JPH036473A - 半導体装置の静電破壊試験装置 - Google Patents
半導体装置の静電破壊試験装置Info
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- JPH036473A JPH036473A JP14180089A JP14180089A JPH036473A JP H036473 A JPH036473 A JP H036473A JP 14180089 A JP14180089 A JP 14180089A JP 14180089 A JP14180089 A JP 14180089A JP H036473 A JPH036473 A JP H036473A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の静電破壊試験装置に関するも
のである。
のである。
第３図は樹脂封止された半導体装置が載↑Ｎさ゛れた従
来の静電破壊試験装置の概略構造を示す図である。この
図において、１は直流電圧を印加する電源、２は乙の電
源１に接続された直流電圧印加スイッチ、３は電荷が蓄
積されて帯電されろ電極、４は半導体装置、５はこの半
導体装置４の一部と一端が接続可能に構成され、他端が
接地された放電用スイッチである。なお、６１は前記電
源１の出力電極と直流電圧印加スイッチ２の一端を接続
する配線、６２は乙の配線６１に接続する直流電圧印加
スイッチ２の他端と電極３を接続する配線、６４は前記
放電用スイッチ５を接地させる配線である。配線６４は
、その経路が長くなるため、大きなインクククノスを有
し、半導体装置４の一部に帯電するＭ積電前を高速放電
する乙とは不可能である、。
来の静電破壊試験装置の概略構造を示す図である。この
図において、１は直流電圧を印加する電源、２は乙の電
源１に接続された直流電圧印加スイッチ、３は電荷が蓄
積されて帯電されろ電極、４は半導体装置、５はこの半
導体装置４の一部と一端が接続可能に構成され、他端が
接地された放電用スイッチである。なお、６１は前記電
源１の出力電極と直流電圧印加スイッチ２の一端を接続
する配線、６２は乙の配線６１に接続する直流電圧印加
スイッチ２の他端と電極３を接続する配線、６４は前記
放電用スイッチ５を接地させる配線である。配線６４は
、その経路が長くなるため、大きなインクククノスを有
し、半導体装置４の一部に帯電するＭ積電前を高速放電
する乙とは不可能である、。
乙とで、半導体装置４は、グイバッド４２上に半導体素
子４１が載置されており、この半導体素子４１とリード
４３とがワイヤ４４て電気的に接続され、リード４３の
一部を含み、半導体装置４は封止樹脂４５で樹脂封止さ
れる構成を有している。
子４１が載置されており、この半導体素子４１とリード
４３とがワイヤ４４て電気的に接続され、リード４３の
一部を含み、半導体装置４は封止樹脂４５で樹脂封止さ
れる構成を有している。
乙の場合、半導体装置４の上面側が電極３の位置（１）
（２）
決めされた位置に当接されるＪ：うに載置されろ。
乙の状態で、リード４３の封止樹脂４５より導出される
先端部が放電用スイッチ５に接続されるように構成され
ている、。
先端部が放電用スイッチ５に接続されるように構成され
ている、。
次に動作について説明する。
乙の半導体装Ｍ４の静電破壊試験装置は、例えば電源１
の極性を正極性とした場合、１ｎ流電川印加スイツヂ２
をオフ状態にして、電源１から正電荷を配線６１．直流
電圧印加スイッチ２．配線６２を経て電極３に流ずと電
極３は正極性に帯電する。
の極性を正極性とした場合、１ｎ流電川印加スイツヂ２
をオフ状態にして、電源１から正電荷を配線６１．直流
電圧印加スイッチ２．配線６２を経て電極３に流ずと電
極３は正極性に帯電する。
これによって、半導体素子４１は負極性電荷、リド４３
には正極性電荷が誘導されて帯電ずろ。
には正極性電荷が誘導されて帯電ずろ。
乙の状態で、直流電圧印加スイッチ２をオフ状態に変え
、放電用スイッチ５をリ−１・４３の封止樹脂４５より
導出されている先端部と接触させるとリード４３に帯電
していｔｘ正極性電倚が放電ずろ、。
、放電用スイッチ５をリ−１・４３の封止樹脂４５より
導出されている先端部と接触させるとリード４３に帯電
していｔｘ正極性電倚が放電ずろ、。
この放電のため、半導体素子４１は破壊され、静電気放
電による破壊と類似の破壊状態となり、静電気放電によ
る破壊の再現試験を行うことが７１能となる。
電による破壊と類似の破壊状態となり、静電気放電によ
る破壊の再現試験を行うことが７１能となる。
」１記のように構成された′！１４導体装置の静電破壊
装置による実際の静電気放電による破壊は、放電電流の
立ち上がり時間は］、 ｎ ｓ程度の高速放電に、より
起こるが、従来の半導体装置４の静電破壊試験装置では
配線６４が長いために大きなイノタクタノスを有し、高
速放電が行えないという欠点があった。
装置による実際の静電気放電による破壊は、放電電流の
立ち上がり時間は］、 ｎ ｓ程度の高速放電に、より
