JPH0372228A - 波長検出装置 - Google Patents
波長検出装置Info
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- JPH0372228A JPH0372228A JP20876289A JP20876289A JPH0372228A JP H0372228 A JPH0372228 A JP H0372228A JP 20876289 A JP20876289 A JP 20876289A JP 20876289 A JP20876289 A JP 20876289A JP H0372228 A JPH0372228 A JP H0372228A
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーザ等の波長を検出する波長検出装置に関
し、特に半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源と
して狭帯域発振エキシマレーザを用いる場合の波長検出
に採用して好適な波長検出装置に関する。
し、特に半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源と
して狭帯域発振エキシマレーザを用いる場合の波長検出
に採用して好適な波長検出装置に関する。
半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下ステッパと
いう)の光源としてエキシマレーザの利用が注目されて
いる。これはエキシマレーザの波長が短い(K r F
レーザの波長は約248.4nm)ことから光露光の限
界0.5μm以下に延ばせる可能性かあること、同し解
像度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比較
して焦点深度か深いこと、レンズの開口数(NA)か小
さくてすみ、露光領域を大きくてきること、大きなパワ
ーが得られること等の多くの優れた利点か期待できるか
らである。
いう)の光源としてエキシマレーザの利用が注目されて
いる。これはエキシマレーザの波長が短い(K r F
レーザの波長は約248.4nm)ことから光露光の限
界0.5μm以下に延ばせる可能性かあること、同し解
像度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比較
して焦点深度か深いこと、レンズの開口数(NA)か小
さくてすみ、露光領域を大きくてきること、大きなパワ
ーが得られること等の多くの優れた利点か期待できるか
らである。
ところで、エキシマレーザをステッパの光源として用い
る場合には、エキシマレーザの出力レザ光を狭帯域化す
る必要があり、この狭帯域化された出力レーザ光の波長
を高精度に安定化制御する必要がある。
る場合には、エキシマレーザの出力レザ光を狭帯域化す
る必要があり、この狭帯域化された出力レーザ光の波長
を高精度に安定化制御する必要がある。
従来、狭帯域発振エキシマレーザ等の出力光の波長線幅
を計測したり、波長を検出したりするためにモニタエタ
ロンが用いられている。モニタエタロンは部分反射ミラ
ーを所定の空隙をあけて対向配設したエアギャップエタ
ロンを用いて構成されるものてこのエアギャップエタロ
ンの透過波長は次のように表わされる。
を計測したり、波長を検出したりするためにモニタエタ
ロンが用いられている。モニタエタロンは部分反射ミラ
ーを所定の空隙をあけて対向配設したエアギャップエタ
ロンを用いて構成されるものてこのエアギャップエタロ
ンの透過波長は次のように表わされる。
mλ−2n d −cosθ
たたし、mは整数、dはエタロンの部分反射ミラー間の
距離、nは部分反射ミラー間の屈折率、θはエタロンの
法線と入射光の光軸とのなす角度である。
距離、nは部分反射ミラー間の屈折率、θはエタロンの
法線と入射光の光軸とのなす角度である。
この式より、n、d、mが一定とすれば、波長か変化す
るとθか変化することが解る。モニタエタロンではこの
性質を利用して被検出光の波長を検出している。ところ
で、上述したモニタエタロンにおいて、エアギャップ内
の圧力および周囲温度が変化してしまうと波長が一定で
も上述した角θが変化してしまう。そこでモニタエタロ
ンを用いる場合、エアギャップ内の圧力および周囲温度
を一定に制御して波長検出を行なっていた。
るとθか変化することが解る。モニタエタロンではこの
性質を利用して被検出光の波長を検出している。ところ
で、上述したモニタエタロンにおいて、エアギャップ内
の圧力および周囲温度が変化してしまうと波長が一定で
も上述した角θが変化してしまう。そこでモニタエタロ
ンを用いる場合、エアギャップ内の圧力および周囲温度
を一定に制御して波長検出を行なっていた。
しかし、エアギャップ内の圧力および周囲温度を高精度
に制御することは困難であり、このため充分な高精度で
絶対波長を検出することはてきなかった。
に制御することは困難であり、このため充分な高精度で
絶対波長を検出することはてきなかった。
そこで、被検出光とともに予め波長がわかっている基準
