JPH0383225A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0383225A JPH0383225A JP21928389A JP21928389A JPH0383225A JP H0383225 A JPH0383225 A JP H0383225A JP 21928389 A JP21928389 A JP 21928389A JP 21928389 A JP21928389 A JP 21928389A JP H0383225 A JPH0383225 A JP H0383225A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000979 O alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属膜を磁気
記録層とし、特に固定磁気ディスク装置用の磁気ディス
クとして好適な磁気記録媒体の製造方法に関する。
記録層とし、特に固定磁気ディスク装置用の磁気ディス
クとして好適な磁気記録媒体の製造方法に関する。
近年、コンピュータの処理能力の増大に伴い、外部メモ
リ装置の記憶容量を増大させることが要求されてきてい
る。この要求を満足させるためには、外部メモリ装置に
用いられる磁気ディスクもさらに記録密度を増加させる
必要があり、このためには記録層を形成する磁性薄膜の
磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜化を促進しな
ければならない、そこで、磁性層としてスパッタリング
法によりコバルト合金を成膜したものが提案され、一部
実用化が始まっている０合金組成としては、Ｃｏ−旧＋
Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｇｏ−Ｎｌ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａｒ Ｃｏ −Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｎ
１−Ｐｔ等が特に有用である。
リ装置の記憶容量を増大させることが要求されてきてい
る。この要求を満足させるためには、外部メモリ装置に
用いられる磁気ディスクもさらに記録密度を増加させる
必要があり、このためには記録層を形成する磁性薄膜の
磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜化を促進しな
ければならない、そこで、磁性層としてスパッタリング
法によりコバルト合金を成膜したものが提案され、一部
実用化が始まっている０合金組成としては、Ｃｏ−旧＋
Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｇｏ−Ｎｌ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａｒ Ｃｏ −Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、 Ｃｏ−Ｎ
１−Ｐｔ等が特に有用である。
さらに、より磁気特性を向上させるために、これらのＣ
ｏ合金層の形成に先行して設けるその下地層の材料とし
て、Ｃｒ、 ＣｒＶ、 Ｗ等が有用であることも知られ
ている。また−船釣に、これら記録層の上には、磁気ヘ
ッドによる衝撃・摺動から保護することと、放置・使用
環境下での腐蝕を防止することとを目的として、硬質の
保ｍ層を設けることが有効であることも知られている。
ｏ合金層の形成に先行して設けるその下地層の材料とし
て、Ｃｒ、 ＣｒＶ、 Ｗ等が有用であることも知られ
ている。また−船釣に、これら記録層の上には、磁気ヘ
ッドによる衝撃・摺動から保護することと、放置・使用
環境下での腐蝕を防止することとを目的として、硬質の
保ｍ層を設けることが有効であることも知られている。
この材料として特に３１０１を例とする酸化物や硬質な
炭素が有用であり、しかも磁性層と同様スパッタリング
法により形成可能である。
炭素が有用であり、しかも磁性層と同様スパッタリング
法により形成可能である。
以上磁気ディスク作成の際には、各Ｉａ能をもった薄膜
の積層が要件であり、これら各層の機能を十分達成でき
る様なスパッタリング条件を見出すことが、製造上の重
要な点の一つである。従来の典型的なスパッタリング法
によれば、スパッタリング用の真空槽は１０−’Ｔｏｒ
ｒ台の十分高真空に排気した後、１００％Ａｒガスを導
入し、１０−’Ｔｏｒｒ台から１０−”Ｔｏｒｒ台の圧
力でスパッタリングを行う、現在までの知見によれば、
Ａｒガスはできるだけ純度の高いものを使用すべきであ
り、たとえば０富やＮ１などの不純物ガスが混入した場
合、形威された磁性層の磁気特性を著しく劣化させる。
の積層が要件であり、これら各層の機能を十分達成でき
る様なスパッタリング条件を見出すことが、製造上の重
要な点の一つである。従来の典型的なスパッタリング法
によれば、スパッタリング用の真空槽は１０−’Ｔｏｒ
ｒ台の十分高真空に排気した後、１００％Ａｒガスを導
入し、１０−’Ｔｏｒｒ台から１０−”Ｔｏｒｒ台の圧
力でスパッタリングを行う、現在までの知見によれば、
Ａｒガスはできるだけ純度の高いものを使用すべきであ
り、たとえば０富やＮ１などの不純物ガスが混入した場
合、形威された磁性層の磁気特性を著しく劣化させる。
また、これらの不純物ガスを十分抑えるように管理した
状態でも、適正な磁気特性を実現するためには、スパッ
タリング条件、例えばガス圧や基板温度は、ある限定さ
れた狭い範囲でしか適用できないものであった。
状態でも、適正な磁気特性を実現するためには、スパッ
