JPH0377372A - 半導体設計装置及び方法 - Google Patents
半導体設計装置及び方法Info
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- JPH0377372A JPH0377372A JP1213945A JP21394589A JPH0377372A JP H0377372 A JPH0377372 A JP H0377372A JP 1213945 A JP1213945 A JP 1213945A JP 21394589 A JP21394589 A JP 21394589A JP H0377372 A JPH0377372 A JP H0377372A
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- Japan
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- macro
- master slice
- basic cells
- lsi
- cells
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要)
本発明は、特定用途向け1c(ASICApplica
tion 5pecific Intsguted C
1rcui+ )に係り、特にマスタスライス型LSI
装置に関し、ソフトマクロ方式を用いてマスタスライス
型LSIを設計する場合に予めある程度のAC特性を予
測可能なマスタスライス型LSIを提供する〔産業上の
利用分野〕 本発明は、特定用途向けIC(ASICAppiica
口on 5pecific IIltegrated
C1reoN )に係り、特にマスタスライス型LS
Ilご関する。
tion 5pecific Intsguted C
1rcui+ )に係り、特にマスタスライス型LSI
装置に関し、ソフトマクロ方式を用いてマスタスライス
型LSIを設計する場合に予めある程度のAC特性を予
測可能なマスタスライス型LSIを提供する〔産業上の
利用分野〕 本発明は、特定用途向けIC(ASICAppiica
口on 5pecific IIltegrated
C1reoN )に係り、特にマスタスライス型LS
Ilご関する。
近年、ASIC回路の設計の容易化という視点から考え
ると、大規模マクロセルの搭載は重要な課題である。こ
れに対する解決方法として、以下の3通りがある。
ると、大規模マクロセルの搭載は重要な課題である。こ
れに対する解決方法として、以下の3通りがある。
1)ハードマクロ方式
この方式はマスクパターンが固定であるため、データ伝
搬遅延特性(以下、AC特性と呼ぶ。)を決定できると
いう長所があるが、技術進歩に伴ってその技術進歩に適
合するようにマスクパターンを再度作成する必要があり
、また具体的なレイアウトまで決定するので開発時間が
長くなるという欠点がある。
搬遅延特性(以下、AC特性と呼ぶ。)を決定できると
いう長所があるが、技術進歩に伴ってその技術進歩に適
合するようにマスクパターンを再度作成する必要があり
、また具体的なレイアウトまで決定するので開発時間が
長くなるという欠点がある。
2)ソフトマクロ方式
この方式はマクロセルの論理のみを決定するものであり
、マスクパターンはチップレイアウト時に初めて決定さ
れるので技術進歩に柔軟に対応でき、開発時間が短いと
いう長所があるが、チップ内のマクロセルのレイアウト
が不明であるためA、 C特性が実際のチップレイアウ
ト後まで保証されないという欠点がある。
、マスクパターンはチップレイアウト時に初めて決定さ
れるので技術進歩に柔軟に対応でき、開発時間が短いと
いう長所があるが、チップ内のマクロセルのレイアウト
が不明であるためA、 C特性が実際のチップレイアウ
ト後まで保証されないという欠点がある。
3)コンパイルドセル方式
この方式はハードマクロ方式の一種である。
主に、RAMSROM、乗算器等データバス系に適用さ
れるマクロセル実現方法である。すなわち、予め基本に
なる回路部分のマスクパターンを計算機に登録しておき
、LSIカスタマイズ時にその基本回路を組み合わせて
目的とする回路を実現するものである。この方式では予
めAC特性が決定される長所があるが、開発時間はハー
ドマクロ方式、ソフトマクロ方式の中間程度となる。
れるマクロセル実現方法である。すなわち、予め基本に
なる回路部分のマスクパターンを計算機に登録しておき
、LSIカスタマイズ時にその基本回路を組み合わせて
目的とする回路を実現するものである。この方式では予
めAC特性が決定される長所があるが、開発時間はハー
ドマクロ方式、ソフトマクロ方式の中間程度となる。
以上のように、開発時間の短縮およびAC特性の決定は
相反する傾向にあり、開発時間を短縮し、かつ、AC特
