JPH0384808A - 高分子固体電解質 - Google Patents
高分子固体電解質Info
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- JPH0384808A JPH0384808A JP1220784A JP22078489A JPH0384808A JP H0384808 A JPH0384808 A JP H0384808A JP 1220784 A JP1220784 A JP 1220784A JP 22078489 A JP22078489 A JP 22078489A JP H0384808 A JPH0384808 A JP H0384808A
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Classifications
-
- Y02E60/122—
Landscapes
- Secondary Cells (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一次電池、二次電池、エレクトロク↓ I
ヨフクディスデVイ、電気化学センサー、イオントフォ
V−Fス、及びコンデンサー等の電気化学的デバイスに
用いる高分子固体電解質に関するものである〇 従来技術とその問題点 従来、アクリ山イ〃変性ボリア〃キレンオキVドをイオ
ン性塩と骸イオン性塩な溶解することができる化合物を
含んだ状態で、電子線、光、熱などによって架橋ネット
ワークした高分子固体電解質について報告されている。
V−Fス、及びコンデンサー等の電気化学的デバイスに
用いる高分子固体電解質に関するものである〇 従来技術とその問題点 従来、アクリ山イ〃変性ボリア〃キレンオキVドをイオ
ン性塩と骸イオン性塩な溶解することができる化合物を
含んだ状態で、電子線、光、熱などによって架橋ネット
ワークした高分子固体電解質について報告されている。
この高分子固体電解質は非常に脆いため、柔軟性が要求
される物に適用した場合、例えば、電池ではV璽−トが
生じる原因となる。又、弾力性に欠けるので面に加わる
外部圧力によって電池が押し潰される等の問題点を有す
るものである。
される物に適用した場合、例えば、電池ではV璽−トが
生じる原因となる。又、弾力性に欠けるので面に加わる
外部圧力によって電池が押し潰される等の問題点を有す
るものである。
発明の巨的
本発明は上記従来のI!J1題点lc鑑みなされたもの
であり、化学的又は電気化学的な安定性に優れ、柔軟性
を有し、生産性の高い、イオン伝導性(優れた高分子固
体電解質を提供することを目的とするものである。
であり、化学的又は電気化学的な安定性に優れ、柔軟性
を有し、生産性の高い、イオン伝導性(優れた高分子固
体電解質を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するべく、
イオン性塩と骸イオン性塩を溶解することができる化合
物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイμ系化合
物にイソプレン又は/及びブタジェンを反応させ架橋ネ
ットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴とする
高分子固体電解質である〇 又、反応が活性光線、又は電離性放射線による請求項1
記載の高分子固体電解質である。
物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイμ系化合
物にイソプレン又は/及びブタジェンを反応させ架橋ネ
ットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴とする
高分子固体電解質である〇 又、反応が活性光線、又は電離性放射線による請求項1
記載の高分子固体電解質である。
作用
インプレン又はブタジェンはエラストマーの原料であり
、これらを用いた化合物はゴム弾性を有し、柔軟になる
@ 実施例 以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
、これらを用いた化合物はゴム弾性を有し、柔軟になる
@ 実施例 以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
実施例1
ポリエチVンオキVドジアクリレート(平均分子量52
0 ’) 10重量部、イソ1172重量部、トリフ〃
オロメタンスμホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフ
ェノン1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に
均一に混合溶解した。
0 ’) 10重量部、イソ1172重量部、トリフ〃
オロメタンスμホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフ
ェノン1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に
均一に混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、15cmの距離
からIKWのUvヲンデで1o秒間紫外線照射し〜厚み
100声調のフィルムを得た。この農のイオン伝導度を
複素インピーダンス法で測定したところ、7.OX 1
0”−’ S n−’ (温度25℃)を示した。この
膜を、種々の直径のステンレス棒に当てて折り曲げ、ス
テンレス棒の直径で、展開れに対する強度を評価した。
からIKWのUvヲンデで1o秒間紫外線照射し〜厚み
