を特徴とする半導体発光素子の発光出力測定装置。 - (2)前記少なくとも一つの外部電極が酸化インジュー
ム、酸化スズ、酸化チタンのいずれか、もしくはこれら
を含む材料で構成された特許請求の範囲第1項に記載の
半導体発光素子の発光出力測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18923485A JPH0691284B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18923485A JPH0691284B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6248085A true JPS6248085A (ja) | 1987-03-02 |
JPH0691284B2 JPH0691284B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16237845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18923485A Expired - Fee Related JPH0691284B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体発光素子の発光出力測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0691284B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531878A (ja) * | 2004-04-01 | 2007-11-08 | ウエントワース ラボラトリーズ,インコーポレイテッド | 半導体装置の両面プロービング |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5422576U (ja) * | 1977-07-16 | 1979-02-14 | ||
JPS58105581A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体光結合装置 |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP18923485A patent/JPH0691284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5422576U (ja) * | 1977-07-16 | 1979-02-14 | ||
JPS58105581A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体光結合装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531878A (ja) * | 2004-04-01 | 2007-11-08 | ウエントワース ラボラトリーズ,インコーポレイテッド | 半導体装置の両面プロービング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0691284B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |