JPH0383354A - 二層フィルムキャリアの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ＴＡＢ用の二層フィルムキャリアの製造方法
に関するものである。

［従来の技術］ 従来より、ＩＣパッケージの接続法としてワイヤーボン
ディング方式が用いられてきたが、ＩＣの多ビン化に伴
いＴＡＢ方式が一躍注目されている。

ＴＡＢ　用のフィルムキャリアは、その構造から次の３
つの方法が知られている。

（１）銅、アルミなどの金属単体で形成されている一部
フィルムキャリア。

（２〉銅、ポリイミド及び接着剤で形成されている三層
フィルムキャリア。

しかしこれらのフィルムキャリアには以下のような欠点
がある。

すなわち、（１）のフィルムキャリアは製造コストは安
価であるが、所定の厚みを有する基体そのものを加工す
るため、微細な加工や高加工精度の確保が困難であり、
多ビン化には対応できず用途が限定される。また、（２
）のフィルムキャリアでは、銅箔を接着剤でポリイミド
フィルムに接合しているため、ポリイミドの持つ高耐熱
性、高絶縁性を生かせない。また、スプロケットやデバ
イスホールをパンチングで開孔するために高価格の金型
を必要とし経済的に不利である。

これらの欠点を解消し、多ビン化を可能とするものとし
てポリイミドフィルムの表面に直接金属を形成したもの
を基体とした二層フィルムキャリアが提案され一部実用
化されている。

［発明が解決しようとする課題］ 上記二層フィルムキャリアの製造方法の詳細は明確にさ
れていないももの、概略以下に述べる工程で製造されて
いるとされている。

すなわち、 ａ）ａ表面に所望量の膜厚となるようにフォトレジスト
を設け、 ｂ）所望のマスクを設けて露光してパターニングを行な
い、 Ｃ）現像して、所望部の銅面を露出させ、ｄ）アデティ
ブめっきにより銅めっき層を形成し、ｅ）残留するレジ
ストを剥離し、フラッシュエツチングにより銅層を除去
する。

ｆ）フォトレジストを両面に設けて、 ｇ）ポリイミドフィルム側を露光し、 ｈ）現像して、所望部のポリイミドフィルム面を露出さ
せ、 ｌ〉露出したポリイミドフィルム部をエツチングにより
除去し、 ｊ）ポリイミドフィルム側の残留レジストパターニング
層を剥離し、 ｋ〉要すれば金または錫めっきを行なう。

という工程を踏むものである。

しかし、この工程には以下の問題点がある。

（１〉ポリイミドフィルムはｄ）〜　ｅ）工程の間、露
出した状態で長時間めっき液等にさらされるため、前記
ｆ〉工程でのレジストとポリイミドフィルムとの濡れ性
が悪化し、ｔ）工程以降においてレジストが剥離する。

（２）前記ｇ）工程において、リード形成後に両面にレ
ジストをコートして露光、現像をするために、リード側
の表面の凹凸により光が散乱し、解像度が悪化する。

（３）端側とポリイミドフィルム側と別々に露光してい
るため位置精度が悪く、作業面においても効率が悪く連
続化が困難である。

これらの問題点を含む結果、二層フィルムキャリアの価
格は高くならざるを得ず、かつ−層の多ビン化に対応し
きれていない。

本発明の目的は、上記問題点を解消し、安価な、かつ−
層の多ビン化を可能とする二層フィルムキャリアの製造
方法を提供することである。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための本発明の方法は、ポリイミド
フィルムにアディティブ銅めっきした後、要すれば電気
銅めっきにより銅層を形成して得た基板を用いてフィル
ムキャリアを製造する方法において、 ■基板の一面に所望量の膜厚となるようにフォトレジス
トを設け、次いで他面に所望量の膜厚となるようにフォ
トレジストを設け、 ■各面にそれぞれ所望のマスクを設け、両面同時に露光
してバターニングを行ない、 ■銅鋼のレジストパターニング層を現像し、ポストベイ
クし、所望部の銅面を露出させ、■露出した銅面にアデ
ィティブ法で銅めっきしてリードを形成し、 ■ポリイミドフィルム側のレジストパターニング層を現
像し、ポストベイクし、 （６）銅側に残留するレジストパターニング層を剥離し
、下地銅層をエツチングして除去し、■露出したポリイ
ミドフィルム部をエツチングにより除去し、 ■ポリイミドフィルム側の残留レジストパターニング層
を剥離し、 ■要すればリード表面に仕上めっきを行なう工程からな
る二層フィルムキャリアの製造方法であり、好ましくは
（１）の工程において、銅面に、粘度が４０　ｃｐ以上
で、固形分濃度が２０％以上であるアルカリ現像型ネガ
型液状フォトレジストを塗布して３０μ讃以上のフォト
レジスト膜を形成し、ポリイミドフィルム面に２〜１０
μ璽のフォトレジスト膜を形成し、また好ましくは、（
３）の工程において、ｔｏｏ　Ａ−１３０”Ｃで１０〜
９０分間加熱してボストベイクを行なうものである。