100声調のフィルムを得た。この農のイオン伝導度を
複素インピーダンス法で測定したところ、7.OX 1
0”−’ S n−’ (温度25℃)を示した。この
膜を、種々の直径のステンレス棒に当てて折り曲げ、ス
テンレス棒の直径で、展開れに対する強度を評価した。
この膜は、直径2.0髄で膜割れが生じた。
実施例2
ポリエチレンオキVドジアクリV−)(平均分子量52
0)10重量部、イソグレン4重量部、トリフμオロメ
タンスρホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフェノン
1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に均一に
混合溶解した。
0)10重量部、イソグレン4重量部、トリフμオロメ
タンスρホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフェノン
1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に均一に
混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、15cmの距離
からlK11IのυVヲンデで10秒間紫外線照射し、
厚み1100Pのフィルムを得た。この膜のイオン伝導
度を複素インピーダンス法で測定したトコ口、4.OX
10−’ Selm−’ ([25℃)を示した。こ
の膜を、実施例1と同様にして膜強度を評価したが、直
径1.0鴫でも!l!劃れは生じなかった。
からlK11IのυVヲンデで10秒間紫外線照射し、
厚み1100Pのフィルムを得た。この膜のイオン伝導
度を複素インピーダンス法で測定したトコ口、4.OX
10−’ Selm−’ ([25℃)を示した。こ
の膜を、実施例1と同様にして膜強度を評価したが、直
径1.0鴫でも!l!劃れは生じなかった。
比較例1
ポリエチレンオキシドジアクリレート(平均分子量52
0 )10重量部、トリフρオツメタンスρホン酸リチ
ウム1.3重量部、ベンゾフェノ71重量部をゾロピレ
ノカーボネート10重量部に均一に混合溶解した。この
混合物をガラス板上にキャストし、実施例1と同様に紫
外線照射し、イオン伝導度、膜調れを調ぺた。フィルム
の厚さは100pjl’sイオン伝導度は&0X10−
’Sem−’(温度25℃)、この膜は直径5.0mで
膜割れが生じた。
0 )10重量部、トリフρオツメタンスρホン酸リチ
ウム1.3重量部、ベンゾフェノ71重量部をゾロピレ
ノカーボネート10重量部に均一に混合溶解した。この
混合物をガラス板上にキャストし、実施例1と同様に紫
外線照射し、イオン伝導度、膜調れを調ぺた。フィルム
の厚さは100pjl’sイオン伝導度は&0X10−
’Sem−’(温度25℃)、この膜は直径5.0mで
膜割れが生じた。
実施例5
ポリエチレンオキシドジアクリレート(平均分子量52
0 ) 10重量部、ブタジェン2重量部、トリフ〃オ
ロメタンスμホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフェ
ノン1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に均
一に混合溶解した。
0 ) 10重量部、ブタジェン2重量部、トリフ〃オ
ロメタンスμホン酸リチウム1.3重量部、ベンゾフェ
ノン1重量部をゾロピレノカーボネート10重量部に均
一に混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、実施例1と同様
に紫外線照射し、イオン伝導度、膜割れを調べた・フィ
ルムの厚さは100p解、イオン伝導度1t7.0X1
0−’81:11−’(温度25℃)、この膜は直径2
.0gl5で膜割れが生じた。
に紫外線照射し、イオン伝導度、膜割れを調べた・フィ
ルムの厚さは100p解、イオン伝導度1t7.0X1
0−’81:11−’(温度25℃)、この膜は直径2
.0gl5で膜割れが生じた。
実施例4
実施例1W−おいて、ベンゾフェノンを用いない同様の
組成物をガラス板にキャストし、2.5Mradの電子
線を照射し、厚味100声解のフィルムを得た。この膜
のイオン伝導度を複素インピーダン7法で111走した
ところ、7.OX 10−’8 cta−’ (温度2
5℃)を示した。実施例1と同様にして膜強度を評価し
たが直径2.0mで膜割れが生じた。
組成物をガラス板にキャストし、2.5Mradの電子
線を照射し、厚味100声解のフィルムを得た。この膜
のイオン伝導度を複素インピーダン7法で111走した
ところ、7.OX 10−’8 cta−’ (温度2
5℃)を示した。実施例1と同様にして膜強度を評価し
たが直径2.0mで膜割れが生じた。
イオン性塩な溶解することができる化合物は、テトフヒ
ドロフラン、2−メチルテトフヒドロフラン、1,3−
ジオキンラン、4.4−ジメチA’−1,3−ジオキサ
ン、r−プチロヲクトン、エチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、スμホヲ
ン、3−メチ〃スμホラン、tert、−ブチ〃エーテ
N%1so−ブチμエーテμ、1,2ジメトキVエタン
、1,2エトキVメトキVエタン1メチμジグフイム、
メチμトリグフイム、メチ〃テトヲグライム、エチμグ
ツイム、エチμジグライムなどがあるが限定はしない0 イオン性塩としては、Liolo4.LiBF4゜L1
ムB’!6. Li0IF3SO5,LiPF6. L
iI、 LiBrLi5ON、 Na工、 Li2Bl
oO11a、 LiOFgOOz。
ドロフラン、2−メチルテトフヒドロフラン、1,3−
