JPH0373562A

JPH0373562A - 電子部品およびその製造に用いられるリードフレーム

Info

Publication number: JPH0373562A
Application number: JP1210284A
Authority: JP
Inventors: Hajime Sato; 佐藤　始; Wahei Kitamura; 北村　和平
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-08-14
Filing date: 1989-08-14
Publication date: 1991-03-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電子部品の面実装技術、特に配線基板表面に設
けられた電極（フットプリント）にＩＣ（集積回路）、
ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体装置（電子部品）
のリード端を接合する実装技術に関する。

〔従来の技術〕

電子機器は、機能面から高密度実装化が、実装面から軽
量化、小型化、薄型化が要請されている。

このため、電子機器に組み込まれる電子部品の多くは、
面実装が可能な構造に移行してきている。

面実装型集積回路（ｒｃ）パッケージについては、たと
えば、工業調査会発行「電子材料」１９８４年９月号、
昭和５９年９月１日発行、Ｐ５５〜Ｐ６４に記載されて
いる。この文献には、「チップを搭載するＩＣパッケー
ジは、小型化、多ビン化が進み、従来のＤＴＰ（デュア
ルインラインパッケージ）からξニフラット（ＳＯＰと
も呼ばれている。スモールアウトラインパッケージ）。

ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）、フィルムキャ
リヤ、ＬＣＣ（リードレスチップキャリヤ。

セラよツク基板使用）などへ変わってきている。

さらに最近はＰＬＣＣ（プラスチックリーディッドチッ
プキ中リヤ）も市場に現れてきている。」旨記載されて
いる。また、同文献には、フラットパッケージは、ξニ
フラットパッケージ（Ｓ。

Ｐ）と、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）を含む
一層フラットパッケージとに分類されていること、一般
のフラットパッケージにおける端子形状の種類としては
、（ａ）　Ｊ型リード（Ｒｏｌｌｅｄｕｎｄｅｒ）　＋
　（ｂ）ガルウィング（Ｇｕｌｌ−ｗｉｎｇ）、　（ｃ
）バットリード（Ｂｕｔｔ−１ｅａｄ）、　（ｄ）フラ
ットリード（Ｆｌａｔｌｅａｄ）がある旨記載されてい
る。

また、工業調査会発行「電子材料Ｊ　１９Ｂ５年５月号
、昭和６０年５月１日発行、Ｐ１３０〜Ｐ１３６には、
ＬＳＩ（大規模集積回路）のための表面実装技術につい
て記載されている。この文献には、リード形状と最小ビ
ンピッチについて触れられており、「リード形状と最小
ビンピッチすなわちハンダブリッジの起こりやすさとの
間には、なんらかの関係があるのでは、・・・」との想
定のもとに、ガラスエポキシ基板に０．６５ｍｍピッチ
のハンダパッドを配したもので実装を行い、バットリー
ド（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ　Ｌタイプ）の場合は、パッケー
ジ単位で５０％のハンダブリッジが確認されたが、ガル
ウィングタイプやＪ型リード（Ｊ−Ｂｅｎｄ　）タイプ
ではハンダブリッジは確認されなかった旨記載されてい
る。

また、口軽ＢＰ社発行「日経エレクトロニクス、１９８
８年１２月１２日号、Ｐ１４１〜Ｐ１５８には、表面実
装において、リードピッチは現状では０．６５ｍｍが主
流であり、０．５ｍｍピッチも始動の状況にあること、
０．５〜０．４ｍｍピッチでは一括接続は限界であるこ
と、０．４ｍｍピンチにおける量産技術はまだ確立され
ていないこと等が記載されている。

一方、リードフレームにおいては、一般に、防錆および
実装時のソルダビリティ向上の目的で、前記パッケージ
で被われるインナーリードの途中からアウターリードに
亘って半田メツキが施される。従来、この半田メツキは
モールド後に行なわれているが、最近ではモールド前、
すなわちチップ搭載等組立前のリードフレームの状態で
行なわれ始めている。たとえば、技研情報センター「最
先端表面実装形ＬＳＩパッケージの開発動向と実装技術
：特別シンポジウム、１９８８年１２月１３日発行、テ
キストＰ５Ｂには、インナーリードの途中からアウター
リードに亘ってはんだめっきが施された二色めっきリー
ドフレームが開示されている。この文献の記載内容を転
記するとつぎのとおりである。

