JPH0380378A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体記憶装置に関するものであり、特に三次
元画像表示装置に利用すると有効である半導体記憶装置
に関するものである。

従来の技術 文字負　図形等の画像データをＣ，ＲＴ画面上に表示す
る画像表示装置において（′！、表示画面に対応した画
像データを記憶するための記憶手段を必要とすも　特に
　三次元画像表示装置においては隠れ面処理を施すた八
　表示データを記憶するイメージメモリと呼ばれる記憶
手段とこの表示データに対する奥行きデータ値を記憶す
るＺバッファーと呼ばれる記憶手段が必要となも Ｚバッファー（半導体記憶装置）は一般に第４図に示す
構成となってい、４ｔはデータを記憶するためのデータ
記憶部であり、アドレス入力端子３からのアドレス信号
によりデータ記憶部１内の任意のワードが選択されも　
書き込み時には書き込み制御信号（ＷＥ）入力端子６か
らの制御信号（ＷＥ）のタイミングでデータ入出力端子
４からのデータを書き込むとともに゛読みだし時には読
みだしデータを出力制御信号（ＯＥ）入力端子５からの
制御信号（ＯＥ）のタイミングでバッファ回路２を駆動
しデータ入出力端子４へ出力すも 第４図に示す半導体記憶装置を用いて構成した三次元画
像表示装置の構成を第５図に示ｔ。　１１はホスト計算
機と接続するためのシステムバス１２はホスト計算機と
交信するためのインターフェイス回路であり、表示すべ
き画像データはホスト計算機より描画コマンドとしてシ
ステムバス１１を介して与えられ、４　１３はグラフィ
ックスプロセッサであり、与えられた描画コマンドから
表示画面の各画素に対応した画像データを発生すも１４
はＣＲＴ１７の表示画面に対応した画像データを記憶す
るためのイメージメモリであり、このイメージメモリ１
４のデータを読みだし回路１６により読みだしてＣＲＴ
１７に与えることにより描画図形を表示画面上に表示す
ることができも三次元画像表示の場合、隠れ面消去をお
こなうた奴　イメージメモリ１４に図形データを書き込
むと同時にこの図形データに対応した奥行きデータをＺ
バッファ１５に書き込払　新しい図形データをイメージ
メモリ１４に書き込もうとする場合には以下の手順で処
理が行なわれモ（１）新しく書き込もうとする図形デー
タと奥行きデータを作威すモ（２）すでにＺバッファ１
５に書き込まれている奥行きデータと新しく書き込もう
とする奥行きデータを比較する。（３）新しく書き込も
うとする奥行きデータの方が小さい場合には新しい図形
データと奥行きデータをイメージメモリ１４とＺバッフ
ァ１５に書き込む、新しく書き込もうとする奥行きデー
タの方が大きい場合には書き込みは行なわなしも　この
ような処理を行なうことにより視点に対して手前に位置
する図形のみをイメージメモリエ４に書き込へ　表示す
ることができも第４図に示す半導体記憶装置を用いて構
成された三次元画像表示装置におけるグラフィックスプ
ロセッサ１３からのイメージメモリ１４およびＺバッフ
ァ１５への書き込みタイミングチャートを第６図に示ｔ
。（ａ）はグラフィックスプロセッサ１３のクロック信
号であり、サイクルｔ１でＺバッファ１５の対象とする
アドレスからすでに書き込まれている奥行きデータを読
みだす（ｂ）。次に　サイクルｔ２で読みだした奥行き
データと新しく書き込もうとする奥行きデータをグラフ
ィックスプロセッサ１３で比較する（ｃ）。比較の結果
　新しく書き込もうとする奥行きデータの方が小さい場
合にはサイクルｔ３で新しいデータをイメージメモリ１
４とＺバッファ１５に書き込む（ｂ）（ｄ）。新しく書
き込もうとする奥行きデータの方が大きい場合にはサイ
クルｔ３での書き込みは行なわなＬ〜発明が解決しよう
とする課題 以上説明したように　従来の半導体記憶装置を用いた三
次元画像表示装置において（友　新しい図形データをイ
メージメモリに書き込む場合、グラフィックスプロセッ
サの制御のもとでＺバッファからの読みだし　比較　書
き込みを行なわなくてはならないので３サイクルを必要
とし　隠れ面処理を施した三次元図形データの描画速度
を高速化できないという問題点を有していｔう 課題を解決するための手段 本発明は前記課題を解決するた△　データを記憶するデ
ータ記憶部と、前記データ記憶部より読みだされる読み
だしデータと前記データ記憶部へ与える書き込みデータ
とを比較する比較手段と、前記比較手段の出力と与えら
れた書き込み制御信号から前記データ記憶部に対する内
部書き込み制御信号を発生する内部書き込み制御信号発
生手段と、前記内部書き込み制御信号発生手段の出力を
外部へ出力する手段とを備えた半導体記憶装置であも 作用 本発明は上記の構成により、読みだしたデータと書き込
もうとするデータを内部で比較し　その結果によりデー
タ記憶部に対する内部書き込み制御信号を発生すること
ができるとともに　この内部書き込み制御信号を外部へ
出力しているためこの信号を用いてイメージメモリの書
き込みを制御することができも　そのた奴　本発明の半
導体記憶装置を用いて高速描画が可能な三次元画像表示
装置を実現することができも 実施例 第１図は本発明の一実施例における半導体記憶装置を示
す構成図であも　同図において、　１はデータを記憶す
るためのデータ記憶部であり、アドレス入力端子３から
のアドレス信号によりデータ記憶部ｌ内の任意のワード
が選択される。書き込み時には書き込み制御信号（ＷＥ
）入力端子６からの制御信号（ＷＥ）のタイミングでデ
ータ入出力端子４からのデータを書き込むとともに　読
みだし時には読みだしデータを出力制御信号（ＯＥ）入
力端子５からの制御信号（ＯＥ）のタイミングでバッフ
ァ回路２を駆動しデータ入出力端子４へ出力すも書き込
み時には　アドレス信号入力端子３にアドレス信号を与
えることにより対象とするアドレスのデータがまず読み
だされも　書き込もうとするデータをデータ入出力端子
４に与えることにより読みだされたデータと新しく書き
込もうとするデータを比較回路７で比較することができ
も　データ記憶部１に対する内部書き込み制御信号は論
理和回路８により書き込み制御信号入力端子６に人力さ
れた書き込み制御信号（ＷＥ）と比較回路７の出力信号
の論理和出力が与えられも　つまり、書き込み制御信号
入力端子６より”Ｌ”（書き込みイネーブル）が与えら
れた場合、比較回路７の出力が”Ｌ”つまり、読みだし
データが書き込みデータより小さい場合にはデータ記憶
部１に対してＬ”（書き込みイネーブル）を４丸　書き
込みを行なう。比較回路７の出力がＨ”つまり、読みだ
しデータが書き込みデータより大きい場合にはＨ”（書
き込みディセーブル）を４尤　書き込みは行なわな（ち
　また　論理和回路８の出力は書き込み制御信号出力端
子９　（ＷＥＯ）へ出力されでいも 第１図に示す半導体記憶装置をＺバッファに適用した三
次元画像表示装置の構成例を第２図に示す。　１１はホ
スト計算機と接続するためのシステムバス　１２はホス
ト計算機と交信するためのインターフェイス回路であり
、表示すべき画像データはホスト計算機より描画コマン
ドとしてシステムバス１１を介して与えられ７．ｈ１３
はグラフィックスプロセッサであり、与えられた描画コ
マンドから表示画面の各画素に対応した画像データを発
生す＆　　１４はＣＲＴ１７の表示画面に対応した画像
データを記憶するためのイメージメモリであり、このイ
メージメモリ１４のデータを読みだし回路１６により読
みだしてＣＲＴ　ｌ　７に与えることにより描画図形を
表示画面上に表示することができも ここで、グラフィックスプロセッサ１３からのイメージ
メモリ１４および２バツフア１５への書き込み動作につ
いて説明すると、グラフィックスプロセッサ１３はアド
レス信号と書き込もうとする図形デー久　およびアドレ
ス信号と書き込もうとする奥行きデータをそれぞれメー
ジメモリ１４とＺバッファ１５に対してを与えるととも
に　メージメモリ１４に対して書き込み制御信号を与え
る。Ｚバッファ１５は第１図に示す本発明の半導体記憶
装置を用いて構成されており、与えられたアドレスに対
して読みだした奥行きデータと書き込もうとする奥行き
データを比較し　書き込もうとする奥行きデータがすで
に書き込まれている奥行きデータよりも小さい場合には
データ記憶部に対して書き込みを行なうとともに書き込
み制御信号（ＷＥＯ）として”Ｌ″（イネーブル）を出
力す４２バツフア１５からの書き込み制御信号（ＮＥＯ
）をイメージメモリ１４の書き込み制御信号（ＷＥ）と
して入力することにより、Ｚバッファ１５に書き込みを
行なった場合にはイメージメモリ１４にも書き込みを行
なうことができ４　　Ｚバッファ１５に書き込もうとす
る奥行きデータがすでに書き込まれている奥行きデータ
よりも大きい場合にはデータ記憶部に対する書き込みは
行なわれ哄　書き込み制御信号（ＷＥＯ）も”Ｈ’（デ
ィセーブル）が出力され　イメージメモリ１４にも書き
込みは行なわれなし１このように　グラフィックスプロ
セッサ１３からはイメージメモリ１４およびＺバッファ
１５に対する一回の書き込み命令のみを与えればよいの
玄　第３図のタイミングチャートに示すように１サイク
ルで書き込みを行なうことができる。

