JPH0371679A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電流注入型の半導体発光素子にかかわり、特
に青色の短波長の光を発光する短波長帯の半導体発光素
子に関するものである。

（従来の技術） レーザ・ディスクやレーザ・プリンタなどに見られるよ
うに、近年光情報分野の進展にはめざましいものがある
。こうした分野では、光源として赤色の半導体レーザが
使用されているが、大容量記録、高速読出、高速印刷等
に対応するためには、高出力化に加えてレーザの短波長
化が必要とされている。このため半導体レーザの短波長
化の研究も進んでいるが、青色波長域の半導体レーザは
実現していない。一方、各種表示装置に用いられている
発光ダイオードをフルカラー表示素子として利用するた
めには、現在実用となっている赤色、緑色に加えて、青
色の発光ダイオードが必要となるが、現在実用となるも
のはできていない。

短波長帯、特に青色の発光装置に用いられる半導体は、
禁止帯幅の制約などからＺｎＳ　、　ＺｎＳｅ、ＺｎＴ
ｅ、　ＣｄＳなどのｎ−ＶＩ族化合物半導体が最も有望
と考えられる。第１図は、ＺｎＳ　、　ＺｎＳｅ、　Ｚ
ｎＴｅおよびその混晶系の禁止帯幅と格子定数の関係を
示したものである（但し、ＣｄＳは通常では六方晶系を
とるが、ＣｄＳを含む混晶では立方晶を取り得るので、
立方晶系に換算した格子定数で示した）。

ＧａＡｓ、　ＧａＰ　、　ＩｎＰ　、　Ｓｉについても
、参考のため示した。半導体デバイスでは基板と成長層
の格子定数はほぼ同じことが望ましい。一方、レーザや
高出力発光ダイオードに用いられる２重ヘテロ構造につ
いては、キャリア閉じ込めを有効に行うため、エネルギ
ー・バンド図において活性層の伝導帯下端は活性層の伝
導帯下端より下に、また活性層の価電子帯上端は活性層
の価電子帯上端より上にあることが必要である。

しかしながら、例えばＧａＡｓを基板として、これにほ
ぼ格子整合するＣｄＺｎＳＳｅ系４元混晶を考えた時、
禁止帯幅の小さい組成程、電子親和力は小さいため、エ
ネルギー・バンド図上では第２図に示すように、活性層
の伝導帯下端Ａが活性層の伝導帯下端Ｂの上に来る。こ
のため、２重ヘテロ構造レーザを作製しても、電子の閉
じ込めが出来ず、したがって、発振しきい値が大きくな
ったり、発光ダイオードの効率が悪いなどの問題があっ
た。

（発明が解決しようとする課題） 従って、従来技術においては、ＩＩ、ＶＩ族元素（Ｃｄ
％Ｚｎ、　Ｓ　、　Ｓｅ、　Ｔｅなど）を用いたヘテロ
構造発光素子で、活性層および活性層が基板とほぼ格子
整合し、かつ活性層にキャリアを有効に閉じ込められる
、高効率のデバイスは得られなかった。

本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので、新たな層構造を導入することに
より、基板との格子整合条件を満足しつつ、十分に注入
キャリア閉じ込めができ、発光効率の大なる半導体発光
素子を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明の第１の特徴は、活性層の両側に、当該活性層の
禁止帯幅より大なる禁止帯幅を有し、かつ互いに導電形
の異なる半導体による活性層が形成された半導体発光素
子において、前記活性層と少なくとも一方の前記活性層
との境界に、前記活性層の電子親和力より小なる電子親
和力を有し、かつ厚さが前記活性層の層厚よりも薄い半
導体よりなる第工のＨ壁層が配置されて構成したことに
ある。

本発明の第２の特徴は、第１の特徴に加え、前記活性層
と他方の前記活性層との境界に、該活性層の禁止帯幅と
電子親和力の和より大なる禁止帯幅と電子親和力の和を
有し、かつ厚さが前記活性層の層厚よりも薄い半導体よ
りなる第２の障壁層が配置されて構成したことにある。