性を保証できる方式の開発が望まれている。
相反する傾向にあり、開発時間を短縮し、かつ、AC特
性を保証できる方式の開発が望まれている。
第3図に従来のハードマクロ方式およびソフトマクロ方
式の開発フローチャートを示す。
式の開発フローチャートを示す。
ハードマクロ方式は、第3図(a)に示すように、まず
論理設計を行い(ステップS■)、それをシミュレーシ
ョンにより検証しくステップS2)、レイアウトを決定
して(ステップSa)検証しくステップS4)、その結
果であるネットリスト情報、AC特性、レイアウトパタ
ーンをライブラリに登録して(ステップS5)開発を終
了する。
論理設計を行い(ステップS■)、それをシミュレーシ
ョンにより検証しくステップS2)、レイアウトを決定
して(ステップSa)検証しくステップS4)、その結
果であるネットリスト情報、AC特性、レイアウトパタ
ーンをライブラリに登録して(ステップS5)開発を終
了する。
一方、ソフトマクロ方式は、第3図(b)に示すように
、まず論理設計を行い(ステップS6)、それをシミュ
レーションにより検証しくステップS7)、その結果で
あるネットリスト情報をライブラリに登録して(ステッ
プSs)開発を終了する。
、まず論理設計を行い(ステップS6)、それをシミュ
レーションにより検証しくステップS7)、その結果で
あるネットリスト情報をライブラリに登録して(ステッ
プSs)開発を終了する。
以上のように、ソフトマクロ方式は、ネットリスト情報
のみを開発すれば良いため、ハードマクロ方式と比較し
て約半分の期間でLSIを開発することができる。また
、レイアウトパターンは固定されていないので蓄積され
たネットリスト情報のデータベースを使用することによ
り、技術の進歩に柔軟に対応することができる。
のみを開発すれば良いため、ハードマクロ方式と比較し
て約半分の期間でLSIを開発することができる。また
、レイアウトパターンは固定されていないので蓄積され
たネットリスト情報のデータベースを使用することによ
り、技術の進歩に柔軟に対応することができる。
第4図にマスタスライス型LSIの設計装置の概要構成
を示す。
を示す。
この半導体設計装置1は、入力部2から入力された設計
データとライブラリ格納部3に格納されているネットリ
スト情報(データベース)とを演算処理部4において処
理し、適宜表示部5との対話形式で注文仕様に応じたカ
スタムマスクパターンデータを生成し、出力部6から出
力するようにしたCADツールである。
データとライブラリ格納部3に格納されているネットリ
スト情報(データベース)とを演算処理部4において処
理し、適宜表示部5との対話形式で注文仕様に応じたカ
スタムマスクパターンデータを生成し、出力部6から出
力するようにしたCADツールである。
上記半導体設計袋fillを用いて、ソフトマクロ方式
により設計されたLSIの概要構成を第5図に示す。こ
こで、ある特定の機能を有するマクロセルMを構成する
基本セルをASBSC,、Dとし、入力信号をINとし
、マクロセルの出力信号をそれぞれB 、C、D
とする。
により設計されたLSIの概要構成を第5図に示す。こ
こで、ある特定の機能を有するマクロセルMを構成する
基本セルをASBSC,、Dとし、入力信号をINとし
、マクロセルの出力信号をそれぞれB 、C、D
とする。
out oi outソフトマク
ロ方式ではマクロセルMが所定の論理を実現すれば良い
とされ、入力信号INに対して出力信号B 1C5D
oo1が当該マクロolIt out セルMから出力されるか否かが問題となる。
ロ方式ではマクロセルMが所定の論理を実現すれば良い
とされ、入力信号INに対して出力信号B 1C5D
oo1が当該マクロolIt out セルMから出力されるか否かが問題となる。
LSIチップ8中の各基本セルの配置は不定である。し
たがって、チップレイアウトが定まらなLlと各基本セ
ル間を結ぶ配線ABSA、C,ADの長さは定まらなか
った。
たがって、チップレイアウトが定まらなLlと各基本セ
ル間を結ぶ配線ABSA、C,ADの長さは定まらなか
った。
上記、従来のソフトマクロ方式は、開発時間が短いとい
う長所を有するものの、チップレイアウト終了まではA
C特性は不明であるため、ある程度厳密なAC特性が要
求されるような場合にはマスタスライス型LSIの設計
が難しいという問題点があった。
う長所を有するものの、チップレイアウト終了まではA
C特性は不明であるため、ある程度厳密なAC特性が要
求されるような場合にはマスタスライス型LSIの設計
が難しいという問題点があった。
上記課題に鑑み、本発明は、ソフトマクロ方式を用いた
場合でもある程度のAC特性を保証しうるマスタスライ
ス型LSIを提供することを目的とする。
場合でもある程度のAC特性を保証しうるマスタスライ
