JPH0381091B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は信号の検出回路に係り、特に電荷蓄積
形ホトセンサの微少信号の検出に最適な検出回路
に関する。さらに詳しくは、センサの微少な等価
静電容量（以下コンデンサという）に蓄積された
微少電荷信号を、出力ラインに付加される大容量
コンデンサの値に無関係に、低雑音で低歪の大き
な出力信号として検出でき、かつ回路構成が極め
て簡単で、検出速度の速い検出回路に関する。

従来用いられていた検出回路、特に光検出回路
の一例を第１図に示する。１および２はスイツチ
素子（以下スイツチと言う）、３は前記電荷蓄積
形ホトセンサ（以下ホトセンサ、センサあるいは
ホトダイオードという）、４は該センサ３と該ス
イツチ１を結ぶ配線、５は該スイツチ１と該スイ
ツチ２を結ぶ出力ライン、６は出力端子、７は該
センサ３を充電するための電圧源、５０は負荷コ
ンデンサである。第２図、第３図は該センサ３の
等価回路である。図において３１は等価ダイオー
ド（以下ダイオードという）、３２は等価接合コ
ンデンサ（以下コンデンサという）、３３は等価
抵抗素子（以下抵抗という）、３４は等価電流源
である。以下、該センサ３を説明する時は第２図
の等価回路を用いる。なお該抵抗３３は光強度に
応じ、その抵抗値が変化する。即ち、光強度が強
い場合、抵抗値が小さく、光強度が弱い場合、抵
抗値は大きい。また光照射がない場合、抵抗値は
通常ほぼ無限大と見なせる程度に大きい。第４図
は該センサ３に第２図を用いて示した第１図の等
価回路である。なお、同図において第１図、第２
図と同一番号の素子は第１図、第２図の素子と同
一である。４１は該配線４の等価コンデンサであ
る。５１は該出力ライン５の等価コンデンサで、
構造上、極めて大きな容量値を持つ場合がしばし
ばある。第５図は該スイツチ１，２の開閉のタイ
ミングと出力信号波形のタイミングである。１１
および１２はそれぞれ該スイツチ１および２に対
応し、１１あるいは１２が高レベルで示されてい
る期間および低レベルで示されている期間はスイ
ツチがそれぞれ閉じている期間および開いている
期間に対応している。次に第４図、第５図を用い
て、本検出回路の動作を説明する。なお本検出回
路の動作期間中該センサ３へは常時光照射があ
り、該抵抗３３の抵抗値はある有限の値であると
する。今リセツト期間１４では該スイツチ２は閉
じているから、該コンデンサ５０，５１は短絡さ
れ、蓄積されていた電荷は放電する。従つて、端
子６の出力信号は１３に示すように接地レベルに
セツトされる。一方、該スイツチ１も閉じている
から、該コンデンサ３２は充電され、端子３５は
接地レベルに、端子３６は該電圧源７の電圧レベ
ルＥボルト（ここではＥ＞０と仮定する）にそれ
ぞれセツトされる。次に該スイツチ１，２が共に
開いている蓄積期間１５では該コンデンサ３２に
充電された電荷は抵抗３３を介し放電する。その
結果、前記期間１４で接地レベルにセツトされた
端子３５の電位は徐々に上昇し、Ｅに近ずく。今
該蓄積期間１５の最終時点で、該端子３５と電圧
がＶボルトに達したとする（ＶＥ）。同時に該
期間１５で該コンデンサ４１は充電される。次に
検出期間１６でスイツチ１のみが閉じるから、該
コンデンサ３２，４１，５０，５１の間で電荷の
再分布が生じ、１３に示すように、端子６の電位
は接地レベルよりわずかに上昇する。即ち、該上
昇分が本検出回路の出力信号となる。以上該期間
１４，１５，１６が信号検出の一周期で、以後こ
れを繰り返えすことにより順次信号検出が行なわ
れる。