以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） 第３図は、本発明による層構造を有する発光素子の断面
を示したもので、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｃｄ
ｏ５ｓＺｎｏ、　４５ＳＯ，ｅ４ｓｅｏ、　Ｏ６よりな
るｎ形りラッド層で厚さ約２μｍ、４はＣｄｏ、　＋　
５Ｚｎｏ、　ａｓｓｏ、　３１Ｓｅｏ、　ａｓよりなる
活性層で厚さ約０．１μｍ、５はＣｄｏ、　ｏ＋Ｚｎｏ
９９ｓａ、　ｏｓｓｅｏ、　ｅ＋よりなる第１の障壁層
で厚さ約ｉｏｏオングストローム、６はｐ−Ｃ：ｄｏ、
　６１ｉＺｎｏ、　４！ＩｓＯ，＊５Ｓｅｏ、　０２よ
りなるｐ形りラッド層で厚さ約２μｍ、７は絶縁膜、８
．９は電極である。

半導体層構造は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を
用いて作製した。また、図中のｎ形りラッド層２は工（
沃素）を、ｐ形りラッド層６はＬＬ　（リチウム）をド
ープすることにより、１０”ｃｍ”’以上のキャリア濃
度が得られた。その後、通常のプロセス工程により絶縁
膜７および電極８．９等を形成した。

この構造では、基板１、活性層２及び６、活性層４及び
第１の障壁層５の格子定数はほぼ整合している。本発明
の特徴である第１の障壁層５は、層厚を活性Ｈ４よりも
極めて薄く（約１５０オングストローム以下）して、正
孔が第１の障壁層５に存在する確率を小さくなるように
構成されている。

次に、本発明の特徴をエネルギーバンド構造等を用いて
説明する。第４図（ａ）は本発明の層構造図、同図（ｂ
）は電極８，９に電圧を印加した時のエネルギーバンド
構造図、同図（ｃ）は電圧を印加しない時の各半導体の
エネルギー準位図をそれぞれ示す。第４図（ｃ）に示す
ように、ヘテロ接合部において電子親和力Ｅ、の差によ
り伝導帯の下端は活性層４の方が上にくる。しかし、本
発明では活性層４とｐ側りラッド層６との間（ヘテロ接
合部）に電子親和力Ｅ、が活性層４の電子親和力Ｅｌ１
４よりも小さい電子親和力Ｅｏの第１の障壁層５を導入
することにより、活性層４に注入された電子がｐ側りラ
ッド層６ヘオーバーフローしてしまうのを防ぐことがで
き、活性層４への電子閉じ込めが可能となる。このため
、青色波長帯（この例では波長０．４５μｍ帯）の高効
率・高信頼な注入形半導体発光素子が実現できる。なお
、第１の障壁層５の電子親和力ＥａＳは小さいものの、
禁止帯幅Ｅｏも一番小さいため、電子−正孔再結合がこ
の障壁層５で起きる可能性もあるが、電子はここには閉
じ込められないので、ここでの電子−正孔再結合確率は
小さい。

本発明は、第４図（ｃ）から明らかなように、禁止帯幅
Ｅｌの大きさを活性層２，６の禁止帯幅Ｅｇ□、Ｅ０〉
活性層４の禁止帯幅Ｅｇ４＞第１の障壁Ｍ５の禁止帯幅
Ｅ１５となるようにし、かつ電子親和力Ｅ、の大きさを
活性層２，６の電子親和力Ｅ、、、　Ｅ、ａ＞活性層４
の電子親和力Ｅｌ４〉第１（７）障壁層５の電子親和力
Ｅａｓとなるように半導体層構造にしたものである。た
だし、第１の障壁層５の禁止帯幅Ｅｇｓは、活性層４の
禁止帯幅Ｅ、よりも大きいほうが理想的に好ましいが、
Ｚｎ−Ｃ：ｄ−３−３ｅ系では格子整合がとれ、かつ電
子親和力の条件も満足するような半導体層を実現できな
い。

（実施例２）　第５図は、本発明による第２の実施例で
あり、半導体発光素子の層構造断面図である。以下では
、実施例１と異なる点のみを詳説する。

実施例２は、実施例１の構造に加え、ｎ形りラッド層２
と活性層４との間に第２の障壁層３を挿入して、正孔が
ｎ形りラッド層２へのオーバーフローを抑圧したもので
ある。即ち、ｎ−Ｃｄｏ、　５５Ｚｎｏ、　４５ＳＯ，
５４Ｓｅｏ、　ｏｓよりなり、かつ層厚が約２μｍのｎ
形りラッド層２とＣｄｏ、　＋５Ｚｎｏ、　ａｓｓｏ、
　３１Ｓｅｏ、　８９よりなり、かつ厚さが約０．１μ
ｍの活性層４との間に、Ｃｄｏ、　５Ｊｎｏ、　４　Ｉ
ｓよりなり、かつ厚さが約１００オングストロームの第
２の障壁層３を新たに設けたものである。なお、第２の
障壁層３の層厚は、第１の障壁層５の層厚と同様に活性
層４の層厚よりも極めて薄く（約１５０オングストロー
ム以下）して、電子が第２の障壁層３に存在する確率を
小さくなるように構成する必要がある。