光をモニタエタロンに人力し、このM H4光に対する
被検出光の相対波長を検出することにより被検出光の絶
対波長を検出する装置が提案されている。
光をモニタエタロンに人力し、このM H4光に対する
被検出光の相対波長を検出することにより被検出光の絶
対波長を検出する装置が提案されている。
かかる装置においては、モニタエタロンの透過光を直接
CCDイメージセンサ等の光検出器の検出面上に入射す
るようにしている。
CCDイメージセンサ等の光検出器の検出面上に入射す
るようにしている。
このように、従来構成においては、モニタエタロンの出
力を直接光検出器に入射するようにしていたので被検出
光と基準光とを充分な光量で光検出器に大村することが
できない、光検出器上に干渉縞か発生しない等の不都合
かあり、このため高精度で被検出光の絶対波長を検出す
ることかできなかった。
力を直接光検出器に入射するようにしていたので被検出
光と基準光とを充分な光量で光検出器に大村することが
できない、光検出器上に干渉縞か発生しない等の不都合
かあり、このため高精度で被検出光の絶対波長を検出す
ることかできなかった。
この発明はかかる実情に鑑みてなされたちので、基準光
と被検出光とをそれぞれ充分な光量をもって光検出器に
入射することができるとともに、両光の各干渉縞を高精
度に検出することができる波長検出装置を提供しようと
するものである。
と被検出光とをそれぞれ充分な光量をもって光検出器に
入射することができるとともに、両光の各干渉縞を高精
度に検出することができる波長検出装置を提供しようと
するものである。
この発明ては、基準光源から発生される基準光と被検出
光とをエタロンに入射する照明手段と、エタロンと、前
記エタロンの透過光を集光する集光手段と、該集光手段
の後側焦点面に配設され、前記集光手段によって集光さ
れた光の干渉縞を検出する光検出手段とを具えるように
する。
光とをエタロンに入射する照明手段と、エタロンと、前
記エタロンの透過光を集光する集光手段と、該集光手段
の後側焦点面に配設され、前記集光手段によって集光さ
れた光の干渉縞を検出する光検出手段とを具えるように
する。
エタロンを透過した基準光または被検出光は集光手段に
よって集光された後、該集光手段の焦点面上に配設され
た光検出手段の検出面上に結像される。
よって集光された後、該集光手段の焦点面上に配設され
た光検出手段の検出面上に結像される。
以下、この発明を添付図面に示す実施例にしたがって詳
述する。
述する。
第1図はこの発明に係わる波長検出装置の一実施例を示
したものである。この実施例では被検出光として狭帯域
発振エキシマレーザ1の出力光Laが用いられ、基準光
源2としてはHe−NeレーザあるいはArレーサ等の
レーザが用いられている。該基準光源2から発生された
基準レーザとエキシマレーザ光の波長は異なる。
したものである。この実施例では被検出光として狭帯域
発振エキシマレーザ1の出力光Laが用いられ、基準光
源2としてはHe−NeレーザあるいはArレーサ等の
レーザが用いられている。該基準光源2から発生された
基準レーザとエキシマレーザ光の波長は異なる。
狭帯域発振エキシマレーザ1から出力されたレーザ光L
aの一部はビームスプリッタ3によってサンプリングさ
れ、このサンプリング光はビームスプリッタ4に照射さ
れる。また基準光源2から出力された基準光Lbはビー
ムスプリッタ4の他の面に照射される。
aの一部はビームスプリッタ3によってサンプリングさ
れ、このサンプリング光はビームスプリッタ4に照射さ
れる。また基準光源2から出力された基準光Lbはビー
ムスプリッタ4の他の面に照射される。
ビームスプリッタ4はビームスプリッタ3から出力され
たサンプリング光Laの一部を透過させ、また基準光源
2から出力された乱準光Lbの一部を反射させ、これに
より、サンプリング光と基準光とを合成する。このビー
ムスプリッタ4によって合成されたサンプリング光と基
準光との合成光は凹レンズ5によってビームを拡げられ
た後、エタロン6に照射される。
たサンプリング光Laの一部を透過させ、また基準光源
2から出力された乱準光Lbの一部を反射させ、これに
より、サンプリング光と基準光とを合成する。このビー
ムスプリッタ4によって合成されたサンプリング光と基
準光との合成光は凹レンズ5によってビームを拡げられ
た後、エタロン6に照射される。
エタロン6は内側の而か部分反射ミラーとされた2枚の
透明板6a、6bから構成される装置ン6に対する人別
光の角度に対応してそれぞれ透過波長が異なるものであ
る。すなわち、エタロン6は、波長の異なる基準光La
およびエキシマレーザ光Laを双方透過させるために反
射膜を2波長コートとしている。
透明板6a、6bから構成される装置ン6に対する人別
光の角度に対応してそれぞれ透過波長が異なるものであ
る。すなわち、エタロン6は、波長の異なる基準光La
およびエキシマレーザ光Laを双方透過させるために反
射膜を2波長コートとしている。
このエタロン6を透過した光は集光レンズ7に入射され
る。この集光レンズ7は例えば、色収差補正が施された
色消しレンズであり、かかる色消し集光レンズ7を経る
ことにより色収差が補正される。
