JPH0377638A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH0377638A JPH0377638A JP21326189A JP21326189A JPH0377638A JP H0377638 A JPH0377638 A JP H0377638A JP 21326189 A JP21326189 A JP 21326189A JP 21326189 A JP21326189 A JP 21326189A JP H0377638 A JPH0377638 A JP H0377638A
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- Japan
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- vacuum chamber
- gas
- vacuum
- wafer
- porous body
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/002—Component parts of these vessels not mentioned in B01J3/004, B01J3/006, B01J3/02 - B01J3/08; Measures taken in conjunction with the process to be carried out, e.g. safety measures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
真空チャンバの改善に関し、
安価な方式で、ガス流入によるウェハーの汚れを少なく
することを目的とし、 真空チャンバ内を真空状態から常圧状態に戻すためのガ
ス導入管の前記真空チャンバ側に多孔質体を配置して、
導入ガスが前記真空チャンバの内部で多方向に分散する
ように構成する。
することを目的とし、 真空チャンバ内を真空状態から常圧状態に戻すためのガ
ス導入管の前記真空チャンバ側に多孔質体を配置して、
導入ガスが前記真空チャンバの内部で多方向に分散する
ように構成する。
本発明はイオン注入装置、真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置などの真空処理装置にかかり、特に真空チャンバ
の改善に関する。
グ装置などの真空処理装置にかかり、特に真空チャンバ
の改善に関する。
ウェハー（半導体ウェハー）の表面に不純物イオンを注
入するイオン注入装置、ウェハー表面にアルミニウムを
蒸着させる真空蒸着装置、マスク基板にクロムを被着さ
せるスパッタリング装置などはすべて真空チャンバが設
けられて、その真空チャンバ内にウェハーを配置してそ
れぞれの処理がおこなわれている。
入するイオン注入装置、ウェハー表面にアルミニウムを
蒸着させる真空蒸着装置、マスク基板にクロムを被着さ
せるスパッタリング装置などはすべて真空チャンバが設
けられて、その真空チャンバ内にウェハーを配置してそ
れぞれの処理がおこなわれている。
例えば、第３図は従来のイオン注入装置における真空チ
ャンバの要部断面図を示しており、図中の記号ｌは真空
チャンバ、２はウェハー、３はウェハーステージ、４は
イオン注入管、５は真空排気管、６はガス導入管、 ５
Ｖ、 ６Ｖは開閉バルブである。その操作法は開閉バル
ブ６ｖを閉じ、開閉バルブ５ｖを開いて真空排気管５に
よって真空チャンバ１の内部を真空排気して真空度１０
− ’−１０−’ＴｏｒｒＯ高真空にし、次に、ウェハ
ーステージ３を回転しながらウェハー２面にイオン注入
管４側から所望イオンを注入（→で示す）する。注入を
終了した後、真空チャンバ１を開いてウェハー２を取り
出すが、そのためには予め開閉バルブ６ｖを開いてガス
導入管６からガス（例えば、窒素ガス）を真空チャンバ
ｌ内に流入させ、真空チャンバｌの内部を大気圧に戻し
ている。
ャンバの要部断面図を示しており、図中の記号ｌは真空
チャンバ、２はウェハー、３はウェハーステージ、４は
イオン注入管、５は真空排気管、６はガス導入管、 ５
Ｖ、 ６Ｖは開閉バルブである。その操作法は開閉バル
ブ６ｖを閉じ、開閉バルブ５ｖを開いて真空排気管５に
よって真空チャンバ１の内部を真空排気して真空度１０
− ’−１０−’ＴｏｒｒＯ高真空にし、次に、ウェハ
ーステージ３を回転しながらウェハー２面にイオン注入
管４側から所望イオンを注入（→で示す）する。注入を
終了した後、真空チャンバ１を開いてウェハー２を取り
出すが、そのためには予め開閉バルブ６ｖを開いてガス
導入管６からガス（例えば、窒素ガス）を真空チャンバ
ｌ内に流入させ、真空チャンバｌの内部を大気圧に戻し
ている。
ところが、上記の操作において、真空チャンバ１の内部
を大気圧に戻す際、急激に一方向に導入されるガス（気
体）によって真空チャンバ内が乱されてチャンバ内に存
在する塵埃が舞い上がり、ウェハー面に塵埃が付着する
ということが起こる。
を大気圧に戻す際、急激に一方向に導入されるガス（気
体）によって真空チャンバ内が乱されてチャンバ内に存
在する塵埃が舞い上がり、ウェハー面に塵埃が付着する
ということが起こる。
第４図はその従来の問題点を示す図で、矢印（→）がガ
ス流れを示しており、図のようなガス流れによって塵埃
が巻き上ってウェハー面が汚される。第４図中の記号は
第３図と同一部位に同一記号が付けである。
ス流れを示しており、図のようなガス流れによって塵埃
が巻き上ってウェハー面が汚される。第４図中の記号は
第３図と同一部位に同一記号が付けである。
これらの塵埃はウェハーの摩擦によってウェハーから外
れた微粉末であったり、ウェハー表面に被着したレジス
トなどからなるものである。
れた微粉末であったり、ウェハー表面に被着したレジス
トなどからなるものである。
従って、従来は真空チャンバの壁面に向いた複数の孔を
設けたシャワー管を、ガス導入管の先に配設する方法な
どが採られているが、シャワー管の付設は装置のコスト
を高くし、且つ、真空チャンバ内を複雑化する欠点があ
る。
設けたシャワー管を、ガス導入管の先に配設する方法な
どが採られているが、シャワー管の付設は装置のコスト
を高くし、且つ、真空チャンバ内を複雑化する欠点があ
る。
本発明はこのような問題点を低減させて、安価な方法で
、ガス流入によるウェハーの汚れを少なくすることを目
的とした真空処理装置を提案するものである。
、ガス流入によるウェハーの汚れを少なくすることを目