ス型LSIを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するため、本発明は、マスタスライス型
半導体集積回路において、予め相対配置関係が定められ
た基本セル(A−D)で構成されるマクロセル(M )
を組み合わせて配置して構成した。
半導体集積回路において、予め相対配置関係が定められ
た基本セル(A−D)で構成されるマクロセル(M )
を組み合わせて配置して構成した。
本発明によれば、予め相対配置関係が定められた基本セ
ル(A−D)で構成される複数のマクロセル(M 1”
” M 4 )を組み合わせて回路構成を行うので、基
本セル間の配線長を予測することができ、したがって、
配線長に対応するAC特性が明らかとなる。
ル(A−D)で構成される複数のマクロセル(M 1”
” M 4 )を組み合わせて回路構成を行うので、基
本セル間の配線長を予測することができ、したがって、
配線長に対応するAC特性が明らかとなる。
第1図および第2図を参照して本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第1図に本発明にかかるLSIの概要構成を示す。ここ
で、LSIチップ8は、4個のマクロセルM1〜・M4
で構成されており、各マクロセルは同様の内部構成をし
ているものとする。以下においては説明の開路化のため
、マクロセル内l内の回路構成についてのみ説明する。
で、LSIチップ8は、4個のマクロセルM1〜・M4
で構成されており、各マクロセルは同様の内部構成をし
ているものとする。以下においては説明の開路化のため
、マクロセル内l内の回路構成についてのみ説明する。
マクロセルM1は予め相対配置関係が定められた基本セ
ルASB、C,Dを有して構成されCいる。
ルASB、C,Dを有して構成されCいる。
各基本セル間の配線ABSAC,ADの長さは設計前に
おいては不定であるが、各基本セルの相対配置関係が定
められているため、同一配線条件のもとでは、ある一定
範囲内の長さとなる。したがって、配線長に対応する基
本セルのAC特性も一定範囲崗に収まることとなり、L
SI全体のAC特性を保証することができるものとなる
。。
おいては不定であるが、各基本セルの相対配置関係が定
められているため、同一配線条件のもとでは、ある一定
範囲内の長さとなる。したがって、配線長に対応する基
本セルのAC特性も一定範囲崗に収まることとなり、L
SI全体のAC特性を保証することができるものとなる
。。
第2図にマスタスライス型LSIの設計装置Rのブロッ
ク図を示す。第4図の従来例ε同一の部分には同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。
ク図を示す。第4図の従来例ε同一の部分には同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。
第2図において、第4図の従来例と異なる点は、ライブ
ラリ格納部3内にマクロセルM内の各基本セルA−Dの
相対配置を示す相対配置情報を格納する相対配置情報部
7を含めた点である。
ラリ格納部3内にマクロセルM内の各基本セルA−Dの
相対配置を示す相対配置情報を格納する相対配置情報部
7を含めた点である。
人力部2から様々な設計データが人力されるε、演算処
理部4は適宜表示部5との対話形式で、ライブラリ格納
部3内のネット情報および相対配置情報部7の相対配置
情報に基づいて注文仕様に心じたカスタムマスクパター
ンを生成し、出力部6からその結果を出力する。
理部4は適宜表示部5との対話形式で、ライブラリ格納
部3内のネット情報および相対配置情報部7の相対配置
情報に基づいて注文仕様に心じたカスタムマスクパター
ンを生成し、出力部6からその結果を出力する。
各マクロセルM1〜M4 (第1図)内の基本セルの相
対配置情報はデータベース7の相対配置情報部7中に格
納されており、自動レイアウトプログラムは自動配線の
段階でこれらの相対配置を変更することはなく、これら
マクロセルM1〜M4を適宜配置し目動結線を行うので
、A、 C特性を保証したマスタスライス型LSIの自
動設計を行うことができる。
対配置情報はデータベース7の相対配置情報部7中に格
納されており、自動レイアウトプログラムは自動配線の
段階でこれらの相対配置を変更することはなく、これら
マクロセルM1〜M4を適宜配置し目動結線を行うので
、A、 C特性を保証したマスタスライス型LSIの自
動設計を行うことができる。
本発明は以上のように構成したので、マクロセル内の各
基本セル間の配線長を予め知ることができるので、ソフ
トマクロ方式においてAC特性を保証できるマスタスラ
イス型LSIを得ることができるという効果を奏する。
基本セル間の配線長を予め知ることができるので、ソフ