発明の詳細 な説明したように　本発明によれば　三次元画像表示装
置に適用して一回の書き込み命令で隠れ面処理を施した
図形データ書き込みができるので、高速描画が可能な三
次元画像表示装置を実現することができも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体記憶装置の一実施例を示す
構成は　第２図は同装置を用いた三次元画像表示装置の
一実施例を示す構成阻　第３図は本発明の同装置の書き
込みタイミング説明は　第４図は従来の半導体記憶装置
の構成は　第５図は同装置を用いた三次元画像表示装置
の構成＠　第６図は従来の同装置の書き込みタイミング
説明図である。 ｌ・・・データ記憶舐　２・・・出力バッファ、　３・
・・アドレス入力端子、４・・・データ入出力端五　５
・・・読みだし制御信号入力端子、６・・・書き込み制
御信号入力端子、　７・・・比較回泳　８・・・論理和
口取　９・・・書き込み制御信号出力端も

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. データを記憶するデータ記憶部と、前記データ記憶部よ
   り読みだされる読みだしデータと前記データ記憶部へ与
   える書き込みデータとを比較する比較手段と、前記比較
   手段の出力と与えられた書き込み制御信号から前記デー
   タ記憶部に対する内部書き込み制御信号を発生する内部
   書き込み制御信号発生手段と、前記内部書き込み制御信
   号発生手段の出力を外部へ出力する手段とを備えた半導
   体記憶装置。