第４図に示す回路において、該出力ライン５は
通常極めて長いため、その等価コンデンサ５１も
500pF〜1000pFといつた極めて大きな値となる場
合が多い。このため負荷コンデンサ５０を別途接
続する必要もなく、該コンデンサ５１のみで負荷
コンデンサと見なせる。これより、該従来の検出
回路を以下ではコンデンサ形検出回路と呼ぶ。
今、一例として、前記コンデンサ３２，４１，５
０，５１の容量値をそれぞれ0.2pF、4.8pF、
0.2pF、499.8pFとし、蓄積期間１５で端子３５の
電位Ｖが1.5ボルトであつたとすれば、出力信号
は約17ｍＶとなり、約1/100に減少する。なお該
コンデンサ５１の容量値は前記容量値よりさらに
大きな値となることがしばしばある。この場合、
出力信号はさらに小さくなる。従来のコンデンサ
形検出回路の最大の欠点は、出力ライン５の等価
コンデンサ５１が極めて大きいために、出力信号
が前記のように極めて小さくなることである。ま
た前記スイツチ１，２は通常FET等が用いられ
るので、出力信号にフイードスルーが重畳する
上、大きなスイツチング雑音が混入する。このた
めダイナミツクレンジが極めて低下する。さらに
出力信号が極めて小さいから、出力端子６と増幅
回路をバツフア回路を介して接続し、信号の増幅
を行なう必要がある。このため、回路の繁雑化、
高消費電力化、低Ｓ／Ｎ化等極めて不都合な結果
を生ずる。

従来用いられていた検出回路の他の例を第６図
に示す。この回路は負荷として抵抗素子２１を用
いているので、ここでは抵抗形検出回路と呼ぶ。
同図において、各要素が第１図、第２図の各素子
と同一のものは同一番号で示されている。なお該
センサ３の等価回路として第２図を用いるものと
する。第７図の２２は第６図のスイツチ１の開閉
を示すタイミングと第６図の端子６より得られる
信号波形の一例を示したものである。なお第５図
と同様、第７図の２２が高レベルの期間および低
レベルの期間はそれぞれスイツチ１が閉じている
期間および開いている期間に対応する。次に第６
図、第７図を用いて、従来の抵抗形検出回路の動
作を説明する。なお動作条件は第４図と同一であ
るとする。今期間２４の最終状態で端子３５が接
地レベルに設定されているものとする。蓄積期間
２５で該スイツチ１が開くと、該コンデンサ３２
に蓄積された電荷は光照射され抵抗値がある有限
の値を持つた抵抗３３を介し放電する。その結
果、前記期間２４で接地レベルにあつた端子３５
の電圧は徐々に上昇し、Ｅに近ずいてゆく。今蓄
積期間２５の最終時点で該端子３５の電位がＶボ
ルトに達したとする（ＶＥ）。次に検出期間２
６でスイツチ１が閉じると、端子６の電位は、２
３に示すように、まず接地レベルから上昇し、ピ
ーク値に達し、次に減少して、最後には再び接地
レベルに戻る。従つて、該期間中、該コンデンサ
３２は再び充電される。以上が信号検出の一周期
で、以後蓄積、検出期間を繰り返えすことによ
り、次々と信号を検出する。今、一例として、該
コンデンサ３２，４１，５１の静電容量値がそれ
ぞれ0.2pF、4.8pF、500pFとして、該Ｖが1.5ボル
トであつたとする。この時の出力信号２３のピー
ク値はたかだか約17ｍＶに過ぎない。これは、前
述した従来のコンデンサ形検出回路と同様、Ｖが
大きな値となるにもかかわらず、読み出される信
号は極めて小さいという重大な欠点を生ずる。該
スイツチ素子１が例えばFETの場合、期間２６
に現われる出力信号は、該スイツチ１を閉じる時
に生ずるスイツチング雑音が重畳される。また該
スイツチを開く時、期間２５の最初の部分に見ら
れるように、出力信号２３に負方向（同図では下
方向）のスイツチング雑音が生ずる。このよう
に、微少信号出力に対して大きなスイツチング雑
音が存在するから、ダイナミツクレンジ、Ｓ／Ｎ
が非常に小さくなる。本回路の他の欠点は回路の
時定数が大きいため信号の読み出し速度が遅くな
ることである。従つて信号を検出期間内で完全に
読み出すことが不可能となる（不完全読み出し）。
即ち、検出期間２６で端子６の電位が接地レベル
に戻らない状態が生ずる。さらに、出力信号が微
少な上、波形２３で示すように出力信号がホール
ドされないため、出力信号のホールドと増幅を必
要とする。このため、バツフア回路、Ｓ／Ｎ回路
あるいは積分回路、増幅回路を付加する必要が生
じるから、回路の複雑化、消費電力の増大、雑音
の増加など重大な欠点が生じる。

