KR950009895A - 전기 방전 측정에 의한 입자 검출 - Google Patents

Abstract

반도체 공정처리 장치의 배기라인 내에 충전된 미립자가 존재하는 것을 검출하기 위한 장치는 배기라인내에 장착된 최소한 두가지 전극을 포함한다. 고전압 전원은 제1 및 제2전극 사이에서 브레이크다운 필드와 거의 동일한 전기장을 유지시킨다. 충전된 미립자가 두 전극 사이에서 전기장을 통과할 때, 전기장은 교란되어서 상기 두 전극에 결합된 회로내에 순간 전류가 흐르게 된다. 펄스 전류 모니터링 회로는 충전된 미립자의 통로와 연결된 순간 전류를 검출한다. 어떤 환경에서, 전극에 의해 미립자를 통과시키기 전에 그 배기된 미립자를 예비충전할 필요가 있다.

Description

전기 방전 측정에 의한 입자 검출

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 입자 모니터링 장치의 개략도,

제2도는 제1도 장치의 전류 전압 특성 그래프,

제3도는 본 발명에 따른 입자 모니터링 장치에 포함된 반도체 공정처리 시스템의 개략도,

제4도는 입자 모니터링 장치의 또다른 실시예의 개략도.

Claims (26)

1. 제1 및 제2전극으로, 상기 제1전극이 상기 제2전극으로 부터 분리되어 있는 그러한 제1및 제2전극과; 상기 제1 및 상기 제2전극에 결합된 전압 공급장치로, 상기 제1및 상기 제2전극 사이에서 브레이크 다운 필드 근처의 전기장을 발생시키는 그러한 전압공급장치와; 상기 제1 및 상기 제2전극에 결합된 전류 모니털이 회로를 포함함을 특징으로 하며, 그리하여 상기 제1및 상기 제1전극근처의 충전입자의 통로는 순간전류를 상기 전류 모니터링 회로에 의해 검출될 수 있도록 함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
2. 제1항에 있어서, 고전압 전압이 상기 제1및 상기 제2전극 사이에 충분한 바이어스를 유지시켜서, 상기 제1및 제2전극 사이에서 충전 입자의 통로 없이 전류가 흐름을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 전극 중 최소한 한 전극이 실리콘 카아바이드를 포함함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2전극중 최소한 한 전극은 니들형상임을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 구멍을 가지는 기판을 포함함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 제1전극의 한 측상에 고정된 와이어를 포함함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
7. 제1항에 있어서, 중성미립자에 전하를 기하는 예비충전기를 추가로 포함함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
8. 제1항에 있어서, 침전기를 추가로 포함하며, 여기서 상기 침전기는 무거운 미립자로 부터 가벼운 미립자를 분리함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
9. 미립자의 흐름 통로를 형성하는 배기라안과; 서로 고착된 관계로 장착된 제1및 제2전극으로, 상기 미립자의 흐름 통로 내에 최소한 부분적으로 배치되는 그러한 제1및 제2전극과; 상기 제1및 제2전극에 결합된 전압원으로, 상기 제1및 제2전극 사이에서 브레이크타운 필드 근처의 전기장을 지속시키는 그러한 전압원과; 그리고 상기 제1및 제2전극에 결합된 전류 모니터링 회로를 포함함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 제1및 제2전극 상부에 예비충전기를 추가로 배치하고 여기서 상기 예비 충전기는 전기 미립자에 전기 충전을 가함을 특징으로 하는 입자 모니터링 장치.
11. 제9항에 있어서, 상기 제1및 제2전극은 평행와이어를 포함함을 특징으로 하는 배기라인 입자 모니터링 장치.
12. 제11항에 있어서, 상기 제1및 제2전극은 상기 배기라인을 복수회 교차시킴을 특징으로 하는 배기라인 입자 모니터링 장치.
13. 제9항에 있어서, 상기 제1및 제2전극중 최소한 한 전극은 니들형상임을 특징으로 하는 배기라인 입자 모니터링 장치.
14. 제9항에 있어서, 상기 제1및 제2전극으로 부터 상부에 충전기를 추가로 배치함을 특징으로 하는 배기라인 입자 모니터링 장치.
15. 제9항에 있어서, 상기 전압원은 상기 전류 모니터링 회로와 직렬 연결됨을 특징으로 하는 배기라인 입자 모니터링 장치.
16. 공정처리 챔버와; 상기 공정처리 챔버에 결합된 배기라인으로, 상기 공정처리 챔버로 부터 회수된 미립자가 상기 배기라인을 통하여 흐르게 되는 그러한 배기라인과; 상기 배기라인 내에 장착된 제1및 제2전극과; 상기 제1및 제2전극에 결합된 전압원으로, 상기 제1및 제2전극 사이에서 브레이크다운 필드 근처의 전자상을 지속시키도록 조절가능한 그러한 전압원과; 그리고 상기 제1및 상기 제2전극에 결합된 전류 모니터링 회로를 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
17. 제16항에 있어서, 상기 전압원은 상기 제1 및 제2전극 사이에 전압을 지속시켜서 대략 일정한 전류가 상기 제1 및 제2전극 사이에서 흐르게 함을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
18. 제16항에 있어서, 상기 공정처리 챔버 및 상기 제1 및 상기 제2전극사이에서 상기 배기라인을 따라 배채된 예비충전회로를 추가로 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
19. 제16항에 있어서, 상기 전극중 최소한 한 전극은 실리콘 카아바이드를 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
20. 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 평행 와이어를 포함함을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
21. 제20항에 있어서, 상기 제1 및 상기 제2전극은 상기 배기라인을 복수회 교차시킴을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
22. 제16항에 있어서, 상기 전압원은 상기 전류 모니터링 회로와 직렬 연결됨을 특징으로 하는 반도체 공정처리 장치.
23. 제1및 제2전극에 브레이크 다운 필드와 대략 동일한 전기장까지 바이어스 전압을 걸고; 상기 제1및 상기 제2전극 근처의 미립자를 통과시키고, 상기 미립자는 상기 전극 필드를 교란시키고; 상기 제1및 상기 제2전극에 결합된 회로내에서 순간전류를 검출하는; 단계를 포함함을 특징으로 하는 입자검출방법.
24. 제23항에 있어서, 상기 제1및 제2전극 사이에서 전류를 모니터링 하면서, 한편 상기 제1및 제2전극을 상기 브레이크다운 필드와 거의 동일한 전기장까지 바이어스 전압을 가하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 입자 검출 방법.
25. 제23항에 있어서, 상기 제1및 제2전극 근처에서 중성의 미립자를 통과시키기 전에 그 중성의 미립자를 충전시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 입자검출방법.
26. 제23항에 있어서, 상기 제1및 제2전극 근처에서 미립자를 통과시키기 전에 가벼운 미립자를 무거운 미립자로 부터 분리시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 입자검출방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.