る。この集光レンズ7は例えば、色収差補正が施された
色消しレンズであり、かかる色消し集光レンズ7を経る
ことにより色収差が補正される。
光検出器8は集光レンズ7の焦点上に配設されており、
これにより集光レンズ7を経た光は、光位置検出器8に
結像され、この光検出器8の検出面」二に基準光の波長
に対応した第1の干渉縞および被検出光の波長に対応し
た第2の干渉縞を形成する。光検出器8てはこの第1お
よび第2の干渉縞を検出し、この検出にもとづき基準光
の波長に対する被検出光の波長の相対波長を検出し、既
知の基準光の波長と検出した相対波長にもとづき被検出
光の絶対波長を検出する。
これにより集光レンズ7を経た光は、光位置検出器8に
結像され、この光検出器8の検出面」二に基準光の波長
に対応した第1の干渉縞および被検出光の波長に対応し
た第2の干渉縞を形成する。光検出器8てはこの第1お
よび第2の干渉縞を検出し、この検出にもとづき基準光
の波長に対する被検出光の波長の相対波長を検出し、既
知の基準光の波長と検出した相対波長にもとづき被検出
光の絶対波長を検出する。
なお、光検出器8として一次元または二次元のイメージ
センサ、ダイオードアレイまたはPSD(PO8ITI
ON 5ENSITIVE DETECTOR)等を用
イテ構成することができる。
センサ、ダイオードアレイまたはPSD(PO8ITI
ON 5ENSITIVE DETECTOR)等を用
イテ構成することができる。
このように、凹レンズ5てビームを拡げた後、該ビーム
をエタロン6に入射し、エタロン6の透過光を集光レン
ズ7によって光検出器8上に結像するようにしているの
で、充分な光量の光が光検出器8上に入射されるととも
に、両光の各干渉縞が良好に形成される。
をエタロン6に入射し、エタロン6の透過光を集光レン
ズ7によって光検出器8上に結像するようにしているの
で、充分な光量の光が光検出器8上に入射されるととも
に、両光の各干渉縞が良好に形成される。
第2図はこの発明の他の実施例を示したものである。以
下、この第2図を含む他の図面において互いに共通する
機能を果す部分については説明の便宜上同一の符号は付
する。
下、この第2図を含む他の図面において互いに共通する
機能を果す部分については説明の便宜上同一の符号は付
する。
この第2図に示す実施例では、前記色消し集光レンズ7
の代わりに凹面ミラーまたは輔外放物面ミラー等の集光
ミラー9を用いるようにしている。
の代わりに凹面ミラーまたは輔外放物面ミラー等の集光
ミラー9を用いるようにしている。
すなわち、基準光Lbおよびエキシマレーザ光Laを凹
レンズ5を介してビームを拡げてエタロン6に入射し、
エタロン6の透過光を集光ミラー9で交射し、該反射光
を該集光ミラー9の焦点位置に配置しである光検出器8
の検出面上に入射させるようにする。集光ミラー9は反
射面であるため色収差は全くなく、これによりエキンマ
レーザ光L aと基準レーザ光Lbとの丙子渉縞を同じ
位置すなわちミラー9の焦点位置に配置しである光検出
器8上に結像することができる。
レンズ5を介してビームを拡げてエタロン6に入射し、
エタロン6の透過光を集光ミラー9で交射し、該反射光
を該集光ミラー9の焦点位置に配置しである光検出器8
の検出面上に入射させるようにする。集光ミラー9は反
射面であるため色収差は全くなく、これによりエキンマ
レーザ光L aと基準レーザ光Lbとの丙子渉縞を同じ
位置すなわちミラー9の焦点位置に配置しである光検出
器8上に結像することができる。
この第2図に示す実施的においても、凹レンズ5および
集光ミラー9によって、先の実施例同様、充分な光量で
干渉縞を高精度に検出することができる。
集光ミラー9によって、先の実施例同様、充分な光量で
干渉縞を高精度に検出することができる。
第3図はこの発明の更に他の実施例を示したものである
。
。
この第3図に示す実施例は、合流型光ファイバ]0によ
ってエキシマレーザ光Laと基準レーザ光Lbとを合成
させるようにしたものである。すなわち、ビームスプリ
ッタ3でサンプリングされたエキシマレーザ光Laは集
光レンズ11、光フアイバスリーブ12、光フアイバ1
3を経て光合波器14に入射され、また基準光源2から
発生された基準レーザ光Lbは集光レンズ15、光フア
イバスリーブ16、光フアイバ17を経て光合波器14
に入射される。光合波器14は、これら両光La、Lb
とを合波し、この合波された光は光フアイバ18に入射
する。そしてスリーブ]9を介して拡った光がモニタエ
タロン6に人身1される。
ってエキシマレーザ光Laと基準レーザ光Lbとを合成
させるようにしたものである。すなわち、ビームスプリ
ッタ3でサンプリングされたエキシマレーザ光Laは集
光レンズ11、光フアイバスリーブ12、光フアイバ1
3を経て光合波器14に入射され、また基準光源2から
発生された基準レーザ光Lbは集光レンズ15、光フア
イバスリーブ16、光フアイバ17を経て光合波器14
に入射される。光合波器14は、これら両光La、Lb
とを合波し、この合波された光は光フアイバ18に入射
する。そしてスリーブ]9を介して拡った光がモニタエ
タロン6に人身1される。
モニタエタロン6を透過した光は色消し集光レンズ7を