起こるが、従来の半導体装置４の静電破壊試験装置では
配線６４が長いために大きなイノタクタノスを有し、高
速放電が行えないという欠点があった。
乙の発明は、上記のような欠点を解消するためになされ
たもので、ｎｌ電気放電による破壊と類似した高速放電
を行わせる乙とができる半導体装置の静電破壊試験装置
を得ることを目的とする。
たもので、ｎｌ電気放電による破壊と類似した高速放電
を行わせる乙とができる半導体装置の静電破壊試験装置
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の静電破壊試験装置は、電極
とリードとの間に放電用スイッチを設けたものである。
とリードとの間に放電用スイッチを設けたものである。
乙の発明に係る半導体装置の静電破壊試験装置において
は、電位差により高速放電を起こすことににつ−Ｃ半導
体装置内部での容量結合が強まって（３） （４） 実際の静電気放電による破壊状況に類似した状況が作ら
れ、破壊に対する再現試験が行える。にうになる。
は、電位差により高速放電を起こすことににつ−Ｃ半導
体装置内部での容量結合が強まって（３） （４） 実際の静電気放電による破壊状況に類似した状況が作ら
れ、破壊に対する再現試験が行える。にうになる。
以下、乙の発明の一実施例を図面についで説明する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す図である。こ
の図において、第３図と同一符号は同（７ものを示すが
、この実施例ではｙｉ電用スイッヂ５は、一端が電極３
に接続され、他端が半導体装置４のリード４３と接離可
能な構造になっている。
の図において、第３図と同一符号は同（７ものを示すが
、この実施例ではｙｉ電用スイッヂ５は、一端が電極３
に接続され、他端が半導体装置４のリード４３と接離可
能な構造になっている。
次に動作について説明する。
この半導体装置の静電破壊試験装置は、例えば電源１の
極性を正極性とした場合、直流電圧印加スイッチ２をオ
ン状態にして電源１から正極性電荷を配線６１．偵流電
圧印加スイッチ２．配Ｍ６２を経て電極３に流すと、電
極３は正極性に４１）電する。これによって、半導体素
子４１は負極性電荷が、また、リード４３には正極性電
荷が誘導されて帯電する。乙の状態で放電用スイ？／
−、Ｆ ５をリド４３の封止樹脂４５より導出された部
分と接触させると双方の電位差により放電が起こる。こ
の放電のため、半導体素子４１は破壊され、実際の静電
気ＪＪ′ｉ電による静電破壊と類似の破壊状態となり、
再現試験が行える。
極性を正極性とした場合、直流電圧印加スイッチ２をオ
ン状態にして電源１から正極性電荷を配線６１．偵流電
圧印加スイッチ２．配Ｍ６２を経て電極３に流すと、電
極３は正極性に４１）電する。これによって、半導体素
子４１は負極性電荷が、また、リード４３には正極性電
荷が誘導されて帯電する。乙の状態で放電用スイ？／
−、Ｆ ５をリド４３の封止樹脂４５より導出された部
分と接触させると双方の電位差により放電が起こる。こ
の放電のため、半導体素子４１は破壊され、実際の静電
気ＪＪ′ｉ電による静電破壊と類似の破壊状態となり、
再現試験が行える。
第２図は乙の発明の他の実施例の構成を示す図である。
第２図の実施例は、電極３下部に絶縁板７が設けてられ
おり、この絶縁板７の下限部に半導体装置４を取り囲む
ように静電シールド８が存在する。乙の静電シールド８
は、電源１の負極性部と配線６３によって電気的に接続
されている。
おり、この絶縁板７の下限部に半導体装置４を取り囲む
ように静電シールド８が存在する。乙の静電シールド８
は、電源１の負極性部と配線６３によって電気的に接続
されている。
静電シールド８の効力としては、半導体装置４や静電破
壊試験装置に外部からの影響を与えないことと、静電シ
ールド８に負極性電荷が帯電することによって静電気放
電による静電破壊を起こしやすい状況を作り出すことで
ある。
壊試験装置に外部からの影響を与えないことと、静電シ
ールド８に負極性電荷が帯電することによって静電気放
電による静電破壊を起こしやすい状況を作り出すことで
ある。
なお、上記実施例では半導体装置４は、封止物１１ｆ：
Ｉ４５ム（けを使用１）て封止１７た例を示したが、他
のセラミックパッケージ等の場合においても同様に適用
できる。
Ｉ４５ム（けを使用１）て封止１７た例を示したが、他
のセラミックパッケージ等の場合においても同様に適用
できる。
以上説明したように、この発明ば、１１１電用スイ・ソ
ヂを電極とり−１・との間に設けたので、放電の際、配
線のイノタクタノスを考慮せずにず７ト、ｌ！ｌｉ速放
電が起こり、静電破壊試験に１、るｒｌｊ場不良不良現
を可能にし、解析対策が行いやずくなる等の効果が得ら
れる。
ヂを電極とり−１・との間に設けたので、放電の際、配
線のイノタクタノスを考慮せずにず７ト、ｌ！ｌｉ速放
電が起こり、静電破壊試験に１、るｒｌｊ場不良不良現
を可能にし、解析対策が行いやずくなる等の効果が得ら
れる。
第１図は乙の発明の一実施例を示す半導体装置の静電破
