JPH0384808A - 高分子固体電解質 - Google Patents
高分子固体電解質Info
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- JPH0384808A JPH0384808A JP1220784A JP22078489A JPH0384808A JP H0384808 A JPH0384808 A JP H0384808A JP 1220784 A JP1220784 A JP 1220784A JP 22078489 A JP22078489 A JP 22078489A JP H0384808 A JPH0384808 A JP H0384808A
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Classifications
-
- Y02E60/122—
Landscapes
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一次電池、二次電池、エレクトロク↓ Ｉ
ヨフクディスデＶイ、電気化学センサー、イオントフォ
Ｖ−Ｆス、及びコンデンサー等の電気化学的デバイスに
用いる高分子固体電解質に関するものである〇 従来技術とその問題点 従来、アクリ山イ〃変性ボリア〃キレンオキＶドをイオ
ン性塩と骸イオン性塩な溶解することができる化合物を
含んだ状態で、電子線、光、熱などによって架橋ネット
ワークした高分子固体電解質について報告されている。
Ｖ−Ｆス、及びコンデンサー等の電気化学的デバイスに
用いる高分子固体電解質に関するものである〇 従来技術とその問題点 従来、アクリ山イ〃変性ボリア〃キレンオキＶドをイオ
ン性塩と骸イオン性塩な溶解することができる化合物を
含んだ状態で、電子線、光、熱などによって架橋ネット
ワークした高分子固体電解質について報告されている。
この高分子固体電解質は非常に脆いため、柔軟性が要求
される物に適用した場合、例えば、電池ではＶ璽−トが
生じる原因となる。又、弾力性に欠けるので面に加わる
外部圧力によって電池が押し潰される等の問題点を有す
るものである。
される物に適用した場合、例えば、電池ではＶ璽−トが
生じる原因となる。又、弾力性に欠けるので面に加わる
外部圧力によって電池が押し潰される等の問題点を有す
るものである。
発明の巨的
本発明は上記従来のＩ！Ｊ１題点ｌｃ鑑みなされたもの
であり、化学的又は電気化学的な安定性に優れ、柔軟性
を有し、生産性の高い、イオン伝導性（優れた高分子固
体電解質を提供することを目的とするものである。
であり、化学的又は電気化学的な安定性に優れ、柔軟性
を有し、生産性の高い、イオン伝導性（優れた高分子固
体電解質を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するべく、
イオン性塩と骸イオン性塩を溶解することができる化合
物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイμ系化合
物にイソプレン又は／及びブタジェンを反応させ架橋ネ
ットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴とする
高分子固体電解質である〇 又、反応が活性光線、又は電離性放射線による請求項１
記載の高分子固体電解質である。
物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイμ系化合
物にイソプレン又は／及びブタジェンを反応させ架橋ネ
ットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴とする
高分子固体電解質である〇 又、反応が活性光線、又は電離性放射線による請求項１
記載の高分子固体電解質である。
作用
インプレン又はブタジェンはエラストマーの原料であり
、これらを用いた化合物はゴム弾性を有し、柔軟になる
＠ 実施例 以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
、これらを用いた化合物はゴム弾性を有し、柔軟になる
＠ 実施例 以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
実施例１
ポリエチＶンオキＶドジアクリレート（平均分子量５２
０ ’） １０重量部、イソ１１７２重量部、トリフ〃
オロメタンスμホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフ
ェノン１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に
均一に混合溶解した。
０ ’） １０重量部、イソ１１７２重量部、トリフ〃
オロメタンスμホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフ
ェノン１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に
均一に混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、１５ｃｍの距離
からＩＫＷのＵｖヲンデで１ｏ秒間紫外線照射し〜厚み
１００声調のフィルムを得た。この農のイオン伝導度を
複素インピーダンス法で測定したところ、７．ＯＸ １
０”−’ Ｓ ｎ−’ （温度２５℃）を示した。この
膜を、種々の直径のステンレス棒に当てて折り曲げ、ス
テンレス棒の直径で、展開れに対する強度を評価した。
からＩＫＷのＵｖヲンデで１ｏ秒間紫外線照射し〜厚み
１００声調のフィルムを得た。この農のイオン伝導度を
