JPH0765198A - 画像メモリ装置 - Google Patents

画像メモリ装置

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JPH0765198A
JPH0765198A JP5212826A JP21282693A JPH0765198A JP H0765198 A JPH0765198 A JP H0765198A JP 5212826 A JP5212826 A JP 5212826A JP 21282693 A JP21282693 A JP 21282693A JP H0765198 A JPH0765198 A JP H0765198A
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JP
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Application number
JP5212826A
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English (en)
Inventor
Takeshi Oki
健 大木
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 システムの小型化に適した、かつ高速なZバ
ッファの更新による高速な隠れ面処理が可能な画像メモ
リ装置を提供する。 【構成】 水平スキャン方向に連続した各画素の奥行き
(Z)値を第1の書き込みバッファ5と第1の読み込み
専用ラインバッファ2を介した読み込みバッファ4から
比較器7に入力し、比較結果により、小さい方の奥行き
(Z)値を第1の読み書き可能ラインバッファ3に書き
込むと共に、選択された奥行き(Z)値と対をなす輝度
(I)値も同様に第2の読み書き可能ラインバッファ1
3に書き込むことにより、第1および第2のメモリセル
アレイ1、2には隠れ面処理された後の結果を格納する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、3次元多面体物体を2
次元スクリーン上に投影して表示する3次元グラフィッ
クスの隠れ面処理に適した画像メモリ装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータ技術の発展により3
次元グラフィックスもより一般になってきた。3次元物
体を2次元スクリーン上に投影して表示する場合、手前
に存在する物体がそれより奥にある物体の一部またはす
べてを隠してしまう現象を何らかの方法で処理しなけれ
ばならない。一般的にハードウエアで実現する時は、1
画面分の奥行き(Z)値を格納するZバッファを用いて
処理するZバッファ法が知られている。このZバッファ
法を用いた隠れ面処理装置としては、例えば幾見他「3
2ビット3次元グラフィックスプロセッサ」(情報処理
学会集積回路研究会報告、ICD88―36、P71〜
73、1988)に示されており、それに使用されてい
るメモリ装置は通常の2ポートメモリで構成されてい
る。
【0003】図3はこの従来のメモリ装置を使用した隠
れ面処理装置のブロック図である。図3において、31
は凸多角形(ポリゴン)を入力し、スキャンライン順
で、かつ水平スキャンライン方向の各画素単位に順次
X、Y座標と共に奥行き(Z)と輝度(I)を計算して
出力する画素演算器、32、33はランダム入出力ポー
トとシリアル出力ポートの2ポートを有し、各々1画面
分の奥行き(Z)値と輝度(I)値を格納するメモリ装
置、34は画素演算器31とメモリ装置32からそれぞ
れ奥行き(Z)値を各画素単位で入力して比較し、画素
演算器31から出力された奥行き(Z)値の方が小さい
時のみ、メモリ装置32に奥行き(Z)値を、メモリ装
置33に輝度(I)値を書き込む制御をする比較器、3
5、36は各々奥行き(Z)値と輝度(I)値を格納
し、出力するバッファである。
【0004】以上のように構成された従来のメモリ装置
を使用した隠れ面処理装置について、以下その動作を説
明する。まず画素演算器31には図4に示すようなポリ
ゴンが入力される。画素演算器31では、YsからYeま
でスキャンライン順に処理が進行し、各スキャンライン
内では水平スキャン方向に1画素づつ、X、Y座標値と
共に奥行き(Z)値と輝度(I)値を計算して順次出力
する。一方画素演算器31から出力されたX、Y座標値
が奥行き(Z)値を格納するメモリ装置32に読みだし
先頭アドレスとして入力され、メモリ装置32のシリア
