JPH038705A - 窒化ホウ素製造法 - Google Patents
窒化ホウ素製造法Info
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- JPH038705A JPH038705A JP14053689A JP14053689A JPH038705A JP H038705 A JPH038705 A JP H038705A JP 14053689 A JP14053689 A JP 14053689A JP 14053689 A JP14053689 A JP 14053689A JP H038705 A JPH038705 A JP H038705A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は工具に適用される超硬質材料、ボイラ、タービ
ンの耐摩耗コーティング材料、半導体材料に係る窒化ホ
ウ素製造法に関する。
ンの耐摩耗コーティング材料、半導体材料に係る窒化ホ
ウ素製造法に関する。
[従来の技術]
従来の窒化ホウ素製造法を第2図に示す。
第2図において、21は石英管、22は石英管21内に
反応ガスを供給するための供給口、23は誘導コイル、
24は誘導コイル23に接続された高周波発振器である
。
反応ガスを供給するための供給口、23は誘導コイル、
24は誘導コイル23に接続された高周波発振器である
。
また、25は電気炉、26は電気炉25の電源、27は
フィラメント、28はフィラメント27の加熱用電源、
29は排気口、30は基板である。
フィラメント、28はフィラメント27の加熱用電源、
29は排気口、30は基板である。
ここに説明する方法は、化学気相合成法であり、反応ガ
スとしてアンモニア(NH3)とジボラン(B2H6)
を使用している。
スとしてアンモニア(NH3)とジボラン(B2H6)
を使用している。
作用は次の通りである。
■ まず、図示せぬ真空排気装置によって真空容器を減
圧する。通常10−1〜10−2Torrまで減圧する
。
圧する。通常10−1〜10−2Torrまで減圧する
。
■ 次に反応ガスとしてのアンモニア(NH3)とジボ
ラン(B2Hb)を供給口22より石英管21内に供給
する。
ラン(B2Hb)を供給口22より石英管21内に供給
する。
■ ここで、高周波発振器24を作動させると、誘導コ
イル23部の石英管21内に交番磁場が発生し、これに
よって反応ガスが励起され、イオンあるいは活性種とな
る。このうち、窒素のイオンあるいは活性種とホウ素の
イオンあるいは活性種が反応し、基板30上に固相の窒
化ホウ素を合成する。
イル23部の石英管21内に交番磁場が発生し、これに
よって反応ガスが励起され、イオンあるいは活性種とな
る。このうち、窒素のイオンあるいは活性種とホウ素の
イオンあるいは活性種が反応し、基板30上に固相の窒
化ホウ素を合成する。
■ フィラメント27および電気炉25の加熱によって
、その合成はさらに促進され、反応性を増すことになる
。
、その合成はさらに促進され、反応性を増すことになる
。
[発明が解決しようとする課題〕
上記したように、従来の化学気相合成法では、反応ガス
として、ジボラン(B2H6)を使用しているが、これ
は毒性が非常に強く、取扱いを十分に留意する必要があ
る。
として、ジボラン(B2H6)を使用しているが、これ
は毒性が非常に強く、取扱いを十分に留意する必要があ
る。
このため、装置までの配管系には、厳重なり−クチニッ
クを行い排気系には除外装置、希釈装置等の付帯設備を
設ける必要がある。さらにガス漏れ警報装置等の安全装
置も当然不可欠な装置として含まれる。
クを行い排気系には除外装置、希釈装置等の付帯設備を
設ける必要がある。さらにガス漏れ警報装置等の安全装
置も当然不可欠な装置として含まれる。
このように、従来、毒性の強いジボラン(B2H6)を
使用するため犬山りな装置となり、高コストにつながる
等の問題があった。
使用するため犬山りな装置となり、高コストにつながる
等の問題があった。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、毒性の
強いガスを使用せずに、比較的簡単な構成で窒化ホウ素
を製造可能とする窒化ホウ素製造法を提供することを目
的とする。
強いガスを使用せずに、比較的簡単な構成で窒化ホウ素
を製造可能とする窒化ホウ素製造法を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段]
すなわち、本発明に係る窒化ホウ素製造法は、螺旋状に
巻いた誘導コイル内に円筒を配し、円筒管に作動ガス供
給手段を設けて、上記円筒管内にプラズマを発生させる
高周波誘導プラズマ発生装置において、プラズマ内に窒
素ガスおよびホウ素粉末を供給し、窒化ホウ素を合成す
ることを特徴とする。
巻いた誘導コイル内に円筒を配し、円筒管に作動ガス供
給手段を設けて、上記円筒管内にプラズマを発生させる
高周波誘導プラズマ発生装置において、プラズマ内に窒
素ガスおよびホウ素粉末を供給し、窒化ホウ素を合成す
ることを特徴とする。
ホウ素粉末は、プラズマによって分解され、イオン種あ
るいは活性種となる。また、窒素ガスは、プラズマ化す
る。つまり、窒素ガスもイオン種あるいは活性種となる
。