壊試験装置の構成図、第２図は乙の発明の他の実施例を
示す構成図、第３図は従来の半導体装置の静電破壊試験
装置を示す構成図である。 図において、１は電源、２は直流電圧印加スイッチ、３
は電極、４は半導体装置、５はｈｙ、電圧スイッチ、４
１は半導体素子、ｄ ２１；Ｉフィバ、ソト、４３はリ
ード、４４はワイヤ、４５は封止樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
壊試験装置の構成図、第２図は乙の発明の他の実施例を
示す構成図、第３図は従来の半導体装置の静電破壊試験
装置を示す構成図である。 図において、１は電源、２は直流電圧印加スイッチ、３
は電極、４は半導体装置、５はｈｙ、電圧スイッチ、４
１は半導体素子、ｄ ２１；Ｉフィバ、ソト、４３はリ
ード、４４はワイヤ、４５は封止樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 封止された半導体装置の封止樹脂に帯電させる電極と
、この電極に電圧を印加する電源と、この電源を切り換
えるスイッチと、前記半導体装置の封止材から導出され
たリードに接触せしめて放電を行わせる放電用スイッチ
とを備えた半導体装置の静電破壊試験装置において、前
記電極とリードとの間に前記放電用スイッチを設けたこ
とを特徴とする半導体装置の静電破壊試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14180089A JPH036473A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置の静電破壊試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14180089A JPH036473A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置の静電破壊試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036473A true JPH036473A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15300429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14180089A Pending JPH036473A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置の静電破壊試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036473A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5691725A (en) * | 1995-09-08 | 1997-11-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus capable of measuring plural distance data for calculated angle ranges |
| US6363311B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-03-26 | Hitachi, Ltd. | Running controller for automobile |
| CN105548909A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-04 | 江苏三杰新能源有限公司 | 一种锂电池充放电测试装置 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14180089A patent/JPH036473A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5691725A (en) * | 1995-09-08 | 1997-11-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus capable of measuring plural distance data for calculated angle ranges |
| US6363311B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-03-26 | Hitachi, Ltd. | Running controller for automobile |
| CN105548909A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-04 | 江苏三杰新能源有限公司 | 一种锂电池充放电测试装置 |
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