本発明の目的は上記従来の問題点を解決し、出
力ラインの極めて大きな等価コンデンサの影響を
全く除去すると共に、大きな出力が得られ、読み
出しスピードが速い上、Ｓ／Ｎおよびダイナミツ
クレンジが大きく、構成が極めて簡単な検出回路
を提供することにある。

本発明によればホトダイオードと該ホトダイオ
ードを繰り返し充放電させるスイツチ素子が接続
されたユニツトと、少なくともコンデンサ、この
コンデンサの電荷を放電するスイツチ素子および
演算増幅器を含む積分回路を備え、該ユニツトの
該スイツチ素子側の端子と該積分回路の反転入力
端子が配線静電容量を含む出力ラインを介して接
続され、該ユニツトのホトダイオード側の端子が
電圧源に接続され、該積分回路の非反転入力端子
が基準電圧源に接続され、該積分回路の反転およ
び非反転入力端子がスイツチ素子を介して接続さ
れ、光検出の前にこのスイツチを閉じて反転入力
端子に寄生するコンデンサに充電された電荷を放
電する手段を有することを特徴とする光信号検出
回路が得られる。更に複数個の前記ユニツトと前
記積分回路を備え、該各ユニツトのスイツチ素子
側の端子を互いに接続すると共に、該端子と該積
分回路の反転入力端子を出力ラインを介して接続
し、該ユニツトのホトダイオード側の端子を互い
に接続した上該端子と電圧源を接続し、該積分回
路の非反転入力端子と基準電圧源を接続し、該積
分回路の反転および非反転入力端子がスイツチ素
子を介して接続され、光検出の前にこのスイツチ
を閉じて反転入力端子に寄生するコンデンサに充
電された電荷を放電する手段を有することを特徴
とする光信号検出回路が得られる。またｍ個（ｍ
＝正整数）の前記ユニツトで構成されるブロツク
がｎ個（ｎ＝正整数）と、前記積分回路と、第１
のスイツチ素子、第２のスイツチ素子、……第ｍ
のスイツチ素子の合計ｍ個のスイツチ素子を備
え、該各ブロツクの第１番目のユニツト内のスイ
ツチ素子側の端子を互いに接続した上該端子と該
第１のスイツチ端子の一方の端子を接続し、該各
ブロツクの第２番目のユニツト内のスイツチ素子
側の端子を互いに接続した上該端子と該第２のス
イツチ素子の一方の端を接続し、以下同様に、該
各ブロツクのｍ番目のユニツト内のスイツチ素子
側の端子を互いに接続した上該端子と該第ｍのス
イツチ素子の一方の端を接続し、該第１、第２、
……第ｍのスイツチ素子の他方の端を互いに接続
した上該端と該積分回路の反転入力端子を出力ラ
インを介して接続し、該各ユニツトのホトダイオ
ード側の端子を互いに接続した上該端子と電圧源
を接続し、該積分回路の非反転入力端子と基準電
圧源を接続し、該積分回路の反転および非反転入
力端子がスイツチ素子を介して接続され、光検出
の前にこのスイツチを閉じて反転入力端子に寄生
するコンデンサに充電された電荷を放電する手段
を有することを特徴とする光信号検出回路が得ら
れる。

以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。

第８図に本発明の第１実施例を示す。１，２は
スイツチ素子、３は電荷蓄積形ホトセンサ（以下
センサ、ホトセンサあるいはホトダイオードとい
う）、４は該センサ３と該スイツチ４を接続する
配線、５は出力ライン、６は出力端子、７は電圧
値Ｅボルトの電圧源（ここではＥ＞０とする）で
ある。３１，３２，３３はそれぞれ該センサ３の
等価ダイオード、等価コンデンサ、等価抵抗素子
で第２図に対応する。４１は配線４の等価コンデ
ンサ、５１は出力ライン５の等価コンデンサ、６
０は演算増幅器（以下OP Ampという）６１、
コンデンサ６２、スイツチ素子６３を含む積分回
路、６４は電圧値ERボルトの基準電圧源（以下
の説明では、ERは接地レベルとする）、３５，３
６，３７，５２，５３は端子、５４および５５は
それぞれ該積分回路６０の反転および非反転入力
端子である。なお該センサ３、スイツチ１を含む
回路をここでは便宜上ユニツト３０と呼ぶ。第９
図に該スイツチ素子１，６３の開閉のタイミング
と端子３５および６の電位変化の一例を示す。７
１は該スイツチ１に、７２は該スイツチ６３に対
応し、７１あるいは７２が高レベルおよび低レベ
ルで示されている期間はそれぞれ各スイツチが閉
あるいは開の状態を示している。７３および７４
はそれぞれ端子３５の電位変化および端子６の電
位変化（即ち、出力信号）である。なお７５につ
いては後述する。

以下では該スイツチ２がない場合の動作を説明
する。なお従来の検出回路の説明と同様、該セン
サ３には常時光が照射されており、該抵抗素子３
３はある有限の抵抗値を有しているものとする。
また該電圧源７の電位Ｅはある正の値（例えば10
ボルト）、該基準電圧源６４の電位ERは接地レベ
ルとする。リセツト期間８１で該スイツチ６３が
閉じると該コンデンサ６２が放電すると共に、端
子５４の電位は該OP Amp６１のイマジナリシ
ヨートを介し接地レベルとなつているから、端子
６の電位も７４に示すように接地レベルへ戻る。
同様に端子５２，５３も接地レベルとなるから、
該コンデンサ５１は放電する。次の期間８２では
いずれのスイツチ素子も開の状態にある。従つ
て、該コンデンサ３２に蓄積されている電荷は該
抵抗素子３３を介し、遂次放電されているから、
端子３５，３７の電位は、７３に示すように、次
の期間８３で該スイツチ１が閉じる時刻まで、遂
次変化（この場合、上昇）する。従つて該コンデ
ンサ３２と４１に蓄積された電荷の変動分は端子
３５，３７の電位の変動分に両コンデンサの静電
容量の和を乗算した結果に等しい。次の検出期間
８３で、該スイツチ１が閉じると、各コンデンサ
３２，４１，５１，６２に電荷の再分布が生じ、
端子５４（同様に３５，３７，５２，５３）の電
位が変動する。一方OP Amp６１は該端子５４
の電位をイマジナリシヨートを介し基準電圧レベ
ル（接地レベル）へ戻そうと働く。以上の動作を
繰り返えすことにより、最終的には端子５３の電
位は接地レベルに復帰する。従つて、一時的に、
該コンデンサ５１は電荷の充放電を行なうが、最
終的には（定常状態では）該コンデンサ５１には
電荷は蓄積されることはない。

一方、端子３５，３７の電位も接地レベルとな
るから、該コンデンサ３２は元の状態に充電さ
れ、該コンデンサ４１は放電する。従つて、前述
したように、該期間８３が開始する直前までに変
動した両コンデンサ３２と４１の電荷変動分はこ
の時点でリセツトされ、該変動電荷分に相当する
電荷量が該コンデンサ６２に積分されたことにな
る。従つて、７４に示すように、端子６の電位は
接地レベルより下がり、出力信号成分となる。次
のホールド期間８４で、該スイツチ１が開いて
も、端子６の出力信号は７４に示すように、検出
期間８３の値をホールドする。と同時に該コンデ
ンサ３２は該抵抗素子３３を介し、放電を開始す
る（７３参照）。以上該４個の期間８１，８２，
８３，８４を一周期とし、これを繰り返えすこと
により、順次信号の検出が行なわれる。

今該コンデンサ３２，４１，６２の静電容量を
それぞれ0.2pF、4.8pF、5.0pFとし、該スイツチ
１が閉じる直前に端子３５の電位が約１ボルト上
昇したとすれば、通常500〜1000pFという大きな
値のコンデンサ５１の静電容量値に無関係に、端
子６の出力信号は約−１ボルトとなる。この値は
従来の検出回路に比べ、極めて大きな値である。
また、該スイツチ素子１がFET等で構成される
場合、該スイツチの開閉時に互いに反対方向への
スイツチング雑音を生じる。しかし本発明によれ
ば該スイツチング雑音はコンデンサ６２で互いに
キヤンセルされる方向で積分されるから、期間８
４で得られる信号はきわめて雑音の少ない出力信
号となる。