ジオキンラン、4.4−ジメチA’−1,3−ジオキサ
ン、r−プチロヲクトン、エチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、スμホヲ
ン、3−メチ〃スμホラン、tert、−ブチ〃エーテ
N%1so−ブチμエーテμ、1,2ジメトキVエタン
、1,2エトキVメトキVエタン1メチμジグフイム、
メチμトリグフイム、メチ〃テトヲグライム、エチμグ
ツイム、エチμジグライムなどがあるが限定はしない0 イオン性塩としては、Liolo4.LiBF4゜L1
ムB’!6. Li0IF3SO5,LiPF6. L
iI、 LiBrLi5ON、 Na工、 Li2Bl
oO11a、 LiOFgOOz。
)iaBr、 Na5ON、 K8ON、 MgO1t
、 Mg (OIO4)2 。
、 Mg (OIO4)2 。
(OHg)4NBF4. COTC0Tl5)a、 (
02H5)4NOA’04゜(C!2H5)4NI、
(03Hy)aNBr、 (n−04H9)4NOIO
4゜(n−04H?)4NI、 (n−OsHll )
4NIが好ましいが、限定しない。
02H5)4NOA’04゜(C!2H5)4NI、
(03Hy)aNBr、 (n−04H9)4NOIO
4゜(n−04H?)4NI、 (n−OsHll )
4NIが好ましいが、限定しない。
発明の効果
上述した如く、本発明は化学的又は電気化学的な安定性
に優れ、柔軟性を有し、生産性の高い、イオン伝導性に
優れた高分子固体電解質を提供することが出来るので、
その工業的価値は極めて大である。
に優れ、柔軟性を有し、生産性の高い、イオン伝導性に
優れた高分子固体電解質を提供することが出来るので、
その工業的価値は極めて大である。
Claims (2)
- (1)イオン性塩と該イオン性塩を溶解することができ
る化合物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイル
系化合物にイソプレン又は/及びブタジエンを反応させ
架橋ネットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴
とする高分子固体電解質。 - (2)反応が活性光線又は、電離性放射線による請求項
1記載の高分子固体電解質。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1220784A JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1220784A JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0384808A true JPH0384808A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16756521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1220784A Pending JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0384808A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999028986A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Yuasa Corporation | Pile secondaire mince au lithium |
CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5882477A (ja) * | 1981-11-03 | 1983-05-18 | コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ | 電気化学的電池用のポリマーを主成分とする固体電解質の製造法 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220784A patent/JPH0384808A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5882477A (ja) * | 1981-11-03 | 1983-05-18 | コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ | 電気化学的電池用のポリマーを主成分とする固体電解質の製造法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999028986A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Yuasa Corporation | Pile secondaire mince au lithium |
US6673496B1 (en) | 1997-11-27 | 2004-01-06 | Yuasa Corporation | Thin lithium secondary cell |
JP4669980B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2011-04-13 | 株式会社Gsユアサ | 薄形リチウム二次電池 |
CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
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