JPH0370429B2 - - Google Patents

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JPH0370429B2
JPH0370429B2 JP56196950A JP19695081A JPH0370429B2 JP H0370429 B2 JPH0370429 B2 JP H0370429B2 JP 56196950 A JP56196950 A JP 56196950A JP 19695081 A JP19695081 A JP 19695081A JP H0370429 B2 JPH0370429 B2 JP H0370429B2
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JP
Japan
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circuits
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JP56196950A
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JPS5899061A (ja
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Toshuki Tawara
Mutsuo Kataoka
Toshio Hayashi
Isamu Ueki
Junjiro Kitano
Kenzo Takada
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPH0370429B2 publication Critical patent/JPH0370429B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/001Current supply source at the exchanger providing current to substations
    • H04M19/003Arrangements for compensation of the DC flux in line transformers

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電話交換機の加入者回路に関するも
のであり、特に電子化された加入者回路に関する
ものである。
従来、加入者端末への電流供給及び加入者端末
からの信号受信等を行う加入者回路は主にレター
コイル、トランス等を主体とした電磁部品で構成
されていた。この加入者回路は加入者線路に発生
する同相雑音に対して充分な抑圧度を有していた
反面小形化が困難であるという問題点を有してい
た。
一方、近年半導体技術の進歩により、前記電磁
部品主体の加入者回路の半導体電子化が急速に進
められつつある。この半導体電子化を行う上で
は、 第1に、半導体素子は使用電源内で順方向バイ
アスをかける必要があり、過大な同相雑音等が混
入すると回路の飽和等が起こり信号が正常に伝達
できない。
第2に、完全な相補素子ができないため充分な
同相雑音の抑圧が困難である。等の問題があつ
た。
本発明は半導体素子の利点を有効に利用し、か
つ前述の半導体電子化する上での問題点を解決
し、充分な同相雑音抑圧が可能な回路を提供する
ことを目的とする。
第1図は本発明の実施例のブロツク図である。
図中10,20は端子A、Bを経て加入者線路5
0を介して端末60に電流を供給する電流供給回
路、30は端子A、Bに接続された加入者線路に
発生する同相雑音VCMを検出し、電流供給回路1
0,20を同相雑音に対して低インピーダンスに
する制御を行う同相雑音抑圧回路、40は端子
A、Bに接続され、加入者線路50を経て送信さ
れる加入者端末信号の平衡信号VLを端子A、B
の電圧として個別に検出し、電圧加算することに
より図示しない装置へ不平衡信号VTとして出力
する差動信号受信回路である。
次に第2図を用いて、本発明の同相雑音回路の
動作を説明する。
第2図において線路に発生する同相電圧をVCM
とし、加入者端末60からの信号をVLとすると
端子A、Bに現われる電圧は第2図aのVA,同
図bのVBの一点鎖線で示すeA,eB波形となる。
これは破線で示す同相雑音成分eCと実線で示す加
入者端末からの信号成分elとの和であり同相雑音
成分eCが大きいと端子A、Bに現われる電圧VA
VBのピーク電圧VAP,VAN,VBP,VBNは大きな値
となる。その結果加入者端末の信号を受信する差
動信号受信回路40が飽和し、正常な加入者端末
からの信号を受信出来なくなるかまたは差動信号
受信回路40に大きな同相雑音抑圧度が必要とな
る。
したがつて第2図に示す同相雑音成分eCを極力
小さく抑えることが必要である。
ここで第1図に示す如き同相雑音源をVCM、一
対の加入者線路50の各々の対地インピーダンス
をZlA,ZlBとし(第1図ではZCとしてモデル的に
容量ClA,ClBで示す。)、また電流供給回路10,
20の同相雑音に対する出力インピーダンスを
ZCA,ZCBとすれば近似的に端子Aに生ずる同相雑
音は eC=VCMZCA/Zla+ZCa 同様に端子Bに生ずる同相雑音は eC=VCMZCB/ZlB+ZCB で表わされる。これにより出力インピーダンス
ZCA,ZCBを小さくすれば端子A、Bに生ずる電圧
VA,VBの成分中の同相雑音成分eCを小さくする
ことができることがわかる。
一方、第1図に示す同相雑音抑圧回路30は端
子A、Bに生ずる同相雑音のみを検出し、電流供
給回路10,20を制御し同相雑音に対して電流
供給回路10,20を低インピーダンス化する働
きを有するため、前述の如き端子A、Bに生ずる
電圧eA,eB中の同相雑音成分eCを充分小さくする
ことが可能となる。従つて、第2図に示す端子
A、Bに生ずる電圧VA,VBのピーク値VAP
VAN,VBP,VBNを加入者信号を受信する差動信号
受信回路40の非飽和電圧範囲に抑えることがで
きるとともに差動信号受信回路40にも過大な同
相雑音抑圧度を要求しなくとも済む。また差動信
号受信回路40は端子A、Bの電圧の差動成分を
検出するため、さらに同相雑音成分は抑圧され差
動信号受信回路40の出力信号VTは第2図VT
示す如く加入者端末からの信号のみを出力するこ
とが可能である。
第3図は本発明の実施例の回路図である。第3
図において、10及び20は一対の電流供給回路
であり、それぞれ端子A、Bを介して加入者線に
通話電流を供給するものである。30は同相雑音
抑圧回路であり、入力低抗R10,R11、第1のカ
レントミラー回路100,101、第2のカレン
トミラー回路200,201、一対の増幅回路で
あり、同相雑音検出回路を構成するトランジスタ
Q0,Q1により構成される。40は差動信号受信
回路であり、演算増幅器OPO、抵抗R20,R21
R30,R31により構成される。50は加入者線路
であり、対地インピーダンスZlを有するものとす
る。(図ではモデルとして容量Clで表わす)。
以下動作を説明する。
同相雑音抑圧回路30の入力抵抗R10,R11
同一の抵抗値R1を有する。トランジスタQ0,Q1
の電力増幅率を各々βN,βPとし、第1カレントミ
ラー回路100,101のミラー比をK、第2の
カレントミラー回路200,201のミラー比を
各々M,N、一対の電流供給回路10,20の電
流増幅率をαとする。カレントミラー回路100
には、基準電位として地気Gが供給されている。
またカレントミラー回路101には、基準電位と
して電源VBBが供給されている。
端子A、Bに発生する同相雑音eCA,eCB
各々、抵抗R10,R11で電流変換され、第1のカ
レントミラー回路100,101に入力される。
ここでカレントミラー回路100を例にとつて説
明すれば基準電位として地気Gが供給されてい
る。従つてこのカレントミラー回路100には、
端子Aの電圧VAと地気Gとの電位差が電流変換
されて入力され、ミラー比KによりK倍された出
力が現れる。同様にカレントミラー回路101に
は、端子Bの電圧VBと電源VBBとの電位差が電流
変換されて入力され、ミラー比KによりK倍され
た出力が現れる。これらカレントミラー回路10
0,101の出力電流は、第3図に示すC点では eCA+eCB/R1K の電流値となる。この電流は同相雑音検出回路を
構成するトランジスタQ0,Q1のベース電流とな
り、それぞれの増幅率βN,βPで増幅され、第2の
カレントミラー回路200,201に入力され
る。この第2のカレントミラー回路200,20
1の出力は接続されており、第3図a,b点で加
算された電流Ia,Ibは、 Ia=Ib=eCA+eCB/R1(MβN+NβP)K となる。
これら電流Ia,Ibは、各々電流供給回路10,
20の制御電流となる。これら電流供給回路1