「半導体のアウターリードには、現在レジンモールドし
た完成品に電解法または溶融法でめっきを行っている。

しかしめっき液、フラックスなど有害物が樹脂とリード
間に侵入したり、溶融めっき時の熱衝撃によるレジンク
ランクなどの問題があり、耐湿性の低下が懸念されてい
た。

一方半導体の製造法も従来の３００℃を越える熱工程か
ら１８０℃以下の低温化プロセスが可能になってきた。

このため予めアウターリード部にはんだめっきした図３
０のような二色めっきり−ドフレームの開発が急務とな
っている。」。

（発明が解決しようとするｇａｌｌ）高密度実装を達成するために、電子部品（半導体装置）
におけるリードピッチは一層狭くなる傾向にある。前記
文献にも記載されているように、リードピッチは０．５
ｍｍあるいは０．４ｍｍ以下とさらに狭いものが要錆さ
れている。このようにリードピッチが０．５ｍｍ以下と
なるようなフナインピッチのもとでは、リフロー時、溶
けたハンダ（半田）が隣合うリード、すなわち半田パッ
ドを連結するハンダブリッジ現象が一層発生し易くなる
おそれがある。

一方、本発明者による分析によれば、半田メツキによる
半田層の厚さは、薄い個所ではｌＯμｍ程度、厚い個所
では２０μｍ程度にまで及び、その厚さばらつきは大き
い、特に、リードの先端の角部では、半田層の厚さは２
０μｍをも越える場合もある。また、半田メツキはアウ
ターリードと呼称されているパッケージから外に突出し
ている部分全域あるいは広い領域に施される。この結果
、半田厚さのばらつきが大きくなると、溶けて実装領域
に集まる半田の量のばらつきも大きくなる。

半田メツキ膜のばらつきが大きく、半田メツキ膜が厚い
場合には隣接するリード間を半田で連結してしまういわ
ゆるハンダブリッジが発生してしまい、薄い場合には一
部で接続が行われない半田濡れ不良が発生してしまう、
いずれにしてもこのような現象の発生は実装の歩留りを
低下させることになる。

本発明の目的は、ファインピッチにおいても実装歩留り
の向上が達成できる面実装技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明によるガルウィング型の半導体装置は
、その製造時、リードの実装領域に一定の寸法を有する
半田からなるクラッド層を有するリードフレームが用い
られて組み立てが行われることから、半導体装置はその
リードの実装領域に所定の厚さのクラッド層を有するこ
とになる。そして、配線基板に半導体装置を実装する際
、前記リード先端部のクラッド層は溶かされて接合材と
して作用し、リードを配線基板のフットプリントに接合
する。前記クラッド層は厚さ３０〜５０ｐｍ程度となる
とともに、その厚さも士数＃ｍと均一な厚さとなってい
る。

また、本発明の他の構成としては、リード母材の先端部
はクラッド層のみで形成されている。

〔作用〕

上記した本発明の半導体装置は、その実装時、リード先
端の実装領域に設けられたクラッド層が溶かされる。そ
して、この溶けた半田が配線基板のワットプリントにリ
ードの実装端を接合する。

この際、半田の量は前記リードのクラッド層の寸法によ
って規定されるが、前記クラッド層は局所的にかつ均一
な厚さに形成されるため、いずれのリードにおいても半
田の過不足はなく、ハンダブリッジや半田濡れ不良は発
生しなくなり、実装の歩留りが向上する。また、実装時
の半田の供給量の制御性は、クラッド構造たよるため高
くなることから、リードピッチもより狭くでき、たとえ
ばリードピッチを０゜４ｍｍと小さくしてもハンダブリ
ッジや半田濡れ不良を殆ど発生させることなく実装が行
えるようになる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

（第１実施例）第１図は本発明の第１実施例によるガルウィング型半導
体装置の実装固定前状態を示す一部の断面図、第２図は
同じく実装された半導体装置を示す一部の断面図、第３
図〜第８図は同じく半導体装置の製造各工程における図
であって、第３図はクラツド材を示す斜視図、第４図は
クラツド材の断面図、第５図はリードフレームを示す平
面図、第６図はリードフレームの一部を示すｔＩｌＩ視
図、第７図はチンプボンディングやワイヤボンディング
が施されたリードフレームを示す断面図、第８図は完成
状態の半導体装置を示す断面図である。