以上、該スイツチ２が付加されていない場合に
ついて説明した。次に該スイツチ２が付加された
場合を説明する。今該スイツチ２の開閉状態が、
該スイツチ６３の開閉のタイミングと同一で、第
９図７２で示されるものとする。今何らかの原因
で、例えば外乱による雑音で、端子５２，５３の
電位が接地レベルと異なる場合、該コンデンサ５
１に蓄積された雑音による電荷を強制的に放電さ
せることが出来る。また該スイツチ１の開閉タイ
ミングが７５で、スイツチ２と６３のタイミング
が７２で示される場合、該リセツト期間８１中に
該コンデンサ３２，４１，５１が強制的かつ急速
にリセツトすることができる。即ち、配線４、出
力ライン５に雑音が重畳された場合、あるいは駆
動モードが極めて高速な場合等に該スイツチ１，
２によるリセツトが極めて有効である。

第１０図に本発明の第２の実施例を示す。本実
施例は第８図に示したユニツト３０を複数個に拡
張し、アレイ化している。第１０において８１，
８２，８３は第８図の該ユニツト３０に対応し、
合計ｌ個（ｌ＝正整数）備えている。なお同図の
各構成要素は第８図の同一番号の構成要素と同一
である。第１１図は第１０図の各スイツチの開閉
状態と出力信号波形の一例を示したものである。
９１は該ユニツト８１のスイツチ１、９２は該ユ
ニツト８２のスイツチ１、９３は該ユニツト８３
のスイツチ１、９４は該スイツチ２および６にそ
れぞれ対応し、各波形の高レベルおよび低レベル
の期間がそれぞれ各スイツチが閉じている期間お
よび開いている期間に相当する。９５は端子６よ
り得られる出力信号波形である。なお本実施例の
動作は第１実施例（第８図）と基本的には同様で
ある。ただし該各ユニツト８１，８２，８３のス
イツチ１は、第１１図に示したように、一定の周
期でかつ規則正しく順次開閉し、各ユニツト８
１，８２，８３の該センサ３を順次読み出す走査
方式となつている。従つて、複数個の該センサ３
から同時に信号を読み出すことはない。

第１２図に本発明の第３の実施例を示す。本実
施例は第１０図に示した実施例をさらに拡大した
ものである。即ち、ｍ個（ｍ＝正整数）の前記ユ
ニツトを１ブロツクとしてさらに該ブロツクをｎ
個（ｎ＝正整数）設けた構成である。１０１，１
０３，１１１，１１３，１２１，１２３は第８図
のユニツト３０に対応している。１０１，１０３
は第１番目のブロツクを構成し、それぞれ該ブロ
ツク内の１番目およびｍ番目のユニツトである。
なお該１番目のブロツク内の第２番目から第（ｍ
−１）番目のユニツトは第１２図では省略されて
描かれている。以下同様に１１１，１１３はそれ
ぞれ第２番目のブロツク内の第１番目、第ｍ番目
のユニツト、１２１，１２３は第ｎ番目のブロツ
ク内の第１番目、第ｍ番目のユニツト、である。
但し第１２図では第３番目から第（ｎ−１）番目
のブロツクは省略されて描かれている。２０１，
２０２，２０３はスイツチ素子でそれぞれ各ブロ
ツク内の１番目のユニツト（１０１，１１１，１
２１）、第２番目のユニツト（省略されている）、
第ｍ番目のユニツト（１０３，１１３，１２３）
に対応している。なお同図の他の構成要素は第８
図の同一番号の構成要素と同一である。