るいは活性種となる。また、窒素ガスは、プラズマ化す
る。つまり、窒素ガスもイオン種あるいは活性種となる
。
適当な条件下において、ホウ素のイオン種あるいは活性
種と窒素のイオン種あるいは活性種が結合し、基板表面
上に同相の窒化ホウ素が合成される。
種と窒素のイオン種あるいは活性種が結合し、基板表面
上に同相の窒化ホウ素が合成される。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の一実施例に係る窒化ホウ
素製造法を説明する。
素製造法を説明する。
第1図に本発明の一実施例としての装置構成を示す。第
1図において、1は3回螺旋状に巻いた鋼管の誘導コイ
ルである。この鋼管の中には、冷却水が流れている。2
は誘導コイルlに接続した高周波発振器である。本実施
例では、4MHz。
1図において、1は3回螺旋状に巻いた鋼管の誘導コイ
ルである。この鋼管の中には、冷却水が流れている。2
は誘導コイルlに接続した高周波発振器である。本実施
例では、4MHz。
80KWの性能を有する発振器を使用している。
3は石英ガラスの円筒管であり、二重管となっている。
4は石英ガラス二重管3内への冷却水供給口であり、5
は冷却水出口である。6は雰囲気制御室、7は基板、8
は上下動可能な基板ホルダである。9は雰囲気制御室6
の排気口であり、図示せぬ排気装置につながっている。
は冷却水出口である。6は雰囲気制御室、7は基板、8
は上下動可能な基板ホルダである。9は雰囲気制御室6
の排気口であり、図示せぬ排気装置につながっている。
10はプラズマ18となる作動ガスの供給口であり、1
1はその作動ガスのミキシング装置である。12はプラ
ズマ18内にホウ素粉末を供給するノズルである。
1はその作動ガスのミキシング装置である。12はプラ
ズマ18内にホウ素粉末を供給するノズルである。
13はホウ素粉末が入っているダンパであり、14はホ
ウ素粉末とキャリアガスを混合する装置である。15は
窒素ガスボンベ、16はアルゴンガスボンベであり、い
ずれもプラズマガスに使用する。
ウ素粉末とキャリアガスを混合する装置である。15は
窒素ガスボンベ、16はアルゴンガスボンベであり、い
ずれもプラズマガスに使用する。
17はアルゴンガスボンベであり、ホウ素粉末をプラズ
マ内に供給するキャリアガスとして使用する。18はプ
ラズマである。
マ内に供給するキャリアガスとして使用する。18はプ
ラズマである。
次に、本実施例の作用について説明する。
■ アルゴンガスボンベ16から供給口10を通してア
ルゴルを円筒管3の中に供給する。本実施例での流量は
、40〜5047/winである。
ルゴルを円筒管3の中に供給する。本実施例での流量は
、40〜5047/winである。
■ 高周波発振器2を作動させ、誘導コイル1に高周波
電流を流すと、石英管内で交番磁場が発生し、これによ
ってアルゴンガスが電離され、イオン化してプラズマ1
8が発生する。
電流を流すと、石英管内で交番磁場が発生し、これによ
ってアルゴンガスが電離され、イオン化してプラズマ1
8が発生する。
■ さらに、ミキシング装置11によってアルゴンガス
に窒素ガスを混入すると、アルゴンと窒素のプラズマ1
8が得られる。
に窒素ガスを混入すると、アルゴンと窒素のプラズマ1
8が得られる。
■ 高周波発振器2の出力を上げ、アルゴンおよび窒素
ガス流量を適性条件に設定する。本実施例では、高周波
出力60KW、窒素ガス20Ω/1n1アルゴンガス5
0g/rAinとしている。
ガス流量を適性条件に設定する。本実施例では、高周波
出力60KW、窒素ガス20Ω/1n1アルゴンガス5
0g/rAinとしている。
■ また、雰囲気制御室6の圧力を大気圧より少し減圧
した状態とするように図示せぬ排気装置により残留ガス
を排気する。
した状態とするように図示せぬ排気装置により残留ガス
を排気する。
以上の操作によって、10,000〜15,000°K
に達するプラズマ18が得られる。
に達するプラズマ18が得られる。
■ 次に、このプラズマ18内にホウ素粉末を1共給す
るため、アルゴンガスボンベ17からのキャリアガスに
混合装置14によってホウ素粉末を混ぜて、ノズル12
からプラズマ18内に供給する。
るため、アルゴンガスボンベ17からのキャリアガスに
混合装置14によってホウ素粉末を混ぜて、ノズル12
からプラズマ18内に供給する。
■ ホウ素粉末は、プラズマ18によって分解され、イ
オン種あるいは活性種となる。
オン種あるいは活性種となる。
■ 基盤ホルダ8を上下し、適性位置を選定することに
よって、ホウ素のイオン種あるいは活性種と、窒素のイ
オン種あるいは活性種は、基板7上で結合し、窒化ホウ
素の膜あるいは粉末として合成される。
よって、ホウ素のイオン種あるいは活性種と、窒素のイ
オン種あるいは活性種は、基板7上で結合し、窒化ホウ
素の膜あるいは粉末として合成される。
[発明の効果コ
以上のように本発明によれば、以下のような効果が得ら
れる。
れる。
■、従来の毒性の強いガスを使用しないため、安全装置
、除外装置、希釈装置等の付帯装置が不要であり、比較
的簡単な装置で済み、低コスト化が図れる。
、除外装置、希釈装置等の付帯装置が不要であり、比較
的簡単な装置で済み、低コスト化が図れる。
2、ガス漏れによる災害を全く考える必要がない。