経て光検出器8上に結像される。
経て光検出器8上に結像される。
かかる第3図に示す実施例では、干渉縞の位置は、合流
型光フアイバ10の位置に左右されず、エタロン6、集
光レンズ7および光検出器8の位置関係だけで決定され
るので、先の実施例の利点に加えて光学系の調整作業が
容易になるという利点を持っている。
型光フアイバ10の位置に左右されず、エタロン6、集
光レンズ7および光検出器8の位置関係だけで決定され
るので、先の実施例の利点に加えて光学系の調整作業が
容易になるという利点を持っている。
なお、この第3図に示す実施例では色消し集光レンズ7
を用いて色収差補正を行なうようにしたが、このレンズ
7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸外
放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
を用いて色収差補正を行なうようにしたが、このレンズ
7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸外
放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
第4図は基準光源として面光源であるランプ20を用い
るようにしたこの発明の他の実施例を示すものである。
るようにしたこの発明の他の実施例を示すものである。
このランプ20は、例えば波長253.7nmの基準光
を発生する水銀ランプである。
を発生する水銀ランプである。
すなわち、ビームスプリッタ3によってサンプリングさ
れたエキシマレーザ光Laは凹レンズ21によってビー
ムを拡げられた後、ビームスプリッタ4に入組され、こ
のビームスプリッタ4て水銀ランプ20からの基準光L
cと合成された後エタロン6に照射される。エタロン6
を透過した光は、色消し集光レンス7を経て光検出器8
上に結像される。
れたエキシマレーザ光Laは凹レンズ21によってビー
ムを拡げられた後、ビームスプリッタ4に入組され、こ
のビームスプリッタ4て水銀ランプ20からの基準光L
cと合成された後エタロン6に照射される。エタロン6
を透過した光は、色消し集光レンス7を経て光検出器8
上に結像される。
この第4図に示す実施例においても、色消し集光レンズ
7を用いて色収差補正を行なうようにしたか、このレン
ズ7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸
外放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
7を用いて色収差補正を行なうようにしたか、このレン
ズ7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸
外放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
第5図も基準光源として水銀ランプ20を用いるように
したこの発明の他の実施例を示すものであり、この実施
例ではエキシマレーザ光Laを光フアイバ23を用いて
ビームスプリッタ4に導くようにしている。すなわち、
ビームスプリッタ3でサンプリングされたエキシマレー
ザ光は集光レンズ11によってスリーブ22に入射され
、その後光ファイバ23を経て、スリーブ24を介して
出射される。そして、該スリーブ24を経ることにより
拡がった光は、ビームスプリッタ4に入射され、ここで
水銀ランプ20からの基準光Lcと合成された後、エタ
ロン6に照射される。エタロン6を透過した光は、色消
し集光レンズ7を経て光検出器8上に結像される。
したこの発明の他の実施例を示すものであり、この実施
例ではエキシマレーザ光Laを光フアイバ23を用いて
ビームスプリッタ4に導くようにしている。すなわち、
ビームスプリッタ3でサンプリングされたエキシマレー
ザ光は集光レンズ11によってスリーブ22に入射され
、その後光ファイバ23を経て、スリーブ24を介して
出射される。そして、該スリーブ24を経ることにより
拡がった光は、ビームスプリッタ4に入射され、ここで
水銀ランプ20からの基準光Lcと合成された後、エタ
ロン6に照射される。エタロン6を透過した光は、色消
し集光レンズ7を経て光検出器8上に結像される。
この第5図に示す実施例においても、色消し集光レンズ
7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸外
放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
7の代わりに先の第2図に示した凹面ミラーまたは軸外
放物面ミラー9を用いるようにしてもよい。
第6図は、この発明のさらに別の実施例を示すもので、
この実施例では先の第5図の実施例において色消し集光
レンズ7を凹面ミラー、軸外放物面ミラー等の集光ミラ
ー9に代えるとともに、フィルタ30、シャッタ31.
32を追加するようにしている。
この実施例では先の第5図の実施例において色消し集光
レンズ7を凹面ミラー、軸外放物面ミラー等の集光ミラ
ー9に代えるとともに、フィルタ30、シャッタ31.