この実施例では、面実装型半導体装置として、ガルウィ
ング型の半導体装Ｉに本発明を適用した例について説明
する＝半導体装置１は、第８図に示される。ｔ、）に、矩形体
からなる絶縁性樹脂からなるパッケージ２と、このパフ
ケージ２の周面の４辺からそれぞれ平行に突出した金属
体からなる複数のリード３とからなっている。このリー
ド３は、パッケージ２から水平方向に僅かに延在した後
、下方に延び、さらに再び水平方向に延在する、いわゆ
る鴎の翼状となっている。そして、その先端（外端）の
水平部分が実装端４となっている。

一方、前記パッケージ２の中央には、金属体からなる支
持板（タブ）５が配設されている。前記リード３のパッ
ケージ２内に臨むその先端（内端）は、前記タブ５の周
囲に延在している。また、前記タブ５上には半導体素子
（チップ）６が固定されている。そして、前記チップ６
の図示しない電極と前記リード３の内端とは、導電性の
ワイヤ７で電気的に接続されている。

他方、これが本発明の特徴の一つであるが、前記リード
３の外端の実装端４において、下面となる実装領域には
クラッド層８が設けられている。

このクラッド層８は厚さ３０〜５０μｍ程度のＰｂ５ｎ
からなる半田で構成されている。なお、リードピッチａ
は、たとえば０．４ｍｍ、リード３の幅Ｗは０．２ｍｍ
となっている。また、実装端４の長さ見は０．８ｍｍと
なっている。

このような半導体装置１を配線基板に実装する際は、最
初に配線基板１５が用意される。この配線基板１５は、
第１図に一部しか示してないが、絶縁性のセラミック板
等からなる基板１６の主面（上面）に前記半導体装置１
の各実装端４に対応するフットプリント（電極パッド）
１７が設けられている。そこで、第１図に示されるよう
に、前記フットプリント１７上に各リード３の実装端４
が重なるように半導体装置１が配線基板１５上に載置さ
れる。つぎに、各実装端４部分はランプによる赤外線照
射あるいはレーザ光照射等により部分加熱される。この
加熱処理によって実装端４の実装領域に設けられた半田
からなるクラッド層８は溶け、前記配線基板１５のフッ
トプリント１７上に拡がる。そして、加熱解除によって
半田１９は硬化し、第２図に示されるように実装端４が
フットプリント１７に固定される。

前記フットプリント１７と実装端４を接続する半田１９
の量は、溶ける前の前記クラッド層８の寸法で規定され
る。このクラッド層８は、後述するように一定の厚さの
半田板をリードフレーム素材に重ね合わせ、かつ加圧し
て一体化形成するため、厚さが均一であること、また、
クラッド層８は所定の寸法で形成されていることから、
半田の量は過不足がなく適正となり、半田濡れ不良やハ
ンダブリッジが発生しなくなる。

つぎに、このような半導体装置１の製造について説明す
る。

半導体装２１の製造（＆ＩＩ立）においては、第３図に
示されるように最初にリードフレーム素材２０が用意さ
れる。このリードフレーム素材２０は、鉄−ニッケル合
金５ｗ４．ステンレス等いずれかの金属板からなってい
る。このリードフレーム素材２０の厚さは０．１５〜０
．１ｍｍ、たとえば０゜１ｍｍの０さとなっている。

つぎに、第３図および第４図に示されるように、前記リ
ードフレーム素材２０の一面に矩形枠状にクラッド層８
が形成される。前記クラッド層８は、たとえば厚さ３０
〜５０μｍの半田板をクラッドすることによって形成さ
れ、リードフレームパターンにおけるリードの外端部分
、すなわち、前記実装端４が形成される部分に対応する
ように枠状に設けられる。そして、この一つの枠状クラ
ッド層８部分に単位リードフレームパターンが形成され
る。なお、前記枠状のクラッド層８は、リードフレーム
素材全体あるいは広い面積に亘って半田板をクラッドし
た後、クラッド層を部分的にエツチングすることによっ
て形成してもよい。

つぎに、第５図に示されるように、単位リード７Ｌ／−
ムパターンが形成されてる。このリードフレームパター
ンは精密プレスまたはエツチングによって形成され、平
行に延在する外枠２１と、この一対の外枠２１を連結し
かつ外枠２１に直交する方向に延在する一対の内枠２２
とによって形成される枠２３内に形成されている。この
枠２３の中央には、矩形状のタブ５が配設されている。