ル出力ポートから各画素に対応した奥行き(Z)値を順
次出力する。そして、比較器34では各画素単位に画素
演算器31とメモリ装置32とから出力された奥行き
(Z)値の比較を行ない、比較結果が画素演算器31か
ら出力された奥行き(Z)値の方が小さい時のみ、メモ
リ装置32、33に出力する書き込み制御信号をイネー
ブルにする。そして、画素演算器31から出力された奥
行き(Z)値と輝度(I)値はバッファ35、36を介
してそれぞれメモリ装置32、33のランダムポートか
ら高速ページモードで順次格納される。
【0005】このようにして1画面分のポリゴンが入力
され終えると、メモリ装置32には各画素の一番小さい
奥行き(Z)値が格納されると共に、メモリ装置33に
は隠れ面処理結果の輝度(I)値が格納される。そして
メモリ装置33のシリアル出力ポートを介してCRTに
出力され、3次元画像が表示される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、メモリ装置のシリアルポートから読み出
した奥行き(Z)値を外部回路で比較し、その比較結果
により行なう外部回路からメモリ装置への奥行き(Z)
値、輝度(I)値の書き込みはランダムポートから行な
っていたため、外部回路やその配線数が多く、回路規模
が大きくなると同時に、メモリ装置への書き込み速度が
遅く、Zバッファ処理に時間を要するという課題を有し
ていた。
【0007】本発明はかかる点に鑑み、システムの小型
化に適した、かつ高速なZバッファの更新による高速な
隠れ面処理が可能な画像メモリ装置を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は1画面
分の奥行き(Z)値を格納する第1のメモリセルアレイ
と、前記第1のメモリセルアレイから読み出した1行分
のデータを格納する第1の読み込み専用ラインバッファ
と、前記第1のメモリセルアレイから読み出した後、加
工した書き込むべき1行分のデータを格納する第1の読
み書き可能ラインバッファと、前記第1の読み込み専用
ラインバッファから選択された1画素分の奥行き(Z)
値を格納する第1の読み込みバッファと、外部から入力
した1画素分の奥行き(Z)値を格納する第1の書き込
みバッファと、前記第1の書き込みバッファに格納され
た奥行き(Z)値と前記第1の読み込みバッファに格納
された奥行き(Z)値を比較する比較器と、前記第1の
書き込みバッファに格納された値と前記第1の読み込み
バッファに格納された値を入力し、前記比較器の比較結
果により選択された方を前記第1の読み書き可能ライン
バッファに出力する第1のセレクタと、1画面分の輝度
(I)値を格納する第2のメモリセルアレイと、前記第
2のメモリセルアレイから読み出した1行分のデータを
格納する第2の読み込み専用ラインバッファと、前記第
2のメモリセルアレイから読み出した後、加工した書き
込むべき1行分のデータを格納する第2の読み書き可能
ラインバッファと、前記第2の読み込み専用ラインバッ
ファから選択された1画素分の輝度(I)値を格納する
第2の読み込みバッファと、外部から入力した1画素分
の輝度(I)値を格納する第2の書き込みバッファと、
前記第2の書き込みバッファに格納された値と前記第2
の読み込みバッファに格納された値を入力し、前記比較
器の比較結果により選択された方を前記第2の読み書き
可能ラインバッファに出力する第2のセレクタと、前記
第2のメモリセルアレイから読み出した1行分のデータ
を格納し、外部に1画素ずつ順々に輝度(I)値を出力
する表示用ラインバッファとを備えた画像メモリ装置で
ある。
【0009】請求項2の発明は請求項1の発明に記載し
た画像メモリ装置に、外部から設定できる奥行き(Z)
値の偏差を格納する第1の更新レジスタと、前記第1の
書き込みバッファの値と前記第1の更新レジスタの値を
加算し、前記第1の書き込みバッファに結果を再格納す
る第1の加算器と、外部から設定できる輝度(I)値の
偏差を格納する第2の更新レジスタと、前記第2の書き
込みバッファの値と前記第2の更新レジスタの値を加算
し、前記第2の書き込みバッファに結果を再格納する第
2の加算器とを付加した画像メモリ装置である。
【0010】
【作用】本発明は前記した構成により、水平スキャン方
向に連続した各画素の奥行き(Z)値を第1の書き込み
バッファと第1の読み込み専用ラインバッファを介した
第1の読み込みバッファから比較器に入力し、比較結果
により、小さい方の奥行き(Z)値を第1の読み書き可
能ラインバッファに書き込むと共に、選択された奥行き
