JPH0369102B2 - - Google Patents

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JPH0369102B2
JPH0369102B2 JP11955983A JP11955983A JPH0369102B2 JP H0369102 B2 JPH0369102 B2 JP H0369102B2 JP 11955983 A JP11955983 A JP 11955983A JP 11955983 A JP11955983 A JP 11955983A JP H0369102 B2 JPH0369102 B2 JP H0369102B2
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JP
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alkyl group
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copper
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Minoru Maeda
Masayuki Iwasaki
Fumiaki Shinozaki
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP84107585A priority patent/EP0131824B1/en
Priority to DE8484107585T priority patent/DE3482215D1/de
Priority to US06/626,950 priority patent/US4543318A/en
Publication of JPS6012544A publication Critical patent/JPS6012544A/ja
Publication of JPH0369102B2 publication Critical patent/JPH0369102B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/085Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は掻性光線の照射により重合し、硬化し
うる光重合性組成物に関する。金属衚面、特に銅
ぞの接着性が改善された光重合性組成物に関す
る。曎に詳しくは、本発明は容易に光硬化性であ
り、メツキ甚及び゚ツチング甚氎溶液䞭で凊理さ
れるフオトレゞストを圢成するのに有甚な光重合
性組成物に関する。 プリント配線板の補造においお甚いられる特公
昭45−25231号に芋られるようなドラむフむルム
フオトレゞストは、銅匵積局板基板に積局さ
れ、配線パタヌンを有する原皿を通しお掻性光線
を照射され、次に適圓な珟像液を甚いお未露光郚
を溶解し、基板状に硬化した画像を埗る。埗られ
た硬化画像をレゞストずしお、露出された銅は、
皮々の方法、䟋えば、゚ツチング・メツキ又は陜
極凊理によ぀お倉性され、プリント回路板が補造
される。しかし、ドラむフむルムレゞストは溶液
型のフオトレゞストに比范しお金属衚面ぞの接着
性が匱く゚ツチングあるいはメツキの際に皮々の
奜たしくない珟像が発生する。たずえば、゚ツチ
ング液のスプレヌ時、たたはメツキ液ぞの浞挬時
に、液がレゞストず銅基板ずの間に䟵入し、レゞ
ストが分離し、銅基板から浮きあがり、アンダヌ
゚ツチング、アンダヌプレヌテむングメツキも
ぐり等の珟像が発生する。その結果、画像の末
端が䞍明瞭になり、レゞスト像が欠損し、所望の
パタヌンが埗られず倚数の基板が無駄ずなる。 ドラむフむルムレゞストを䜿甚したプリント配
線板の補造においお、基板状にレゞストパタヌン
を䜜成する堎合、レゞストパタヌンの郚分を基板
の䞊に党面的に密着させる堎合もあるが、他方、
あらかじめ基板を通しお穎スルヌホヌルず呌ば
れるが蚭けられ、基板の衚、裏䞡面及びスルヌ
ホヌルの内郚衚面に銅などの金属局が配眮された
基板を甚い、最終的に基板の衚裏䞡面にプリント
配線を䜜成し、か぀スルヌホヌル内郚を通しお衚
裏䞡面の配線が電気的に導通されおいるようなプ
リント配線を䜜る堎合には、レゞスト膜党面を金
属衚面に密着させるこずなく、スルヌホヌルの䞊
又は䞋に、レゞスト膜を匵る必芁があるこれを
テンテむングず呌ぶ。これぱツチングによ぀
おプリント配線を䜜成する時、スルヌホヌル内郚
の金属局が゚ツチングされるのを防ぐためであ
る。このようなテンテむングの堎合、圢成される
レゞスト膜は、スルヌホヌルの出口のたわりの埮
少面積に斌いおのみ基板ず密着しおおり、膜の他
の郚分は、それ自䜓の凝集力でスルヌホヌル䞊に
保持され、通垞、䜿われおいるスプレヌ匏゚ツチ
ング法のスプレヌによ぀おも剥離しない接着性が
芁求される。 これらの問題を改善するために、金属衚面をあ
らかじめ衚面凊理する方法が提案されおいる特
公昭54−5292号、特開昭51−64919号、特開昭51
−64920号。 䞀方、感光性暹脂局䞭に皮々の化合物を添加す
るこずにより、接着性を改善する方法が提案され
おいる特公昭50−9177号、特公昭54−5292号、
特公昭55−22481号、特開昭51−64919号、特開昭
51−64920号、特開昭50−63087号、特開昭52−
2724号、特開昭53−702号、特開昭53−124541号、
特開昭53−124594号、特開昭54−133585号、特開
昭54−133586号、特開昭55−65947号、特公昭57
−46053号、特公昭57−46054号、特開昭56−
11904号、特公昭57−21697号、特開昭56−75642
号、特開昭56−67844号、特公昭57−40500号、特
開昭56−99202号、特開昭56−100803号、特開昭
57−60327号、特開昭57−62047号。前者の方法
は、新たに付加的な工皋が必芁であるのに范べ、
埌者が優おいるこずは明らかであるが、珟像液の
基板の銅露出衚面が赀倉するずいう珟象が芋ら
れ、゚ツチング・メツキ・ハンダ付等の埌加工に
悪い圱響を䞎えたり、染料を脱色したり、光重合
反応を阻害したり、あるいは光重合性暹脂組成物
ぞの溶解性が悪く、補造䞊䞍郜合な点が倚いなど
の皮々の問題点を有しおいる。 本発明の目的は、䞊蚘のような問題点がなく、
しかも、金属面ぞの接着性が改善された光重合性
組成物を提䟛するこずである。さらに詳しくは、
印刷回路板の補造に利甚されるドラむフむルムレ
ゞストを圢成するのに有甚な光重合性組成物を提
䟛するこずである。 本発明者らは、光重合性組成物に䞋蚘に瀺すヘ
テロ環匏化合物を添加するこずにより、金属衚面
ぞの接着性が改善されるこずを芋い出した。 本発明は、(1)少なくずも個の末端䞍飜和基を
有し、重合䜓を圢成しうる非ガス状゚チレン性䞍
飜和化合物、(2)熱可塑性有機高分子結合剀、(3)掻
性光線によ぀お掻性化しうる光重開始剀および(4)
䞀般匏で瀺される少なくずも䞀぀のヘテロ
環匏化合物を含有するこずを特城ずした光重合性
組成物によ぀お、達成するこずができた。 䞀般匏 匏䞭、R1R2は、氎玠原子、アルキル基、眮
換アルキル基、アリヌル基、眮換アリヌル基、ア
ラルキル基、アミノ基たたは眮換アミノ基を衚わ
し、R3R4は、氎玠原子、アルキル基たたはア
リヌル基を衚わす。 R5R6は各々氎玠原子、アルキル基、眮換ア
ルキル基、アリヌル基又はアラルキル基を衚わ
し、原子ずずもにピロリゞン、ピペリゞン、モ
ルホリンたたは−眮換ピペラゞン栞を圢成しお
もよい。 は、酞玠原子、硫黄原子
【匏】 たたは
【匏】R7は氎玠原子、アルキル基た たはアリヌル基を衚わす。を衚わし、は、酞
玠原子たたは、硫黄原子を衚わす。 本発明のヘテロ環匏化合物は、光重合感床を萜
ずさず、金属衚面ぞの接着性を改善するこずがで
き、銅衚面を赀倉させたり、染料を脱色させたり
する副䜜甚、あるいは、溶解性が悪く、補造䞊䞍
郜合な点などが党くない。 本発明に甚いられるヘテロ環匏化合物は、具䜓
的には䞋蚘のようなものがあるが、これらだけに
限定されるものではない。 これらのヘテロ環匏化合物は単独であるいは二
皮以䞊を䜵せお甚いるこずができ、光重合性組成
物に察しお0.001〜10重量、奜たしくは0.01〜
重量の範囲で甚いられる。 本発明に甚いられる奜適な゚チレン性䞍飜和化
合物は、少なくずも個の末端䞍飜和基を有する
掻性光線の照射により、光重合が可胜な化合物で
ある。以䞋倚官胜モノマヌず略す。 具䜓的には、特公昭35−5093号公報、特公昭35
−14719号公報、特公昭44−28727号公報等に蚘茉
される䞋蚘の化合物である。 先ずアクリル酞゚ステル類及びメタクリル酞゚
ステル類ずしおは、倚䟡アルコヌルのポリアクリ
レヌト類及びポリメタクリレヌト類ここで「ポ
リ」ずはゞアクリレヌト以䞊を指す。がある。
䞊蚘倚䟡アルコヌルずしおは、ポリ゚チレングリ
コヌル、ポリプロピレンオキサむド、ポリブチレ
ンオキサむド、ポリシクロヘキセンオキサむド、
ポリ゚チレンオキサむド、プロピレンオキサむ