0,20の電流増幅率αにより増幅された端子
A、Bより電流を引き込む(又ははき出す)電流
値をICMとすると、ICM=αIa=αIb=αeCA+eCB/R1 (MβN+NβP)K …(1) である。これより (eCA+eCB)=ICMR1/α(MβN+NβP)K …(2) が成立する。
ここでトランジスタQ0,Q1の電流増幅率βN
βPを充分に大きくすることは可能であり、このと
き前記第(2)式より、 eCA+eCB→0,即ちeCA→0,eCB→0となる。
即ち端子A、Bの電圧VA,VBは同相雑音VCM
対して低インピーダンスとなり、同相雑音の発生
が抑圧されていることになる。
一方、加入者端末60からの信号VLに対して
は、この信号VLが平衡信号であるため端子A、
Bの電圧VA,VBは逆特性の信号電圧となる。こ
の信号をelA,elBとすると、第3図に示す点cで
の電流は(elA+elB/R1)Kとなる。しかし前述した 如くこれらの信号電圧は平衡信号即ちelA=−elB
となり、従つて点cでの電流はφである。この結
果同相雑音抑圧回路30は動作せず、信号VL
差動信号受信回路40へ伝達される。差動信号受
信回路40においては、抵抗R20,R21,R30
R31の抵抗値を適当な値とすることで信号VLを出
力信号VTとして図示しない他の装置へ伝達する
ことができる。なお同相雑音抑圧回路において、
入力抵抗R10,R11と直列に容量を挿入すること
により、端子A、Bに生ずる直流バイアス成分を
除去することができ、差動信号受信回路としての
動作領域が広がることは周知のことである。ま
た、第3図では同相雑音抑圧回路としてバイポー
ラトランジスタを用いて構成してあるが、これを
FET、MOS等の半導体素子で構成することも可
能である。
第4図は本発明の第2の実施例の回路図であ
る。同相雑音抑圧回路30の動作は前記第1の実
施例において説明したと同様である。図中100
0、1001は第1のカレントミラー回路であ
り、前記第1の実施例にミラー比Lなる出力を追
加し、この出力は差動信号受信回路40の入力信
号となつている。この電流値をIla,Ilb、端子A、
Bに発生する電圧をVA,VBとする。また、電圧
VA,VB中、加入者端末60よりの信号VLに関す
る電圧成分をela,elb、加入者線路50に発生す
る同相雑音VCMによる電圧成分をeCA,eCBとする。
また同相雑音抑圧回路30の入力抵抗R10,R11
の抵抗値を同一とし、R1とすると、電流Ila,Ilb
は以下のようになる。
Ila=ela+eCA/R1L,Ilb=elb+eCB/R1L …(3) 一方、差動信号受信回路40の演算増幅器
OPOの正相入力と地気Gに接続される抵抗を
R20、逆相入力と出力との間に並列に接続される
抵抗をR21とすれば、差動信号受信回路40の出
力電圧VTは以下の式で求められる。
VT=R20Ila−R21Ilb =R20〔L/R1(ela+eCA)〕 −R21〔L/R1(elb+eCB)〕 …(4) ここで抵抗R20とR21の抵抗値を等しくするこ
とは可能であり、R3とする。
また加入者端末60からの信号VLによる端子
A、Bでの電圧成分elA,elBは、前記第1の実施
例で説明した如くelA=−elBであり、加入者線路
50に発生する同相雑音VCMにより端子A、Bに
生ずる電圧成分eCA,eCBは同一極性である。従つ
て(4)式は以下のように表すことができる。
VT=R3L/R1〔2elB+(eCB−eCA)〕 …(5) 即ち、この結果は差動信号受信回路40の出力
電圧VT中に、同相雑音成分の差が混入するおそ
れのあることを示している。しかし前記第2の実
施例の説明において述べた如く、端子A、Bでの
同相雑音成分eCA,eCBは無視し得る値であり、差
動信号受信回路40の出力電圧VTは実質的に加
入者端末60からの信号成分のみを出力するとみ
なすことができる。
以上説明したような回路構成により、半導体素
子を主体とした加入者回路を構成することがで
き、しかも加入者線路に発生する同相雑音は加入
者端末信号を検出する以前に抑圧される。この結
果加入者端末信号を受信する半導体素子は同相雑
音による飽和等を起こさず、加入者端末からの信
号のみを受信し、伝達することのできる利点があ
る。
即ちこの発明によれば、A,B両端子の同相雑
音電圧は入力抵抗によつて電流に変換され、第1
のカレントミラー回路→同相雑音検出回路Q0
Q1→第2のカレントミラー回路→電流供給回路