また、このタブ５はその四隅をタブ吊りリード２４で支
持されている。これらタブ吊りリード２４は、枠２３の
四隅に配設された支持片２５の角部に連結されて支持さ
れている。前記支持片２５は一枚の板状あるいはパター
ン化されている。そして、四隅の支持片２５の前記タブ
吊りリード２４の連結部間は細いダム２６で連結されて
いる。これら４本のダム２６はそれぞれ前記外枠２１お
よび内枠２２に平行となり、全体で矩形状枠を形成して
いる。

一方、前記４本のダム２６には、複数のリード３が直交
して配設されている。これらリード３は、そのピッチａ
が０．４ｍｍとなるとともに、幅Ｗは０．２ｍｍとなっ
ている。各リード３は前記ダム２６の両側に向かって延
在し、前記タブ５に臨むダム２６よりも内側のインナー
リード２７は片持梁構造となっている。前記インナーリ
ード２７はその先端を前記タブ５の近傍に臨ませている
。

また、このインナーリード２７は製品となった時点でパ
ッケージから抜けないように、屈曲したりあるいは一部
に孔が設けられているやまた、前記ダム２６の外側に延
在するアウターリード２８において、前記内枠２２に平
行に延在するダム２６に支持されるアウターリード２８
にあっては前記外枠２１に連絡されている。また、前記
外枠２１に平行に延在するダム２６に支持されるアウタ
ーリード２８にあっては、前記内枠２２に平行となって
延在し、前記内枠２２または外枠２１に平行に延在しか
つ隣接する支持片２５間に亘って設けられた補助バー２
９に連結されている。このアウターリード２８は、前記
内枠２２あるいは補助バー２９の付は根において、第６
図に示されるように、７字状の溝３０が設けられ、後工
程のアウターリード２８の切断時、切断がし易いように
なっている。前記クラッド層８は、第５図および第６図
において裏面となっている。前記クラッド層８は、第６
図で明らかなように、前記アウターリード２８の外端部
分に存在するようにパターン化される。

一方、前記タブ吊りリード２４はその途中で下方に一段
階段状に折れ曲がり、第７図および第８図に示されるよ
うに、前記タブ５の主面を低くし、このタブ５の主面に
半導体素子（チップ）が固定された際、チップの主面と
リード３の主面が略同−の高さとなるようになっている
。なお、前記外枠２１には、リードフレームの搬送ある
いは位置決め時に利用されるガイド孔３１が設けられて
いる。

つぎに、このようなリードフレーム３２に対して、チッ
プポンディングおよびワイヤボンディングが行われる。

すなわち、第７図に示されるように、前記リードフレー
ム３２のタブ５の主面には、半導体素子（チップ）６が
固定されるとともに、このチップ６の図示しない電極と
これに対応するり一部３の内端、すなわち、インナーリ
ード２７の内端が導電性のワイヤ７で電気的に接続され
る。

つぎに、このようなリードフレーム３２は常用のモール
ド（トランスファモールド）技術によって、前記タブ５
．チップ６、ワイヤ７、リード３の内端部分がレジンか
らなるパッケージ２で封止される。

つぎに、不要となるリードフレーム部分は切断除去され
、かつ前記パッケージ２から突出するリード３、すなわ
ち、アウターリード２８は底形されて、第８図に示され
るようなガルウィング型の半４体装Ｗ１が製造される。

この半導体装Ｗｌｌにおいて、前記アウターリード２８
の先端の実装端４はその下面の実装領域にクラッド層８
を有するようになる。前記クラッド層８はリード３の全
幅に亘って形成されることから、その輻Ｗは０．２ｍｍ
となる。また、その長さ見は０．８ｍｍとなっている。

さらにクラッド層８の厚さは３０〜５０μｍのうちの所
望の厚さが選択されているため、均一な厚さとなってい
る。

したがって、実装時溶ける半田の量は常に設計値通りに
一定となり、前述のように実装時の半田供給の過不足は
起きず、半田濡れ不良やハンダブリッジの発生は、リー
ドピッチが０．４ｍｍと極めて狭小となっても殆ど発生
しなくなる。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明の半導体装置は、その製造において均一の
厚さのクラッド層を有するリードフレームが使用されて
製造されるため、製品となった時点でリード先端に設け
られた半田の量は常に一定となるという効果が得られる
。