タリング条件、例えばガス圧や基板温度は、ある限定さ
れた狭い範囲でしか適用できないものであった。
本発明の目的は、上記の欠点を除き、スパッタリングの
原ガス圧や基板温度を狭い範囲にｊｉｌ！Ｊｍする必要
のない磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
原ガス圧や基板温度を狭い範囲にｊｉｌ！Ｊｍする必要
のない磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、非磁性基体上
に少なくとも非磁性金属下地層およびコバルト合金磁性
層をスパッタリングで積層する際に、スパッタリングの
雰囲気をアルゴンに１％ないし１０％の水素を混入した
ガスとするものとする。
に少なくとも非磁性金属下地層およびコバルト合金磁性
層をスパッタリングで積層する際に、スパッタリングの
雰囲気をアルゴンに１％ないし１０％の水素を混入した
ガスとするものとする。
従来１００％Ａｒを用いたスパッタ時の雰囲気にＨ８を
混入させることにより、より広いスパッタ時のガス圧と
基板温度の範囲で均一な磁気特性を達成することができ
る。また、ガス圧あるいは基板温度の低いときには１０
０％Ａｒ雰囲気でのスパッタ時より良好な磁気特性が得
られる。理由は必ずしも明白ではないが、Ｈ８を混入す
ることによりスパッタリング中に還元的作用が加わり、
不純物として形威され得る酸化物あるいは窒化物を十分
低く抑えることによるものと思われる。その結果、不純
物の形威に影響するガス圧や基板の加熱温度にあまり依
存しない広い範囲でのスバフタ条件を可能にする。ｈの
混入比は１％以下では効果がなく、１０％を超えれば成
膜速度自体が小さくなり、製造上好ましくない、なお、
特開昭６３−３１１６２６号明細書により、Ａｒ−旧雰
囲気中でＣｒν下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−ｐｃ磁性層の上に
水素化炭素保護層をスパッタリングした磁気記録ディス
クが公知であるが、磁気特性はＨ８の混入により変化し
ないと記載されているのみで、磁気特性の向上について
の記載はない。
混入させることにより、より広いスパッタ時のガス圧と
基板温度の範囲で均一な磁気特性を達成することができ
る。また、ガス圧あるいは基板温度の低いときには１０
０％Ａｒ雰囲気でのスパッタ時より良好な磁気特性が得
られる。理由は必ずしも明白ではないが、Ｈ８を混入す
ることによりスパッタリング中に還元的作用が加わり、
不純物として形威され得る酸化物あるいは窒化物を十分
低く抑えることによるものと思われる。その結果、不純
物の形威に影響するガス圧や基板の加熱温度にあまり依
存しない広い範囲でのスバフタ条件を可能にする。ｈの
混入比は１％以下では効果がなく、１０％を超えれば成
膜速度自体が小さくなり、製造上好ましくない、なお、
特開昭６３−３１１６２６号明細書により、Ａｒ−旧雰
囲気中でＣｒν下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−ｐｃ磁性層の上に
水素化炭素保護層をスパッタリングした磁気記録ディス
クが公知であるが、磁気特性はＨ８の混入により変化し
ないと記載されているのみで、磁気特性の向上について
の記載はない。
以下、図を引用して本発明の実施例について説明する。
第１図は磁気記録媒体の一例の断面構造を示す、基板１
として陶を４％含むＭ合金からなる外径９５鵡、内径２
５ｆｉ、厚さ１．２７ｍの穴明き円板を用い、その表面
に図示しないＭｌ−Ｐ層を無電解めっき法によりＬ３ｎ
の厚さに形威し、その表面を２μ程度研摩して平坦にし
た０次に、インライン式連続スパッタリングが可能な装
置を用い基板１を予備加熱したのち、１５００人の厚さ
のＣｒ下地１１１２゜５００ 人の厚さの３０％のＮｉ
と７．５％のＣｒを含むＣｏ合金よりなる磁性層３およ
び４００人の厚さの炭素保護層４を連続酸膜した。この
ときのスパッタリング条件は下記の各種である。
として陶を４％含むＭ合金からなる外径９５鵡、内径２
５ｆｉ、厚さ１．２７ｍの穴明き円板を用い、その表面
に図示しないＭｌ−Ｐ層を無電解めっき法によりＬ３ｎ
の厚さに形威し、その表面を２μ程度研摩して平坦にし
た０次に、インライン式連続スパッタリングが可能な装
置を用い基板１を予備加熱したのち、１５００人の厚さ
のＣｒ下地１１１２゜５００ 人の厚さの３０％のＮｉ
と７．５％のＣｒを含むＣｏ合金よりなる磁性層３およ
び４００人の厚さの炭素保護層４を連続酸膜した。この
ときのスパッタリング条件は下記の各種である。
スパッタ雰囲気ガス：１００％Ａｒ （比較例）。
Ａｒ＋４％’Ｂｔ （実施例）
スパッタガス圧： ５ ｍＴｏｒｒ＋１０ ｍＴｏｒｒ
＋５０ ｍＴｏｒｒ基板温度：８０℃、１８０℃、２５
０℃以上の組合わせの下に実施例および比較例の磁気デ
ィスクを作威し、振動磁気測定機（ＶＳＭ）によりそれ
らの磁気特性を測定した。第２図はガス圧に対する依存
性を示し、ガス圧を高くしていったとき、点線で示した
比較例のディスクでは保磁力が徐々に上昇するのに対し
て実線で示した実施例のディスクでは一定であり、ガス
圧５ ｍＴｏｒｒ。
＋５０ ｍＴｏｒｒ基板温度：８０℃、１８０℃、２５
０℃以上の組合わせの下に実施例および比較例の磁気デ
ィスクを作威し、振動磁気測定機（ＶＳＭ）によりそれ
らの磁気特性を測定した。第２図はガス圧に対する依存
性を示し、ガス圧を高くしていったとき、点線で示した
比較例のディスクでは保磁力が徐々に上昇するのに対し
て実線で示した実施例のディスクでは一定であり、ガス
圧５ ｍＴｏｒｒ。
ｌＱｍＴｏｒｒでは実施例の方が保磁力が高い、第３図
は基板温度に対する依存性を示し、点線で示した比較例