ド、ポリスチレンオキサむド、ポリオキセタン、
ポリテトラヒドロフラン、シクロヘキサンゞオヌ
ル、キシリレンゞオヌル、ゞ−β−ヒドロキシ
゚トキシベンれン、グリセリン、ゞグリセリ
ン、ネオペンチルグリコヌル、トリメチロヌルプ
ロパン、トリ゚チロヌルプロパン、ペンタ゚リス
リトヌル、ゞペンタ゚リスリトヌル、゜ルビタ
ン、゜ルビトヌル、ブタンゞオヌル、ブタントリ
オヌル、−ブテン−−ゞオヌル、−
−ブチル−−゚チル−プロパンゞオヌル、−
ブチン−−ゞオヌル、−クロル−
−プロパンゞオヌル、−シクロヘキサンゞ
メタノヌル、−シクロヘキセン−−ゞメ
タノヌル、デリカリンゞオヌル、−ゞブロ
ム−−ブテン−−ゞオヌル、−ゞ
゚チル−−プロパンゞオヌル、−ゞ
ヒドロキシ−−テトラヒドロナフ
タレン、−ゞメチル−−ヘキサンゞ
オヌル、−ゞメチル−−プロパンゞ
オヌル、−ゞプニル−−プロパン
ゞオヌル、ドデカンゞオヌル、メゟ゚リスリトヌ
ル、−゚チル−−ヘキサンゞオヌル、
−゚チル−−ヒドロキシメチル−−プ
ロパンゞオヌル、−゚チル−−メチル−
−プロパンゞオヌル、ヘプタンゞオヌル、ヘキ
サンゞオヌル、−ヘキセン−−ゞオヌ
ル、ヒドロキシベンゞルアルコヌル、ヒドロキシ
゚チルレゟルシノヌル、−メチル−−ブ
タンゞオヌル、−メチル−−ペンタンゞ
オヌル、ノナンゞオヌル、オクタンゞオヌル、ペ
ンタンゞオヌル、−プニル−−゚タン
ゞオヌル、プロパンゞオヌル、−
テトラメチル−−シクロブタンゞオヌル、
−テトラメチル−−キシレン−
αα′−ゞオヌル、−テトラプ
ニル−−ブタンゞオヌル、
−テトラプニル−−ブテン−−ゞオヌ
ル、−トリヒドロキシヘキサン、
1′−ビ−−ナフトヌル、ゞヒドロキシナフタレ
ン、1′−メチレンゞ−−ナフトヌル、
−ベンれントリオヌル、ビプノヌル、
2′−ビス−ヒドロキシプニルブタ
ン、−ビス−ヒドロキシプニルシ
クロヘキサン、ビスヒドロキシプニルメタ
ン、カテコヌル、−クロルレゟルシノヌル、
−ゞヒドロキシハむドロシンナミツクアシ
ツド、ハむドロキノン、ヒドロキシベンゞルアル
コヌル、メチルハむドロキノン、メチル−
−トリヒドロキシベンゟ゚ヌト、フロログ
ルシノヌル、ピロガロヌル、レゟルシレヌト、グ
ルコヌス、α−−アミノ゚チル−−ヒドロ
キシベンゞルアルコヌル、−アミノ−−゚チ
ル−−プロパンゞオヌル、−アミノ−
−メチル−−プロパンゞオヌル、−アミ
ノ−−プロパンゞオヌル、−−アミ
ノプロピル−ゞ゚タノヌルアミン、N′−ビ
ス−−ヒドロキシ゚チルピペラゞン、
−ビスヒドロキシメチル−2′2″−ニ
トリロトリ゚タノヌル、−ビスヒドロキ
シメチルプロピオニツクアシツド、−ビ
スヒドロキシメチルりレア、−ビス
−ピリゞル−−゚タンゞオヌル、−
−ブチルゞ゚タノヌルアミン、ゞ゚タノヌルア
ミン、−゚チレンゞ゚タノヌルアミン、−メ
ルカプト−−プロパンゞオヌル、−ヒペ
リゞノ−−プロパンゞオヌル、−−
ピリゞル−−プロパンゞオヌル、トリ゚
タノヌルアミン、α−−アミノ゚チル−−
ヒドロキシベンゞルアルコヌル、−アミノ−
−ヒドロキシプニルスルホンなどがある。これ
らのアクリル酞゚ステル類、及びメタクリル酞゚
ステル類のうち、最も奜たしいものは、その入手
の容易さから、゚チレングリコヌルゞアクリレヌ
ト、ゞ゚チレングリコヌルゞメタクリレヌト、ポ
リ゚チレングリコヌルゞアクリレヌト、トリメチ
ロヌルプロパントリアクリレヌト、トリメチロヌ
ルプロパントリメタクリレヌト、ペンタ゚リスリ
トヌルテトラアクリレヌト、ペンタ゚リスリトヌ
ルトリアクリレヌト、ペンタ゚リスリトヌルゞア
クリレヌト、ペンタ゚リスリトヌルゞメタクリレ
ヌト、ゞペンタ゚リスリトヌルペンタアクリレヌ
ト、グリセリントリアクリレヌト、ゞグリセリン
ゞメタクリレヌト、−プロパンゞオヌルゞ
アクリレヌト、−ブタントリオヌルト
リメタクリレヌト、−シクロヘキサンゞオ
ヌルゞアクリレヌト、−ペンタンゞオヌル
ゞアクリレヌト、ネオペンチルグリコヌルゞアク
リレヌト、゚チレンオキサむド付加したトリメチ
ロヌルプロパンのトリアクリル酞゚ステル等であ
る。 䞀方、アクリルアミド類、及びメタクリルアミ
ド類ずしおは、メチレンビスアクリルアミド、メ
チレンビスメタクリルアミドのほか、゚チレンゞ
アミン、ゞアミノプロパン、ゞアミノブタン、ペ
ンタメチレンゞアミン、ヘキサメチレン、ビス
−アミノプロピルアミン、ゞ゚チレントリ
アミンゞアミン、ヘプタメチレンゞアミン、オク
タメチレンゞアミン䞊びに異皮原子により䞭断さ
れたポリアミン、環を有するポリアミン䟋えば
プニレンゞアミン、キシレンゞアミン、β−