（２）上記（１）により、本発明の半導体装置は、リー
ド先端の半田の量が均一となることから、実装時半田量
の過不足は起き難くなり、半田不足による半田濡れ不良
や半田過多によるハンダブリッジ（シッート不良）の発
生は起き難くなるという効果が得られる。

（３）上記（２）により、本発明の半導体装置は、実装
不良の発生し難い実装構造となることから、フットプリ
ントピッチ、換言するならばリードピッチのより一層の
狭小化が達成できるという効果が得られる。たとえば、
リードピンチは、０．５ｍｍを越えて０．４ｍｍあるい
は０．３ｍｍ化も達成できるようになるという効果が得
られる。

（４）上記（２）により、実装不良発生抑止によって歩
留りの向上が連成できるという効果が得られる。

（５）本発明のリードフレームは、アウターリードの外
端の実装端に均一な厚さのクラッド層が設けられている
ことから、半導体装置を製造した場合、リード外端には
常に一定量の半田を有する構造となり、実装不良の発生
を抑止できるという効果が得られる。

（６）上記（１）〜（５）により、本発明によれば、実
装時適正な半田量を供給できる構造となっていることか
ら、半田濡れ不良やハンダブリッジ等の実装不良の発生
を抑止できるとともに、適正量の半田供給から半導体装
置のリードピッチの一層の狭小化が達成でき、高密度実
装あるいは実装の小型化が達成できるという相乗効果が
得られる。

（第２実施例）第９図は本発明の第２実施例によるリードフレームを示
す平面図、第１０図は同じくリードフレームの一部を示
す斜視図、第１１図は同しく完成状態の半導体装置を示
す正面図である。

リードピッチが狭小化されると、当然にしてリード幅も
狭くなり、リードの機械的強度も小さくなる。この結果
、リード数が多くなった場合、リード先端のリード列の
平坦化も阻害され、実装時、浮き上がった一部のリード
が半田付けされない不良も新たに発生するおそれがある
。そこで、この実施例では、第９図〜第１１図に示され
るように、前記リードフレーム３２のアウターリード２
８を絶縁性の樹脂テープ４０で連結して強度的に補強し
、リード列が乱れないようにする。

この実施例の半導体装置１はリード３の外端のリード列
が乱れないため、確実な実装が達成できる。したがって
、本発明によれば実装歩留りも向上する。

（第３実施例）第１２図は本発明の第３実施例による半導体装置の一部
を示す断面図、第１３図は同じく実装された半導体装置
の一部示す断面図である。

この実施例では、第１２図に示されるように、パッケー
ジ２から突出するり−ド３の先端、すなわち、実装端４
の先端のある長さＣをクラッド層８のみで形成する。こ
の構造によれば、前記クラッド層８を溶して実装を行っ
た場合、第１３図に示されるように、前記実装端４の先
端のある長さＣのクラッド層８は溶けて配線基板１５の
フットプリント１７上に移動してリード３をフットプリ
ント１７に接続する結果、実装面積は前記リード３の先
端のクラッド層８でのみ形成される長さＣに相当する分
小さくなる。

（第４実施例）第１４図は本発明の第４実施例による半導体装置を示す
断面図である。

この実施例の半導体装置ｌは、リード３の実装端４の下
面に半球状のバンプ４１が設けられている。このバンプ
４１は、たとえば、リードフレーム形成時、バンプ４１
を形成する領域に部分的に半田を形成し、その後加熱処
理して半田の表面張力を利用して半球状のバンプ４１を
形成する。

この構造の半導体装置ｌも、前記実施例同様にバンプ４
１によって実装時の半田の供給量が一定するため、半田
濡れ不良やハンダブリフジ等の実装不良を起こすことな
く実装が行える。したがって、リードピッチの狭小化も
達成できることになる。

（第５実施例）第１５図は本発明の第５実施例による半導体装置を示す
断面図、第１６図は同じく実装状態を示す断面図である
。

この実施例では、バッドリード型の半導体装直に本発明
を適用した例について説明する。バットリード型の半導
体装置１は、リード３がパッケージ２の下方に向けて直
進した構造となっている。

そこで、リード３の先端、すなわち、アウターリード２
８の先端に、前記第３実施例と同様に先端にクラッド層
８のみで形成される領域をある長さｄ設けておく、この
ようにしておくと、半導体装１１！１を配線基板１５に
実装した際、第１６図に示されるように、リード３の先
端のクラッド層８は溶けるため、クラッド層８のみでリ
ード部分を形成する部分は消失し、高さｄに対応した分
だけ半導体装置１の実装高さが低くなる。これにより、
この実施例の半導体装置によれば、高さ方向の実装効率
が向上するという効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記実施例で
は、低融点接合材としてＰｂ５ｎからなる半田を使用し
た例について説明したが、ＡｕＳｎ等他の低融点接合材
を使用しても前記実施例同様な効果が得られる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるガルウィング型およ
びバットリード型の半導体装置の実装方法に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではなく
、ペアチップ等の能動部品や抵抗、コンデンサー等の受
動部品等を組み込んだ混成集積回路装置等の電子部品に
も同様に適用できる。

本発明は少なくとも電子部品等同様の構造の物品の接続
には適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の半導体装置は、リード先端の実装端に半田の量
が均一となるクラッド層が設けられているため、リード
先端の実装端を配線基板のワットプリントに接合した際
、いずれのリードにおいても半田の過不足は起きず、ハ
ンダプリフジや半田濡れ不良等の実装不良は発生しなく
なり、実装の歩留りが向上する。また、実装時の半田の
供給量の制御性が良くなることから、リードピッチの狭
小化も遠戚できる。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の第１実施例によるガルウィング型半導
体装置の実装固定前状態を示す一部の断面図、第２図は同じく実装された半導体装ｌを示す一部の断面
図、第３１１ｆｆｌは同じく半導体装置の製造に用いられる
クラツド材を示す一部の斜視図、第４図は同じくクラツド材の断面図、第５図は同じくリードフレームを示す平面図、第６Ｖ！
ｉは同じくリードフレームの一部を示す斜視図、第７図は同じくチップボンディングやワイヤボンディン
グが施されたリードフレームを示す断面図、第８図は同じく完成状態の半導体装置を示す断面図、第９図は本発明の第２実施例によるリードフレームを示
す平面図、第１Ｏ図は同じくリードフレームの一部を示す斜視図、第１１図は同じく完成状態の半導体装置を示す正面図、第１２図は本発明の第３実施例による半導体装置の一部
を示す断面図、第１３図は同じぐ実装された半導体装置の一部示す断面
図、第１４図は本発明の第４実施例による半導体装置を示す
断面図、第１５図は本発明の第５実施例による半導体装置を示す
断面図、第１６図は同じく実装状態を示す断面図である。 ■・・・半導体装置、２・・・パッケージ、３・・・リ
ード、４・・・実装端、５・・・タブ、６・・・チップ
、７・・・ワイヤ、８・・・クラッド層、１５・・・配
線基板、１６・・・基板、１７・・・フットプリント、
１９・・・半田、２０・・・リードフレーム素材、２１
・・・外枠、２２・・・内枠、２３・・・枠、２４・・
・タブ吊りリード、２５・・・支持片、２６・・・ダム
、２７・・・インナーリード、２８・・・アウターリー
ド、２９・・・補助バー、３０・・・溝、３１・・・ガ
イド孔、３２・・・リードフレーム、４０・・・樹脂テ
ープ、４１・・・バンプ。

Claims

【特許請求の範囲】

１．　パッケージと、このパッケージの周縁から突出す
る複数のリードとからなる電子部品であって、前記リー
ドの実装に供せられる実装領域には低融点接合材が部分
的に設けられていることを特徴とする電子部品。
２．　前記リード先端の実装領域には低融点接合材から
なるクラッド層が形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子部品。
３．　前記クラッド層は厚さ３０〜５０μｍ程度の半田
層で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の電子部品。
４．　前記リード先端の実装領域には低融点接合材から
なるバンプが形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子部品。
５．　前記リードの先端部は低融点接合材のみで形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子部品。
６．　複数のリードを有するリードフレームであって、
前記リードの外端の実装に供せられる実装領域には低融
点接合材が部分的に設けられていることを特徴とするリ
ードフレーム。
７．　前記リードの実装領域には厚さ３０〜５０μｍ程
度の半田からなるクラッド層が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第６項記載のリードフレーム。