トマクロ方式においてAC特性を保証できるマスタスラ
イス型LSIを得ることができるという効果を奏する。
第1図は本発明にかかるしSlの概要構成図、第2図は
本発明における半導体設計装置のブロック図、 第3図は従来の開発フローチャートの説明図、第4図は
従来の半導体設計装置のブロック図、第5図は従来のL
SIの概要構成図である。 1・・・半導体設計装置 2・・・入力部 3・・・ライブラリ格納部 4・・・演算処理部 5・・・表示部 6・・・出力部 7 ・・相対配置情報部 8・・ Iチップ 第2図 本完明にかかるしSIの慨要構成図 第1図 第4図 従来の開発フローチャートの説明図 第3図
本発明における半導体設計装置のブロック図、 第3図は従来の開発フローチャートの説明図、第4図は
従来の半導体設計装置のブロック図、第5図は従来のL
SIの概要構成図である。 1・・・半導体設計装置 2・・・入力部 3・・・ライブラリ格納部 4・・・演算処理部 5・・・表示部 6・・・出力部 7 ・・相対配置情報部 8・・ Iチップ 第2図 本完明にかかるしSIの慨要構成図 第1図 第4図 従来の開発フローチャートの説明図 第3図
Claims (1)
- 予め相対配置関係が定められた基本セル(A〜D)で構
成されるマクロセル(M)を組み合わせて配置したこと
を特徴とするマスタスライス型半導体集積回路
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1213945A JP2788763B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体設計装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1213945A JP2788763B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体設計装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0377372A true JPH0377372A (ja) | 1991-04-02 |
JP2788763B2 JP2788763B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=16647653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1213945A Expired - Fee Related JP2788763B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 半導体設計装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2788763B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128148A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | マスタスライス型半導体集積回路装置 |
JPS62131540A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Nec Corp | 集積回路の配線設計法 |
JPS63239841A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Hitachi Ltd | ゲ−トアレイの論理設計方式とそのゲ−トアレイ |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP1213945A patent/JP2788763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128148A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | マスタスライス型半導体集積回路装置 |
JPS62131540A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Nec Corp | 集積回路の配線設計法 |
JPS63239841A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Hitachi Ltd | ゲ−トアレイの論理設計方式とそのゲ−トアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2788763B2 (ja) | 1998-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |