JPH0365337A - 複合材料の製造法 - Google Patents
複合材料の製造法Info
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- JPH0365337A JPH0365337A JP20200589A JP20200589A JPH0365337A JP H0365337 A JPH0365337 A JP H0365337A JP 20200589 A JP20200589 A JP 20200589A JP 20200589 A JP20200589 A JP 20200589A JP H0365337 A JPH0365337 A JP H0365337A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、プラスチック基材上に金属又は金属化合物の
蒸@膜を形成した複合材料の製造方法に関する。
蒸@膜を形成した複合材料の製造方法に関する。
更に詳しくは、プラスチック基材と蒸着膜の密着性に優
れた複合材料の製造方法に関する。
れた複合材料の製造方法に関する。
〈従来技術〉
金属蒸着膜あるいは金属化合物の蒸着膜は、酸素や水蒸
気等のガスバリヤ−性に優れることから、この蒸着膜を
形成したプラスチック材料は、酸素や水蒸気によって劣
化変敗する食品や医薬の包装材料として多用されている
。
気等のガスバリヤ−性に優れることから、この蒸着膜を
形成したプラスチック材料は、酸素や水蒸気によって劣
化変敗する食品や医薬の包装材料として多用されている
。
しかし、蒸着膜は一般にプラスチック基材上に付着して
いるだけであるから、両者の密着力は極めて弱いのが通
常である0例えば、蒸着膜を有する包装材料を用いた包
装体にレトルト殺菌等の高温高圧処理を施すと、プラス
チック基材と蒸着膜の間で剥離することがあった。
いるだけであるから、両者の密着力は極めて弱いのが通
常である0例えば、蒸着膜を有する包装材料を用いた包
装体にレトルト殺菌等の高温高圧処理を施すと、プラス
チック基材と蒸着膜の間で剥離することがあった。
〈発明が解決しようとする課題〉
そこで、本発明は、プラスチック基材と蒸着膜の密着性
に優れた複合材料の製造方法を提供することを目的とす
る。
に優れた複合材料の製造方法を提供することを目的とす
る。
く課題を解決するための手段〉
この目的を達成するため、本発明は、プラスチック基材
表面に、酸素又は酸素を含むガスを励起したイオンビー
ムを照射した後、又は照射と同時に金属又は金属化合物
を蒸着する複合材料の製造法であって、基材表面のイオ
ンビームの電流密度がlOμA / c+i未満である
ことを特徴とする複合材料の製造法を提供する°。
表面に、酸素又は酸素を含むガスを励起したイオンビー
ムを照射した後、又は照射と同時に金属又は金属化合物
を蒸着する複合材料の製造法であって、基材表面のイオ
ンビームの電流密度がlOμA / c+i未満である
ことを特徴とする複合材料の製造法を提供する°。
〈発明の具体的な説明〉
−lj≦(±J二ら基−且−
プラスデック基材は、蒸着膜の支持体として、金属又&
よ金属化合物を付着するものである。食品又は医薬の包
装材料として使用するため、フィルム状又はシー1−状
のものが望ましい1通常厚さ3)t m y l wa
である。
よ金属化合物を付着するものである。食品又は医薬の包
装材料として使用するため、フィルム状又はシー1−状
のものが望ましい1通常厚さ3)t m y l wa
である。
プラスチック基材は任意の材質で良いが、例えば、ポリ
エチレンテレフタに一層やポリエチレンナフタレート等
のポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレン又はポ
リスチレン等のポリオレフィン、ボリアミド、ポリカー
ボネート等が使用できる。
エチレンテレフタに一層やポリエチレンナフタレート等
のポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレン又はポ
リスチレン等のポリオレフィン、ボリアミド、ポリカー
ボネート等が使用できる。
なお、イオンビーム処理や蒸着を効率的に行うため、長
尺のフィルムが好ましい。
尺のフィルムが好ましい。
−±1S仁ざ二=邑鴛」t
イオンビーム照射は、プラスチック基材の蒸着される面
に施きれる。プラスチック基材表面を活性化して、フ、
(材と蒸着膜の密着性を向上するためである。
に施きれる。プラスチック基材表面を活性化して、フ、
(材と蒸着膜の密着性を向上するためである。
イオンビームは、酸素又は酸素を含むガスを励起したイ
オンを用いる必要がある。酸素を含むガスとしては、ア
ルゴンやキセノン、あるいは窒素や空気を少最混合した
ガスが利用できる。
オンを用いる必要がある。酸素を含むガスとしては、ア
ルゴンやキセノン、あるいは窒素や空気を少最混合した
ガスが利用できる。
イオンビームは、真空系内に、イオンビーム源とプラス
チック基材とを対向させて照射できる。
チック基材とを対向させて照射できる。
真空系は10”’〜10 ”tour、で良い。
イオンビーム源としては、フィラメントを用いる熱陰極
タイプ(KauLman型)、あるいはホローカソード
タイプ、またはフィラメントを用いない冷陰極タイプが
使用できる。
タイプ(KauLman型)、あるいはホローカソード
タイプ、またはフィラメントを用いない冷陰極タイプが
使用できる。
プラスチック基材j二にイオンビームの電流密度はlO
μA/d未満であることが必要である。lOμA/cd
以上になると1−分な密着力が得られない。
μA/d未満であることが必要である。lOμA/cd
以上になると1−分な密着力が得られない。
また、0.1 tt A以上が好ましい、0,1μ八以
下ではイオンビーム照射による活性化が期待できない。
下ではイオンビーム照射による活性化が期待できない。
電気絶縁性のプラスチック基材にイオンビーム照射する
と、基材表面に電荷がたまり、チャージアップして、安
定したイオンビーム照射ができないことがある。これを
避けるため、二美−トライザーを使用して、基材表面の
電荷を除去することが望ましい、基材表面の電荷は正の
電荷であり、二ュートライザーの出力は、タングステン
フィラメントによる熱電子放出で十分で、数〜数+Aで
良い。
と、基材表面に電荷がたまり、チャージアップして、安
定したイオンビーム照射ができないことがある。これを
避けるため、二美−トライザーを使用して、基材表面の
電荷を除去することが望ましい、基材表面の電荷は正の
電荷であり、二ュートライザーの出力は、タングステン
フィラメントによる熱電子放出で十分で、数〜数+Aで
良い。
なお、イオンビーム照射は、蒸着の前又は蒸着と同時に
行う必要がある。
行う必要がある。
蒸着の前にイオンビーム照射することにより、プラスチ
ックフィルム表面の不純物を除去するt共に、表面を活
性化して薄WJ、乙の密着力を同上することができる。
ックフィルム表面の不純物を除去するt共に、表面を活
性化して薄WJ、乙の密着力を同上することができる。
この場合には、真空系内でイオンビーム照射した後、大
気に開放することなく、金属又は金属化合物を蒸着する
ことが望ましい。
気に開放することなく、金属又は金属化合物を蒸着する
ことが望ましい。
大気に開放することにより、基材の表面活性が損われる
からである。同一真空系内で、イオンビーム照射と蒸着
を連続的に行なうことにより、イオンビーム照射による
表面活性が十分w1!、¥されたまま、蒸着1模が形成
され、両者の密着力が一層強固になる。
からである。同一真空系内で、イオンビーム照射と蒸着
を連続的に行なうことにより、イオンビーム照射による
表面活性が十分w1!、¥されたまま、蒸着1模が形成
され、両者の密着力が一層強固になる。
蒸着と同時にイオンビーム照射する場合には、不純物の
除去及び基材表面の活性化と蒸着層の形成が同時に行な
われる。また蒸着する金属又は金属化合物の粒子に運動
エネルギーを与え、粒子が基材に衝突する際の衝突エネ
ルギーを大きくすることができる。このため、基材と蒸
着膜の密着性が向上する。また、衝突エネルギーが増大
することに加え、蒸着した粒子と粒子の間を酸素原子が
結いで三次元構造を形成することから、蒸着膜は緻密な
構造となってガスバリヤ−性が向上する。
除去及び基材表面の活性化と蒸着層の形成が同時に行な
われる。また蒸着する金属又は金属化合物の粒子に運動
エネルギーを与え、粒子が基材に衝突する際の衝突エネ
ルギーを大きくすることができる。このため、基材と蒸
着膜の密着性が向上する。また、衝突エネルギーが増大
することに加え、蒸着した粒子と粒子の間を酸素原子が
結いで三次元構造を形成することから、蒸着膜は緻密な
構造となってガスバリヤ−性が向上する。
蒸着の前ど同時の双方でイオンビー1.照射しても良い
ことはもちろんである。また、さらにp:着の後イオン
ビーム照射しても良い。
ことはもちろんである。また、さらにp:着の後イオン
ビーム照射しても良い。
蒸−新
イオンビーム照射により活性化された表面に、金属又は
金属化合物を蒸着する。ガスバリヤ−性を向上するため
である。
金属化合物を蒸着する。ガスバリヤ−性を向上するため
である。
金属を蒸着した場合には、その膜厚により紫外Mを遮断
したり、ハーフミラ−を得ることができる。金属として
は、アルミニウム、硅素、錫、マグネシウム、亜鉛、チ
タン、ジルコニウム等である。
したり、ハーフミラ−を得ることができる。金属として
は、アルミニウム、硅素、錫、マグネシウム、亜鉛、チ
タン、ジルコニウム等である。
金属化合物どしては、上記金属の酸化物、窒化物、炭化
物等を用いることができる。金wA酸化物の蒸着膜は一
般的に透明であり、ガスバリヤ−性に優れた透明材料を
1することができる。
物等を用いることができる。金wA酸化物の蒸着膜は一
般的に透明であり、ガスバリヤ−性に優れた透明材料を
1することができる。
蒸着膜の厚さは300〜5000人が望ましい、300
人未満の蒸着膜はガスバリヤ−性が十分でなく 、so
o。
人未満の蒸着膜はガスバリヤ−性が十分でなく 、so
o。
入を越えると、イオンビーム照射による粘材表面活性化
の効果も十分発揮できず、蒸着膜にクラックが生じ易い
。
の効果も十分発揮できず、蒸着膜にクラックが生じ易い
。
蒸着は、抵抗加熱法や誘導加熱法又は電子線加熱法によ
る真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等の方法に
より可能である。
る真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等の方法に
より可能である。
尖双
第1図に本発明に使用する装置の説明図を示す。
第1図は、プラスチック基材として、巻出ロール8に巻
取られた長尺のプラスチックフィルム1を使用し、イオ
ンビーム照射と蒸着を、同一真空系内で連続的に行なう
装置である。
取られた長尺のプラスチックフィルム1を使用し、イオ
ンビーム照射と蒸着を、同一真空系内で連続的に行なう
装置である。
プラスチックフィルムは巻出しロール8から一定速度で
送り出される0次いで、ダンサ−ロール5、エキスパン
ダーロール6を経て、冷却ロール9に接触さセる。
送り出される0次いで、ダンサ−ロール5、エキスパン
ダーロール6を経て、冷却ロール9に接触さセる。
冷却ロール9により、基材を裏面から冷却しながら、イ
オンビーム照射と蒸着を行なう、イオンビームrA40
は三ケ所に設けられており、それぞれのイオンビーム源
40は隔壁41で隔てられている。
オンビーム照射と蒸着を行なう、イオンビームrA40
は三ケ所に設けられており、それぞれのイオンビーム源
40は隔壁41で隔てられている。
最初のイオンビーム源40は蒸着前にイオンビーム照射
を行なうためのものである。中央のイオンビーム源40
は蒸着と同時にイオンビーム照射を行なうためのもので
ある。最後のイオンビーム源40は蒸着後に照射するも
のである。それぞれのイオンビーム源は独立にイオンビ
ーム照射できる0図中50はイオンビームの照射部を示
す、また、51は蒸着部である。
を行なうためのものである。中央のイオンビーム源40
は蒸着と同時にイオンビーム照射を行なうためのもので
ある。最後のイオンビーム源40は蒸着後に照射するも
のである。それぞれのイオンビーム源は独立にイオンビ
ーム照射できる0図中50はイオンビームの照射部を示
す、また、51は蒸着部である。
蒸着膜の形成されたプラスチックフィルムは、エキスパ
ンダーロール6、ダンサ−ロール5を経て、巻取りロー
ル3に巻取られる。
ンダーロール6、ダンサ−ロール5を経て、巻取りロー
ル3に巻取られる。
なお、装置全体は密閉されており、排気部から排気して
、1O−4〜10−’Lorr、に保たれている。
、1O−4〜10−’Lorr、に保たれている。
東正止扛
得られる複合材料は、プラスチック基材表面に金属又は
金属化合物の蒸着膜が強固に接着したもので、酸素、水
蒸気等のガスバリヤ−性に優れている。このため、プラ
スチック基材がフィルム状又はシート状である場合には
、酸素や水蒸気によって劣化又は変敗し易い食品や医療
品の包製材料として使用することができる。また、レト
ルト殺菌等の高温高圧処理も可能である。
金属化合物の蒸着膜が強固に接着したもので、酸素、水
蒸気等のガスバリヤ−性に優れている。このため、プラ
スチック基材がフィルム状又はシート状である場合には
、酸素や水蒸気によって劣化又は変敗し易い食品や医療
品の包製材料として使用することができる。また、レト
ルト殺菌等の高温高圧処理も可能である。
なお、蒸着膜の上に他の層を形成することも可能である
0例えば、蒸着膜保護のための樹脂層、あるいは製袋の
際にヒートシール層としてn能する樹脂層等である。
0例えば、蒸着膜保護のための樹脂層、あるいは製袋の
際にヒートシール層としてn能する樹脂層等である。
ヒートシール層としてa能する樹脂層としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−エチルメタクリレ
ート共重合体、アイオノマー等の樹脂が例示できる。積
層は溶融押出しラミネート、ドライラミネートに、りで
可能である。蒸着膜保護のためには、この外、ウレタン
系、塩酢ビ系、塩素化ポリプロピレン系、アクリル系、
ポリエステル系″りの塗料を塗布しても良い0表面物性
を向上させるためには、紫外線硬化型又は電子線硬化型
樹脂を塗布硬化させるのが良い、紫外線硬化型又は電子
線硬化型樹脂は一般にアクリル系又はエポキシ系の多官
能のモノマー又はオリゴマーを主成分とするものである
。
チレン、ポリプロピレン、エチレン−エチルメタクリレ
ート共重合体、アイオノマー等の樹脂が例示できる。積
層は溶融押出しラミネート、ドライラミネートに、りで
可能である。蒸着膜保護のためには、この外、ウレタン
系、塩酢ビ系、塩素化ポリプロピレン系、アクリル系、
ポリエステル系″りの塗料を塗布しても良い0表面物性
を向上させるためには、紫外線硬化型又は電子線硬化型
樹脂を塗布硬化させるのが良い、紫外線硬化型又は電子
線硬化型樹脂は一般にアクリル系又はエポキシ系の多官
能のモノマー又はオリゴマーを主成分とするものである
。
〈実施例1〉
プラスチック基材として、厚さ25μmの無延伸ポリプ
ロピレンの長尺フィルムを使用した。
ロピレンの長尺フィルムを使用した。
装置は第1図に示す装置を使用した。系内は、IF気に
より、3 X 10−’torr、に維持されてイル。
より、3 X 10−’torr、に維持されてイル。
フィルムを巻出しロールから送り出し、ダンサ−ロール
、エキスパンダーロールヲ経°ζ、冷却ロール上に重ね
た。
、エキスパンダーロールヲ経°ζ、冷却ロール上に重ね
た。
一方、高純度酸素ガスをMFCで調整しながら導入し、
ホローカソードタイプのイオンビーム源により、酸素イ
オンビームをフィルムに照射した。
ホローカソードタイプのイオンビーム源により、酸素イ
オンビームをフィルムに照射した。
照射は蒸着の1171のみで行な−、た。粘(4表面に
おけるイオンビームの電流密度をファラデーカップによ
り測定したところ、5゜76 u A/c・dであ、た
、;にた、ニュートライザーにより基拐表面の電荷を除
去することにより、イオンビームの電m 1?度は常特
安定していた。ニュートライザーによる出力は、タング
ステンフィラメントによる熱′准イ放出で、15八であ
る。
おけるイオンビームの電流密度をファラデーカップによ
り測定したところ、5゜76 u A/c・dであ、た
、;にた、ニュートライザーにより基拐表面の電荷を除
去することにより、イオンビームの電m 1?度は常特
安定していた。ニュートライザーによる出力は、タング
ステンフィラメントによる熱′准イ放出で、15八であ
る。
次いで、金属アル速ニウムを蒸着した。蒸tiCf電子
線加熱による真空蒸着で、水晶発振式モニターにより測
定したところ、蒸着速度は3OA /secであった。
線加熱による真空蒸着で、水晶発振式モニターにより測
定したところ、蒸着速度は3OA /secであった。
蒸着は600人の厚さになるように行なった。
得うしたフィルムを、工牛スパンダーロール、ダンザー
ロールを経て、巻取りU−ルに巻取った。
ロールを経て、巻取りU−ルに巻取った。
(比較例里〉
電流密度を19.2μAIcd、!−した外は、実施例
1と同様に複合フィルムを!!造した。
1と同様に複合フィルムを!!造した。
く比較例2〉
酸素ガスの代わりに高純度アルゴンガスを使用し、電流
密度を1.92μA/c+δとした外は、実施例1と同
様Cご複合フィルムを製j貴した。
密度を1.92μA/c+δとした外は、実施例1と同
様Cご複合フィルムを製j貴した。
く実施例2〉
蒸着の前にイオンビーム照射する代わりに、蒸着と同時
にイオンビーム照射した列は、実施例1と同様に複合フ
ィルムを!!!造した。なお、基拐に付着した酸素原子
と蒸着材料の原T−数の比□・/n、は3/1000テ
ある。
にイオンビーム照射した列は、実施例1と同様に複合フ
ィルムを!!!造した。なお、基拐に付着した酸素原子
と蒸着材料の原T−数の比□・/n、は3/1000テ
ある。
く比較例3〉
蒸着の前にイオンビー1、照射する代わりに、蒸?fと
同特にイオンビーム照射した外は、比較例Iと同様に複
合フィルムを製造した。n”/no は1/100であ
る。
同特にイオンビーム照射した外は、比較例Iと同様に複
合フィルムを製造した。n”/no は1/100であ
る。
く比較例4〉
蒸着の前にイオンビーム照射する代わりに、蒸着よ同時
にイオンビーム照射した外は、比・検測2と同様に複合
フィルムを製造した。n’/n、は1 /1000であ
る。
にイオンビーム照射した外は、比・検測2と同様に複合
フィルムを製造した。n’/n、は1 /1000であ
る。
く比較例5>
イオンビーム照射しtζかった列は、実施例1と同様に
複合フィルムを製造した。
複合フィルムを製造した。
く剥離強度の評価〉
各複合フィルムaの非蒸着部を、エポキシ系接着剤を用
いて、アル4ニウム板l)に接着、固定した。
いて、アル4ニウム板l)に接着、固定した。
次いで金属製治具Cの表面にエポキシ系接着剤dを塗布
し、複合フィルムa(7)蒸若面c、二接着した(第2
図)。
し、複合フィルムa(7)蒸若面c、二接着した(第2
図)。
この金属製治具Cを引き剥がして、剥離強度を測定した
。この結果を第1表に示す。
。この結果を第1表に示す。
なお、表中×は、複合フィルムaとアル4ニウム板りの
間で剥離してしまい、蒸着層の211 fiJ強度が測
定不能であったことを示す。
間で剥離してしまい、蒸着層の211 fiJ強度が測
定不能であったことを示す。
第1表
く効果〉
以上のように、本発明によれば、プラスチック基(4と
蒸着膜の密着力が極めて高い複合材料が得られるや
蒸着膜の密着力が極めて高い複合材料が得られるや
第1図は本発明に用いる装置の説明図、第2図は2!I
Al1強度の測定方法を示す説明図である。 3・・・l取すロール 5・・・ダンサ−ロール6
・・・エキスパンダーロール 8・・・巻出しロール 40・・・イオンビーム源 41・・・隔壁 50・・・イオンビーム照射部 51・・・蒸着部 a・・・複合フィルム b・・・アルミニウム板 C・・・治具 d・・・エポキシ系接着剤 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 第1図
Al1強度の測定方法を示す説明図である。 3・・・l取すロール 5・・・ダンサ−ロール6