的とした真空処理装置を提案するものである。
その課題は、第１図に示す本発明の原理図のように、真
空チャンバ１内を真空状態から常圧状態に戻すためのガ
ス導入管６の前記真空チャンバ側に多孔質体７を配置し
て、導入ガスが前記真空チャンバの内部で多方向に分散
するように構成されている真空処理装置によって解決さ
れる。
空チャンバ１内を真空状態から常圧状態に戻すためのガ
ス導入管６の前記真空チャンバ側に多孔質体７を配置し
て、導入ガスが前記真空チャンバの内部で多方向に分散
するように構成されている真空処理装置によって解決さ
れる。
即ち、本発明はガス導入管６の先端に多孔質体７を付設
して、ガス流れが真空チャンバ１内で半球状に多方向に
分散して、ガス圧も多方向に弱められて流入するように
する。このような多孔質体は安価に人手でき、従って、
安価な方法で、ガス流入によるウェハーの汚れを少なく
することが可能になる。
して、ガス流れが真空チャンバ１内で半球状に多方向に
分散して、ガス圧も多方向に弱められて流入するように
する。このような多孔質体は安価に人手でき、従って、
安価な方法で、ガス流入によるウェハーの汚れを少なく
することが可能になる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかるイオン注入装置における真空チ
ャンバの要部断面図を示しており、記号は第３図と同じ
く１は真空チャンバ、２はウェハ３はウェハーステージ
、４はイオン注入管。
ャンバの要部断面図を示しており、記号は第３図と同じ
く１は真空チャンバ、２はウェハ３はウェハーステージ
、４はイオン注入管。
５は真空排気管、６はガス導入管、 ５Ｖ、 ６Ｖは開
閉バルブで、７が多孔質体である。
閉バルブで、７が多孔質体である。
この多孔質体７は、例えば、黄銅材を焼結した焼結体か
らなり、焼結フィルタとして市販されているものを用い
ても良い、この多孔質体７の多孔の孔径は前記したシャ
ワー管の孔径より小さくて数も多く、ガス導入管６から
ガスを導入して真空状態から大気圧状態に戻す場合、ガ
スの流出速度が同じでもガスの流出方向やガス圧がさら
に分散できて、塵埃の巻き込みが一層少なくなり、ガス
流入によるウェハーの汚れを一層減少させることができ
るものである。
らなり、焼結フィルタとして市販されているものを用い
ても良い、この多孔質体７の多孔の孔径は前記したシャ
ワー管の孔径より小さくて数も多く、ガス導入管６から
ガスを導入して真空状態から大気圧状態に戻す場合、ガ
スの流出速度が同じでもガスの流出方向やガス圧がさら
に分散できて、塵埃の巻き込みが一層少なくなり、ガス
流入によるウェハーの汚れを一層減少させることができ
るものである。
上記の実施例はイオン注入装置で説明しているが、イオ
ン注入装置に限るものではなく、その他の真空蒸着装置
、スパッタリング装置などに適用できることは言うまで
もない。
ン注入装置に限るものではなく、その他の真空蒸着装置
、スパッタリング装置などに適用できることは言うまで
もない。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる真空処
理装置によれば安価な方法でウェハーの汚染を減少させ
ることができる顕著な効果が得られる。
理装置によれば安価な方法でウェハーの汚染を減少させ
ることができる顕著な効果が得られる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明にかかるイオン注入装置における真空チ
ャンバの要部断面図、 第３図は従来のイオン注入装置における真空チャンバの
要部断面図、 第４図は従来の問題点を示す図である。 図において、 ｌは真空チャンバ、 ２はウェハー ３はウェハーステージ、 ４はイオン注入管、 ５は真空排気管、 ６はガス導入管、 ５Ｖ、 ６Ｖは開閉バルブ、 ７が多孔質体 ／￥弁哨の原理図 第１ＩＰＩｌ
ャンバの要部断面図、 第３図は従来のイオン注入装置における真空チャンバの
要部断面図、 第４図は従来の問題点を示す図である。 図において、 ｌは真空チャンバ、 ２はウェハー ３はウェハーステージ、 ４はイオン注入管、 ５は真空排気管、 ６はガス導入管、 ５Ｖ、 ６Ｖは開閉バルブ、 ７が多孔質体 ／￥弁哨の原理図 第１ＩＰＩｌ
Claims (1)
- 真空チャンバ内を真空状態から常圧状態に戻すための
ガス導入管の前記真空チャンバ側に多孔質体を配置して
、導入ガスが前記真空チャンバの内部で多方向に分散す
るように構成されてなることを特徴とする真空処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21326189A JPH0377638A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21326189A JPH0377638A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377638A true JPH0377638A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16636167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21326189A Pending JPH0377638A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517903A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための方法および装置 |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21326189A patent/JPH0377638A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517903A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための方法および装置 |
| JP4657553B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2011-03-23 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための装置 |
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