第１３図は第１２図の各スイツチ素子の開閉状
態と出力波形の一例を示したものである。３００
は第１番目のブロツクに属するユニツト１０１，
１０３のスイツチ素子１に対応する。同様に３１
０は第２番目のブロツクに属するユニツト１１
１，１１３のスイツチ素子１に、３２０は第ｎ番
目のブロツクに属するユニツト１２１，１２３の
スイツチ素子１にそれぞれ対応する。４０１，４
０２，４０３はそれぞれスイツチ素子２０１，２
０２，２０３に対応する。５００はスイツチ素子
２，６３に対応する。なお各波形の高レベルおよ
び低レベルの期間がそれぞれ各スイツチ素子が閉
じている期間および開いている期間に相当する。
６００は端子６より得られる出力波形の一例で、
高レベルがほぼ基準電圧レベルに、低レベルが信
号成分に対応する。

本実施例の基本動作は第１および第２実施例と
全く同様であるから、ここでは各スイツチ素子の
開閉状態と各ユニツトからの信号読出し順序につ
いて簡単に説明する。今期間６０１で、第１番目
のブロツクのユニツト１０１，１０３のスイツチ
素子１のみが閉じており、他のブロツクのユニツ
トのスイツチ素子１は全部開いている。該期間６
０１でスイツチ素子２０１，２０２，２０３がそ
れぞれ４０１，４０２，４０３で示すように順次
開閉する。各スイツチ素子２０１，２０２，２０
３が順次閉じて次に開いた後、スイツチ素子２，
６２により第１２図の回路は毎回リセツトされ
る。従つて、第１番目のブロツクにあるユニツト
１０１，１０３の信号は６００で示すように順次
端子６より読み出される。該第１番目のブロツク
のｍ番目のユニツト１０３の信号が読み出された
後、次の期間６０２では該第１番目のブロツクの
スイツチ素子１が開いて、第２番目のブロツクの
ユニツト１１１，１１３のスイツチ素子１が閉じ
る。一方、スイツチ素子２０１，２０２，２０３
は前記同様順次閉じた後開くから第１２図の回路
はそのたびにリセツトされる。従つて、該期間６
０２では第２番目のブロツクのユニツト１１１，
１１３から順次信号が読み出される。以下、同様
に第ｎ番目のブロツクのユニツトからも順次読み
出される。次に第１番目のブロツクのユニツトか
らの信号読み出しへ再び戻る。以後これを繰り返
えすことにより光信号の順次読み出しを行ない複
数個の該ユニツトのセンサから同時に信号を読み
出すことはない。

以上説明した通り、本発明によれば、出力ライ
ン５の極めて大きなコンデンサに信号電荷は全く
蓄積されることはない。従つて、本発明は従来の
検出回路の出力信号が極めて微少であつたとか、
読み出し速度が極めて遅かつたという出力ライン
のコンデンサの容量値が極めて大きいことに起因
した欠点を完全に除去でき、さらに極めて大きな
出力信号を得ることができるという優れた効果を
有する。さらに出力信号が大きいから、バツフア
回路や増幅回路な複雑など信号処理回路を必要と
しない。このため回路が簡単になり、消費電力や
雑音の増加を阻止できる。またフイードスルーや
スイツチング雑音の影響を極めて小さくできるの
でダイナミツクレンジは大幅に拡大される。さら
に信号読み出しの速度が早いから、信号の完全読
み出しと高速動作ができるといつた優れた効果が
生じる。