32を追加するようにしている。
すなわち、水銀ランプ20からの基準光Lcのうち、所
定の波長のみを選択出力するフィルタ30をシャッタ3
1とビームスプリッタ4の間に設け、該フィルタ30に
よって所定の波長の基準光のみをビームスプリッタ4に
入射するようにしている。
定の波長のみを選択出力するフィルタ30をシャッタ3
1とビームスプリッタ4の間に設け、該フィルタ30に
よって所定の波長の基準光のみをビームスプリッタ4に
入射するようにしている。
例えば、KrF狭帯域エキシマレーザ(波長248.4
nm)の波長検出器として使用する場合はランプ20と
して水銀ランプを用い、フィルタ16としてエキシマレ
ーザの波長に近い波長253゜7nmの干渉フィルタを
もちいるようにすればよい。
nm)の波長検出器として使用する場合はランプ20と
して水銀ランプを用い、フィルタ16としてエキシマレ
ーザの波長に近い波長253゜7nmの干渉フィルタを
もちいるようにすればよい。
また、シャッタ31.32は基準光および被検出光(エ
キシマレーザ光)を別々に検出するために設けたもので
あり、基準光を検出するときはシャッタ3]を開け、シ
ャッタ32を閉じる。また、被検出光を検出するときは
、これとは逆に、シャッタ32を開け、シャッタ31を
閉しる。
キシマレーザ光)を別々に検出するために設けたもので
あり、基準光を検出するときはシャッタ3]を開け、シ
ャッタ32を閉じる。また、被検出光を検出するときは
、これとは逆に、シャッタ32を開け、シャッタ31を
閉しる。
なお、この例では、フィルタ30をビームスプリッタ4
とシャッタ31との間に配設するようにしているが、該
フィルタ30をランプ20とシャッタ31との間に挿入
するようにしてもよい。さらに、また基準光と′e1険
出光との波長か近く、フィルタ30を被検出光が透過す
る場合には、該フィルタ30をビームスプリッタ4から
光検出器8まての光路中の適宜位置に配設するようにし
てもよい。
とシャッタ31との間に配設するようにしているが、該
フィルタ30をランプ20とシャッタ31との間に挿入
するようにしてもよい。さらに、また基準光と′e1険
出光との波長か近く、フィルタ30を被検出光が透過す
る場合には、該フィルタ30をビームスプリッタ4から
光検出器8まての光路中の適宜位置に配設するようにし
てもよい。
次に、第6図に示した実施例における基準光および被検
出光の検出動作を第7図〜第9図に示すフローチャート
を参照して説明する。
出光の検出動作を第7図〜第9図に示すフローチャート
を参照して説明する。
第7図は波長検出のメインルーチンを示すものであり、
まず、基準光検出サブルーチンが実行される(ステップ
100)。この基準光検出サブルーチンでは、第8図に
示すように、被検出光側のシャッタ32を閉とするとと
もに基準光側のシャッタ31を開とすることにより、基
準光Lcのみをエタロン6を介して光検出器8上に人1
1させる(ステップ200,210)。そして、光検出
器8上に形成された基準光の干渉縞の半径Rsを検出し
、該半径Rsを記憶させておく (ステップ220)。
まず、基準光検出サブルーチンが実行される(ステップ
100)。この基準光検出サブルーチンでは、第8図に
示すように、被検出光側のシャッタ32を閉とするとと
もに基準光側のシャッタ31を開とすることにより、基
準光Lcのみをエタロン6を介して光検出器8上に人1
1させる(ステップ200,210)。そして、光検出
器8上に形成された基準光の干渉縞の半径Rsを検出し
、該半径Rsを記憶させておく (ステップ220)。
この基準光検出サブルーチンか終了すると、りイマーの
計時値Tを零にクリアしくステップ110)、次にこの
計時値Tか所定の設定時間K(例えば数分)より大きい
か否かを調へる(ステップ120)。そして、T<Kで
ある場合は、被検出光検出サブルーチンが実行される(
ステップ140)。この被検出光検出サブルーチンにお
いては、第9図に示すように、基準光側のシャッタ31
を閉とし、被検出光側のシャッタ32を開とすることに
より、被検出光Laのみをエタロン6を介して光検出器
8上に入射させる(ステップ300310)。そして、
光検出器8上に形成された被検出光の干渉縞の半径Re
を検出する(ステップ320)。
計時値Tを零にクリアしくステップ110)、次にこの
計時値Tか所定の設定時間K(例えば数分)より大きい
か否かを調へる(ステップ120)。そして、T<Kで
ある場合は、被検出光検出サブルーチンが実行される(
ステップ140)。この被検出光検出サブルーチンにお
いては、第9図に示すように、基準光側のシャッタ31
を閉とし、被検出光側のシャッタ32を開とすることに
より、被検出光Laのみをエタロン6を介して光検出器
8上に入射させる(ステップ300310)。そして、
光検出器8上に形成された被検出光の干渉縞の半径Re
を検出する(ステップ320)。
この被検出光検出ザブルーチンが終了すると、該ルーチ
ンで求めた半径Reと先の基準光サブルーチンで求めて
記憶しておいた半径R,sとを比較することにより被検
出光の絶対波長を検出する(ステップ150)。これ以
降T>Kとなるまでステップ1.40,150の処理が
繰り返される。
ンで求めた半径Reと先の基準光サブルーチンで求めて
記憶しておいた半径R,sとを比較することにより被検
出光の絶対波長を検出する(ステップ150)。これ以
降T>Kとなるまでステップ1.40,150の処理が
繰り返される。
そして、ステップ110においてT>Kとなると、再び
第8図に示した基準光検出サブルーチンを実行し、該ル
ーチンで求めた基準光の干渉縞の半径Rsて先の記憶デ
ータRsを更新する。この後、タイマの計時値Tが零に
クリアされた後、被検出光検出サブルーチンが再度実行
される。
第8図に示した基準光検出サブルーチンを実行し、該ル