・・・エキスパンダーロール 8・・・巻出しロール 40・・・イオンビーム源 41・・・隔壁 50・・・イオンビーム照射部 51・・・蒸着部 a・・・複合フィルム b・・・アルミニウム板 C・・・治具 d・・・エポキシ系接着剤 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 第1図
Claims (1)
- (1)プラスチック基材表面に、酸素又は酸素を含むガ
スを励起したイオンビームを照射した後、又は照射と同
時に金属又は金属化合物を蒸着する複合材料の製造法で
あって、基材表面のイオンビームの電流密度が10μA
/cm^3未満であることを特徴とする複合材料の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20200589A JP2966436B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 複合材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20200589A JP2966436B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 複合材料の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0365337A true JPH0365337A (ja) | 1991-03-20 |
JP2966436B2 JP2966436B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=16450349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20200589A Expired - Lifetime JP2966436B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 複合材料の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2966436B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6787441B1 (en) * | 2000-02-15 | 2004-09-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for pretreating a polymer substrate using an ion beam for subsequent deposition of indium oxide or indium tin oxide |
EP1457545A2 (en) * | 1992-11-24 | 2004-09-15 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Oxygen scavengers independent of transition metal catalysts |
JP2005126786A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ガスバリア性樹脂成形体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP20200589A patent/JP2966436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1457545A2 (en) * | 1992-11-24 | 2004-09-15 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Oxygen scavengers independent of transition metal catalysts |
EP1457545A3 (en) * | 1992-11-24 | 2004-12-22 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Oxygen scavengers independent of transition metal catalysts |
US6787441B1 (en) * | 2000-02-15 | 2004-09-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for pretreating a polymer substrate using an ion beam for subsequent deposition of indium oxide or indium tin oxide |
JP2005126786A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ガスバリア性樹脂成形体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2966436B2 (ja) | 1999-10-25 |
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