以上、具体的な実施例をあげて本発明を説明し
た。上記では動作の方法やスイツチの開閉のタイ
ミングは一例を示したものであつて、本発明の機
能が満足されれば、上記の一例に限定されること
はない。ホトセンサ（ホトダイオード）の説明に
用いた等価ダイオードの向き（極性）あるいは電
圧源、基準電圧源の大きさおよびその極性も一例
であつて、これに限定されない。実施例に用いた
スイツチ素子はスイツチング機能があればどのよ
うなスイツチでも良い、例えば、トランジスタ、
FET等がある。また本発明の検出回路はスイツ
チを順次開閉走査する走査回路と同一の半導体基
板上に形成されてもかまわない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の検出回路、第２図、第３図はセ
ンサ等の等価回路、第４図は第１図の等価回路、
第５図は第４図のスイツチの開閉と信号のタイミ
ング、第６図は他の従来の検出回路、第７図は第
６図のスイツチの開閉と信号のタイミング、第８
図は本発明に係る第１実施例を示す検出回路、第
９図は第８図の検出回路を駆動するスイツチ開閉
のタイミングと信号波形の一例を示す図、第１０
図は同じく、本発明に係る第２実施例を示す検出
回路、第１１図は第１０図の検出回路を駆動する
スイツチの開閉のタイミングと信号波形の一例を
示す図、第１２図は同じく本発明に係る第３実施
例を示す検出回路、第１３図は第１２図の検出回
路を駆動するスイツチの開閉のタイミングと信号
波形の一例を示す図である。 １，２，６３，２０１，２０２，２０３はスイ
ツチ素子、３はセンサ、４は配線、５は出力ライ
ン、６は出力端子、７は電圧源、３１はダイオー
ド、３２，４１，５０，５１，６２はコンデン
サ、３３は抵抗素子、３４は電流源、６０は積分
回路、６１はOP Amp、６４は基準電圧源、８
１，８２，８３，１０１，１０３，１１１，１１
３，１２１，１２３はユニツトである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ホトダイオードと該ホトダイオードを繰り返
   し充放電させるスイツチ素子が接続されたユニツ
   トと、少なくともコンデンサ、このコンデンサの
   電荷を放電するスイツチ素子および演算増幅器を
   含む積分回路を備え、該ユニツトの該スイツチ素
   子側の端子と該積分回路の反転入力端子が配線静
   電容量を含む出力ラインを介して接続され、該ユ
   ニツトのホトダイオード側の端子が電圧源に接続
   され、該積分回路の非反転入力端子が基準電圧源
   に接続され、該積分回路の反転および非反転入力
   端子がスイツチ素子を介して接続され、光検出の
   前にこのスイツチを閉じて、反転入力端子に寄生
   するコンデンサに充電された電荷を放電する手段
   を有することを特徴とする光信号検出回路。 ２ ホトダイオードと該ホトダイオードを繰り返
   し充放電させるスイツチ素子が接続されたユニツ
   トを複数個備え、少なくともコンデンサ、このコ
   ンデンサの電荷を放電するスイツチ素子および演
   算増幅器を含む積分回路を備え、各ユニツトのス
   イツチ素子側の端子を互いに接続すると共に、該
   端子と積分回路の反転入力端子を出力ラインを介
   して接続し、該ユニツトのホトダイオード側の端
   子を互いに接続した上該端子と電圧源を接続し、
   該積分回路の非反転入力端子と基準電圧源を接続
   し、該積分回路の反転および非反転入力端子がス
   イツチ素子を介して接続され、光検出の前にこの
   スイツチを閉じて、反転入力端子に寄生するコン
   デンサに充電された電荷を放電する手段を有する
   ことを特徴とする光信号検出回路。 ３ ホトダイオードと該ホトダイオードを繰り返
   し充放電させるスイツチ素子が接続されたユニツ
   トをｍ個（ｍ＝正整数）備えて構成されるブロツ
   クがｎ個（ｎ＝正整数）と、少なくともコンデン
   サ、このコンデンサの電荷を放電するスイツチ素
   子および演算増幅器を含む積分回路と、第１のス
   イツチ素子、第２のスイツチ素子、……第ｍのス
   イツチ素子の合計ｍ個のスイツチ素子を備え、該
   各ブロツクの第１番目のユニツト内のスイツチ素
   子側の端子を互いに接続した上該端子と該第１の
   スイツチ端子の一方の端子を接続し、該各ブロツ
   クの第２番目のユニツト内のスイツチ素子側の端
   子を互いに接続した上該端子と該第２のスイツチ
   素子の一方の端を接続し、以下同様に、該各ブロ
   ツクのｍ番目のユニツト内のスイツチ素子側の端
   子を互いに接続した上該端子と該第ｍのスイツチ
   素子の一方の端を接続し、該１、該２、……第ｍ
   のスイツチ素子の他方の端を互いに接続した上該
   端と該積分回路の反転入力端子を出力ラインを介
   して接続し、該ユニツトのホトダイオード側の端
   子を互いに接続した上該端子と電圧源を接続し、
   該積分回路の非反転入力端子と基準電圧源を接続
   し、該積分回路の反転および非反転入力端子がス
   イツチ素子を介して接続され、光検出の前にこの
   スイツチを閉じて、反転入力端子に寄生するコン
   デンサに充電された電荷を放電する手段を有する
   ことを特徴とする光信号検出回路。