(Z)値と対をなす輝度(I)値も同様に第2の読み書
き可能ラインバッファに書き込むことにより、第1およ
び第2のメモリセルアレイには隠れ面処理された後の結
果を格納することができる。
【0011】
【実施例1】 (実施例1)以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【0012】図1は本発明の実施例におけるプロック図
を示すものである。図1において、1、11は各々1画
面分の奥行き(Z)値と輝度(I)値を格納するメモリ
セルアレイ、2、12は各々メモリセルアレイ1、11
から読み出した1行分のデータを格納する読み込み専用
ラインバッファ、3、13は各々メモリセルアレイ1、
11から読み出した後、加工した書き込むべき1行分の
データを格納する読み書き可能ラインバッファ、4、1
4は各々読み込み専用ラインバッファ2、12から選択
された1画素分の奥行き(Z)値と輝度値(I)を格納
する読み込みバッファ、5、15は各々外部から入力し
た1画素分の奥行き(Z)値と輝度値(I)を格納する
書き込みバッファ、6、16は各々書き込みバッファ
5、15に格納された値と読み込みバッファ4、14に
格納された値を入力し、比較器7の比較結果により選択
された方を各々読み書き可能ラインバッファ3、13に
出力するセレクタ、7は書き込みバッファ5に格納され
た奥行き(Z)値と読み込みバッファ4に格納された奥
行き(Z)値を比較する比較器、17はメモリセルアレ
イ11から読み出した1行分のデータを格納し、外部に
1画素ずつ順々に輝度(I)値を出力する表示用ライン
バッファ、21は外部から入力したアドレスをデコード
するアドレスデコーダである。
【0013】以上のように構成された画像メモリ装置に
ついて、以下その動作を説明する。図4に示すようなポ
リゴンが従来例とほぼ同様の画素演算器等でYsからYe
までスキャンライン順に処理が進行し、各スキャンライ
ン内で水平スキャン方向に先頭のX、Y座標値と1画素
ずつの奥行き(Z)値と輝度(I)値を計算して順次出
力されているものとする。
【0014】いまYcのスキャンラインの処理が進行す
るものとすると、まず本画像メモリ装置には先頭のX、
Y座標値としてアドレスが入力される。入力されたアド
レスはアドレスデコーダ21を介してメモリセルアレイ
1、11に行アドレスを、読み込み専用ラインバッファ
2、12には列アドレスを出力する。
【0015】メモリセルアレイ1、11からは行アドレ
スで選択された1行分の奥行き(Z)値と輝度(I)値
が読み出され、各々読み込み専用ラインバッファ2、1
2と読み書き可能ラインバッファ3、13に同時に格納
される。読み込み専用ラインバッファ2、12からは列
アドレスで選択された1画素分の奥行き(Z)値と輝度
(I)値が読み出され、各々読み込みバッファ4、14
に格納された後、1クロック後には次の画素データが順
次格納されていく。
【0016】一方書き込みバッファ5、15には外部で
計算された奥行き(Z)値と輝度(I)値が1クロック
毎に順次書き込まれる。そして、共に1クロック毎に更
新される読み込みバッファ4に格納された奥行き(Z)
値と書き込みバッファ5に格納された奥行き(Z)値を
比較器7で順次比較し、小さい方の奥行き(Z)値を持
ったほうがセレクタ6、16で選択され、結果として読
み書き可能ラインバッファ3、13には奥行き(Z)値
が小さい方の画素の奥行き(Z)値と輝度(I)値が順
次格納される。
【0017】これらの各画素毎の処理が各バッファ、比
較器、セレクタ等でパイプライン的に高速に処理され、
Ycの最後の画素まで終了すると、1行分の隠れ面処理
結果として奥行き(Z)値と輝度(I)値が読み書き可
能ラインバッファ3、13に格納された後、メモセルア
レイ1、11に再格納され、次のスキャンラインの処理
に移行する。
【0018】また、メモリセルアレイ11からは表示す
べき1行分の輝度(I)値が一旦表示用ラインバッファ
17に格納され、外部には1画素ずつ順々に輝度(I)
値が出力される。
【0019】このようにして1画面分のポリゴンが入力
され終えると、メモリセルアレイ1、11には各画素の
一番小さい奥行き(Z)値とそれに対応する画素の輝度
(I)値が隠れ面処理結果として格納される。そして、
メモリセルアレイ11から表示用ラインバッファ17を
介して表示装置に出力され、3次元画像が表示される。
【0020】メモリセルアレイ2個の容量は合計で10
00×1000×24ビット×2=48Mビットであ
り、1チップで画像メモリ装置を構成することができ
る。
【0021】以上のように本実施例によれば、メモリ装