では保磁力が直線的に上昇するのに対し、実線で示した
実施例ではほぼ一定である。
は基板温度に対する依存性を示し、点線で示した比較例
では保磁力が直線的に上昇するのに対し、実線で示した
実施例ではほぼ一定である。
次に基板１上にＣｒ下地層２．Ｃｏ合金磁性層３までを
上述の実施例と同様にしてｔｃ膜した。ただし、その次
に炭素保護層４を形成するに先立ち、スパッタ装置の雰
囲気を混合ガスＡｒ＋４％−から１００％Ａｒに置換し
、１００％Ａｒ中で炭素保護層を形成した。その結果は
、磁気特性は先の実施例と全く同様に第２図、第３図に
示すようになり、磁性層の磁気特性に対する本発明の効
果が確認された。
上述の実施例と同様にしてｔｃ膜した。ただし、その次
に炭素保護層４を形成するに先立ち、スパッタ装置の雰
囲気を混合ガスＡｒ＋４％−から１００％Ａｒに置換し
、１００％Ａｒ中で炭素保護層を形成した。その結果は
、磁気特性は先の実施例と全く同様に第２図、第３図に
示すようになり、磁性層の磁気特性に対する本発明の効
果が確認された。
なお、実用上は第１図の構造の上に別途潤滑剤層を付加
することが望ましい。
することが望ましい。
本発明によれば、磁気記録媒体の基板上の下地層、コバ
ルト合金磁性層を＾ｒ＋Ｈｇガス雰囲気中のスパッタリ
ングにより底膜することによって、ガス圧あるいは基板
温度の広い範囲が許容できるようになり、所定の特性を
もつ磁気記録媒体を安定して製造することができるよう
になった。しかも、低いガス圧および基板温度において
は１００％Ａｒ中でのスパッタリングよりも高い磁気特
性が得られるので、高特性の磁気記録媒体の高歩留まり
の製造も可能になった。
ルト合金磁性層を＾ｒ＋Ｈｇガス雰囲気中のスパッタリ
ングにより底膜することによって、ガス圧あるいは基板
温度の広い範囲が許容できるようになり、所定の特性を
もつ磁気記録媒体を安定して製造することができるよう
になった。しかも、低いガス圧および基板温度において
は１００％Ａｒ中でのスパッタリングよりも高い磁気特
性が得られるので、高特性の磁気記録媒体の高歩留まり
の製造も可能になった。
第１図は本発明の実施例の磁気ディスクの断面図、第２
図は本発明の実施例および比較例の磁気ディスクの保磁
力のガス圧依存性を示す線図、第３図は本発明の実施例
および比較例の磁気ディスクの保磁力の基板温度依存性
を示す線図である。
図は本発明の実施例および比較例の磁気ディスクの保磁
力のガス圧依存性を示す線図、第３図は本発明の実施例
および比較例の磁気ディスクの保磁力の基板温度依存性
を示す線図である。
Claims (1)
- １）非磁性基体上に少なくとも非磁性金属下地層および
コバルト合金磁性層をスパッタリングで積層する際に、
スパッタリングの雰囲気をアルゴンに１％ないし１０％
の水素を混入したガスとすることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219283A JP2623849B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219283A JP2623849B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383225A true JPH0383225A (ja) | 1991-04-09 |
| JP2623849B2 JP2623849B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16733085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219283A Expired - Lifetime JP2623849B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623849B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114124A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Sony Corp | 磁気デイスクの製造方法 |
| JPS63311626A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-20 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気記録ディスクの製造方法 |
| JPH01260621A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219283A patent/JP2623849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62114124A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Sony Corp | 磁気デイスクの製造方法 |
| JPS63311626A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-20 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気記録ディスクの製造方法 |
| JPH01260621A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623849B2 (ja) | 1997-06-25 |
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