次に、本発明の特徴をエネルギーバンド構造等を用いて
説明する。第６図（ａ）は本発明の層構造図、同図（ｂ
）は電極８，９に電圧を印加した時のエネルギーバンド
構造図、同図（Ｃ）は電圧を印加しない時の各半導体の
エネルギー準位図をそれぞれ示す。第６図（ｃ）に示す
ように、禁止帯幅Ｅｌの大きさを第２の障壁層３の禁止
帯幅Ｅ１３〉活性層２，６の禁止帯幅Ｅｇ２．　Ｅｇａ
＞活性層４の禁止帯幅Ｅｏ〉第１の障壁層５の禁止帯幅
Ｅｏどなるようにし、かつ電子親和力Ｅ、の大きさを活
性層２，６の電子親和力Ｅ−２．　Ｅ−６＞活性層４の
電子親和力Ｅｏ４〉第２の障壁層３の電子親和力Ｅｏ３
〉第１の障壁層５の電子親和力Ｅａｓとなるように半導
体層構造にしたものである。また、第２の障壁層３とｎ
側活性層２との関係は、（第２の障壁層３の禁止帯幅Ｅ
。十第２の障壁層３の電子親和力Ｅ。）〉（活性層２の
禁止帯幅Ｅ３２＋活性層２の電子親和力Ｅ、′２）とな
るようにして、キャリアが活性層４に十分閉じ込めるよ
うにしである。

しである。

（実施例３） 実施例１および実施例２では活性層４がバルクの半導体
であったが、活性層４または活性層２（６）もしくはそ
の両方とも、厚さ３００オングストローム以下の組成の
異なる超薄膜を多層積層した膜であってもよい。

第７図は、本発明による第３の実施例であり、活性層１
０のみを超格子構造にしたもので、例えば、活性層１０
の量子井戸層１１をＣｄＩ−ｘ　Ｚｎｘ　５ｌ−１’−
ＺＳｅ、、　Ｔｅ、　（０≦Ｘ≦１．０≦ｙ≦１、０≦
ｚ≦１）とし、障壁層１２をＣｄＩ−ｘ’Ｚｎｘ’５１
−ｙ’−ｚ’　５ｅｙＴｅｚ・（Ｏ≦Ｘ゛≦１．０≦ｙ
’５１、０≦ｚ゛≦１）とする超格子構造にすれば良い
。

また、図示しないが、活性層２（６）を超格子構造にす
る場合には、活性層２（６）の量子井戸層をＣｄＩ−ｐ
　ＺｎｐＳ　１−ｑ−ｒ　Ｓｅ、３Ｔｅｒ　　（０≦ｐ
≦１、０≦ｙ≦１、Ｏ≦ｒ≦１）とし、障壁層をＣｃＬ
−ｐ’　Ｚｎｐ・ｓ＋−ｑ’−ｒ’　Ｓｅｑ、　Ｔｅｒ
’　（０≦ｐ゛≦１．０≦ｑ°≦１．０≦ｒ°≦１）と
すれば良い。

こうした超格子構造を採用した場合、バルクに比べてｃ
ｄを多く含む組成でも、Ｚｉｎｅｂｌｅｎｄｅ構造が保
たれ易いという傾向があり、このためバルクより結晶構
造が安定する。更に、活性層２．６を超格子層とした場
合、基板との界面の超格子層が基板からの不純物原子の
拡散を防ぐ機能を果たすことが期待される。例えば、Ｓ
Ｌ、　Ｇａ、　Ａｓ或いはＰの拡散が防止される。また
活性層４が超格子層の場合、量子井戸レーザとしての特
性を示すことは言うまでもなく、閾値電流が小さい、温
度特性が良い等の利点がある。

上述の実施例１，２及び３では、ＧａＡｓを基板１とし
、活性層４・活性層２，６に関し、１組の組成について
示したが、本発明はこの組成だけに限らない。活性層４
の組成をＣｄ、−ウＺｎｘ　５ｌ−ｙ−ｘＳｅ、　Ｔｅ
、　（０≦Ｘ≦１、Ｏ≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）　活性層
２，６の組成をｃｃｉ、−ｐＺｎｐＳｌ−ｑ−ｒ　５ｅ
ｑＴｅｒ　（ｏ≦ｐ≦１、０≦ｙ≦１、Ｏ≦ｒ≦１）、
第１の障壁Ｎ５の組成をｃａｔ−ｕ　ＺｎｕＳ＋　−ｖ
−ｗ　Ｓｅｖ　Ｔｅｗ　（０≦Ｕ≦１．０≦Ｖ≦１、０
≦ｗ≦１）、第２の障壁層３の組成をｃｃｉｌ−ｕ−Ｚ
ｎｕｓｌ−Ｖ’−Ｗ’　５ｅｖ−ＴｅＷ・（ｏ≦Ｕ°≦
１．０≦Ｖ゛≦１、０≦ｗ”≦１）とし、これらが基板
１とほぼ格子整合すると共に、活性層４、第１の障壁層
５および第２の障壁層３、活性層２，６の半導体の禁止
帯１１１！Ｅ、をそれぞれＥｇ４　、Ｅｇ６　ｓ　Ｅｇ
３　、Ｅｇ２、Ｅｇ８とした時、Ｅｇｓ　＜Ｅｇ４＜Ｅ
ｇ□、　Ｅｇ、　＜Ｅ、３を満足するように各層の組成
を選び、更に電子や正孔が第１の障壁層５及び第２の障
壁層内に存在する確率を十分小さくなるようにするため
に、第１の障壁層５および第２の障壁層３の厚さを１５
０オングストローム以下にすればよい。

なお、上述の説明において、各組成比（Ｘ。

Ｊ＋　　　４＋　　　ｋＪ＋　　　ｌ−ｉ　ｌ　　Ｌ＋
−−−ｋＪ＊　　”４＋　　　　　＋　　　ｕｎ　　　
Ｖ＋ｗ’）は本発明の特徴である格子整合及び電子親和
力等を考慮して決定し、具体的には３元以上の化合物半
導体層となるように選択する。

また、上述の説明では、ｎ形基板１を想定しているが、
もちろんｐ形基板を使用し、活性層２．６の伝導形を逆
にした構造でも問題無い。ｎ形ドーパントとしては、Ｂ
ｒ、ＧＡ、Ｇａ、Ｉｎなどを用いてもよく、ｐ形ドーパ
ントとしては、Ｎａ％に％Ｐ％Ａｓ、　Ｓｂなどを用い
てもよい。さらに、基板工を構成する半導体が、ＧａＡ
ｓ、　ＧａＰ、ＩｎＰ　、　Ｓｉ、　Ｇｅ、　ＺｎＳｅ
またはＧａＡｓＰ混晶を用いても、活性層４及び活性層
２（６）と格子整合をとることができる。

本発明はレーザでも発光ダイオードでも適用可能である
。レーザの場合には、埋め込み構造をはじめ各種の横モ
ード制御構造に適用可能である。

分布帰還形または分布ブラッグ反射形のレーザにも応用
できる。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、ｎ　−ｖｒ族化合物半
導体、特にＣｄＺｎ５ＳｅＴｅ系を用いた２重ヘテロ構
造を有する発光素子において、活性層４と活性層６との
ヘテロ接合部の境界に、活性層４の電子親和力Ｅ、より
小なる電子親和力Ｅ、を有し、かつ厚さが活性層４の層
厚よりも薄い半導体よりなる第１の障壁層５を備えるこ
とにより、活性層４に注入された電子がｐ側りラッド層
６ヘオーバーフローしてしまうことを抑圧することがで
き、活性層４への電子の閉じ込めが可能となるため、青
色波長域の動作が可能な半導体発光素子を実現すること
ができる。

第１の障壁層５に加え、活性層４と他方の活性層２との
境界に、活性層２の禁止帯幅Ｅｇｚと電子親和力Ｅ。ど
の和より大なる禁止帯幅Ｅｏと電子親和力Ｅ。どの和を
有し、かつ厚さが活性層４の層厚よりも薄い半導体より
なる第２の障壁層３を備えることにより、正孔がｎ側活
性層２ヘオーバーフローすることを防止することができ
る。

ができる。

活性層４、活性層２及び６のうち少なくとも活性層４が
互いに禁止帯幅の異なる薄膜を複数積層した超格子構造
で構成することにより、安定な結晶構造の半導体発光素
子を実現することができる。

第１の障壁層５を構成する半導体は、Ｃ：ｄ、。

Ｚｎｕ　５ｌ−ＩＴ＋Ｗ　Ｓｅｖ　Ｔｅｗ　（０≦Ｕ≦
１．０≦Ｖ≦１、０≦ｗ≦１）であることにより、活性
層４に注入された電子がｐ側りラッド層６ヘオーバーフ
ローしてしまうことを抑圧することができる。

第２の障壁層３を構成する半導体は、Ｃｄ、。

Ｚｎｕ・５ｌ−Ｖ’−Ｗ’　Ｓｅｖ−Ｔｅｗ・（０≦Ｕ
゛≦１．０≦Ｖ≦１、０≦ｗ°≦１）であることにより
、正孔がｎ側活性層２ヘオーバーフローすることを防止
することができる。

活性層４を構成する半導体は、Ｃｄｌ−ｘ　ＺｎｘＳｔ
　−ｙ−ｚ　Ｓｅｙ　Ｔｅｘ　（０≦Ｘ≦１、Ｏ≦ｙ≦
１、Ｏ５Ｚ≦１）、活性層２（６）を構成する半導体は
、Ｃｄｌ−ｐ　Ｚｎｐ　５ｌ−ｑ−ｒ　５ｅＱＴｅｒ　
（ｏ≦ｐ≦１、０≦ｙ≦１、Ｏ≦ｒ≦１）であることに
より、短波長域の発光素子を構成することができる。

基板１を構成する半導体が、ＧａＡｓ、　ＧａＰ、Ｉｎ
Ｐ　、　Ｓｉ％Ｇｅ、　ＺｎＳｅまたはＧａＡｓＰ混晶
であることにより、活性層４及び活性層２（６）と格子
整合をとることができる。

活性層４を構成する半導体は、Ｃｄｌ−ｘ　Ｚｎｘｓ＋
−ｙ−ｚ　Ｓｅｙ　Ｔｅｘ　（０≦ｘ５１、Ｏ≦ｙ≦１
，０≦Ｚ≦１）及びＣｄｌ−１Ｚｎ１Ｓ＋−ｙ・−ｚ・
Ｓｅ、−Ｔｅｚ（Ｏ≦Ｘ゛≦１，０≦ｙ°≦１、０≦ｚ
°≦１）からなる超格子構造であることにより、閾値電
流が小さく、かつ温度特性が良いレーザな実現できる。