置内部にZバッファ更新機構を設けることにより、外部
からは書き込みデータをバッファに順次格納するだけ
で、内部で自動的にメモリセルアレイからの読み込み、
比較、結果の書き込みとパイプライン的に処理し、入力
機構も専用メモリなのでクロック同期の高速手法が使用
できるので、メモリ装置の入出力のボトルネックが解消
でき、簡単な制御で高速な隠れ面処理を実行できる。
【0022】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
【0023】図2は本発明の実施例におけるプロック図
を示すものである。図2において、1、11はメモリセ
ルアレイ、2、12は読み込み専用ラインバッファ、
3、13は読み書き可能ラインバッファ、4、14は読
み込みバッファ、5、15は書き込みバッファ、6、1
6はセレクタ、7は比較器、17は表示用ラインバッフ
ァ、21はアドレスデコーダであり、これらは実施例1
で示した図1のものと同一である。8、18は各々奥行
き(Z)値、輝度(I)値の偏差を格納する更新レジス
タ、9、19は各々奥行き(Z)値、輝度(I)値を更
新する加算器、22、23は奥行き(Z)値、輝度
(I)値を一時的に格納するバッファである。
【0024】以上のように構成された画像メモリ装置に
ついて、以下その動作を説明する。基本的な動作は図1
のブロック図で示した本発明の実施例1と同じであるの
で、ここでは簡単に説明するために外部から入力される
画素データの処理方法の違いのみを説明する。
【0025】図4に示すようなポリゴンが画素演算器等
でまずポリゴン毎に奥行き(Z)の傾き値と輝度(I)
の傾き値を計算出力し、YsからYeまでスキャンライン
順の処理は各スキャンラインの先頭のみのX、Y座標値
と奥行き(Z)値と輝度(I)値を計算して出力されて
いるものとする。
【0026】まずポリゴンの処理の最初にそのポリゴン
固有の奥行き(Z)の傾き値と輝度(I)の傾き値が更
新レジスタ8、18に格納される。そして、外部から2
度に分けてシリアルに入力される各スキャンラインの先
頭画素の奥行き(Z)値と輝度(I)値のみがバッファ
22、23を介して書き込みバッファ5、15に格納さ
れる。その後、各画素の奥行き(Z)値と輝度(I)値
は外部から入力されることなく、クロック毎に書き込み
バッファ5、15内の値とと更新レジスタ8、18内の
値を各々加算器9、19で加算され、1画素分更新され
た奥行き(Z)値と輝度(I)値が各々の書き込みバッ
ファ5、15に再格納されて、使用されていく。その他
の動作は本発明の実施例1と同じである。
【0027】以上のように本実施例によれば、奥行き
(Z)値、輝度(I)値を内部で自動更新するだけでな
く、奥行き(Z)値と輝度(I)値を同一ピンからシリ
アルに入力して処理する機構を設けることにより、簡単
なメモリコントローラ機能付CPUにこのピン数の少な
い1チップ構成の画像メモリ装置を接続するだけで、メ
モリ装置の入出力のボトルネックが解消でき、小型で高
性能な隠れ面処理装置が実現できる。
【0028】なお、本実施例ではピン数を少なくするた
め、外部から入力する奥行き(Z)値と輝度(I)値の
データ入力ピンを共通にし、2度に分けてシリアルにデ
ータを入力するようにしたが、これは第1の実施例と同
様に各々の専用の入力ピンを設けてもよい。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は奥行き
(Z)値用と輝度(I)値用の2つのメモリセルアレイ
を有し、それぞれに読み込み専用ラインバッファと読み
書き可能ラインバッファの2つのラインバッファを付属
し、奥行き(Z)値用にだけ比較器を設けることによ
り、外部からは書き込みデータをバッファに順次格納す
るだけで、内部では奥行き(Z)値と輝度(I)値の読
み出し、比較、書き込みをパイプライン的に実行するこ
とで、システムの小型化が可能で、かつ高速な隠れ面処
理をすることができ、その実用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における画像メモリ装置
のブロック図
【図2】本発明の第2の実施例における画像メモリ装置
のブロック図
【図3】従来のメモリ装置を使用した隠れ面処理のブロ
ック図
【図4】本発明と従来のものに共通な入力データの概念
【符号の説明】