10,20というループを形成する。このとき、
第1のカレントミラー回路の基準電位は地気Gま
たは電源VBBである。すなわちこの同相雑音抑圧
回路は、端子Aと地気Gとの電位差、および端子
Bと電源VBBとの電位差を等しくするように作用
する。よつて、同相雑音抑圧回路へ供給する中間
電位VXが変動しても前記一対の電流供給回路1
0,20には常に等しい負荷がかかるように制御
される。これにより加入者回路全体として見た場
合、より安定した動作を期待できる。
また第1の実施例によれば、前記の利点が充分
生かされるとともにカレントミラー回路等半導体
素子の特性を十分に生かすことができ、半導体集
積化がより有効にできる利点がある。さらに第2
の実施例によれば、抵抗素子数を減らすことがで
き、より容易な半導体集積化が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例のブロツク図、第2図
は本発明の動作説明のための波形図、第3図は本
発明の実施例の回路図、第4図は本発明の第2の
実施例の回路図である。 10,20…電流供給回路、30…同相雑音抑
圧回路、40…差動信号受信回路、50…加入者
線路、60…加入者端末、100,101,20
0,201,1000,1001,2000,2
001…カレントミラー回路、Q0,Q1…トラン
ジスタ、OPO…演算増幅器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一端が加入者線のA線、B線に接続され、他
    端が電池あるいは地気に接続され、加入者端末に
    電流供給する一対の電流供給回路と、前記加入者
    端末から送信される平衡信号電圧を増幅して出力
    する差動信号受信回路とを含む加入者回路におい
    て、 A線、B線のそれぞれに接続される一対の入力
    抵抗と、入力端がこの入力抵抗を介してA線、B
    線に接続され、電池あるいは地気にバイアスされ
    ている一対の第1のカレントミラー回路と、 前記一対の第1のカレントミラー回路の出力の
    接続点に接続され、かつ、電池と地気との中間電
    位に接続される一対の増幅回路と、 電池あるいは地気にバイアスされ、前記一対の
    増幅回路の各々の出力を入力とし、各々2個の出
    力を有する一対の第2のカレントミラー回路とを
    有し、 この第2のカレントミラー回路の2個の出力を
    各々電池側、地気側間で相互に接続し、当該接続
    点での電流差により前記一対の電流供給回路を制
    御する同相雑音抑圧回路を有することを特徴とす
    る加入者回路。 2 一端が加入者線のA線、B線に接続され、他
    端が電池あるいは地気に接続され、加入者端末に
    電流供給する一対の電流供給回路と、前記加入者
    端末から送信される平衡信号電圧を増幅して出力
    する差動信号受信回路とを含む加入者回路におい
    て、入力端が前記A線、B線のそれぞれに接続さ
    れる一対の入力抵抗と、 入力端がこの入力抵抗を介してA線、B線に接
    続され電池あるいは地気にバイアスされ、各々2
    個の出力を有する一対の第1のカレントミラー回
    路と、 前記一対の第1のカレントミラー回路の第1の
    出力の接続点に接続され、かつ、電池と地気との
    中間電位に接続される一対の増幅回路と、 電池あるいは地気にバイアスされ、前記一対の
    増幅回路の各々の出力を入力とし、各々2個の出
    力を有する一の第2のカレントミラー回路とを有
    し、 この一対の第2のカレントミラー回路の2個の
    出力を各々電池側、地気側間で相互に接続し、当
    該接続点での電流差により前記一対の電流供給回
    路を制御するとともに、 前記一対の第1のカレントミラー回路各々の第
    2の出力を電流電圧変換し、前記差動信号受信回
    路への入力とすることを特徴とする加入者回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654160A (en) * 1979-10-11 1981-05-14 Oki Electric Ind Co Ltd Interface circuit for subscribing line

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