［作用］ 本発明で使用する基板は、ポリイミドフィルムにアディ
ティブ銅めっきした後、要すれば電気銅めっきにより銅
層を形成して得た基板、あるいは同様な方法で形成され
た他金属とポリイミドフィルムからなる基板を用いるこ
とも可能である。

以下本発明を実施例を用いて説明する。

基板として、５０μ■厚のポリイミドフィルム（東し・
デュポン社製　製品名　カプトン）の表面上にスパッタ
リング法で１μｍ厚の銅被膜を形成させたもの（第１図
Ａ）を用い、銅表面に粘度が４０　ｃｐ以上で、固形分
濃度が２０％以上であるアルカリ現像型ネガ型液状フォ
トレジストをプリベイク後のレジスト層の厚みが約４５
μ−となるようにバーコータで塗布し、７０℃で３０分
間プリベイクし、次いでポリイミドフィルム表面にネガ
型液状フォトレジストをプリベイク後のレジスト層の厚
みが約５μｍとなるようにバーコータで塗布し、７０℃
で３０分間プリベイクして基板の両面にレジスト層を設
けた（第１図Ｂ）。次いで、それぞれの所定のマスクに
より両面を同時に露光し、バターニングを行なった。次
いで胴側のレジストパターニングを現像し、１１０℃で
３０分間のポストベイクを行ない銅の露出部を形成した
（第１図Ｃ）。この銅の露出部に、２　Ａ／ｄｍ２の電
流密度で５０分間電気銅めっきを行ない、高さ約３５μ
瓢のリードを形成した（第１図Ｄ）。その後、ポリイミ
ド側のレジストパターニングを現像し、１３Ｏ′Ｃで３
０分間のボストベイクを行なった後、これを６０℃の４
％Ｎ　ａ　ＯＩＩ温溶液１分間浸せきし、胴側の残留レ
ジストパターニング層を除去しく第１図Ｅ）、次いでｓ
ｏ’ｃの塩化第一銅溶液に３０秒間浸せきし下地銅の溶
解を行なう（第１図Ｆ）。このようにして下地銅層を除
去したものを、抱水ヒドラジンとエチレンジアミンとを
容量比で８：２の割合で混合して得た５０℃のエツチン
グ液に５分間浸せきし、ポリイミドフィルムを開孔しく
第１図Ｇ〉、次いでクロロベンゼンと、テトラクロロエ
チレンとを、各々２０容量％づつ含む剥離液を用いて、
ポリイミドフィルム側の残留レジストパターニング層を
除去した。最後に、Ｉ　Ａ／ｄｍ２の電流密度で３分間
の金めつきを行ない、リード幅７０μ履、スペース幅６
０μ■の二層フィルムキャリアを得た（第１図Ｈ）。

ところで、ＩＣ回路の電送信号の高速化に対応するため
には、配線系を含めた特性インピーダンスの制御が必要
となる。この観点より、また、配線技術面より適切な導
体の厚さが要望されている。

この厚さは３０〜５０μｍであり、よって、銅面に形成
するレジスト層の厚みは少なくとも３０μ閣以上とする
ことが好ましく、この目的さえ達成できるものであれば
レジストの種類は問わない。

手軽さ等より液状フォトレジストを使用する場合には、
粘度を４０　ｃｐ以上とし、固形分濃度を２０２以上に
調整したアルカリ現像型ネガ型液状フォトレジストを用
いることが望ましい。

デバイスホールやスプロケットホール形成用のポリイミ
ドフィルム側に塗布するフォトレジストはポリイミドフ
ィルムのエツチングに耐え得るものであればよく、例え
ばゴム系レジストがある。

レジスト層の厚さはあまり薄くするとピンホール等の欠
損が発生し、あまりに厚くするとパターン精度を悪化さ
せる。よって、２〜１０μ謹とすることが望ましい。

なお、これらのフォトレジストとして液状のものを塗布
する方法はバーコータに限られるものではないことはい
うまでもない。さらに、銅剣、ポリイミドフィルム側を
問わず、プリベイク条件は極く一般的なものであり、本
発明を特徴付けるものではない。