複素インピーダンス法で測定したところ、７．ＯＸ １
０”−’ Ｓ ｎ−’ （温度２５℃）を示した。この
膜を、種々の直径のステンレス棒に当てて折り曲げ、ス
テンレス棒の直径で、展開れに対する強度を評価した。
この膜は、直径２．０髄で膜割れが生じた。
実施例２
ポリエチレンオキＶドジアクリＶ−）（平均分子量５２
０）１０重量部、イソグレン４重量部、トリフμオロメ
タンスρホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフェノン
１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に均一に
混合溶解した。
０）１０重量部、イソグレン４重量部、トリフμオロメ
タンスρホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフェノン
１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に均一に
混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、１５ｃｍの距離
からｌＫ１１ＩのυＶヲンデで１０秒間紫外線照射し、
厚み１１００Ｐのフィルムを得た。この膜のイオン伝導
度を複素インピーダンス法で測定したトコ口、４．ＯＸ
１０−’ Ｓｅｌｍ−’ （［２５℃）を示した。こ
の膜を、実施例１と同様にして膜強度を評価したが、直
径１．０鴫でも！ｌ！劃れは生じなかった。
からｌＫ１１ＩのυＶヲンデで１０秒間紫外線照射し、
厚み１１００Ｐのフィルムを得た。この膜のイオン伝導
度を複素インピーダンス法で測定したトコ口、４．ＯＸ
１０−’ Ｓｅｌｍ−’ （［２５℃）を示した。こ
の膜を、実施例１と同様にして膜強度を評価したが、直
径１．０鴫でも！ｌ！劃れは生じなかった。
比較例１
ポリエチレンオキシドジアクリレート（平均分子量５２
０ ）１０重量部、トリフρオツメタンスρホン酸リチ
ウム１．３重量部、ベンゾフェノ７１重量部をゾロピレ
ノカーボネート１０重量部に均一に混合溶解した。この
混合物をガラス板上にキャストし、実施例１と同様に紫
外線照射し、イオン伝導度、膜調れを調ぺた。フィルム
の厚さは１００ｐｊｌ’ｓイオン伝導度は＆０Ｘ１０−
’Ｓｅｍ−’（温度２５℃）、この膜は直径５．０ｍで
膜割れが生じた。
０ ）１０重量部、トリフρオツメタンスρホン酸リチ
ウム１．３重量部、ベンゾフェノ７１重量部をゾロピレ
ノカーボネート１０重量部に均一に混合溶解した。この
混合物をガラス板上にキャストし、実施例１と同様に紫
外線照射し、イオン伝導度、膜調れを調ぺた。フィルム
の厚さは１００ｐｊｌ’ｓイオン伝導度は＆０Ｘ１０−
’Ｓｅｍ−’（温度２５℃）、この膜は直径５．０ｍで
膜割れが生じた。
実施例５
ポリエチレンオキシドジアクリレート（平均分子量５２
０ ） １０重量部、ブタジェン２重量部、トリフ〃オ
ロメタンスμホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフェ
ノン１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に均
一に混合溶解した。
０ ） １０重量部、ブタジェン２重量部、トリフ〃オ
ロメタンスμホン酸リチウム１．３重量部、ベンゾフェ
ノン１重量部をゾロピレノカーボネート１０重量部に均
一に混合溶解した。
この混合物をガラス板上にキャストし、実施例１と同様
に紫外線照射し、イオン伝導度、膜割れを調べた・フィ
ルムの厚さは１００ｐ解、イオン伝導度１ｔ７．０Ｘ１
０−’８１：１１−’（温度２５℃）、この膜は直径２
．０ｇｌ５で膜割れが生じた。
に紫外線照射し、イオン伝導度、膜割れを調べた・フィ
ルムの厚さは１００ｐ解、イオン伝導度１ｔ７．０Ｘ１
０−’８１：１１−’（温度２５℃）、この膜は直径２
．０ｇｌ５で膜割れが生じた。
実施例４
実施例１Ｗ−おいて、ベンゾフェノンを用いない同様の
組成物をガラス板にキャストし、２．５Ｍｒａｄの電子
線を照射し、厚味１００声解のフィルムを得た。この膜
のイオン伝導度を複素インピーダン７法で１１１走した
ところ、７．ＯＸ １０−’８ ｃｔａ−’ （温度２
５℃）を示した。実施例１と同様にして膜強度を評価し
たが直径２．０ｍで膜割れが生じた。
組成物をガラス板にキャストし、２．５Ｍｒａｄの電子
線を照射し、厚味１００声解のフィルムを得た。この膜
のイオン伝導度を複素インピーダン７法で１１１走した
ところ、７．ＯＸ １０−’８ ｃｔａ−’ （温度２
５℃）を示した。実施例１と同様にして膜強度を評価し
たが直径２．０ｍで膜割れが生じた。
イオン性塩な溶解することができる化合物は、テトフヒ
ドロフラン、２−メチルテトフヒドロフラン、１，３−
ジオキンラン、４．４−ジメチＡ’−１，３−ジオキサ
ン、ｒ−プチロヲクトン、エチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、スμホヲ
ン、３−メチ〃スμホラン、ｔｅｒｔ、−ブチ〃エーテ
Ｎ％１ｓｏ−ブチμエーテμ、１，２ジメトキＶエタン
、１，２エトキＶメトキＶエタン１メチμジグフイム、
メチμトリグフイム、メチ〃テトヲグライム、エチμグ
ツイム、エチμジグライムなどがあるが限定はしない０ イオン性塩としては、Ｌｉｏｌｏ４．ＬｉＢＦ４゜Ｌ１
ムＢ’！６． Ｌｉ０ＩＦ３ＳＯ５，ＬｉＰＦ６． Ｌ
ｉＩ、 ＬｉＢｒＬｉ５ＯＮ、 Ｎａ工、 Ｌｉ２Ｂｌ
ｏＯ１１ａ、 ＬｉＯＦｇＯＯｚ。
ドロフラン、２−メチルテトフヒドロフラン、１，３−
ジオキンラン、４．４−ジメチＡ’−１，３−ジオキサ