3、原料は窒化ガスとホウ素粉末であり、従来の原料ガ
スに比べて安価であり、取扱いが簡単である。
スに比べて安価であり、取扱いが簡単である。
ル
第1図は本発明の一実施例に係る窒弁ホウ素製造法を説
明するための図、第2図は従来の窒素ホウ素製造法を説
明するための図である。 1・・・誘導コイル、2・・・高周波発振器、3・・・
白筒、4・・・冷却水供給口、5・・・冷却水出口、6
・・・雰囲気制御室、7・・・基板、8・・・基板ホル
ダ、9・・・排気口、10・・・供給口、11・・・ミ
キシング装置、12・・・ノズル、13・・・ダンパ、
14・・・混合装置、15・・・窒素ボンベ、16.1
7・・・アルゴンガスボンベ、18・・・プラズマ。
明するための図、第2図は従来の窒素ホウ素製造法を説
明するための図である。 1・・・誘導コイル、2・・・高周波発振器、3・・・
白筒、4・・・冷却水供給口、5・・・冷却水出口、6
・・・雰囲気制御室、7・・・基板、8・・・基板ホル
ダ、9・・・排気口、10・・・供給口、11・・・ミ
キシング装置、12・・・ノズル、13・・・ダンパ、
14・・・混合装置、15・・・窒素ボンベ、16.1
7・・・アルゴンガスボンベ、18・・・プラズマ。
Claims (1)
- 螺旋状に巻いた誘導コイル内に円筒を配し、上記円筒
管に作動ガス供給手段を設けて、上記円筒管内にプラズ
マを発生させる高周波誘導プラズマ発生装置において、
プラズマ内に窒素ガスおよびホウ素粉末を供給し、窒化
ホウ素を合成することを特徴とする窒化ホウ素製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14053689A JPH038705A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 窒化ホウ素製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14053689A JPH038705A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 窒化ホウ素製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH038705A true JPH038705A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15270954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14053689A Pending JPH038705A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 窒化ホウ素製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH038705A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002293516A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2008222488A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | National Institute For Materials Science | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6395200A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素膜の製造方法 |
JPS63128179A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化硼素の合成方法および合成装置 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14053689A patent/JPH038705A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6395200A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素膜の製造方法 |
JPS63128179A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化硼素の合成方法および合成装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002293516A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2008222488A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | National Institute For Materials Science | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
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