本発明において、両面を同時に露光するのは、位置精度
の確保と、作業性を改良するためであり、これにより連
続化が可能となる。

銅剣より現像し、エツチングを行なうのは、銅のエツチ
ング条件では、ポリイミドフィルム側はなんら影響を受
けないからである。現像後のボストベイクは特に必要と
されるものではないが、フォトレジスト層の乾燥と、密
着性を高めるために行なうことが望ましい。この際、銅
剣のフォトレジストのボストベイク条件はポリイミドフ
ィルム側のフォトレジストに影響を与えないようにしな
ければならず、１００〜１３０’ｃで１０〜９０分間加
熱することが望ましい。この条件より強い条件ではポリ
イミドフィルム側のフォトレジストの現像ができなくな
り、これより弱い条件では充分なボストベイクの効果が
得られないからである。

リードの形成方法はアディティブ法であれば、セミアデ
イティブ法でも、フルアデイティブ法でも差し支えない
。

以後のポリイミドフィルム側のフォトレジストのポスト
ベイク条件や、銅剣の残留レジストパターニング層の除
去条件や、下地銅の除去条件、ポリイミドフィルムのエ
ツチング条件等の個々の条件はそれぞれ公知の条件でよ
く、特に規定するものではない。

以上述べたように、本発明は基板の両面にフォトレジス
ト層を設けた後、両面を同時に露光し、パターニングし
、銅剣よりエツチングを行なうことにより高精度で、安
価に二層フィルムキャリアを製造することを可能にする
ものである。

［実施例］ 基板として厚さ　５０μ璽のポリイミドフィルム（東し
・デュポン社製　製品名　カプトン）表面上に無電解鍍
金で０．２５μｍの同被膜を形成した後、電気銅鍍金で
１μｍ厚の銅被膜を形成させたものを用い、銅剣のフォ
トレジストとしてネガ型液状フォトレジスト（製品名Ｐ
ＭＥＲ，ＨＣ６００、東京応化社製）を用い、また、ポ
リイミドフィルム側のフォトレジストとしてネガ型フォ
トレジスト（製品名ＰＳＲ富士薬品社製）を用い、前記
実施例と同様にして二層フィルムキャリアを製造した。

得られた二層フィルムキャリアは前記実施例で得られた
ものと同様のものであった。この二層フィルムキャリア
の上面図を第２図に示した。

［発明の効果］ 本発明の方法によれば、基板の両面にフォトレジスト層
を設けた後、両面を同時に露光し、バターニングし、銅
剣よりエツチングを行なうために高加工精度で二層フィ
ルムキャリアを製造できる。

また、本発明の方法を用いれば、高加工精度が得られる
ために多ビン化が可能となり、かつ連続化が可能である
ため安価に二層フィルムキャリアを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｈは本発明の実施例の各工程における断面図
である。 第２図は本発明の実施例でできた二層フィルムキャリア
の上面図である。 １−一一ポリイミドフィルム ２−ｍ−銅層 ３−一一フオドレジスト ４−−一銅めっき層 ５−一一スブロケットホール ６−ｍ−デバイスホール ７−一一アウターリードホール ８−ｍ−インナーリード ９−ｍ−二層フィルムキャリア

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【１】ポリイミドフィルムにアディティブ銅めっきした
   後、要すれば電気銅めっきにより銅層を形成して得た基
   板を用いてフィルムキャリアを製造する方法において、 （１）基板の一面に所望量の膜厚となるようにフォトレ
   ジストを設け、次いで他面に所望量の膜厚となるように
   フォトレジストを設け、 （２）各面にそれぞれ所望のマスクを設け、両面同時に
   露光してパターニングを行ない、 （３）銅側のレジストパターニング層を現像し、ポスト
   ベイクし、所望部の銅面を露出させ、（４）露出した銅
   面にアディティブ法で銅めっきしてリードを形成し、 （５）ポリイミドフィルム側のレジストパターニング層
   を現像し、ポストベイクし、 （６）銅側に残留するレジストパターニング層を剥離し
   、下地銅層をエッチングして除去し、（７）露出したポ
   リイミドフィルム部をエッチングにより除去し、 （８）ポリイミドフィルム側の残留レジストパターニン
   グ層を剥離し、 （９）要すればリード表面に仕上めっきを行なう工程か
   らなる二層フィルムキャリアの製造方法。 【２】前記（１）の工程において、銅面に、粘度が４０
   ｃｐ以上で、固形分濃度が２０％以上であるアルカリ現
   像型ネガ型液状フォトレジストを塗布して３０μｍ以上
   のフォトレジスト膜を形成し、プリベイクした後、ポリ
   イミドフィルム面に２〜１０μｍのゴム系フォトレジス
   ト膜を形成し、プリベイクし、前記（３）の工程におい
   て、１００〜１３０℃で１０〜９０分間加熱してポスト
   ベイクを行なうことを特徴とする請求項【１】記載の二
   層フィルムキャリアの製造方法。