ン、ｒ−プチロヲクトン、エチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、スμホヲ
ン、３−メチ〃スμホラン、ｔｅｒｔ、−ブチ〃エーテ
Ｎ％１ｓｏ−ブチμエーテμ、１，２ジメトキＶエタン
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メチμトリグフイム、メチ〃テトヲグライム、エチμグ
ツイム、エチμジグライムなどがあるが限定はしない０ イオン性塩としては、Ｌｉｏｌｏ４．ＬｉＢＦ４゜Ｌ１
ムＢ’！６． Ｌｉ０ＩＦ３ＳＯ５，ＬｉＰＦ６． Ｌ
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ｏＯ１１ａ、 ＬｉＯＦｇＯＯｚ。
）ｉａＢｒ、 Ｎａ５ＯＮ、 Ｋ８ＯＮ、 ＭｇＯ１ｔ
、 Ｍｇ （ＯＩＯ４）２ 。
、 Ｍｇ （ＯＩＯ４）２ 。
（ＯＨｇ）４ＮＢＦ４． ＣＯＴＣ０Ｔｌ５）ａ、 （
０２Ｈ５）４ＮＯＡ’０４゜（Ｃ！２Ｈ５）４ＮＩ、
（０３Ｈｙ）ａＮＢｒ、 （ｎ−０４Ｈ９）４ＮＯＩＯ
４゜（ｎ−０４Ｈ？）４ＮＩ、 （ｎ−ＯｓＨｌｌ ）
４ＮＩが好ましいが、限定しない。
０２Ｈ５）４ＮＯＡ’０４゜（Ｃ！２Ｈ５）４ＮＩ、
（０３Ｈｙ）ａＮＢｒ、 （ｎ−０４Ｈ９）４ＮＯＩＯ
４゜（ｎ−０４Ｈ？）４ＮＩ、 （ｎ−ＯｓＨｌｌ ）
４ＮＩが好ましいが、限定しない。
発明の効果
上述した如く、本発明は化学的又は電気化学的な安定性
に優れ、柔軟性を有し、生産性の高い、イオン伝導性に
優れた高分子固体電解質を提供することが出来るので、
その工業的価値は極めて大である。
に優れ、柔軟性を有し、生産性の高い、イオン伝導性に
優れた高分子固体電解質を提供することが出来るので、
その工業的価値は極めて大である。
Claims (2)
- （１）イオン性塩と該イオン性塩を溶解することができ
る化合物を含む高分子固体電解質であり、アクリロイル
系化合物にイソプレン又は／及びブタジエンを反応させ
架橋ネットワークの骨格の一部を形成させたことを特徴
とする高分子固体電解質。 - （２）反応が活性光線又は、電離性放射線による請求項
１記載の高分子固体電解質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220784A JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220784A JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384808A true JPH0384808A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16756521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1220784A Pending JPH0384808A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 高分子固体電解質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384808A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028986A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Yuasa Corporation | Pile secondaire mince au lithium |
| CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882477A (ja) * | 1981-11-03 | 1983-05-18 | コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ | 電気化学的電池用のポリマーを主成分とする固体電解質の製造法 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220784A patent/JPH0384808A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882477A (ja) * | 1981-11-03 | 1983-05-18 | コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ | 電気化学的電池用のポリマーを主成分とする固体電解質の製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028986A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Yuasa Corporation | Pile secondaire mince au lithium |
| US6673496B1 (en) | 1997-11-27 | 2004-01-06 | Yuasa Corporation | Thin lithium secondary cell |
| JP4669980B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2011-04-13 | 株式会社Ｇｓユアサ | 薄形リチウム二次電池 |
| CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
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