このため、従来、半導体レーザ・ダイオードではできな
かった、青色波長域の動作が実現されるようになり、ま
た青色の高効率・高輝度発光ダイオードも得られるよう
になる。本発明が短波長帯発光素子の性能向上に寄与す
るところが大であり、民生用或いは情報処理機器用に広
く利用され、その効果が極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＺｎＳ　、　ＺｎＳｅ、　ＺｎＴｅおよびそ
の混晶系、ならびにＧａＡｓ、　ＧａＰ　、　ＩｎＰ　
、　Ｓｉ、Ｇｅの禁止帯幅と格子定数との関係図、 第２図はＧａＡｓに格子整合したＣｄＺｎＳＳｅ　４元
系混晶を用いた従来の半導体発光素子による２重ヘテロ
接合におけるエネルギー・バンド接続の模式第３図は本
発明による第１の障壁層を有する半導体発光素子の断面
図、 第４図（ａ）は本発明の第１の実施例による層構造図、 第４図（ｂ）は電極８，９に電圧を印加した時のエネル
ギーバンド構造図、 第４図（ｃ）は電圧を印加しない時の各半導体のエネル
ギー準位図、 第５図は本発明による第１の障壁層及び第２の障壁層を
有する半導体発光素子の断面図、第６図（ａ）は本発明
の第２の実施例による層構造図、 第６図（ｂ）は電極８，９に電圧を印加した時のエネル
ギーバンド構造図、 第６図（ｃ）は電圧を印加しない時の各半導体のエネル
ギー準位図、 第７図は本発明の第３の実施例による半導体発光素子の
断面図である。 １　；　ｎ−ＧａＡｓ基板、 ２　：　ｎ−Ｃｄｏ、　５ｓＺｎｏ、　４８ＳＯ，＊４
Ｓｅｏ、　ｏｓよりなるｎ形りラッド層、 ３　；　Ｃｄｏ、　５Ｊｎｏ、　４１Ｓよりなる第２の
障壁層、４　；　Ｃｄｏ、　＋５Ｚｎｏ、　５ｓｓｏ、
　ｓ＋Ｓｅｏ、　ｓｏよりなる活性層、５　；　Ｃｄｏ
、　ｏ＋Ｚｎｏ、　ｅｅｓｏ、　ｏｇｓｅｏ、　９１よ
りなる第１の障壁層、 ６　：　ｐ　　Ｃｄｏ、５ｓＺｎｏ、ａｓＳｏ、ｅａＳ
ｅｏ、ｏｚよりなるｐ側りラッド層、 ７；絶縁膜、　　　　　　　　８，９；電極、１０、超
格子構造の活性層、　１１；量子井戸層、１２；障壁層
。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）活性層の両側に、当該活性層の禁止帯幅より大な
   る禁止帯幅を有し、かつ互いに導電形の異なる半導体に
   よるクラッド層が形成された半導体発光素子において、 前記活性層と少なくとも一方の前記クラッド層とのヘテ
   ロ接合部の境界に、前記活性層の電子親和力より小なる
   電子親和力を有し、かつ厚さが前記活性層の層厚よりも
   薄い半導体よりなる第１の障壁層が配置されて構成され
   ていることを特徴とする半導体発光素子。
2. （２）請求項第１項に加え、前記活性層と他方の前記ク
   ラッド層との境界に、該クラッド層の禁止帯幅と電子親
   和力の和より大なる禁止帯幅と電子親和力の和を有し、
   かつ厚さが前記活性層の層厚よりも薄い半導体よりなる
   第２の障壁層が配置されて構成されていることを特徴と
   する半導体発光素子。
3. （３）前記活性層、前記クラッド層のうち少なくとも前
   記活性層が互いに禁止帯幅の異なる薄膜を複数積層した
   超格子構造で構成されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ないし第２項記載の半導体発光素子。
4. （４）前記第１の障壁層を構成する半導体は、Ｃｄ＿１
   ＿−＿ｕＺｎ＿ｕＳ＿１＿−＿ｖ＿−＿ｗＳｅ＿ｖＴｅ
   ＿ｗ（０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第２項記載
   の半導体発光素子。
5. （５）前記第２の障壁層を構成する半導体は、Ｃｄ＿１
   ＿−＿ｕ＾１Ｚｎ＿ｕ＾１Ｓ＿１＿−＿ｖ＾１＿−＿ｗ
   ＾１Ｓｅ＿ｖ＾１Ｔｅ＿ｗ＾１（０≦ｕ＾１≦１、０≦
   ｖ＾１≦１、０≦ｗ＾１≦１）であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項ないし第２項記載の半導体発光素
   子。
6. （６）前記活性層を構成する半導体は、Ｃｄ＿１＿−＿
   ｘＺｎ＿ｘＳ＿１＿−＿ｙ＿−＿ｚＳｅ＿ｙＴｅ＿ｚ（
   ０≦Ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、前記クラッド
   層を構成する半導体は、Ｃｄ＿１＿−＿ｐＺｎ＿ｐＳ＿
   １＿−＿ｑ＿−＿ｒＳｅ＿ｑＴｅ＿ｒ（０≦ｐ≦１、０
   ≦ｑ≦１、０≦ｒ≦１）であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項ないし第２項記載の半導体発光素子。
7. （７）前記基板を構成する半導体が、ＧａＡｓ、ＧａＰ
   、ＩｎＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＺｎＳｅまたはＧａＡｓＰ混晶
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
   ２項記載の半導体発光素子。
8. （８）前記活性層を構成する半導体は、Ｃｄ＿１＿−＿
   ｘＺｎ＿ｘＳ＿１＿−＿ｙ＿−＿ｚＳｅ＿ｙＴｅ＿ｚ（
   ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）及びＣｄ＿１＿
   −＿ｘ＾１Ｚｎ＿ｘ＾１Ｓ＿１＿−＿ｙ＾１＿ｚ＾１Ｓ
   ｅ＿ｙ＾１Ｔｅ＿ｚ＾１（０≦ｘ＾１≦１、０≦ｙ＾１
   ≦１、０≦ｚ＾１≦１）からなる超格子構造であること
   を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体発光素
   子。