ーチンで求めた基準光の干渉縞の半径Rsて先の記憶デ
ータRsを更新する。この後、タイマの計時値Tが零に
クリアされた後、被検出光検出サブルーチンが再度実行
される。
以上の処理が全て自動的に実行される。
すなわち、かかる波長検出処理においては、基準光と被
検出光との波長が近い場合、両者の干渉縞を同時に検出
することは困難となるので、シャッタ31.32によっ
て両者を別々に検出するようにするとともに、基準光は
比較的に安定しているので、予め設定した比較的長い所
定周期にてその干渉縞を検出するようにし、該基準光検
出性以外のときに被検出光を常時検出するようにしてい
る。すなわち、この場合、基準光の検出周期は被検出光
の検出周期より十分長く設定されである。
検出光との波長が近い場合、両者の干渉縞を同時に検出
することは困難となるので、シャッタ31.32によっ
て両者を別々に検出するようにするとともに、基準光は
比較的に安定しているので、予め設定した比較的長い所
定周期にてその干渉縞を検出するようにし、該基準光検
出性以外のときに被検出光を常時検出するようにしてい
る。すなわち、この場合、基準光の検出周期は被検出光
の検出周期より十分長く設定されである。
なお、この実施例では、干渉縞の半径を検出するように
しているが、干渉縞の直径または位置を検出して被検出
光の絶対波長を求めるようにしてもよい。
しているが、干渉縞の直径または位置を検出して被検出
光の絶対波長を求めるようにしてもよい。
ところで、前記第1図〜第6図に示す実施例において、
基準光および被検出光の光量が少なく干渉縞の検出が困
難な場合にはエタロン6の手前にコリメータレンズを配
置し、平行光をエタロンに入射することで光量を多くす
るようにしてもよい。
基準光および被検出光の光量が少なく干渉縞の検出が困
難な場合にはエタロン6の手前にコリメータレンズを配
置し、平行光をエタロンに入射することで光量を多くす
るようにしてもよい。
さらに、前記第1図〜第6図に示す実施例においては、
ビームスプリッタ4は透過側に被検出光を、反1・j側
に基準光が人11されるよう配置しているが、これらの
関係を逆にするようにしてもよい。
ビームスプリッタ4は透過側に被検出光を、反1・j側
に基準光が人11されるよう配置しているが、これらの
関係を逆にするようにしてもよい。
またこのビームスプリッタ4は基準光と検出光の波長が
近い場合は部分反射ミラーを、波長の差が大きい場合は
ダイクロイックミラーをそれぞれ用いるようにすればよ
い。
近い場合は部分反射ミラーを、波長の差が大きい場合は
ダイクロイックミラーをそれぞれ用いるようにすればよ
い。
また上記実施例ではエアギャップエタロンを用いてfM
Mしたが、このエアギャップエタロンの代わりにソリッ
ドエタロンを用いても同様に構成することができる。
Mしたが、このエアギャップエタロンの代わりにソリッ
ドエタロンを用いても同様に構成することができる。
ところで、上記実施例では集光レンズ7の色収差を補正
したり、あるいは集光ミラー9を用いることによって基
準光と被検出光の結像位置を一致させるようにしたが、
集光レンズ7または光iA rff器8を光軸方向に移
動可能な構成とし、これによって結像位置の違いを吸収
するようにしてもよい。
したり、あるいは集光ミラー9を用いることによって基
準光と被検出光の結像位置を一致させるようにしたが、
集光レンズ7または光iA rff器8を光軸方向に移
動可能な構成とし、これによって結像位置の違いを吸収
するようにしてもよい。
また、第1図、第3図、第4図または第5図の実施例に
おいて、基準光と被検出光の波長が近い場合は、色収差
補正なしの集光レンズをエタロン6と光検出器8の間に
挿入するようにしてもよい。
おいて、基準光と被検出光の波長が近い場合は、色収差
補正なしの集光レンズをエタロン6と光検出器8の間に
挿入するようにしてもよい。
さらに、第1図、第2図または第4図の実施例では、凹
レンズ5、または21てレーザ光Laを拡げてエタロン
6に入射するようにしているが、この凹レンズの代わり
に凸レンズを用い、該^1Jレンズによって集光した後
拡がった光をエタロン6に入射するようにしてもよい。
レンズ5、または21てレーザ光Laを拡げてエタロン
6に入射するようにしているが、この凹レンズの代わり
に凸レンズを用い、該^1Jレンズによって集光した後
拡がった光をエタロン6に入射するようにしてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、エタロンの後側
に集光手段を介在させるだけという筒中な構成によって
、充分な光量を光検出器に人η・tさせることができ、
これによって光検出器上に干渉縞が確実に形成されるよ
うになり、被検出光の絶対波長を高精度に検出できるよ
うになる。特に、集光手段として色消しレンズまたは集
光ミラーを用いるようにすれば、基準光と検出光の波長
か異なっても光学系を可動構成とすることなく高精度に
絶対波長を検出することがてきる。そして、本発明の波
長検出装置を狭帯域発振エキシマレーザに搭載すること
によてエキシマレーザ光の波長を高精度に安定化するこ
とかできる。
に集光手段を介在させるだけという筒中な構成によって
、充分な光量を光検出器に人η・tさせることができ、
これによって光検出器上に干渉縞が確実に形成されるよ
うになり、被検出光の絶対波長を高精度に検出できるよ
うになる。特に、集光手段として色消しレンズまたは集
光ミラーを用いるようにすれば、基準光と検出光の波長
か異なっても光学系を可動構成とすることなく高精度に
絶対波長を検出することがてきる。そして、本発明の波
長検出装置を狭帯域発振エキシマレーザに搭載すること
によてエキシマレーザ光の波長を高精度に安定化するこ
とかできる。
第1図はこの発明の波長検出装置を狭帯域エキシマレー