1 第1のメモリセルアレイ 2 第1の読み込み専用ラインバッファ 3 第1の読み書き可能ラインバッファ 4 第1の読み込みバッファ 5 第1の書き込みバッファ 6 第1のセレクタ 7 比較器 8 奥行き(Z)値の偏差を格納する更新レジスタ 9 奥行き(Z)値を更新する加算器 11 第2のメモリセルアレイ 12 第2の読み込み専用ラインバッファ 13 第2の読み書き可能ラインバッファ 14 第2の読み込みバッファ 15 第2の書き込みバッファ 16 第2のセレクタ 17 表示用ラインバッファ 18 輝度(I)値の偏差を格納する更新レジスタ 19 輝度(I)値を更新する加算器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】1画面分の奥行き(Z)値を格納する第1
    のメモリセルアレイと、前記第1のメモリセルアレイか
    ら読み出した1行分のデータを格納する第1の読み込み
    専用ラインバッファと、前記第1のメモリセルアレイか
    ら読み出した後、加工した書き込むべき1行分のデータ
    を格納する第1の読み書き可能ラインバッファと、前記
    第1の読み込み専用ラインバッファから選択された1画
    素分の奥行き(Z)値を格納する第1の読み込みバッフ
    ァと、外部から入力した1画素分の奥行き(Z)値を格
    納する第1の書き込みバッファと、前記第1の書き込み
    バッファに格納された奥行き(Z)値と前記第1の読み
    込みバッファに格納された奥行き(Z)値を比較する比
    較器と、前記第1の書き込みバッファに格納された値と
    前記第1の読み込みバッファに格納された値を入力し、
    前記比較器の比較結果により選択された方を前記第1の
    読み書き可能ラインバッファに出力する第1のセレクタ
    と、1画面分の輝度(I)値を格納する第2のメモリセ
    ルアレイと、前記第2のメモリセルアレイから読み出し
    た1行分のデータを格納する第2の読み込み専用ライン
    バッファと、前記第2のメモリセルアレイから読み出し
    た後、加工した書き込むべき1行分のデータを格納する
    第2の読み書き可能ラインバッファと、前記第2の読み
    込み専用ラインバッファから選択された1画素分の輝度
    (I)値を格納する第2の読み込みバッファと、外部か
    ら入力した1画素分の輝度(I)値を格納する第2の書
    き込みバッファと、前記第2の書き込みバッファに格納
    された値と前記第2の読み込みバッファに格納された値
    を入力し、前記比較器の比較結果により選択された方を
    前記第2の読み書き可能ラインバッファに出力する第2
    のセレクタと、前記第2のメモリセルアレイから読み出
    した1行分のデータを格納し、外部に1画素ずつ順々に
    輝度(I)値を出力する表示用ラインバッファとを備え
    たことを特徴とする画像メモリ装置。
  2. 【請求項2】外部から設定できる奥行き(Z)値の偏差
    を格納する第1の更新レジスタと、前記第1の書き込み
    バッファの値と前記第1の更新レジスタの値を加算し、
    前記第1の書き込みバッファに結果を再格納する第1の
    加算器と、外部から設定できる輝度(I)値の偏差を格
    納する第2の更新レジスタと、前記第2の書き込みバッ
    ファの値と前記第2の更新レジスタの値を加算し、前記
    第2の書き込みバッファに結果を再格納する第2の加算
    器を備えたことを特徴とする請求項1記載の画像メモリ
    装置。
JP5212826A 1993-08-27 1993-08-27 画像メモリ装置 Pending JPH0765198A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09180000A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Nec Corp 3次元グラフィックス制御装置
US8339397B2 (en) 2003-03-10 2012-12-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for high-speed shadowing using shadow volumes

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JPH09180000A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Nec Corp 3次元グラフィックス制御装置
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