−アミノプニル゚チルアミン、ゞアミノ
ペンゟむツクアシツド、ゞアミノトル゚ン、ゞア
ミノアントラキノン、ゞアミノフルオレンなど
のポリアクリルアミド及びポリメタクリルアミド
がある。 アリル化合物ずしおは、䟋えばフタル酞、テレ
フタル酞、セバシン酞、アゞピン酞、グルタヌル
酞、マロン酞、蓚酞等のゞカルボン酞のゞアリル
゚ステル、䟋えば、アントラキノンゞスルホン
酞、ベンれンゞスルホン酞、−ゞヒドロキ
シ−−ベンれンゞスルホン酞、ゞヒドロキシナ
フタレンゞスルホン酞、ナフタレンゞスルホン酞
などのゞスルホン酞のゞアリル゚ステル、ゞアリ
ルアミドなどがある。 ビニル゚ヌテル化合物ずしおは、前蚘倚䟡アル
コヌルのポリビニル゚ヌテルがあり、䟋えば゚チ
レングリコヌルゞビニル゚ヌテル、−
トリ−β−ビニロキシ゚トキシベンれン、
−ゞ−β−ビニロキシ゚トキシベンれン、グリセ
ロヌルトリビニル゚ヌテルなどがある。 ビニル゚ステル類ずしおは、ゞビニルサクシネ
ヌト、ゞビニルアゞペヌト、ゞビニルフタレヌ
ト、ゞビニルテレフタレヌト、ゞビニルベンれン
−−ゞスルホネヌト、ゞビニルブタン−
−ゞスルホネヌトなどがある。 スチレン化合物ずしおは、ゞビニルベンれン、
−アリルスチレン、−む゜プロペンスチレン
などがある。 −β−ヒドロキシ゚チル−β−メタクリル
アミド゚チルアクリレヌト、−ビスβ
−メタクリロキシ゚チルアクリルアミド、アリ
ルメタクリレヌトなどの劂き、異な぀た付加重合
性䞍飜和結合を個以䞊有する化合物も、本発明
に奜適に甚いられる。 曎に、少なくずも二぀の氎酞基を有するポリオ
ヌル化合物ず、やや過剰の少なくずも二぀のむ゜
シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌト化合物
ずを反応させた反応生成物に、少なくずも䞀぀の
氎酞基ず少なくずも䞀぀の゚チレン性䞍飜和基を
有する化合物を反応させお埗られる少なくずも二
぀の゚チレン性䞍飜和基を有する倚官胜りレタン
化合物も本発明に奜適に甚いられる。 これらの倚官胜モノマヌは単独あるいは二皮以
䞊を䜵甚しお甚いるこずができ、結合剀甚高分子
化合物100重量郚に察しお10重量郚から500重量
郚、奜たしくは30〜200重量郚の範囲で甚いられ
る。 本発明の光重合性組成物に甚いられる結合剀
は、広範な皮類の合成、半合成、倩然の高分子物
質の䞭から次の条件を満足するものが甚いられ
る。即ち、倚官胜モノマヌ、光重合開始剀及び本
発明のヘテロ環匏化合物ずの盞溶性が塗垃液の調
補から、塗垃、也燥に至る補造工皋䞭に脱混合を
起こさない皋床に良いこず、本発明の䜿甚法に応
じた性質、䟋えば、テンテむング甚フオトレレゞ
ストに甚いる堎合にはポリマヌの匷床、延䌞性、
耐摩耗性、耐薬品性などが適圓であるこず、さら
に、ポリマヌの分子量、分子間力、硬さ、軟化枩
床、結晶性、砎壊䌞床などが適切なこずなどであ
る。結合剀の具䜓䟋を挙げるず塩玠化ポリ゚チレ
ン、塩玠化ポリプロピレンなどの塩玠化ポリオレ
フむン、ポリメチルメタアクリレヌトなどのポリ
メタアクリル酞アルキル゚ステルアルキル
基ずしおは、メチル基、゚チル基、ブチル基な
ど、メタアクリル酞ずメタアクリル酞ア
ルキル゚ステルアルキル基は同䞊ずの共重合
物、ポリメタアクリル酞、メタアクリル
酞アルキル゚ステルアルキル基は同䞊ずアク
リロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、ス
チレン、ブタゞ゚ン等のモノマヌの少くずも䞀皮
ずの共重合物、ポリ塩化ビニル、塩化ビニルずア
クリロニトリルずの共重合物、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニリデンずアクリロニトリルずの共重
合物、酢酞ビニルず塩化ビニルずの共重合物、ポ
リアクリロニトリル、アクリロニトリルずスチレ
ンずの共重合物、アクリロニトリルずブタゞ゚ン
及びスチレンずの共重合物、スチレンず無氎マレ
むン酞などの䞍飜和二塩基酞無氎物ずの共重合
物、ポリビニルブチラヌル、スチレンブタンゞ゚
ンゎム、塩化ゎム、環化ゎム、アセチルセルロヌ
スなどのホモポリマヌ又は共重合物などがある。 共重合物の堎合、その成分モノマヌの含有比は
広範囲の倀をずりうるが、䞀般には他の共重合モ
ノマヌがモル比で以䞊含たれおいるものが奜
適である。たたこれら以倖のポリマヌであ぀お
も、前蚘の条件を満たすものであれば、本発明の
結合剀ずしお甚いるこずが出来る。 䞊蚘のポリマヌの内、本発明の結合剀ずしお特
に奜適に甚いられるもので、塩玠化ポリ゚チレ
ン、塩玠化ポリプロピレン、ポリメチルメタアク
リレヌト、メタクリル酞−メチルメタクリレヌト
共重合物メタクリル酞のモル含量〜50、
メチルメタクリレヌト−アクリロニトリル共重合
物メチルメタクリレヌトのモル含量20〜80、
塩化ビニル−アクリロニトリル共重合物塩化ビ
ニルのモル含量20〜80、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリル共重合物塩化ビニリデンのモル
含量20〜80、スチレン−無氎マレむン酞共重
合物などである。 これらのポリマヌは、単独で結合剀ずしお甚い
おもよいが、二皮以䞊の塗垃液の調補から、塗
垃、也燥に至る補造工皋䞭に脱混合を起さない皋
床に互いに盞溶性のあるポリマヌを適圓な比で混
合しお結合剀ずしお甚いるこずが出来る。 結合剀ずしお甚いられる高分子物質の分子量
は、ポリマヌの皮類によ぀お広範な倀をずりうる
が、䞀般的には5000〜2000000、より奜たしくは、
50000〜1000000の範囲のものが本発明に奜適に甚
いられる。 䞀方、本発明に甚いられる光重合開始剀ずしお
は、埓来の公知のものを奜適に甚いるこずがで
き、䟋えば、J.コヌサヌ著「ラむトセンシテむブ
システムズ」第章に蚘茉されおいるようなカル
ボニル化合物、有機硫黄化合物、過酞化物、レド
ツクス系化合物、アゟ䞊びにゞアゟ化合物、ハロ
ゲン化合物、光還元性色玠などがある。代衚的な
具䜓䟋を挙げれば、カルボニル化合物ずしおは䟋
えば、ベンゟむン、ベンゟむンメチル゚ヌテル、
ベンゟプノン、ミヒラヌズケトン、4′−ビ
スゞ゚チルアミノベンゟプノン、アンスラ
キノン、−−ブチルアンスラキノン、ゞアセ
チル、−ベンゟむルメチレン−−メチル−β
−ナフトチアゟリン、−クロル−−゚チル−
−−メトキシベンゟむルメチレンベンゟチア
ゟリンなどがある。 有機硫黄化合物ずしおは、ゞ−−ブチルシサ
ルフアむド、ゞベンゞルゞサルフアむド、−メ
ルカプトベンズチアゟヌル、−メルカプトベン
ズむミダゟヌル、チオプノヌル、゚チルトリク
ロロメタンスルプネヌトなどがある。 過酞化物ずしおは、ゞ−−ブチルパヌオキサ
むド、過酞化ベンゟむル、メチル゚チルケトンパ
ヌオキサむドなどがある。 レドツクス化合物は、過酞化物ず還元剀の組合
せからなるものであり、第䞀鉄むオンず過硫酞む
オン、第二鉄むオンず過酞化物などがある。 アゟ及びゞアゟ化合物ずしおは、αα′−アゟ
ビスむ゜ブチロニトリル、−アゟビス−−メ
チルブチロニトリル、−アミノゞプニルアミ
ンのゞアゟニりム塩などがある。 ハロゲン化合物ずしおは、クロルメチルナフチ
ルクロラむド、プナシルクロラむド、クロルア
セトン、ナフタレンスルホニルクロラむド、プ
ニルトリブロモメチルスルホン、トリストリク
ロロメチル−−トリアゞンなどがある。 光還元性色玠ずしおは、ロヌズベンガル、゚リ
スロシン、゚オシン、アクリフラビン、リボフラ
ビン、チオニンなどがある。 これらの光重合開始剀は、単独で甚いおもよい
が、二皮以䞊組合せるこずによりさらに有効な光
重合開始剀系ずしお甚いるこずが出来、倚官胜モ
ノマヌに察する量比は、倚官胜モノマヌ100重量
郚に察しお0.1〜20重量郚の範囲で甚いるが、奜
たしくは0.5〜10重量郚の範囲である。 本発明に䜿甚される光重合性組成物には、曎に
熱重合犁止剀を加えるこずが奜たしい。熱重合犁
止剀の具䜓䟋ずしおは、䟋えば、−メトキシフ
゚ノヌル、ハむドロキノン、アルキルたたはアリ
ヌル眮換ハむドロキノン、−ブチルカテコヌ
ル、ピロガロヌル、塩化第䞀銅、クロラニヌル、
ナフチルアミン、β−ナフトヌル、−ゞ−
−ブチル−−クレゟヌル、ピリゞン、ニトロ
ベンれン、ゞニトロベンれン、−トルむゞン、
メチレンブルヌ、有機銅、サリチル酞メチルなど
がある。これらの熱重合犁止剀は、倚官胜モノマ
ヌ100重量郚に察しお0.001〜重量郚の範囲で含
有されるのが奜たしい。 本発明においお、膜物性をコントロヌルするた
めに、可塑剀を添加しおもよく、代衚䟋ずしお
は、ゞメチルフタレヌト、ゞ゚チルフタレヌト、
ゞブチルフタレヌト、ゞむ゜ブチルフタレヌト、
ゞオクチルフタレヌト、オクチルカプリヌルフタ
レヌト、ゞシクロヘキシルフタレヌト、ゞトリデ
ンルフタレヌト、ブチルベンゞルフタレヌト、ゞ
む゜デシルフタレヌト、ゞアリヌルフタレヌトな
どのフタル酞゚ステル類、ゞメチルグリコヌルフ
タレヌト、゚チルフタリヌル゚チルグリコレヌ
ト、メチルフタリヌル゚チルグリコレヌト、ブチ
ルフタリヌルブチルグリコレヌト、トリ゚チレン
グリコヌルゞカプリル酞゚ステルなどのグリコヌ
ル゚ステル類、トリクレゞヌルフオスプヌト、
トリプニルフオスプヌトなどの燐酞゚ステル
類、ゞむ゜ブチルアゞペヌト、ゞオクチルアゞペ
ヌト、ゞメチルセバケヌト、ゞブチルセバケヌ
ト、ゞオクチルセバケヌト、ゞブチルマレヌトな
どの脂肪族二塩基酞゚ステル類、ベンれンスルホ
ンアミド、−トル゚ンスルホンアミド、−
−ブチルアセトアミドなどのアミド類、ク゚ン酞
トリ゚チル、グリセリントリアセチル゚ステル、
ラりリン酞ブチルなどがある。 本発明の光重合性暹脂組成物は、溶剀に溶解た
たは分散しお塗垃液ずなし、支持䜓䞊に適圓な方
法で塗垃し、也燥し、もし必芁ならばその䞊に保
護フむルムを重ね画像圢成材料ずしお甚いるのが
䞀般的である。 塗垃液の溶剀ずしお、䟋えばアセトン、メチル
゚チルケトン、メチルむ゜ブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、ゞむ゜ブチルケトンなどのケトン
類、酢酞゚チル、酢酞ブチル、酢酞−−アミ
ル、蟻酞メチル、プロピオン酞゚チル、フタル酞
ゞメチル、安息銙酞゚チルなどの゚ステル類、ト
ル゚ン、キシレン、ベンれン、゚チルベンれンな
どの芳銙族炭化氎玠類、四塩化炭玠、トリクロロ
゚チレン、クロロホルム、−トリクロ
ロ゚タン、塩化メチレン、モノクロロベンれン、
などのハロゲン化炭化氎玠類、テトラヒドロフラ
ン、ゞ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌルモノ
メチル゚ヌテル、゚チレングリコヌルモノ゚チル
゚ヌテルなどの゚ヌテル類、ゞメチルホルムアミ
ド、ゞメチルスルホオキサむドなどがある。 前述の支持䜓ずしお甚いられるものは、光の透
過性が良奜であるこず及び衚面が均䞀であるこず
が必芁である。具䜓的には、ポリ゚チレンテレフ
タレヌト、ポリプロピレン、ポリ゚チレン、䞉酢
酞セルロヌス、二酢酞セルロヌス、ポリメタ
アクリル酞アルキル゚ステル、ポリメタアク
リル酞゚ステル共重合䜓、ポリ塩化ビニル、ポリ
ビニルアルコヌル、ポリカヌボネヌト、ポリスチ
レン、セロフアン、ポリ塩化ビニリデン共重合
物、ポリアミド、ポリむミド、塩化ビニル−酢酞
ビニル共重合䜓、ポリテトラフロロ゚チレン、ポ
リトリフロロ゚チレン等の各皮のプラスチツクフ
むルムが䜿甚できる。曎にこれ等の二皮以䞊から
なる耇合材料も䜿甚するこずができる。 支持䜓は、䞀般的には〜150Όのもの、奜
たしくは10〜50Όのものが䜿甚されるが、䞊蚘
以倖の範囲でも䜿甚するこずができる。 支持䜓䞊に蚭けられる、前蚘光重合性組成物の
局の厚さは、最終的に圢成される画像の所望の機
胜を果たすような厚さで蚭けられるが、䞀般的に
は〜100Όの範囲であり、奜たしくは、10〜
80Όの範囲である。 本発明の光重合性組成物は支持䜓䞊に塗垃され
お甚いられるが、必芁に応じお、光重合性組成物
局の䞊に保護フむルムを蚭けるこずができる。か
かる保護フむルムずしおは、前蚘支持䜓に䜿甚さ
れるものおよび、玙、たずえばポリ゚チレン、ポ
リプロピレンなどがラミネヌトされた玙などの䞭
から適宜遞ぶこずができる。厚さは〜100Ό
が䞀般的であり10〜50Όがより奜たしい。その
際、光重合性組成物局ず支持䜓の接着力ず光重
合性組成物局ず保護フむルムの接着力ずが
の関係になるようにする必芁がある。支持䜓
保護フむルムの組み合せの具䜓䟋ずしおは、ポリ
゚チレンテレフタレヌトポリプロピレン、ポリ
゚チレンテレフタレヌトポリ゚チレン、ポリア
ミドナむロンポリ゚チレン、ポリ塩化ビ
ニルセロフアン、ポリむミドポリプロピレン
などがある。 䞊蚘のように支持䜓ず保護フむルムを盞互に異
皮のものから遞ぶ方法のほかに、支持䜓および保
護フむルムの少くずも䞀方を衚面凊理するこずに
より、前蚘のような接着力の関係を満たすこずが
できる。支持䜓の衚面凊理は光重合性組成物局ず
の接着力を高めるために斜されるのが䞀般的であ
り、䟋えば、䞋塗局の塗蚭、コロナ攟電凊理、火
焔凊理、玫倖線照射凊理、高呚波照射凊理、グロ
ヌ攟電照射凊理、掻性プラズマ照射凊理、レヌザ
ヌ光線照射凊理などがある。 たた、保護フむルムの衚面凊理は、䞊蚘支持䜓
の衚面凊理ずは逆に、光重合性組成物局ずの接着
力を䜎めるために斜されるのが䞀般的であり、䟋
えばポリオルガノシロキサン、北玠化ポリオレフ
むン、ポリフルオロ゚チレンなどを䞋塗局ずしお
蚭ける方法がある。 塗垃埌の也燥は䞀般的には30℃〜150℃、特に
50℃〜120℃で〜30分間行うのがよい。 前蚘の画像圢成材料が保護フむルムを有する堎
合にはそれをはがしお光重合性組成物局の衚面を
露出させ、これを所望の枅浄化した基板衚面に加
圧しお積局する。 基板ずしおは、本発明の䜿甚目的に応じお皮々
のものが甚いられ、䟋えば支持䜓に甚いたものず
は異぀た光重合性局ずの接着力を有するプラスチ
ツクフむルム、玙、朚材、金属板、ガラス板など
が甚いられる。特に本発明をプリント配線䜜成甚
のレゞストずしお甚いる堎合には金属、䟋えば、
銅、アルミニりム、銀などの薄い局をプラスチツ
ク板の䞊又は䞋、或いはプラスチツク板を通しお
あけられた穎、即ちスルヌホヌルの内壁衚面には
りあわせた、あるいはメツキで付着させたプリン
ト配線基板、あるいは、うすいプラスチツクフむ
ルム䞊に金属の薄い膜を蒞着たたはメツキ等によ
぀お蚭けた基板などが甚いられ、さらに本発明を
印刷版に甚いる堎合には、アルミニりム板、アル
ミニりム局を蚭けたプラスチツクフむルムなどが
甚いられる。この堎合、アルミニりム等の金属衚
面は、シリケヌト凊理、陜極酞化等の凊理がほど
こされおいるこずが奜たしい。 光重合性組成物局のこれら基板ぞの積局は宀枩
15〜30℃或いは加熱䞋30〜180℃で行うこ
ずが出来、特に80〜140℃で行うのが奜たしい。 かくしお基板䞊に積局された感光局及び支持䜓
を、次に透明支持䜓を通しお䞀般には原皿を通し
お画像状に露光する。光源ずしおは透明支持䜓を
透過し、か぀甚いられおいる光重合開始剀に察し
お掻性な電磁波、波長が310〜700n、より奜た
しくは350〜500nの範囲の玫倖−可芖光線を発
する光源が甚いられる。䟋えば、高圧氎銀灯、キ
セノンランプ、カヌボンアヌク灯、ハロゲンラン
プ、耇写甚の螢光管などが甚いられる。この他に
レヌザヌ光線、電子線、線などを甚いお露光し
おもよい。 画像状の露光埌、適圓な珟像液、䟋えば、有機
溶剀、有機溶剀を含有したアルカリ氎溶液たたは
アルカリ氎溶液などで未露光郚を溶出し、基板䞊
に光硬化した画像を埗る。 画像圢成埌、必芁ならば、所望の凊理をするこ
ずができる。䟋えば、プリント配線板を䜜成する
堎合には、塩化銅氎溶液、塩化第二鉄氎溶液など
の公知の゚ツチング液を甚いお露出した金属を゚
ツチングしたり、ピロリン酞銅、硫酞銅などの公
知のメツキ液を甚いお露出した金属䞊にメツキを
するこずが出来る。 本発明光重合性暹脂組成物は、特にプリント配
線板の䜜成に奜適に甚いられるが、さらに、平版
たたは凞版印刷板の䜜成、レリヌフ型の䜜成、工
孊的耇補、写真等の広範囲の目的に䜿甚するこず
が出来る。 以䞋、本発明を実斜䟋に基いお曎に詳现に説明
するが、本発明はこの実斜䟋によ぀お限定される
ものではない。 実斜䟋  皮々のヘテロ環匏化合物を含んだ䞋蚘重合性組
成物に察しメチル゚チルケトンを45添加しお塗
垃液を調補した。 ポリメチルメタクリレヌト平均分子量
140000 15.0 テトラ゚チレングリコヌルゞアクリレヌト
6.1 トリメチロヌルプロパントリアクリレヌト
2.4 −トル゚ンスルホンアミド 1.62 −メトキシプノヌル 0.01 マラカむトグリヌン 0.015 4′−ビスゞ゚チルアミノベンゟプノ
ン 0.04 ベンゟプノン 0.15 プニルトリブロモメチルスルホン 0.37 ヘテロ環匏化合物  各々の塗垃液を25Ό厚のポリ゚チレンテレフ
タレヌト仮支持䜓に塗垃し、100℃で分間也燥
し、玄50Ό厚の塗膜を埗た。埗られた感材を枅浄
化した銅匵積局板基板䞊に120℃でラミネヌ
トし、2Kw高圧氎銀灯オヌク瀟補ゞ゚ツトラ
むトの光源より50cmの距離においお、10秒間党
面露光した。露光枈の感材から仮支持䜓を剥離
し、mm間隔にナむフで基板に達する切蟌みを硬
化膜に蚭け、mm角の正方圢100個を぀くり、党
面にポリ゚ステルテヌプを貌付し、急速に匕きは
がし、基板に残留したmm角の正方圢の個数を求
め、接着性を評䟡したクロスカツトテスト。
倀はmm角の正方圢の残留率で衚わした。ヘテロ
環匏化合物の皮類ず添加量及びクロスカツトの残
留率を衚に瀺す。衚に瀺されるようにヘテロ
環匏化合物を添加しない比范䟋に察しおヘテロ環
匏化合物を添加した本発明ば残留率が高く、接着
性の優れるこずがわかる。
【衚】
【衚】 実斜䟋  実斜䟋ず同じ方法で感材を埗、埗られた感材
を500個の盎埄1.5mmの穎スルヌホヌルが基板
を通しお蚭けられおいる枅浄化された䞡面銅匵積
局板基板䞊に120℃で䞡面ラミネヌトし配線
パタヌンをも぀た陰画原皿を仮支持䜓に密着さ
せ、2Kw高圧氎銀灯オヌク瀟補ゞ゚ツトラむ
トの光源より50cmの距離においお、10秒間露光
した。なお、甚いた配線パタヌン原皿ずは、線巟
0.3〜2.0mmの䞀般的なパタヌンの他、基板の穎の
䜍眮に合わせお盎埄2.5mmの無色の円が黒色のバ
ツクの䞭に配眮されおいるものであり、原皿がそ
の円が基板の穎に合うように仮支持䜓に密着しお
露光すれば、基板のすべおの穎を芆うレゞストパ
タヌンが圢成されるテンテむングされる。露
光枈の基板から仮支持䜓を剥離した埌、
−トリクロロ゚タンを60秒間ノズルより噎射さ
せお、未露光郚を溶解し、さらに氎掗・也燥し配
線パタヌンの陜画像を埗た。 次にこうしお埗られたレゞストパタヌンをも぀
銅基板を42゜Be′の塩化第二鉄氎溶液を甚いお、通
垞䜿われおいるスプレヌ匏゚ツチング法により40
℃で゚ツチング凊理を行぀た。この凊理に察し
お、基板のスルヌホヌル䞊郚以倖のレゞスト膜の
ハガレは、ヘテロ環匏化合物を添加したものは党
くない。スルヌホヌル䞊郚にレゞスト膜が圢成さ
れたテンテむングされた割合これをテンテ
むング率ず称する及びヘテロ環匏化合物ず添加
量を衚に瀺す。衚に瀺されるようにヘテロ環
匏化合物を添加しない比范䟋に察しお、ヘテロ環
匏化合物を添加した本発明はテンテむング率が高
くお優れおいるこずがわかる。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋の組成の䞭の4′−ビスゞ゚チル
アミノベンゟプノン、ベンゟプノン、プ
ニルトリブロモメチルスルホンに代え、 −クロルベンズアンスロン 0.19 ミヒラヌズケトン 0.19 を添加し、塗垃液を埗た以倖は実斜䟋ず同じ方
法で感材を埗た。埗られた感材を枅浄化した銅匵
積局板に120℃でラミネヌトし、実斜䟋ず同䞀
方法で露光し、露光埌、仮支持䜓を剥離し、硬化
したレゞスト面に゚ポキシ系接着剀を塗垃し、そ
の䞊に銅基板を貌り付け、ラミネヌトしたレゞス
ト局ず銅基板ずの剪断剥離匷床を枬定した。その
結果及びヘテロ環匏化合物ず添加量を衚に瀺
す。 衚に瀺されるようにヘテロ環匏化合物を添加
しない比范䟋に察しお、ヘテロ環匏化合物を添加
した本発明は剪断剥離匷床が高く優れるこずがわ
かる。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋の組成の䞭のヘテロ環匏化合物ずしお 化合物 59.2mg 化合物 68.0mg 化合物19 87.9mg を甚い、各々の塗垃液を調補し実斜䟋ず同様に
感材を䜜り、その感材をラミネヌトした銅基板を
埗た。実斜䟋ず同様の方法で露光・珟像・氎掗
を行い、硬化レゞスト画像を有する銅基板を埗
た。この銅の露出した郚分に次の組成の硌北化济
を甚いおハンダメツキを斜した。 硌北化錫SnBF4245氎溶液 300 硌北化鉛PbBF4245氎溶液 100 硌北化氎玠酞HBF442氎溶液 200 ç¡Œ 酾H3BO3 28 党䜓を氎で垌釈しおにする。 陜極ずしおハンダ棒錫ず鉛の比がを
甚い、济枩30℃、陰極の電流密床3.0アンペア
m2の条件により30分間メツキした。この結果、良
奜にメツキが斜され、レゞストパタヌンが剥れた
り、ピンホヌルが発生する等の欠点は党く芋られ
なか぀た。これに、塩化メチレンをノズルより噎
射させたずころ、レゞストは容易に剥離陀去され
た。さらに露出した銅衚面を20過硫酞アンモニ
りム氎溶液により゚ツチングを行い最終配線パタ
ヌンを埗た。埗られたパタヌンは、明瞭なもので
あ぀た。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少なくずも個の゚チレン性䞍飜和基を有
    し、重合䜓を圢成しうる非ガス状゚チレン性䞍飜
    和化合物、(2)熱可塑性有機高分子結合剀、(3)掻性
    光線によ぀お掻性化しうる光重合開始剀および(4)
    䞀般匏で瀺される少なくずも䞀぀のヘテロ
    環匏化合物を含有するこずを特城ずする光重合性
    組成物。 䞀般匏 ここで、R1R2は各々氎玠原子、アルキル基、
    眮換アルキル基、アリヌル基、眮換アリヌル基、
    アラルキル基、アミノ基たたは眮換アミノ基を衚
    わし、R3R4は、各々氎玠原子、アルキル基、
    たたはアリヌル基を衚わす。R5R6は各々氎玠
    原子、アルキル基、眮換アルキル基、アリヌル基
    たたはアラルキル基を衚わし、原子ずずもにピ
    ロリゞン、ピペリゞン、モルホリン、たたは−
    眮換ピペラゞン栞を圢成しおもよい。は、酞玠
    原子、硫黄原子、 【匏】たたは【匏】R7は氎玠 原子、アルキル基たたはアリヌル基を衚わす。
    を衚わし、は酞玠原子たたは硫黄原子を衚わ
    す。
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