ザの出力レーザ光の波長検出に適用した一実施例を示す
図、第2図は集光ミラーを用いたこの発明の他の実施例
を示す図、第3図は合流型光ファイバを用いたこの発明
の他の実施例を示す図、第4図は基準光としてランプを
用いたこの発明の他の実施例を示す図、第5図はランプ
および光ファイバを用いたこの発明の他の実施例を示す
図、第6図はシャッタおよびフィルタを挿入したこの発
明の他の実施例を示す図、第7図は第6図の構成におい
て波長検出のメインルーチンの一例を示すフローチャー
ト、第8図は基準光検出サブルーチンの一例を示すフロ
ーチャート、第9図は被検出光検出サブルーチンの一例
を示すフローチャートである。 1・・・狭帯域発振エキシマレーザ、 2・・・基準光源(レーザ)、 3.4・・・ビームスプリッタ、5.21・・・凹しン
ス、6・・・エタロン、7・・・色消し集光レンズ、8
・・光検出器、9・・・集光ミラー 10・・・合流型光ファイバ 20・・・基準光源(ランプ)、30・・フィルタ、3
1、.32・・・シャッタ。 第1図 第2図 第 5 図 第 図 第 7 図 第8図 禎液定尤撲土すプルーナン 第 図
ザの出力レーザ光の波長検出に適用した一実施例を示す
図、第2図は集光ミラーを用いたこの発明の他の実施例
を示す図、第3図は合流型光ファイバを用いたこの発明
の他の実施例を示す図、第4図は基準光としてランプを
用いたこの発明の他の実施例を示す図、第5図はランプ
および光ファイバを用いたこの発明の他の実施例を示す
図、第6図はシャッタおよびフィルタを挿入したこの発
明の他の実施例を示す図、第7図は第6図の構成におい
て波長検出のメインルーチンの一例を示すフローチャー
ト、第8図は基準光検出サブルーチンの一例を示すフロ
ーチャート、第9図は被検出光検出サブルーチンの一例
を示すフローチャートである。 1・・・狭帯域発振エキシマレーザ、 2・・・基準光源(レーザ)、 3.4・・・ビームスプリッタ、5.21・・・凹しン
ス、6・・・エタロン、7・・・色消し集光レンズ、8
・・光検出器、9・・・集光ミラー 10・・・合流型光ファイバ 20・・・基準光源(ランプ)、30・・フィルタ、3
1、.32・・・シャッタ。 第1図 第2図 第 5 図 第 図 第 7 図 第8図 禎液定尤撲土すプルーナン 第 図
Claims (14)
- (1)基準光源から発生される基準光と被検出光とをエ
タロンに入射する照明手段と、 エタロンと、 前記エタロンの透過光を集光する集光手段と、 該集光手段の後側焦点面に配設され、前記集光手段によ
って集光された光の干渉縞を検出する光検出手段と、 を具え、前記光検出手段の検出出力に基づき被検出光の
波長を検出するようにした波長検出装置。 - (2)前記被検出光はエキシマレーザ光であり、前記基
準光源はレーザ光を発生する基準レーザ光源である請求
項(1)記載の波長検出装置。 - (3)前記照明手段は、 前記基準レーザ光源から発生される基準光と前記被検出
レーザ光を合成するビームスプリッタと、 該ビームスプリッタと前記エタロンとの間に介在される
凹レンズと、 を具える請求項(2)記載の波長検出装置。 - (4)前記照明手段は、 前記基準レーザ光源から発生される基準光と前記被検出
レーザ光を合成するビームスプリッタと、 該ビームスプリッタと前記エタロンとの間に介在される
拡散板と、 を具える請求項(2)記載の波長検出装置。 - (5)前記照明手段は、 その第1入力端から前記被検出レーザ光を導入し、第2
入力端から前記基準レーザ光を導入し、これらの合波光
を前記エタロンに照射する合流型光ファイバー手段を有
する請求項(2)記載の波長検出装置。 - (6)前記被検出光はエキシマレーザ光であり、前記基
準光源はランプである請求項(1)記載の波長検出装置
。 - (7)前記照明手段は、 前記被検出レーザ光が入射される凹レンズと、 該凹レンズの後段に配置され、前記ランプから発生され
る基準光と前記凹レンズの出力光とを合成するビームス
プリッタと を具える請求項(6)記載の波長検出装置。 - (8)前記照明手段は、 前記被検出レーザ光を導入する光ファイバーと、 該光ファイバーの先端に設けられた光ファイバースリー
ブと、 該光ファイバースリーブの出力光と前記基準光とを合成
し、該合成光を前記エタロンに入射するビームスプリッ
タと、 を具える請求項(6)記載の波長検出装置。 - (9)前記ランプから発生される光および前記被検出レ
ーザ光のうち所定の波長の光のみを選択出力するフィル
タを前記ランプと前記光検出手段との間の光路のいずれ
かに配設した請求項(6)記載の波長検出装置。 - (10)前記照明手段は、基準光源から発生される基準
光と前記被検出光とをそれぞれ各別に遮断する第1、第
2のシャッタ手段を具える請求項(1)記載の波長検出
装置。 - (11)前記集光手段は色収差補正が施された色消しレ
ンズである請求項(1)記載の波長検出装置。 - (12)前記集光手段は前記エタロンを透過した光を反
射し、該反射光を前記光検出手段に入射する集光ミラー
である請求項(1)記載の波長検出装置。 - (13)前記集光ミラーは凹面ミラーである請求項(1
2)記載の波長検出装置。 - (14)前記集光ミラーは軸外放物面ミラーである請求
項(12)記載の波長検出装置。(15)基準光源から
発生される基準光と被検出光とをエタロンに照射し、該
エタロンを透過した光によってそれぞれ形成される前記
基準光に対応する第1の干渉縞と被検出光に対応する第
2の干渉縞を光検出手段で検出することにより前記被検
出光の波長を検出する波長検出装置において、 前記第1の干渉縞と前記第2の干渉縞とを それぞれ別の時刻に検出するとともに、前記第1の干渉
縞の検出周期を第2の干渉縞の検出周期より長くするよ
うにしたことを特徴とする波長制御装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1208762A JP2614768B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 波長検出装置 |
DE19904091247 DE4091247T1 (ja) | 1989-07-14 | 1990-07-12 | |
PCT/JP1990/000900 WO1991001579A1 (fr) | 1989-07-14 | 1990-07-12 | Laser excimeur a oscillations a bande etroite et detecteur de longueurs d'ondes |
CA 2063600 CA2063600A1 (en) | 1989-07-14 | 1990-07-12 | Narrow band excimer laser and wavelength detecting apparatus |
US08/194,803 US5404366A (en) | 1989-07-14 | 1994-02-14 | Narrow band excimer laser and wavelength detecting apparatus |
US08/833,251 USRE38372E1 (en) | 1989-07-14 | 1997-04-04 | Narrow band excimer laser and wavelength detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1208762A JP2614768B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 波長検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0372228A true JPH0372228A (ja) | 1991-03-27 |
JP2614768B2 JP2614768B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=16561669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1208762A Expired - Fee Related JP2614768B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-08-11 | 波長検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2614768B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017072463A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 株式会社トプコン | 分光計測装置 |
JP2023524907A (ja) * | 2020-06-22 | 2023-06-13 | クオンタム ヴァリー アイデアズ ラボラトリーズ | 光の波長の測定 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6412236A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Hitachi Electr Eng | Wavelength variation monitor for semiconductor laser |
JPH01101683A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ波長の安定化方法及び波長安定化レーザ |
JPH01250835A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Canon Inc | 波長測定法 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1208762A patent/JP2614768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6412236A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Hitachi Electr Eng | Wavelength variation monitor for semiconductor laser |
JPH01101683A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ波長の安定化方法及び波長安定化レーザ |
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JP2017072463A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 株式会社トプコン | 分光計測装置 |
US10578485B2 (en) | 2015-10-07 | 2020-03-03 | Topcon Corporation | Spectroscopic instrument |
JP2023524907A (ja) * | 2020-06-22 | 2023-06-13 | クオンタム ヴァリー アイデアズ ラボラトリーズ | 光の波長の測定 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2614768B2 (ja) | 1997-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |